Samsung приступает к строительству очередной линии по производству памяти V-NAND

В сегодняшнем официальном пресс-релизе Samsung Electronics объявил о планах расширения мощностей по производству флэш-памяти NAND в Пхёнтэке (Южная Корея). Строительство, начатое в прошлом месяце, должно быть завершено во 2-й половине 2021 года.
«Эти инвестиции ещё раз подтверждают нашу готовность поддерживать лидерство в области технологий памяти, даже в столь смутные времена», — заявил Чхоль Чой, исполнительный вице-президент по глобальным продажам памяти в Samsung Electronics. В Samsung считают, что в эпоху 4-й промышленной революции, основанной на искусственном интеллекте (AI), интернете вещей (IoT) и скоростной мобильной связи 5G, флэш-память типа NAND будет играть ведущую роль, поэтому наращивание производственных мощностей как никогда актуально.
Samsung Pyeongtaek Campus, основанный в 2015-м году, занимается производством чипов памяти на двух крупнейших в мире производственных линиях. Одним из самых актуальных продуктов здесь является флэш-память V-NAND 6-го поколения (1xx-layer), представленная в июле прошлого года. С хронологией серийного производства разных типов флэш-памяти Samsung можно ознакомиться в приведённой выше таблице.

Samsung Announces New NAND Flash Facility to Address Future Data Center and Mobile Demands

Located inside Pyeongtaek's Line 2 in Korea, the new facility is slated for mass production in 2H 2021 / The facility will be dedicated to manufacturing Samsung’s most advanced V-NAND memory

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced plans to expand its NAND flash production capacity in Pyeongtaek, Korea, reinforcing the company’s ability to meet demands from emerging technologies. Construction, which began this May, will pave the way for mass production of Samsung’s cutting-edge V-NAND memory in the second half of 2021.
“The new investment reaffirms our commitment to sustain undisputed leadership in memory technologies, even in uncertain times,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Global Sales & Marketing at Samsung Electronics. “We will continue to serve the market with the most optimized solutions available, while contributing to growth of the overall IT industry and the economy in general.”
In the age of the Fourth Industrial Revolution fueled by artificial intelligence, the Internet of Things and 5G expansion, the added capacity will play a major role in helping to address mid- to long-term demands for NAND flash memory. As digital lifestyles become more prevalent, Samsung will continue to be proactive in making new investments in order to seize future market opportunities.
Samsung’s NAND flash production network extends from Hwaseong and Pyeongtaek in Korea to Xi’an, China. Established in 2015, Samsung’s Pyeongtaek Campus is a hub for next-generation memory technologies, consisting of two of the world’s largest-scale production lines.
Leveraging its significant edge in manufacturing and technology, Samsung has held the leadership position in NAND flash memory for the past 18 years, with one recent innovation being the industry-first sixth-generation (1xx-layer) V-NAND introduced last July. Through balanced investment across its global sites, Samsung aims to maintain a robust production network that will further cement its market leadership.

Samsung представляет 3D-память SSD V-NAND 6-го поколения

Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, объявиляет о начале массового производства твердотельных накопителей SATA ёмкостью 250Гб на базе 256-гигабитных V-NAND модулей 6-го поколения из более чем 100 слоёв трёхбитных ячеек, которые будут поставляться глобальным производителям ПК. На создание нового поколения V-NAND Samsung потребовалось всего 13 месяцев – таким образом, корпорация сократила производственный цикл на 4 месяца, при этом выпустив самые производительные, энергоэффективные и более простые в производстве модули.
V-NAND модули Samsung 6-го поколения отличаются самой высокой в отрасли скоростью передачи данных, демонстрируя производственное преимущество вендора, которое выводит 3D-память на новый уровень.
Благодаря уникальной фирменной технологии травления каналов новые V-NAND кристаллы получили примерно на 40% больше ячеек, чем одноблочные 9x-модули памяти предыдущего поколения. Это достигается путём формирования электропроводящей 136-слойной структуры, с последующим вертикальным прокалыванием цилиндрических отверстий сверху вниз, в результате чего образуются однородные трёхмерные ячейки с технологией ловушки снаряда (charge trap flash, CTF).
По мере увеличения высоты матрицы в каждой ячейке флэш-чипы NAND становятся более подвержены ошибкам и задержкам чтения. Для преодоления этого ограничения Samsung внедрил оптимизированную по скорости конструкцию схемы, которая позволяет достигать максимальной скорости передачи данных: менее 450 микросекунд (мкс) для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения. По сравнению с предыдущим поколением новая конструкция обеспечивает повышение производительности более чем на 10% и снижение энергопотребления более чем на 15%.
Благодаря оптимизированному дизайну, решения V-NAND следующего поколения смогут получить более 300 слоёв, сочетая 3 ячейки 6-го поколения без ущерба для производительности или надёжности чипа.
Кроме того, для создания чипа плотностью 256Гб нового поколения необходимо всего 670 миллионов сквозных каналов, по сравнению с 930 миллионами в решениях предыдущего поколения. Это позволило уменьшить размер чипов и сократить число этапов производства, повысив эффективность изготовления на 20%.
Используя функции с высокой скоростью и малой мощностью, Samsung намерен не только расширить возможности использования своих 3D V-NAND-решений в таких типах устройств, как мобильные гаджеты и корпоративные серверы, но и вывести их на автомобильный рынок, где высокая надёжность имеет ключевое значение.
«Внедряя передовые технологии 3D-памяти в модели массового производства, мы можем представить линейки памяти, которые обладают значительно большими скоростью и энергопотреблением, — отметил Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флэш-памяти и технологии Samsung Electronics. — Благодаря сокращению цикла разработки продуктов V-NAND следующего поколения мы планируем активно расширять рынок наших высокоскоростных и высокопроизводительных решений на базе 512-гигабитных V-NAND».
В планы Samsung, после выпуска 250-гигабайтных SSD, входит запуск на рынок 512-гигабитных трёхбитных V-NAND SSD и eUFS во 2-м полугодии. Корпорация также намерена расширить производство мощных высокоскоростных V-NAND-решений 6-го поколения на заводе в Пхёнтэке (Южная Корея), начиная со следующего года.

Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-Generation V-NAND SSDs for Client Computing

New V-NAND breaks through current cell stacking limitation in 3D NAND with the industry's first 100+ layer single-tier design for superior speed and power efficiency. Starting with a 250GB SATA SSD now in production, Samsung plans to offer high-speed, high-capacity SSDs and eUFS solutions based on its sixth-generation V-NAND.

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing 250-gigabyte (GB) SATA solid state drive (SSD) that integrates the company’s sixth-generation (1xx-layer) 256-gigabit (Gb) three-bit V-NAND for global PC OEMs. By launching a new generation of V-NAND in just 13 months, Samsung has reduced the mass production cycle by four months while securing the industry’s highest performance, power efficiency and manufacturing productivity.
“By bringing cutting-edge 3D memory technology to volume production, we are able to introduce timely memory lineups that significantly raise the bar for speed and power efficiency,” said Kye Hyun Kyung, executive vice president of Solution Product & Development at Samsung Electronics. “With faster development cycles for next-generation V-NAND products, we plan to rapidly expand the markets for our high-speed, high-capacity 512Gb V-NAND-based solutions.”

The Only Single-stack 3D Memory Die With a 100+ Layer Design

Samsung’s sixth-generation V-NAND features the industry’s fastest data transfer rate, capitalizing on the company’s distinct manufacturing edge that is taking 3D memory to new heights.
Utilizing Samsung’s unique ‘channel hole etching’ technology, the new V-NAND adds around 40-percent more cells to the previous 9x-layer single-stack structure. This is achieved by building an electrically conductive mold stack comprised of 136 layers, then vertically piercing cylindrical holes from top to bottom, creating uniform 3D charge trap flash (CTF) cells.
As the mold stack in each cell area increases in height, NAND flash chips tend to become more vulnerable to errors and read latencies. To overcome such limitations, Samsung has incorporated a speed-optimized circuit design that allows it to achieve the fastest data transfer speed, at below 450 microseconds (μs) for write operations and below 45μs for reads. Compared to the previous generation, this represents a more than 10-percent improvement in performance, while power consumption is reduced by more than 15 percent.
Thanks to this speed-optimized design, Samsung will be able to offer next-generation V-NAND solutions with over 300 layers simply by mounting three of the current stacks, without compromising chip performance or reliability.
In addition, the number of channel holes required to create a 256Gb chip density has decreased to 670 million holes from over 930 million with the previous generation, enabling reduced chip sizes and less process steps. This brings a more than 20-percent improvement in manufacturing productivity.
Leveraging the high-speed and low-power features, Samsung plans to not only broaden the reach of its 3D V-NAND into areas like next-generation mobile devices and enterprise servers, but also into the automotive market where high reliability is extremely critical.
Following today’s introduction of the 250GB SSD, Samsung plans to offer 512Gb three-bit V-NAND SSD and eUFS in the second half of this year. The company also expects to expand production of higher-speed and greater-capacity sixth-generation V-NAND solutions at its Pyeongtaek (South Korea) campus starting next year to better meet demand from global customers.

50-е собрание акционеров Samsung: техногигант останется лидером полупроводниковой индустрии

В этом году Samsung Electronics сосредоточится на увеличении разрыва с конкурентами путём совершенствования разработок в сегменте 10-нанопроцессора для своих микросхем DRAM 3-го поколения и V-NAND 6-го поколения, одновременно завоёвывая лидерство в новом быстрорастущем секторе бизнеса с дифференцированными продуктами, такими как память с высокой пропускной способностью, заявил сегодня глава подразделения Samsung Semiconductor.

В ходе 50-го ежегодного собрания акционеров, состоявшегося в Сеуле, Ким Кинам, глава подразделения Samsung device solutions, выступил с речью, коснувшись вопроса о растущей неопределённости на мировом рынке полупроводников.
«Этот год будет непростым для Samsung Electronics из-за медленных продаж смартфонов и сокращения инвестиций со стороны крупных клиентов центров обработки данных, но в то же время будет открываться окно возможностей при устойчивом спросе со стороны новых секторов, таких как 5G, искусственный интеллект и автомобильная электроника», - сказал топ-менеджер.
Относительно инвестиций Samsung в полупроводниковый бизнес Ким сказал, что руководство будет гибко подходить к динамике рынка, одновременно готовясь к тому, чтобы не допустить сбоев в коммерческом производстве на новых линиях в Пхёнтхэке (Южная Корея) и Сиане (Китай).
Касаясь бизнеса производства полупроводников для сторонних заказчиков, чиновник сказал, что Samsung будет выпускать 7-нм чипы, используя новейшую технологию производства, известную как EUV (экстремальная ультрафиолетовая литография), опережая конкурентов.
Как и в прошлом году, на собрании акционеров не присутствовал вице-председатель Ли Джей-ён (наследник семейной империи Samsung), который активизировал свою деятельность после того, как избежал тюремного заключения в ходе апелляционного производства в начале прошлого года, сообщает южнокорейский портал PulseNews.

Samsung’s semicon head sticks to tech leadership against market dynamics

Samsung Electronics will focus on widening the gap with rivals by developing the 10 nano process for its 3rd-generation DRAM chips and 6th-generation V-NAND, while gaining leadership in a high-growth new business sector with differentiated products such as high bandwidth memory this year, according to the company’s semiconductor business head on Wednesday. 
During Kim Ki-nam, head of Samsung Electronics’ device solutions division, made the remarks as part of his response to growing uncertainty in the global semiconductor market during the company’s 50th annual shareholders’ meeting held in its Seoul headquarters Wednesday morning. 
"This year will be a challenging for Samsung Electronics due to slow sales of smartphones and investment contractions by big data center clients, but there will be a window of opportunity at the same time with steady demand from new growth areas such as 5G, artificial intelligence and car electronics,” he said. 
Regarding the company’s semiconductor capex investment, Kim said the management will take a flexible approach to market dynamics, while prepping to ensure no disruption in commercial production from new lines in Pyeongtaek in Korea and Xian in China. 
Touching on Samsung’s foundry business, he said will produce chips with circuitry widths of 7 nano meters using the latest manufacturing technology called EUV (extreme ultraviolet) lithography ahead of rivals. 
Meanwhile, vice chairman Jay Y. Lee who has expanded his business activities after avoiding a jail sentence during appellate proceedings early last year was not present in the shareholders’ meeting.

Samsung удваивает скорость работы современных накопителей в смартфонах

Техногигант начинает массовое производство первого в отрасли накопителя eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб. Построенная на базе фирменной технологии V-NAND 5-го поколения новая память отвечает самым последним требованиям отраслевых спецификаций Universal Flash Storage и обеспечивает скорость работы, в 20 раз превосходящую скорость обычных карт microSD

Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, объявил о начале массового производства первого в отрасли встраиваемого накопителя Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 ёмкостью 512 ГБ для мобильных устройств нового поколения. В соответствии с требованиями спецификаций eUFS 3.0, представленное решение обеспечивает вдвое более высокую скорость работы по сравнению с предыдущими eUFS накопителями (eUFS 2.1). Новинка будет применяться в будущих смартфонах с ультраширокими экранами с высоким разрешением.
«Начало массового производства накопителей линейки eUFS 3.0 обеспечивает Samsung огромное преимущество на рынке мобильных устройств нового поколения, где мы представляем память со скоростью чтения, которая раньше была достижима только в ультратонких ноутбуках, – говорит Чол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу технологий памяти в Samsung Electronics. – По мере расширения линейки eUFS 3.0, а также с выпуском версии ёмкостью 1ТБ в этом году динамика на рынке премиальных мобильных устройств будет возрастать».
Samsung начал производство первого в отрасли UFS интерфейса в январе 2015 года, выпустив накопитель eUFS 2.0, который обеспечивал в 1,4 раза более высокую скорость работы по сравнению со стандартной на тот момент памятью eMMC 5.1 (embedded multi-media card). Спустя всего 4 года новейшая память Samsung eUFS 3.0 по своей производительности не уступает памяти в современных ультратонких ноутбуках.
В накопителе Samsung eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб используется восемь 512-гигабитных кристаллов памяти Samsung V-NAND 5-го поколения и высокопроизводительный контроллер. Скорость последовательного чтения нового устройства составляет 2100 мегабайт в секунду, что вдвое превышает аналогичный показатель в новейшей uEFS памяти (eUFS 2.1), которая была анонсирована в январе. Скорость чтения нового решения в 4 раза превосходит скорость чтения в твердотельных SATA накопителях и в 20 раз – обычных карт памяти microSD. Таким образом, перемещение целого фильма в Full HD качестве c премиального смартфона на компьютер займёт всего порядка 3-х секунд*. Кроме того, скорость последовательной записи также выросла, увеличившись на 50% до 410МБ/с, что сопоставимо со скоростью записи в твердотельных SATA накопителях.
Скорость произвольного чтения и записи новой памяти на 36% выше, чем в текущей спецификации eUFS 2.1, и составляет, соответственно, 63000 и 68000 операций ввода/вывода в секунду (IOPS). С учётом значительного прироста в скорости произвольного чтения и записи, которая более чем в 630 раз превосходит показатели обычных карт памяти microSD (100 IOPS), новая память позволяет одновременно запускать сразу несколько сложных приложений, обеспечивая улучшенную отзывчивость пользовательского интерфейса, особенно в новейшем поколении мобильных устройств.
После старта производства накопителей eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб и версии ёмкостью 128Гб, которые будут запущены уже в этом месяце, Samsung намерен запустить производство моделей ёмкостью 1Тб и 256Гб во 2-й половине этого года, чтобы помочь глобальным производителям устройств реализовывать мобильные инновации будущего.

*Расчёты приведены для передачи фильма в формате Full HD размером 3,7Гб с мобильного устройства, оснащённого накопителем eUFS 3.0 ёмкостью 512ГБ, на компьютер с твердотельным NVMe-накопителем.  
** Для справки: сравнение производительности встраиваемой памяти Samsung

Samsung Electronics Doubling Current Smartphone Storage Speed as it Begins Mass Production of First 512GB eUFS 3.0

Based on the company’s fifth-generation V-NAND, the new memory meets the newest Universal Flash Storage industry specifications at a speed 20x faster than a typical microSD card

Samsung plans to launch a 1-Terabyte version within the second half of the year

Samsung Electronics the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first 512-gigabyte (GB) embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 for next-generation mobile devices. In line with the latest eUFS 3.0 specification, the new Samsung memory delivers twice the speed of the previous eUFS storage (eUFS 2.1), allowing mobile memory to support seamless user experiences in future smartphones with ultra-large high-resolution screens.
“Beginning mass production of our eUFS 3.0 lineup gives us a great advantage in the next-generation mobile market to which we are bringing a memory read speed that was before only available on ultra-slim laptops,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “As we expand our eUFS 3.0 offerings, including a 1-Terabyte (TB) version later this year, we expect to play a major role in accelerating momentum within the premium mobile market.”
Samsung produced the industry-first UFS interface with eUFS 2.0 in January, 2015, which was 1.4 times faster than the mobile memory standard at that time, referred to as the embedded multi-media card (eMMC) 5.1. In just four years, the company’s newest eUFS 3.0 matches the performance of today’s ultra-slim notebooks.
Samsung’s 512GB eUFS 3.0 stacks eight of the company’s fifth-generation 512-gigabit (Gb) V-NAND die and integrates a high-performance controller. At 2,100 megabytes-per-second (MB/s), the new eUFS doubles the sequential read rate of Samsung’s latest eUFS memory (eUFS 2.1) which was announced in January. The new solution’s blazing read speed is four times faster than that of a SATA solid state drive (SSDs) and 20 times faster than a typical microSD card, allowing premium smartphones to transfer a Full HD movie to a PC in about three seconds*. In addition, the sequential write speed also has been improved by 50 percent to 410MB/s, which is equivalent to that of a SATA SSD.
The new memory’s random read and write speeds provide up to a 36-percent increase over the current eUFS 2.1 industry specification, at 63,000 and 68,000 Input/Output Operations Per Second (IOPS), respectively. With the significant gains in random read and writes that are more than 630 times faster than general microSD cards (100 IOPS), a number of complex applications can be simultaneously run, while achieving enhanced responsiveness, especially on the newest generation of mobile devices.
Following the 512GB eUFS 3.0 as well as a 128GB version that are both launching this month, Samsung plans to produce 1TB and 256GB models in the second half of the year, to further help global device manufacturers in better delivering tomorrow’s mobile innovations.

* The calculation is based on transferring a 3.7GB full HD movie file from a mobile device with the 512GB eUFS 3.0 to a PC with a non-volatile memory express (NVMe) interface SSD.
※ Reference: Comparison of Samsung’s internal memory performance

Samsung запускает производство высокопроизводительных накопителей нового поколения на основе серийных модулей V-NAND

Новые 256Гб V-NAND модули флэш-памяти отличаются максимальной скоростью передачи данных в отрасли и впервые используют ‘Toggle DDR 4.0’ NAND интерфейс

Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в технологии производства устройств памяти, объявил о начале массового производства V-NAND флэш-памяти с максимальной скоростью передачи данных в отрасли. Благодаря ‘Toggle DDR 4.0’ интерфейсу, используемого впервые в индустрии, скорость обмена данными между накопителем и новыми 256-гигабитными (Гб) V-NAND модулями флэш-памяти Samsung достигла 1.4 гигабит в секунду (Гбит/сек.), что на 40% выше скорости 64-слойного предшественника.
Энергоэффективность новых V-NAND флэш-модулей Samsung сравнима с показателями 64-слойного чипа, что обусловлено снижением рабочего напряжения с 1,8 до 1.2 вольт. Новые V-NAND модули также отличаются минимальным временем записи данных, составляющим 500 микросекунд (μs), что на 30% превышает аналогичные показатели модулей памяти предшествующего поколения. При этом время реакции на считывание сигнала было значительно сокращено – до 50 микросекунд (μs).
V-NAND модули флэш-памяти Samsung 5-го поколения включают 90 слоёв ячеек, изготовленных по технологии 3D charge trap flash (CTF). Эти ячейки (максимальное количество слоёв в отрасли) сформированы в пирамидальную структуру со сквозными микроскопическими каналами. Cквозные каналы шириной несколько сотен нанометров (нм) содержат более 85 миллиардов CTF ячеек, каждая из которых может хранить 3 бита данных. Такая инновационная технология производства модулей памяти является результатом нескольких прорывных достижений в области разработки топологии микросхем и новых производственных процессов.
Благодаря совершенствованию технологии атомно-слоевого осаждения (АСО), продуктивность производства V-NAND модулей была увеличена более чем на 30%. Эта технология позволила уменьшить высотку слоя в каждой ячейке на 20%, что обеспечило устранение перекрёстных помех между ячейками и повысить эффективность обработки данных ячейки.
«5-е поколение V-NAND модулей памяти Samsung и решений на их основе позволит предложить быстро растущему премиум-сегменту мирового рынка наиболее совершенные микросхемы NAND памяти, – комментирует Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флэш-памяти и технологии Samsung Electronics. Кроме выдающихся достижений в области технологии производства компонентов памяти, мы готовимся представить 1-терабитные (Tб) и 4-уровневые QLC-чипы в дополнение к нашей линейке V-NAND модулей, что станет стимулом к созданию решений на основе компонентов NAND памяти следующего поколения».
Учитывая растущие требования рынка, Samsung планирует быстро увеличить массовое производство V-NAND модулей памяти 5-го поколения и сохранить лидирующие позиции в производстве устройств с высокой плотностью записи, используемых в таких критически важных сферах, как производство суперкомпьютеров, промышленных серверов и премиальных смартфонов.

Samsung Electronics Brings Next Wave of High-Performance Storage with Mass Production of Fifth-generation V-NAND

Samsung’s new 256Gb V-NAND features industry’s fastest data transfer speed, while being the first to apply the ‘Toggle DDR 4.0’ NAND interface

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing its fifth-generation V-NAND memory chips with the fastest data transfers now available. In the industry’s first use of the ‘Toggle DDR 4.0’ interface, the speed for transmitting data between storage and memory over Samsung’s new 256-gigabit (Gb) V-NAND has reached 1.4-gigabits per second (Gbps), a 40-percent increase from its 64-layer predecessor.
The energy efficiency of Samsung’s new V-NAND remains comparable to that of the 64-layer chip, primarily because the operating voltage has been reduced from 1.8 volts to 1.2 volts. The new V-NAND also has the fastest data write speed to date at 500-microseconds (μs), which represents about a 30-percent improvement over the write speed of the previous generation, while the response time to read-signals has been significantly reduced to 50μs.
Packed inside Samsung’s fifth-generation V-NAND are more than 90 layers of ‘3D charge trap flash (CTF) cells,’ the largest amount in the industry, stacked in a pyramid structure with microscopic channel holes vertically drilled throughout. These channel holes, which are only a few hundred-nanometers (nm)-wide, contain more than 85 billion CTF cells that can store three bits of data each. This state-of-the-art memory fabrication is the result of several breakthroughs that include advanced circuit designs and new process technologies.
Thanks to enhancements in the V-NAND’s atomic layer deposition process, manufacturing productivity has also increased by more than 30 percent. The cutting-edge technique allows the height of each cell layer to be reduced by 20 percent, prevents crosstalk between cells and increases the efficiency of the chip’s data processing.
“Samsung’s fifth-generation V-NAND products and solutions will deliver the most advanced NAND in the rapidly growing premium memory market,” said Kye Hyun Kyung, executive vice president of Flash Product and Technology at Samsung Electronics. “In addition to the leading-edge advances we are announcing today, we are preparing to introduce 1-terabit (Tb) and quad-level cell (QLC) offerings to our V-NAND lineup that will continue to drive momentum for next-generation NAND memory solutions throughout the global market.”
Samsung will be quickly ramping up production of its fifth-generation V-NAND to meet a wide range of market needs, as it continues to lead the high-density memory movement across critical sectors such as supercomputing, enterprise servers and the latest mobile applications such as premium smartphones.

Samsung объявил о получении экологического сертификата для накопителей 512Гб V-NAND и 860 EVO 4TB SSD

В официальном пресс-релизе Samsung объявил о получении первого в отрасли сертификата экологической надёжности в Южной Корее (EPD) на модули памяти 512Gb и 860 EVO 4Tb SSD с 64-разрядным 3-битным V-NAND. 
Декларация экологического продукта является национальной системой сертификации в Южной Корее, которая признаёт эффективность изделия в соответствии с 7-ю ключевыми экологическими метриками, включая углеродный след, ресурсный след, истощение озона, подкисление, эвтрофикацию, фотохимический смог и водный след.
«Сертификация EPD продемонстрирует нашим клиентам, что высокопроизводительные продукты Samsung предлагают не только передовые технологии, но и сертифицированную экологическую надёжность», - сказал Майк Манг, вице-президент по маркетингу брэндов, подразделение Memory Business в Samsung Electronics. «В будущем Samsung планирует начать массовое производство V-NAND на 1Тб, чтобы возглавить рост быстрорастущего рынка ультравысоких мощностей и укрепить своё экологическое лидерство в мире хайтэка».

Samsung Receives the Industry’s First Environmental Product Declaration Certificate for 512Gb V-NAND and 860 EVO 4TB SSD

Samsung’s efforts to reduce its environmental footprint continue with the launch of eco-friendly high-capacity SSD product line-ups

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it is being recognized for its environmental reliability by receiving the industry’s first Environmental Product Declaration* (EPD) certificate in Korea with its 512Gb 64-layer 3bit V-NAND and 860 EVO 4TB SSD.
The Environmental Product Declaration is a national certification system in Korea which recognizes a product’s performance according to seven key environmental metrics including carbon footprint, resource footprint, ozone depletion, acidification, eutrophication, photochemical smog, and water footprint.
In terms of per capacity (gigabit), the carbon emission of the 512Gb 3-bit V-NAND has been reduced to less than half of that of the 10-nanometer (nm)-class 64Gb V-NAND that was certified last year.
An 8TB SSD composed with the 512Gb V-NAND can reduce approximately 240kg CO2 of carbon emission per year compared to a 8TB SSD product composed with the 64Gb NAND, producing the same effect as planting twenty-five 30-year-old trees**.
“The EPD certification will serve as an assurance to our customers that Samsung’s high-capacity products offer not only cutting-edge technology, but also certified environmental reliability” said Mike Mang, Vice President of Brand Product Marketing, Memory Business at Samsung Electronics. “Samsung plans to begin mass production of 1Tb V-NAND in the future to lead the growth of the rapidly expanding ultrahigh-capacity storage market and strengthen its eco-friendly technology leadership.”
Samsung Electronics seeks to leverage its advancements in environmental reliability to lead the consumer market by exceeding customer expectations, just as it has continuously delivered in high performance and energy efficiency in the corporate SSD market.
Samsung earned its first low carbon footprint certification for the DDR3 DRAM server module in 2009 and had since expanded its environmental certification portfolio across its key products, including NAND flash, LPDDR, SSD, and application processors.

* The EPD certification is developed in accordance with the International Standards ISO 14000s (14025, 14044, 14046). The certification is managed by the Korean Ministry of Environment and operated by the Korea Environmental Industry & Technology Institute.
** The amount of carbon absorbed by an average 30-year-old tree in a year is 9.36 kg CO2.

Samsung представил твердотельные накопители PM883 объёмом до 8ТБ для вычислительных центров

Samsung Electronics объявляет о выпуске твердотельных накопителей PM883 объёмом до 8ТБ. Это самые ёмкие SSD для вычислительных центров, оснащённые интерфейсом SATA 6 Гбит/с. В них используются 64-слойная флэш-память Samsung V-NAND. Также это первые SSD типоразмера 2,5 дюйма, в которых используются модули памяти LPDDR4 DRAM (16 Гбит), и первые SSD, поддерживающие функцию управления питанием Power Disable (PWDIS), описанную в спецификациях SATA 3.3. Она позволяет отключать питание отдельных блоков для снижения энергопотребления. Меры энергосбережения позволили снизить потребляемую мощность до 2,8 Вт в режиме чтения и до 3,7 Вт — в режиме записи.
Скорость последовательного чтения достигает 550 МБ/с, последовательной записи — 520 МБ/с. Производительность на операциях с произвольным доступом достигает 98.000 IOPS и 28.000 IOPS в режимах чтения и записи соответственно.
Ресурс равен 5466 TBW для накопителя объёмом 3840 ГБ и 10.932 TBW — в случае накопителя объёмом 7680 ГБ.

Samsung Launches Energy-Efficient PM883 SSD with SATA 3.3, LPDDR4

Samsung has introduced its new lineup of datacenter-class SSDs that uses its latest V-NAND flash memory and a SATA interface. The new drives offer up to 7680 GB capacity, consume less power than predecessors including helium-filled hard drives.
The Samsung PM883 SSDs are based on the company’s proprietary controller as well as 64-layer TLC V-NAND memory. The new drives carry 4 TB and 8 TB of raw NAND flash memory to provide 3840 and 7680 GB capacities. Meanwhile, the key feature of the PM883 is not capacity, but very low power consumption when compared to other SSDs: they consume only 2.8 W during read operations and 3.7 W during write operations. To reduce power consumption, the PM883 use several methods: in addition to usage of high-density V-NAND flash memory, they use LPDDR4 DRAM produced using a 10-nm-class process technology. Furthermore, the drives support Power Disable (PWDIS) feature of the SATA 3.3 protocol that enables power management in individual SSDs within a data center. Obviously, to take advantage of the PWDIS, host systems have to support this feature too.
When it comes to performance, the Samsung PM883 can read data sequentially at 550 MB/s and write data at 520 MB/s. As for random performance, the new drives are capable of 98,000 read IOPS as well as 28,000 write IOPS. Meanwhile, the endurance of Samsung’s PM883 SSDs is rated at 5466 TB for the 3840 GB model and 10,932 TB for the 7680 GB SKU.
Samsung said that the PM883 SSDs will be covered by a three-year warranty and therefore rated for about 1.3 DWPD (drive writes per day).

Samsung приступает к строительству новой линии по производству флэш-памяти V-NAND в Китае

Корпорация Samsung Electronics объявила о начале постройки новой линии по производству флэш-памяти V-NAND, которая располагается в китайском городе Сиань.
Модули, которые будет выпускать новая фабрика, предназначаются прежде всего для твердотельных накопителей, используемых в серверах, компьютерах, ноутбуках и мобильных устройствах. По мере снижения цен на твердотельные накопители они становятся всё более популярными и вытесняют с рынка жёсткие диски. Эксперты DRAMeXchange полагают, что в этом году более 50% ноутбуков получат SSD вместо жёстких дисков.
В новую производственную линию Samsung инвестирует 7,5 миллиарда долларов США до 2020 года. Кроме того, недавно начато строительство ещё одной линии в южнокорейском городе Пхёнтхэк.
В прошлом году конгломерат Samsung возглавил глобальный рынок памяти NAND с долей 42,8%.

Samsung to start new line construction of V-NAND chips in China

Samsung Electronics said on March 14 that it is set to start construction of its second V-NAND Flash memory chip manufacturing line in Xian, China.
“The construction to add a second line, announced in August last year, will start later this month,” a Samsung spokesperson told The Investor, adding other details, including the production capacity of facilities, are the same as previously planned.
The new production facilities will roll out V-NAND flash memory chips, which stack cell vertically instead of horizontally, from next year. The memory chips are mainly used in solid-state drives, which are increasingly replacing conventional hard disk drives.
The company will invest 8 trillion won (US$7.50 billion) by 2020 to build the second memory chip line and plans to start building an additional chip manufacturing line in Pyeongtaek, Gyeonggi Province. 
As of 2017, Samsung topped the global NAND flash market, with its market share accounting for 42.8 percent of the entire segment, while Toshiba and Seagate captured 17.2 percent and 13.1 percent, respectively. Korean chipmaker SK hyinx came fourth with its market share standing at 12.2 percent, according to research firm IDC. 
When the planned acquisition of Toshiba by a consortium led by Bane Capital and SK hynix takes place this year, the Korean chipmaker will become the second-largest NAND flash maker.

Беспрецедентное достижение: Samsung запустил в массовое производство первый в мире SSD-накопитель ёмкостью более 30Тб!

В сегодняшнем официальном прессрлизе техногигант Samsung объявил о запуске в массовое производство твердотельного накопителя серии PM1643 с рекордным объёмом в 30.72 терабайта. Решение ориентировано на корпоративный сегмент.

SSD-чемпион

По сравнению с предыдущим поколением южнокорейскому гиганту удалось в 2 раза увеличить ёмкость накопителей. SSD в форм-факторе 2.5 дюйма под завязку нашпигованы 512-гигабитными чипами 64-слойной флэш-памяти V-NAND (по 16 штук в 32 модулях). Новинки используют интерфейс Serial Attached SCSI (SAS), производительность в операциях с произвольным доступом составляет 400.000 IOPS в режиме чтения и 50.000 IOPS при записи. Скорость последовательного чтения и записи достигает 2.100 и 1.700 мегабайт в секунду. Имеется защита от потери данных при отключении питания. 
SSD способен выдержать ежедневную перезапись данных в течение пятилетнего гарантийного срока. В линейке Samsung PM1643 также будут представлены модели на 15.36Тб, 7.68Тб, 3.84Тб, 1.92Тб, 960Гб и 800Гб.

Какова цена?

В Samsung сочли разумным пока не шокировать публику ценами на новые накопители. В 2016 году топовая модель на 15.36Тб стоила на старте от $10.000, но с тех пор цены на память заметно выросли. При этом надо учитывать, что для крупных дата-центров такие цены вовсе не являются "неподъёмными", поскольку прямые выгоды от эксплуатации новых SSD-модулей очевидны.
Абсолютный рекорд ёмкости чисто номинально принадлежит Seagate, но показанный ещё позапрошлым летом 60-терабайтный SSD до сих пор так и не поступил в продажу.
В Samsung пошли другим путём, действуя по формуле "меньше слов, а больше дела", выпустив надёжно работающее коммерческое устройство, первые партии которого будут отправлены заказчикам уже в ближайшее время.

Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry’s Largest Capacity SSD – 30.72TB – for Next-Generation Enterprise Systems

New 'PM1643' is built on latest 512Gb V-NAND to offer the most advanced storage, featuring industry-first 1TB NAND flash package, 40GB of DRAM, new controller and custom software
Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s largest capacity Serial Attached SCSI (SAS) solid state drive (SSD) – the PM1643 – for use in next-generation enterprise storage systems. Leveraging Samsung’s latest V-NAND technology with 64-layer, 3-bit 512-gigabit (Gb) chips, the 30.72 terabyte (TB) drive delivers twice the capacity and performance of the previous 15.36TB high-capacity lineup introduced in March 2016.
This breakthrough was made possible by combining 32 of the new 1TB NAND flash packages, each comprised of 16 stacked layers of 512Gb V-NAND chips. These super-dense 1TB packages allow for approximately 5,700 5-gigabyte (GB), full HD movie files to be stored within a mere 2.5-inch storage device.
In addition to the doubled capacity, performance levels have risen significantly and are nearly twice that of Samsung’s previous generation high-capacity SAS SSD. Based on a 12Gb/s SAS interface, the new PM1643 drive features random read and write speeds of up to 400,000 IOPS and 50,000 IOPS, and sequential read and write speeds of up to 2,100MB/s and 1,700 MB/s, respectively. These represent approximately four times the random read performance and three times the sequential read performance of a typical 2.5-inch SATA SSD*.
“With our launch of the 30.72TB SSD, we are once again shattering the enterprise storage capacity barrier, and in the process, opening up new horizons for ultra-high capacity storage systems worldwide,” said Jaesoo Han, executive vice president, Memory Sales & Marketing Team at Samsung Electronics. “Samsung will continue to move aggressively in meeting the shifting demand toward SSDs over 10TB and at the same time, accelerating adoption of our trail-blazing storage solutions in a new age of enterprise systems.”
Samsung reached the new capacity and performance enhancements through several technology progressions in the design of its controller, DRAM packaging and associated software. Included in these advancements is a highly efficient controller architecture that integrates nine controllers from the previous high-capacity SSD lineup into a single package, enabling a greater amount of space within the SSD to be used for storage. The PM1643 drive also applies Through Silicon Via (TSV) technology to interconnect 8Gb DDR4 chips, creating 10 4GB TSV DRAM packages, totaling 40GB of DRAM. This marks the first time that TSV-applied DRAM has been used in an SSD.
Complementing the SSD’s hardware ingenuity is enhanced software that supports metadata protection as well as data retention and recovery from sudden power failures, and an error correction code (ECC) algorithm to ensure high reliability and minimal storage maintenance. Furthermore, the SSD provides a robust endurance level of one full drive write per day (DWPD), which translates into writing 30.72TB of data every day over the five-year warranty period without failure. The PM1643 also offers a mean time between failures (MTBF) of two million hours.
Samsung started manufacturing initial quantities of the 30.72TB SSDs in January and plans to expand the lineup later this year – with 15.36TB, 7.68TB, 3.84TB, 1.92TB, 960GB and 800GB versions – to further drive the growth of all-flash-arrays and accelerate the transition from hard disk drives (HDDs) to SSDs in the enterprise market. The wide range of models and much improved performance will be pivotal in meeting the growing storage needs in a host of market segments, including the government, financial services, healthcare, education, oil & gas, pharmaceutical, social media, business services, retail and communications sectors.

* Compared to 2.5-inch Samsung SSD 850 EVO

Samsung представил твердотельные накопители 860 PRO и 860 EVO с поддержкой V-NAND

Корпорация Samsung Electonics в официальном пресс-релизе представила самое современное дополнение к линейке твердотельных накопителей (SSD) с поддержкой интерфейса SATA – модели 860 PRO и 860 EVO.
Устройства предназначены для потребителей, которые нуждаются в высокой производительности для разных сценариев: от повседневного использования до высоких нагрузок при работе с графикой. Модели стали преемниками 850 PRO и 850 EVO – первых в индустрии твердотельных накопителей с поддержкой технологии V-NAND. 860 PRO и 860 EVO демонстрируют рекордную производительность в индустрии накопителей с интерфейсом SATA. Пользователи заметят значительный прирост скорости и надёжности работы, а также улучшенную совместимость и увеличенную ёмкость.
«Новые 860 PRO и 860 EVO совмещают 64-слойную флэш-память V-NAND на 512 и 256 Гб, мобильную LPDDR4 DRAM до 4 ГБ и новый контроллер MJX, который повышает удобство работы как для обычных, так и корпоративных пользователей, – говорит Ун-Су Ким (Un-Soo Kim), вице-президент отдела брэнд-маркетинга бизнеса устройств памяти в Samsung Electronics. – Samsung продолжит внедрять важные инновации в сферу твердотельных накопителей и способствовать развитию направления устройств памяти в целом».
Сегодня размеры файлов из-за фотографий в высоком разрешении и 4К-видео постоянно увеличиваются. На фоне этого высокая скорость отправки данных и стабильная производительность стали первоочередными требованиями пользователей. Для удовлетворения этой потребности Samsung 860 PRO и 860 EVO поддерживают скорость чтения и записи до 560 и 530 Мб/с соответственно. К тому же модели предлагают обновлённую пятилетнюю гарантию или до 4800 записанных терабайтов (TBW) для 860 PRO и до 2400 TWB для 860 EVO. Новый контроллер MJX обеспечивает более быструю связь с хостом. Его мощности хватит для работы с хранилищем рабочей станции при улучшенной совместимости с операционной системой Linux.
Твердотельный накопитель 860 PRO доступен в версиях на 256 Гб, 512 Гб, 1 Тб, 2 Тб и 4Тб. 4 Тб памяти хватит для хранения записи 4К Ultra HD видео длительностью 114 часов и 30 минут. 860 PRO доступен в широко совместимом 2,5-дюймовом форм-факторе, который идеально подходит для персональных компьютеров, ноутбуков, рабочих станций и сетевых хранилищ NAS.
Ёмкость 860 EVO может составлять 250 Гб, 500 Гб, 1 Тб, 2 Тб и 4 Тб. Модель будет доступна в версии на 2,5 дюйма для персональных компьютеров и ноутбуков, а также в форм-факторах mSATA и M.2. Твердотельный накопитель 860 EVO демонстрирует шестикратное улучшение производительности в сравнении с предшественником благодаря технологии Intelligent TurboWrite. Скорость чтения и записи достигает 550 Мб/с и 520 Мб/с соответственно.

Samsung Electronics Advances SATA Lineup with 860 PRO and 860 EVO Solid State Drives Powered by V-NAND

Both drives integrate the latest 64-layer V-NAND technology and MJX controller for ultimate performance and reliability

Samsung Electronics today introduced the 860 PRO and 860 EVO solid state drives (SSDs), the most up-to-date additions to the company’s SATA interface lineup. The products are aimed at consumers who require fast, reliable performance across various applications, from everyday computing to heavy workloads and graphic-intensive operations. Building on the successful launch of the 850 PRO and 850 EVO – the industry’s first consumer SSDs with V-NAND technology – the 860 PRO and 860 EVO achieve industry-leading performance for SATA SSDs, offering enhancements in speed, reliability, compatibility and capacity.
“The new 860 PRO and 860 EVO SSDs combine the latest 512Gb and 256Gb 64-layer V-NAND, up to 4GB LPDDR4 mobile DRAM and a new MJX controller to elevate the user experience for both consumers and businesses,” said Un-Soo Kim, senior vice president of Brand Product Marketing, Memory Business at Samsung Electronics. “Samsung will continue to fuel meaningful innovations in the consumer SSD space and drive growth of the overall memory industry for years to come.”
As file sizes continue to increase with high-resolution photos and 4K videos, the need for faster data transfers and sustainable high performance over a longer period of time has become paramount for users. To address this need, Samsung’s 860 PRO and 860 EVO support up to 560 MB/s read and 530 MB/s write1 speeds and offer unmatched reliability with an upgraded five-year limited warranty2, or up to 4,800 terabytes written (TBW)3 for the 860 PRO and up to 2,400 TBW4 for the 860 EVO. The new MJX controller also enables faster communication with the host system. The controller is powerful enough to handle workstation storage, while improving Linux operating system compatibility.
The 860 PRO are available in 256GB, 512GB, 1TB, 2TB and 4TB5 capacities, with the 4TB memory storage holding up to 114 hours and 30 minutes of 4K Ultra HD video. The 860 PRO is available in a widely compatible 2.5-inch form factor, which is ideal for PCs, laptops, workstations and NAS.
The 860 EVO come in 250GB, 500GB, 1TB, 2TB and 4TB6 capacities, in a 2.5-inch for PCs and laptops, as well as mSATA and M.2 form factors for ultra-slim computing applications. The 860 EVO has up to six times longer sustained performance than its predecessor due to enhanced Intelligent TurboWrite7 technology, with read and write speeds of up to 550 MB/s and 520 MB/s8, respectively.
The 860 PRO and 860 EVO SSDs are available from this month with manufacturer’s suggested retail prices starting at $139.99 and $94.99 USD, respectively. For more information, please visit www.samsung.com/SSD, www.samsungssd.com.

1 Performance may vary based on SSD’s firmware version, system hardware and configuration. Performance measurements based on CrystalDiskMark v.5.0.2 and IOmeter 1.1.0. *Test system configuration: Intel Core i5-3550 CPU @ 3.3 GHz, DDR3 1333 MHz 4GB, OS – Windows 7 Ultimate x64, Chipset: ASUS P8H77-V

2 Five years or TBW, whichever comes first. For more information on the warranty, please find the enclosed warranty document in the package.

3, 4 Warrantied TBW for 860 PRO: 300 TBW for 256GB model, 600 TBW for 512GB model, 1,200 TBW for 1TB model, 2,400 TBW for 2TB model and 4,800 TBW for 4TB model.
Warrantied TBW for 860 EVO: 150 TBW for 250GB model, 300 TBW for 500GB model, 600 TBW for 1TB model, 1,200 TBW for 2TB model and 2,400 TBW for 4TB model.

5, 6 1GB=1,000,000,000 bytes by IDEMA. A certain portion of capacity may be used for system file and maintenance use, so the actual capacity may differ from what is indicated on the product label.

7 The TurboWrite buffer size varies based on the capacity of the SSD; 12GB for 250GB model, 22GB for 500GB model, 42GB for 1TB model and 78GB for 2/4TB. For more information on the TurboWrite, please visit www.samsungssd.com.

8 Performance may vary based on SSD’s firmware version, system hardware & configuration. Sequential write performance measurements are based on Intelligent TurboWrite technology. Performance measurements based on CrystalDiskMark v.5.0.2 and IOmeter 1.1.0. The sequential write performances after Intelligent TurboWrite region are 300 MB/s for 250/500GB and 500 MB/s for 1TB.

9 Terabytes Written

Samsung объявляет о старте массового производства модулей флэш-памяти eUFS ёмкостью 512Гб

Сегодня корпорация Samsung Electronics официально сообщила, что приступает к массовому производству модулей флэш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) ёмкостью 512Гб, которые предназначены для мобильных устройств следующего поколения.
Samsung удалось нарастить ёмкость флэш-накопителей для смартфонов в 2 раза за неполные два года: модули eUFS ёмкостью 256Гб были выпущены в феврале 2016 года. При этом новые модули по своим размерам идентичны предыдущим. В корпусе того же размера размещены 8 64-слойных микросхем V-NAND плотностью 512Гбит и контроллер.
В пресс-релизе Samsung говорится, что во флэш-памяти такого объёма поместятся 130 10-минутных видеороликов с разрешением 3840 х 2160 пикселей, тогда как на современных смартфонах, оснащённых 64Гб флэш-памяти, сохраняется в 10 раз меньше таких материалов.
Последовательная скорость чтения и записи достигает 860 и 255Мб/с соответственно. Видеоролик с разрешением 1920 х 1080 пикселей объёмом 5Гб будет скопирован примерно за 6 секунд. При использовании карт памяти microSD это время увеличится в 8 раз.
Производительность на операциях чтения и записи с произвольным доступом достигает 42.000 и 40.000 IOPS соответственно. Это примерно в 400 раз выше, чем показатель microSD (около 100 IOPS).
Samsung планирует наращивать темпы производства как новой флэш-памяти eUFS объёмом 512 Гб, так и модулей ёмкостью 256Гб.

Samsung Starts Producing First 512-Gigabyte Universal Flash Storage for Next-Generation Mobile Devices

Setting a new threshold for mobile storage to handle ever-increasing amounts of multimedia content

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass production of the industry’s first 512-gigabyte (GB) embedded Universal Flash Storage (eUFS) solution for use in next-generation mobile devices. Utilizing Samsung’s latest 64-layer 512-gigabit (Gb) V-NAND chips, the new 512GB eUFS package provides unparalleled storage capacity and outstanding performance for upcoming flagship smartphones and tablets.
“The new Samsung 512GB eUFS provides the best embedded storage solution for next-generation premium smartphones by overcoming potential limitations in system performance that can occur with the use of micro SD cards, said Jaesoo Han, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “By assuring an early, stable supply of this advanced embedded storage, Samsung is taking a big step forward in contributing to timely launches of next-generation mobile devices by mobile manufacturers around the world.”
Consisting of eight 64-layer 512Gb V-NAND chips and a controller chip, all stacked together, Samsung’s new 512GB UFS doubles the density of Samsung’s previous 48-layer V-NAND-based 256GB eUFS, in the same amount of space as the 256GB package. The eUFS’ increased storage capacity will provide a much more extensive mobile experience. For example, the new high-capacity eUFS enables a flagship smartphone to store approximately 130 4K Ultra HD (3840×2160) video clips of a 10-minute duration*, which is about a tenfold increase over a 64GB eUFS which allows storing only about 13 of the same-sized video clips.
To maximize the performance and energy efficiency of the new 512GB eUFS, Samsung has introduced a new set of proprietary technologies. The 64-layer 512Gb V-NAND’s advanced circuit design and new power management technology in the 512GB eUFS’ controller minimize the inevitable increase in energy consumed, which is particularly noteworthy since the new 512GB eUFS solution contains twice the number of cells compared to a 256GB eUFS. In addition, the 512GB eUFS’ controller chip speeds up the mapping process for converting logical block addresses to those of physical blocks.
The Samsung 512GB eUFS also features strong read and write performance. With its sequential read and writes reaching up to 860 megabytes per second (MB/s) and 255MB/s respectively, the 512GB embedded memory enables transferring a 5GB-equivalent full HD video clip to an SSD in about six seconds, over eight times faster than a typical microSD card.
For random operations, the new eUFS can read 42,000 IOPS and write 40,000 IOPS. Based on the eUFS’ rapid random writes, which are approximately 400 times faster than the100 IOPS speed of a conventional microSD card, mobile users can enjoy seamless multimedia experiences such as high-resolution burst shooting, as well as file searching and video downloading in dual-app viewing mode.
On a related note, Samsung intends to steadily increase an aggressive production volume for its 64-layer 512Gb V-NAND chips, in addition to expanding its 256Gb V-NAND production. This should meet the increase in demand for advanced embedded mobile storage, as well as for premium SSDs and removable memory cards with high density and performance.

* Editor’s note: The calculation reflects internal tests where the averaged actual storage is approximately 93% of the labeled capacity, and where the preloaded mobile OS uses about 13GB of the capacity on a flagship smartphone.

Новые внешние SSD-накопители Samsung T5 используют память V-NAND

Каталог Samsung пополнился внешним твердотельным накопителем Portable SSD T5. Новинка базируется на чипах памяти V-NAND и доступна в модификациях объёмом от 250Гб до 2Тб.
Скорость чтения/записи достигает 540 МБ/с. Устройство оснащено интерфейсом USB-C 3.1, а его габариты составляют 74 х 57,3 х 10,5 мм при массе всего 51 г.
Поддерживается шифрование по алгоритму AES с использованием 256-разрядного ключа. Вендор сообщает, что устройство способно без последствий выдержать падение с высоты до 2 метров.
Версии объёмом 250 и 500Гб доступны только в синем цвете, а объёмом 1 и 2ТБ — в чёрном. Стартовая цена за младшую модель составляет 130 долларов.

Samsung Electronics Introduces New Portable SSD T5 – The Latest Evolution in Fast, Reliable Storage

Built with V-NAND technology, drive features industry-leading transfer speeds with encrypted data security in a compact and durable design

Samsung Electronics today announced the introduction of the Samsung Portable SSD T5 – the newest portable solid state drive (PSSD) that raises the bar for the performance of external memory products. The T5, built with Samsung’s latest 64-layer V-NAND technology, delivers industry-leading transfer speeds with encrypted data security in a compact and durable design, making it easier than ever for consumers to access their most valuable data anywhere, at any time.
“Samsung has been pushing the envelope of what is possible in portable storage and solid state drives for years, and the Portable SSD T5 continues our legacy of leadership and innovation,” said Un-Soo Kim, Senior Vice President of Brand Product Marketing, Memory Business at Samsung Electronics. “We are confident that the T5 will exceed consumers’ expectations for external storage by offering faster speeds and a solid design that is lightweight and conveniently pocket-sized. It is the ideal portable storage product for consumers and professionals who are in search of a fast, durable and secure device.”
Delivering stunning speeds of up to 540 MB/s1 – up to 4.9 times faster2 than external HDD products – the new T5 is designed especially for content creators, business and IT professionals as well as mainstream consumers to give instant, easy access to data. Also, the T5 is smaller than an average business card at 74 x 57.3 x 10.5 millimeters (3.0 x 2.3 x 0.4 inches) and incredibly lightweight at a mere 51 grams, comfortably fitting in the palm of your hand. The aluminum exterior comes in two distinct metal finishes – Deep Black (1TB and 2TB models) and Alluring Blue (250GB and 500GB models).
With no moving parts and a shock-resistant internal frame, the T5 offers users peace of mind as it can withstand accidental drops of up to 2 meters (6.6 feet)3. The Samsung Portable SSD Software4 for PCs and Macs based on the AES 256-bit hardware data encryption makes it easy to configure security settings and receive the latest firmware and software updates. A mobile app5 is also available for Android smartphones and tablets for even further convenience. In addition, the T5 includes two connection cables – USB-C to C and USB-C to A – for enhanced compatibility across numerous devices.6
The T5 comes with a three-year limited warranty and will be available globally Aug. 15 with a manufacturer’s suggested retail price (MSRP) starting at $129.99 for the 250GB model. For more information, please visit www.samsung.com/T5.

1* Performance may vary depending on host configuration. To reach maximum transfer speeds of 540 MB/s, the host device and connection cables must support USB 3.1 Gen 2 and UASP mode must be enabled.
2* Based on internal test results compared to an external HDD 500GB. Test system configuration: Asus® Strix Z270E Gaming motherboard, Intel® Core™ i5-7600 @3.5 GHz, DDR4 1066 MHz 4 GB, OS-Windows® 10 x64, Performance measurements based on CrystalDiskMark 5.2.1.
3* The internal free fall shock test was conducted under controlled conditions.
4* Software requires Windows 7, Mac OS X 10.9 (Mavericks), Android 4.4 (KitKat), or higher. Older versions of the Windows, Mac, and Android operating systems may not be supported. Firmware update requires PC or Mac connection.
5* Android app available on Google Play.
6* Compatibility with host devices may vary. Some operating systems may require T5 reformatting. Please find the compatible devices list on www.samsung.com/portable-ssd.
7* 1 GB=1,000,000,000 bytes, 1 TB=1,000,000,000,000 bytes. Lower capacity may be demonstrated by your computer due to its use of a different measurement standard.
8* Exact weight of product may vary by capacity.
9* Software requires Windows 7, Mac OS X 10.9 (Mavericks), Android 4.4 (KitKat), or higher. Older versions of Windows, Mac and Android operating systems may not be supported. Firmware update requires PC or Mac connection. Available on Google Play.
10* Samsung Electronics shall not be liable for any loss, including but not limited to loss of data or other information contained on Samsung Electronics product or loss of profit or revenue which may be incurred by user. For more information on the warranty, please visit www.samsung.com/portable-ssd.

Portable Solid-State Drive Spec Comparison: T3 vs. T5

Samsung Electronics’ new T5 portable solid-state drive (PSSD), built with Samsung’s latest 64-layer V-NAND technology, delivers encrypted data security, wide device compatibility, and industry-leading transfer speeds to offer users instant access to their most valuable data anytime, anywhere. Available in capacities ranging from 250GB to 2TB, the T5 features a lightweight, shock-resistant design that’s smaller than an average business card and slips effortlessly into your pocket.