Samsung Electronics объявляет о производстве и отгрузке 1 миллиона модулей первой на рынке памяти (D1x) DDR4 (Double Date Rate 4) DRAM, произведённых с использованием технологии EUV (литографии в глубоком ультрафиолете). Модули прошли валидирование крупнейших международных производителей электроники, и теперь вендор с их помощью сможет создавать инновационные функциональные узлы с использованием EUV для применения в премиальных ПК, мобильных устройствах, корпоративных серверах и центрах обработки данных.
Samsung первым применил технологию EUV в производстве DRAM-модулей, чтобы преодолеть ограничения по масштабированию этого типа чипов. Литография в глубоком ультрафиолете сокращает количество повторяющихся шагов при создании нескольких шаблонов и повышает точность их формирования. Это обеспечивает повышенную производительность и более высокий выход, а также сокращённое время разработки.
Технология EUV будет полностью развёрнута в будущих DRAM от Samsung, начиная с 4-го поколения 10-нм класса (D1a) или продвинутого 14-нм класса DRAM. Корпорация намерена начать серийное производство DDR5 и LPDDR5 на базе D1a в следующем году, что удвоит производительность 12-дюймовых пластин D1x.
В связи с расширением рынка DDR5/LPDDR5 в 2021 году Samsung продолжит укреплять сотрудничество с ведущими IT-клиентами и поставщиками полупроводников с целью оптимизации стандартных спецификаций, поскольку это ускорит переход к DDR5/LPDDR5 на всём рынке памяти.
Samsung Announces Industry’s First EUV DRAM with Shipment of First Million Modules
EUV-based 1st-gen 10nm-class DRAM (D1x) has completed its customer evaluations;
EUV to be fully deployed from 4th-gen 10nm-class DRAM (D1a) next year
Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has successfully shipped one million of the industry’s first 10nm-class (D1x) DDR4 (Double Date Rate 4) DRAM modules based on extreme ultraviolet (EUV) technology. The new EUV-based DRAM modules have completed global customer evaluations, and will open the door to more cutting-edge EUV process nodes for use in premium PC, mobile, enterprise server and datacenter applications.
“With the production of our new EUV-based DRAM, we are demonstrating our full commitment toward providing revolutionary DRAM solutions in support of our global IT customers,” said Jung-bae Lee, executive vice president of DRAM Product & Technology at Samsung Electronics. “This major advancement underscores how we will continue contributing to global IT innovation through timely development of leading-edge process technologies and next-generation memory products for the premium memory market.”
Samsung is the first to adopt EUV in DRAM production to overcome challenges in DRAM scaling. EUV technology reduces repetitive steps in multi-patterning and improves patterning accuracy, enabling enhanced performance and greater yields as well as shortened development time.
EUV will be fully deployed in Samsung’s future generations of DRAM, starting with its fourth-generation 10nm-class (D1a) or the highly-advanced 14nm-class, DRAM. Samsung expects to begin volume production of D1a-based DDR5 and LPDDR5 next year, which would double manufacturing productivity of the 12-inch D1x wafers.
In line with the expansion of the DDR5/LPDDR5 market next year, the company will further strengthen its collaboration with leading IT customers and semiconductor vendors on optimizing standard specifications, as it accelerates the transition to DDR5/LPDDR5 throughout the memory market.
To better address the growing demand for next-generation premium DRAM, Samsung will start the operation of a second semiconductor fabrication line in Pyeongtaek, South Korea, within the second half of this year.
