Показаны сообщения с ярлыком 3D FinFET. Показать все сообщения
Показаны сообщения с ярлыком 3D FinFET. Показать все сообщения

четверг, 7 октября 2021 г.

Samsung Foundry Forum 2021: South Korean tech giant announces 2nm semiconductor product launch dates






One of the key semiconductor technologies beyond 3D FinFET transistors are Gate-All-Around transistors, which show promise to help extend the ability to drive processors and components to higher performance and lower power. Samsung has always announced that its first generation GAA technology will align with its ‘3nm’ nodes, with its 3GAE and 3GAP processes. As part of the Samsung Foundry Forum today, some more insight was put into the timeline for the rollout, as well as talk of its 2nm process.
It has been widely expected that once the standard FinFET runs out of steam that the semiconductor manufacturing industry will pivot to GAAFET designs. Each of the leading edge vendors call their implementation something different (RibbonFET for Intel, MBCFET for Samsung), but it is all using the same basic principle – a flexible width transistor with a number of layers helping drive transistor current. Where FinFETs relies on multiple quantized fins for source/drain and a cell height of multiple tracks of fins, GAAFETs enable a single fin of variable length, allowing the current for each individual cell device to be optimized in power, performance, or area.
All the big vendors have been discussing GAAFETs in technical semiconductor conferences for a number of years. For example, at the International VLSI conference in June 2020, then Intel CTO Dr. Mike Mayberry showcased a diagram with the enhanced electrostatics of moving to a GAA design. At the time we asked about Intel’s timescale for implementing GAA in volume, and were told to expect them ‘within 5 years’. At present Intel’s RibbonFET is due to come with the 20A process, likely to be productized by the end of 2024. TSMC by contrast is introducing its equivalent technology with its 2nm process nodes, stating that they can extend the life of their FinFET technology for another generation in 3nm. Exact timeline for TSMC's rollout is still quite blurry at this point, as the company expects its N5 and N3 offerings to be extensive long life-time nodes.
Samsung actually surprised us a couple of years back, announcing that it had a version of its GAA technology in prototype in early 2019. The company said that it was shipping its v0.1 development kit to its partners, allowing them to experiment with the early design rules that Samsung required. That has improved over time, and at a presentation a couple of months ago at a China-only conference, the company said that a version of its 3nm GAA technology would be on track for 2022 deployment. Today Samsung is confirming and extending those expectations.
Speaking to Samsung’s MoonSoo Kang, Senior VP of Samsung’s Foundry Market Strategy, he outlined the following timetable for Samsung’s GAA process nodes:

* 3GAE will go into mass production by EoY 2022
* 3GAP will follow in one year for mass production at EoY 2023
* 2GAP will take another couple of years, mass production in 2025

He did add the caveat that these are mass production schedules – product on the shelves will be dependent on customers and their own deployments. From that we usually add one or two quarters (3-6mo) after these times, so 2GAP is realistically a 2026 product for end-users based on these schedules.
This is the first that Samsung is talking about its 2nm process technology, and it comes across as an iterative optimization with what Samsung expects to provide with the 3nm variants. Exact details about performance expectations of these process nodes may be presented later today at the Samsung Foundry Forum 2021 event.

Samsung Foundry Forum 2021: южнокорейский техногигант объявляет о сроках запуска полупроводниковой продукции по 2-нм процессу

В настоящее время многие отрасли страдают от глобального дефицита полупроводников. Стоимость чипов растёт, равно как и сроки поставок. При этом крупные чипмейкеры инвестируют всё больше средств в наращивание объёмов производства и внедрение передовых технологий. Samsung здесь не является исключением. Вендор заявляет, что намерен удвоить объёмы производства чипов к 2026 году.
Samsung, входящий в первую тройку ведущих мировых поставщиков полупроводниковых изделий, недавно объявил, что планирует потратить $17 миллиардов на создание новых производственных мощностей в США к концу 2023 года. Сейчас брэнд владеет лишь одним таким предприятием в Соединённых Штатах — завод в Остине, производящий 65- и 14-нм продукцию. Место расположения нового завода пока не раскрывается, также неизвестно какая именно продукция будет там производиться. Помимо этого, у Samsung есть 4 кластера по выпуску полупроводников в Южной Корее, имеется крупное предприятие в Китае, а также южнокорейские центры тестирования и упаковки чипов.
В рамках мероприятия Samsung Foundry Forum 2021 на этой неделе производитель заявил о намерении нарастить производство чипов почти в 2 раза с 2021 по 2026 год. Обозначив 2017 год в качестве отправной точки, Samsung заявил, что за счёт запуска фабрик S3 и S4, а также первой фазы S5, на текущий момент ему удалось увеличить объёмы производства микросхем в 1,8 раза. Ожидается, что к 2026 году, когда будет запущена вторая фаза завода S5, выпуск чипов примерно в 3,2 раза превысит показатель 2017 года.
Помимо прочего, южнокорейский техногигант поделился подробностями о запуске в массовое производство чипов с перспективными транзисторами GAAFET, а также обозначил, когда можно ожидать внедрения 2-нм технологии.
Транзисторы GAAFET (Gate-All-Around или транзисторы с круговым затвором) станут одной из ключевых технологий в полупроводниковом бизнесе по истечении жизненного цикла актуальных транзисторов 3D FinFET. С новыми транзисторами можно будет увеличить производительность процессоров и прочих компонентов при сниженном потреблении энергии. Samsung уже неоднократно заявлял, что внедрение первого поколения GAAFET будет осуществляться по нормам 3 нм в разновидностях 3GAE и 3GAP.
Когда актуальная на сегодняшний день технология FinFET исчерпает свои возможности, полупроводниковая индустрия переключится на конструкцию «нанолистов» GAAFET. Каждый из крупнейших мировых производителей по-своему обозначает реализацию такой технологии. У Intel это RibbonFET, а у Samsung — MBCFET (multi-bridge channel FET). Но во всех случаях используется один принцип — переменные ширина и число проводящих каналов-нанолистов, что позволяет улучшить контроль над током. На транзисторах FinFET используются несколько рёбер (или «плавников»), обеспечивающих фиксированный размер канала, в то время как GAAFET позволяет варьировать размеры каналов, и транзистор можно оптимизировать под каждую конкретную задачу — повышая производительность или понижая потребление энергии.
В течение последних лет все крупные производители обсуждали GAAFET на профильных мероприятиях. В июле на Intel Accelerated компания рассказала о дальнейшем развитии указанных технологий. Переход на GAAFET (Intel RibbonFET) ожидается в 2024 году в соответствии с техпроцессом 2 нм. Тайваньская TSMC планирует оставаться с FinFET, используя это решение даже в техпроцессе 3 нм, в то время как внедрение Gate-All-Around будет ознаменовано переходом на 2 нм. Точные сроки тайваньский производитель пока не сообщает, поскольку ожидает относительно долгосрочной работы линий N5 (5 нм) и N3 (3 нм).
Тем временем Samsung ещё в 2019 году заявил о создании прототипа чипа на основе 3-нм GAA-транзисторов. Пару месяцев были обнародованы планы запуска в массовое производство таких чипов уже в 2022 году. Теперь производитель подтвердил свои намерения и уточнил сроки. Старший вице-президент по стратегии рынка Samsung Foundry Мун-су Кан (MoonSoo Kang) представил график производства компонентов на основе технологии GAAFET:

* производство продукции по технологии 3GAE стартует в конце 2022 года;
* производство продукции по технологии 3GAP начнётся в конце 2023 года;
* подготовка к технологии 2GAP займёт ещё 2 года, массовое производство запланировано на 2025 год.

Он также уточнил, что речь идёт о планах по производству компонентов — выход потребительских товаров на рынок будет зависеть от клиентов Samsung и их собственных графиков. Исходя из этого, имеет смысл добавить один или два квартала (3–6 месяцев), поэтому продукция на основе 2GAP достигнет потребителя в 2026 году.

среда, 29 ноября 2017 г.

Samsung приступает к массовому производству чипов по 10-нм техпроцессу FinFET 2-го поколения



Samsung Electronics объявляет о начале производства однокристальных систем по 10-нанометровому техпроцессу FinFET 2-го поколения.
Первое поколение 10-нанометрового техпроцесса FinFET используется во флагманских чипах Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835. Как отмечает разработчик, техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной структурой 3D FinFET позволяет на 10% повысить производительность и на 15% снизить энергопотребление устройств по сравнению с первым поколением 10LPE (Low-Power Early).
Первые устройства на основе 10LPP-процессоров запланированы к выпуску в начале 2018 года. Ожидается, что Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9+ станут первыми смартфонами на базе 10-нанометрового Qualcomm Snapdragon 845. Первая партия новых чипов будет использована в Galaxy S9 для США, а для остальных регионов в основу Galaxy S9 ляжет фирменный 10-нанометровый Exynos 9810.

Samsung Starts Mass Production of its 2nd Generation 10nm FinFET Process Technology

New S3 line is now ready for ramp-up to meet the 10nm demand

Samsung Electronics, a world leader in advanced semiconductor technology, today announced that its Foundry Business has commenced mass production of System-on-Chip (SoC) products built on its second generation 10-nanometer (nm) FinFET process technology, 10LPP (Low Power Plus).
10LPP process technology allows up to 10-percent higher performance or 15-percent lower power consumption compared to its first generation 10nm process technology, 10LPE (Low Power Early). As this process is derived from the already proven 10LPE technology, it offers competitive advantages by greatly reducing turn-around time from development to mass production and by providing significantly higher initial manufacturing yield.
SoCs designed with 10LPP process technology will be used in digital devices scheduled to launch early next year and are expected to become more widely available throughout the year.
“We will be able to better serve our customers through the migration from 10LPE to 10LPP with improved performance and higher initial yield,” said Ryan Lee, vice president of Foundry Marketing at Samsung Electronics. “Samsung with its long-living 10nm process strategy will continue to work on the evolution of 10nm technology down to 8LPP to offer customers distinct competitive advantages for a wide range of applications.”
Samsung also announced that its newest manufacturing line, S3, located in Hwaseong, Korea, is ready to ramp up production of process technologies including 10nm and below. S3 is the third fab of Samsung’s Foundry Business, following S1 in Giheung, Korea and S2 in Austin, USA. Samsung’s 7nm FinFET process technology with EUV (Extreme Ultra Violet) will also be mass produced at S3.

четверг, 16 марта 2017 г.

Samsung вложит $7 миллиардов в разработку 10-нанометрового техпроцесса



На днях мировые СМИ сообщили, что южнокорейский техногигант Samsung инвестирует порядка $7 миллиардов в расширение 10-нанометрового производства и строительство 7-нанометрового.
Высокоточное оборудование для новой 10-нанометровой линии уже заказано и будет запущено в эксплуатацию во 2-м квартале. Сейчас Samsung выпускает по нормам 10 нм собственные однокристальные системы Exynos 9 Series (8895) и SoC Snapdragon 835 по заказу американской Qualcomm.
Накануне представители Samsung подтвердили, что производство продукции по нормам 10 нм идёт по запланированному графику. Вендор уже отгрузил более 70 тыс. кремниевых пластин, изготовленных при помощи 10-нанометрового процесса LPE (Low Power Early) первого поколения.
Более того, в Samsung отметили, что работают над 8- и 6-нанометровыми технологическими процессами. По словам представителей холдинга, новые технологии будут отвечать растущим потребностям клиентов, они позволят создавать продукцию с высоким уровнем производительности, при этом весьма конкурентоспособную по цене.
Более развёрнутая информация по этой теме будет представлена 24 мая в ходе мероприятия Samsung Foundry Forum.

Samsung Electronics on Track for 10nm FinFET Process Technology Production Ramp-up

Samsung Electronics, a world leader in advanced semiconductor technology, announced today that its production ramp-up of the 10-nanometer (nm) FinFET process technology is on track with steady high yield to meet customer needs on schedule.
Samsung has shipped more than 70,000 silicon wafers of its first-generation 10nm LPE (Low Power Early) to date. The company began the industry’s first mass production of 10LPE last October.
Back in 2015, Samsung introduced the industry’s first 14nm FinFET LPE technology for mobile applications based on 3D FinFET structure. Since then, Samsung has successfully delivered further enhancements in power, performance and scalability for both 14nm and 10nm FinFET technology. “Samsung’s 10nm LPE is a game changer in the foundry industry. Following the 10LPE version, the 10nm LPP and LPU will enter mass production by the end of the year and next year, respectively.” said Jongshik Yoon, Executive Vice President and Head of Foundry Business at Samsung Electronics. “We will continue to offer the most competitive process technology in the industry.”
Samsung Electronics has also announced the addition of the 8nm and the 6nm process technologies to its current process roadmap. Samsung’s 8nm and 6nm offerings will provide greater scalability, performance and power advantages when compared to existing process nodes. The 8nm and the 6nm will inherit all innovations from the latest 10nm and the 7nm technologies with design infrastructure enhancements to meet various customer needs and provide further cost competitiveness.
Samsung’s foundry technology roadmap and technical details, including the newest 8nm and the 6nm, will first be open to its customers and partners at the upcoming U.S Samsung Foundry Forum scheduled for May 24, 2017.