Samsung Electronics, мировой лидер в области разработки передовых технологий памяти, начинает массовое производство первого в отрасли встроенного модуля флэш-памяти Embedded Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) ёмкостью 1Тб, предназначенного для использования в мобильных устройствах следующего поколения. Спустя всего 4 года после выхода своего первого UFS-решения, eUFS ёмкостью 128Гб, Samsung преодолел терабайтный порог объёма памяти смартфона. Вскоре владельцам гаджетов будет доступна память, сопоставимая с объёмом памяти на ноутбуке премиум-класса, без необходимости приобретать дополнительные карты памяти.
«Встроенный модуль eUFC ёмкостью 1Тб будет критически важным для обеспечения опыта использования мобильных устройств следующего поколения как на ноутбуке», – прокомментировал Чеол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу подразделения памяти в Samsung Electronics. – «Samsung стремится обеспечить наиболее надёжную цепочку поставок и достаточные объёмы производства для будущих флагманских смартфонов с целью ускорения роста мирового рынка мобильных устройств».
eUFS ёмкостью 1Тб также обладает исключительной скоростью, что позволяет передавать большие объёмы мультимедийного контента в кратчайшее время. Новый накопитель обеспечивает скорость до 1000 Мб/с – вдвое больше, чем стандартный 2,5-дюймовый твердотельный накопитель SATA (SSD). Это означает, что видео в формате Full HD размером 5Гб можно переписать на NVMe SSD всего за 5 секунд, что в 10 раз быстрее, чем позволяет обычная карта microSD. Скорость случайного чтения по сравнению с версией 512Гб увеличилась на 38% и достигла 58.000 IOPS. Произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее, чем позволяют высокопроизводительные карты microSD (100 IOPS), – её скорость может достигать 50.000 IOPS. Это позволяет осуществлять высокоскоростную непрерывную съёмку со скоростью 960 кадров в секунду, благодаря чему владельцы флагманских устройств смогут в полной мере использовать все возможности многокамерной съёмки.
Samsung намерен расширять производство своих V-NAND 5-го поколения ёмкостью 512Гб на заводе в городе Пхёнтэк (Южная Корея) в первой половине 2019 года, чтобы полностью удовлетворить ожидаемый высокий спрос на eUFS ёмкостью 1Тб со стороны производителей мобильных устройств по всему миру.
Samsung Breaks Terabyte Threshold for Smartphone Storage with Industry’s First 1TB Embedded Universal Flash Storage
Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first one-terabyte (TB) embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1, for use in next-generation mobile applications. Just four years after introducing the first UFS solution, the 128-gigabyte (GB) eUFS, Samsung has passed the much-anticipated terabyte threshold in smartphone storage. Smartphone enthusiasts will soon be able to enjoy storage capacity comparable to a premium notebook PC, without having to pair their phones with additional memory cards.
“The 1TB eUFS is expected to play a critical role in bringing a more notebook-like user experience to the next generation of mobile devices,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “What’s more, Samsung is committed to assuring the most reliable supply chain and adequate production quantities to support the timely launches of upcoming flagship smartphones in accelerating growth of the global mobile market.”
Within the same package size (11.5mm x 13.0mm), the 1TB eUFS solution doubles the capacity of the previous 512GB version by combining 16 stacked layers of Samsung’s most advanced 512-gigabit (Gb) V-NAND flash memory and a newly developed proprietary controller. Smartphone users will now be able to store 260 10-minute videos in 4K UHD (3840×2160) format, whereas the 64GB eUFS widely used in many current high-end smartphones is capable of storing 13 videos of the same size.
The 1TB eUFS also possesses exceptional speed, allowing users to transfer large amounts of multimedia content in significantly reduced time. At up to 1,000 megabytes per second (MB/s), the new eUFS features approximately twice the sequential read speed of a typical 2.5-inch SATA solid state drive (SSD). This means that 5GB-sized full HD videos can be offloaded to an NVMe SSD in as fast as five seconds, which is 10 times the speed of a typical microSD card. Furthermore, the random read speed has increased by up to 38 percent over the 512GB version, clocking in at up to 58,000 IOPS. Random writes are 500 times faster than a high-performance microSD card (100 IOPS), coming in at up to 50,000 IOPS. The random speeds allow for high-speed continuous shooting at 960 frames per second and will enable smartphone users to take full advantage of the multi-camera capabilities in today and tomorrow’s flagship models.
Samsung plans to expand the production of its fifth-generation 512Gb V-NAND at its Pyeongtaek plant in Korea throughout the first half of 2019 to fully address the anticipated strong demand for the 1TB eUFS from mobile device manufacturers around the world.
