Новые 256Гб V-NAND модули флэш-памяти отличаются максимальной скоростью передачи данных в отрасли и впервые используют ‘Toggle DDR 4.0’ NAND интерфейс
Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в технологии производства устройств памяти, объявил о начале массового производства V-NAND флэш-памяти с максимальной скоростью передачи данных в отрасли. Благодаря ‘Toggle DDR 4.0’ интерфейсу, используемого впервые в индустрии, скорость обмена данными между накопителем и новыми 256-гигабитными (Гб) V-NAND модулями флэш-памяти Samsung достигла 1.4 гигабит в секунду (Гбит/сек.), что на 40% выше скорости 64-слойного предшественника.
Энергоэффективность новых V-NAND флэш-модулей Samsung сравнима с показателями 64-слойного чипа, что обусловлено снижением рабочего напряжения с 1,8 до 1.2 вольт. Новые V-NAND модули также отличаются минимальным временем записи данных, составляющим 500 микросекунд (μs), что на 30% превышает аналогичные показатели модулей памяти предшествующего поколения. При этом время реакции на считывание сигнала было значительно сокращено – до 50 микросекунд (μs).
V-NAND модули флэш-памяти Samsung 5-го поколения включают 90 слоёв ячеек, изготовленных по технологии 3D charge trap flash (CTF). Эти ячейки (максимальное количество слоёв в отрасли) сформированы в пирамидальную структуру со сквозными микроскопическими каналами. Cквозные каналы шириной несколько сотен нанометров (нм) содержат более 85 миллиардов CTF ячеек, каждая из которых может хранить 3 бита данных. Такая инновационная технология производства модулей памяти является результатом нескольких прорывных достижений в области разработки топологии микросхем и новых производственных процессов.
Благодаря совершенствованию технологии атомно-слоевого осаждения (АСО), продуктивность производства V-NAND модулей была увеличена более чем на 30%. Эта технология позволила уменьшить высотку слоя в каждой ячейке на 20%, что обеспечило устранение перекрёстных помех между ячейками и повысить эффективность обработки данных ячейки.
«5-е поколение V-NAND модулей памяти Samsung и решений на их основе позволит предложить быстро растущему премиум-сегменту мирового рынка наиболее совершенные микросхемы NAND памяти, – комментирует Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флэш-памяти и технологии Samsung Electronics. Кроме выдающихся достижений в области технологии производства компонентов памяти, мы готовимся представить 1-терабитные (Tб) и 4-уровневые QLC-чипы в дополнение к нашей линейке V-NAND модулей, что станет стимулом к созданию решений на основе компонентов NAND памяти следующего поколения».
Учитывая растущие требования рынка, Samsung планирует быстро увеличить массовое производство V-NAND модулей памяти 5-го поколения и сохранить лидирующие позиции в производстве устройств с высокой плотностью записи, используемых в таких критически важных сферах, как производство суперкомпьютеров, промышленных серверов и премиальных смартфонов.
Samsung Electronics Brings Next Wave of High-Performance Storage with Mass Production of Fifth-generation V-NAND
Samsung’s new 256Gb V-NAND features industry’s fastest data transfer speed, while being the first to apply the ‘Toggle DDR 4.0’ NAND interface
Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing its fifth-generation V-NAND memory chips with the fastest data transfers now available. In the industry’s first use of the ‘Toggle DDR 4.0’ interface, the speed for transmitting data between storage and memory over Samsung’s new 256-gigabit (Gb) V-NAND has reached 1.4-gigabits per second (Gbps), a 40-percent increase from its 64-layer predecessor.
The energy efficiency of Samsung’s new V-NAND remains comparable to that of the 64-layer chip, primarily because the operating voltage has been reduced from 1.8 volts to 1.2 volts. The new V-NAND also has the fastest data write speed to date at 500-microseconds (μs), which represents about a 30-percent improvement over the write speed of the previous generation, while the response time to read-signals has been significantly reduced to 50μs.
Packed inside Samsung’s fifth-generation V-NAND are more than 90 layers of ‘3D charge trap flash (CTF) cells,’ the largest amount in the industry, stacked in a pyramid structure with microscopic channel holes vertically drilled throughout. These channel holes, which are only a few hundred-nanometers (nm)-wide, contain more than 85 billion CTF cells that can store three bits of data each. This state-of-the-art memory fabrication is the result of several breakthroughs that include advanced circuit designs and new process technologies.
Thanks to enhancements in the V-NAND’s atomic layer deposition process, manufacturing productivity has also increased by more than 30 percent. The cutting-edge technique allows the height of each cell layer to be reduced by 20 percent, prevents crosstalk between cells and increases the efficiency of the chip’s data processing.
“Samsung’s fifth-generation V-NAND products and solutions will deliver the most advanced NAND in the rapidly growing premium memory market,” said Kye Hyun Kyung, executive vice president of Flash Product and Technology at Samsung Electronics. “In addition to the leading-edge advances we are announcing today, we are preparing to introduce 1-terabit (Tb) and quad-level cell (QLC) offerings to our V-NAND lineup that will continue to drive momentum for next-generation NAND memory solutions throughout the global market.”
Samsung will be quickly ramping up production of its fifth-generation V-NAND to meet a wide range of market needs, as it continues to lead the high-density memory movement across critical sectors such as supercomputing, enterprise servers and the latest mobile applications such as premium smartphones.
