понедельник, 1 июня 2020 г.

Samsung приступает к строительству очередной линии по производству памяти V-NAND





В сегодняшнем официальном пресс-релизе Samsung Electronics объявил о планах расширения мощностей по производству флэш-памяти NAND в Пхёнтэке (Южная Корея). Строительство, начатое в прошлом месяце, должно быть завершено во 2-й половине 2021 года.
«Эти инвестиции ещё раз подтверждают нашу готовность поддерживать лидерство в области технологий памяти, даже в столь смутные времена», — заявил Чхоль Чой, исполнительный вице-президент по глобальным продажам памяти в Samsung Electronics. В Samsung считают, что в эпоху 4-й промышленной революции, основанной на искусственном интеллекте (AI), интернете вещей (IoT) и скоростной мобильной связи 5G, флэш-память типа NAND будет играть ведущую роль, поэтому наращивание производственных мощностей как никогда актуально.
Samsung Pyeongtaek Campus, основанный в 2015-м году, занимается производством чипов памяти на двух крупнейших в мире производственных линиях. Одним из самых актуальных продуктов здесь является флэш-память V-NAND 6-го поколения (1xx-layer), представленная в июле прошлого года. С хронологией серийного производства разных типов флэш-памяти Samsung можно ознакомиться в приведённой выше таблице.

Samsung Announces New NAND Flash Facility to Address Future Data Center and Mobile Demands

Located inside Pyeongtaek's Line 2 in Korea, the new facility is slated for mass production in 2H 2021 / The facility will be dedicated to manufacturing Samsung’s most advanced V-NAND memory

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced plans to expand its NAND flash production capacity in Pyeongtaek, Korea, reinforcing the company’s ability to meet demands from emerging technologies. Construction, which began this May, will pave the way for mass production of Samsung’s cutting-edge V-NAND memory in the second half of 2021.
“The new investment reaffirms our commitment to sustain undisputed leadership in memory technologies, even in uncertain times,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Global Sales & Marketing at Samsung Electronics. “We will continue to serve the market with the most optimized solutions available, while contributing to growth of the overall IT industry and the economy in general.”
In the age of the Fourth Industrial Revolution fueled by artificial intelligence, the Internet of Things and 5G expansion, the added capacity will play a major role in helping to address mid- to long-term demands for NAND flash memory. As digital lifestyles become more prevalent, Samsung will continue to be proactive in making new investments in order to seize future market opportunities.
Samsung’s NAND flash production network extends from Hwaseong and Pyeongtaek in Korea to Xi’an, China. Established in 2015, Samsung’s Pyeongtaek Campus is a hub for next-generation memory technologies, consisting of two of the world’s largest-scale production lines.
Leveraging its significant edge in manufacturing and technology, Samsung has held the leadership position in NAND flash memory for the past 18 years, with one recent innovation being the industry-first sixth-generation (1xx-layer) V-NAND introduced last July. Through balanced investment across its global sites, Samsung aims to maintain a robust production network that will further cement its market leadership.