На завершившейся вчера конференции International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 2018 представители Samsung рассказали об освоении технологии литографии в жёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Южнокорейский производитель намерен внедрить её при переходе на выпуск полупроводниковой продукции по нормам 7нм. Корпорация уже разработала микросхему SRAM плотностью 256Мбит, рассчитанную на изготовление по 7-нанометровой технологии EUV. Площадь одной ячейки в этом кристалле составляет 0,026 мкм².
Специалистам Samsung удалось преодолеть одно из сложнейших препятствий, возникающих при уменьшении размеров ячейки: увеличение сопротивления шины разряда. Разработанная ими технология позволяет снизить сопротивление на 75%. Кроме того, примерно на 20% удалось скомпенсировать проблемы, связанные с разбросом минимального уровня напряжения.
ISSCC: Samsung Working on 7-nm EUV SRAM, Intel Details 10-nm SRAM
Intel and Samsung presented papers at the International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) describing their work on 10-nm SRAM and 7-nm SRAm, respectively, with Samsung's 256-Mbit SRAM to be made with extreme ultraviolet lithography.
Intel says it maintained Moore's law scaling with a 0.0312-mm2 high density and 0.0367-mm2 low-voltage SRAM bitcells made in its 10-nm process.
On the other hand, Samsung's 6T 256-Mbit device has a smaller, 0.026-mm2 bitcell.
Intel's Zheng Gui said that his company's design shows 0.62x0.58x scaling compared to its 14-nm SRAM, which is within 15% of the smallest reported 7-nm cell.
Samsung detailed techniques to reduce by 75% bitline resistance, one of the biggest challenges for the design. The company also described techniques to reduce by about 20% problems with variation in minimum voltage levels. Taejoong Song, a vice president in design enablement at Samsung, said that EUV enables more design flexibility in the number of vias used.
It is not clear when Samsung plans to commercially use of EUV.
