Samsung начинает массовое производство самой быстрой памяти для флагманских смартфонов

Новая eUFC 3.1 512Гб хранит видео 8K и большие изображения без буферизации

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявил о начале массового производства первого в отрасли встроенного универсального флэш-хранилища eUFS 3.1 ёмкостью 512Гб для флагманских смартфонов. Скорость записи eUFS 3.1 составляет более 1 ГБ/c — в 3 раза выше, чем у памяти предыдущего поколения eUFS 3.0 на 512Гб. В конце 2020 года Samsung также выпустит накопители для флагманских смартфонов объёмом 256Гб и 128Гб.
Скорость последовательной записи Samsung eUFS 3.1 объёмом 512Гб превышает 1200 МБ/с, что более чем вдвое превосходит скорость ПК на базе SATA (540 МБ/c) и более чем в 10 раз – скорость microSD-карты UHS-I (90 МБ/c). Это означает, что доступ к очень большим файлам, таким как видео 8K или фотографии высокого разрешения, осуществляется с той же скоростью, что и на ультратонком ноутбуке, и без необходимости использования буфера. Для переноса данных со старого смартфона на новое устройство также потребуется намного меньше времени: гаджету с памятью eUFC 3.1 потребуется только 1,5 минуты на копирование 100Гб данных, тогда как телефону на базе UFC 3.0 — более 4-х минут.
Производительность случайного чтения и записи eUFS 3.1 512Гб на 60% выше, чем у широко распространённых накопителей UFS 3.0, и составляет 100.000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) для чтения и 70.000 IOPS для записи.
В марте Samsung начал массовое производство V-NAND 5-го поколения, чтобы полностью удовлетворить спрос на этот тип компонентов на рынке флагманских смартфонов. Вскоре корпорация планирует также перевести производство V-NAND с 5-го поколения на 6-е поколение для соответствия растущим потребностям производителей.

Samsung Begins Mass Production of the Fastest Storage for Flagship Smartphones

The new 512GB eUFS 3.1 stores 8K videos and large-size image files without buffering

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first 512-gigabyte (GB) eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.1 for use in flagship smartphones. Delivering three times the write speed of the previous 512GB eUFS 3.0 mobile memory, Samsung’s new eUFS 3.1 breaks the 1GB/s performance threshold in smartphone storage.
“With our introduction of the fastest mobile storage, smartphone users will no longer have to worry about the bottleneck they face with conventional storage cards,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “The new eUFS 3.1 reflects our continuing commitment to supporting the rapidly increasing demands from global smartphone makers this year.”
At a sequential write speed of over 1,200MB/s, Samsung 512GB eUFS 3.1 boasts more than twice the speed of a SATA-based PC (540MB/s) and over ten times the speed of a UHS-I microSD card (90MB/s). This means consumers can enjoy the speed of an ultra-slim notebook when storing massive files like 8K videos or several hundred large-size photos in their smartphones, without any buffering. Transferring contents from an old phone to a new device will also require considerably less time. Phones with the new eUFS 3.1 will only take about 1.5 minutes to move 100GB of data whereas UFS 3.0-based phones require more than four minutes.
In terms of random performance, the 512GB eUFS 3.1 processes up to 60 percent faster than the widely used UFS 3.0 version, offering 100,000 input/output operations per second (IOPS) for reads and 70,000 IOPS for writes.
Along with the 512GB option, Samsung will also have 256GB and 128GB capacities available for flagship smartphones that will be launched later this year.
Samsung began volume production of fifth-generation V-NAND at its new Xi’an, China, line (X2) this month to fully accommodate storage demand throughout the flagship and high-end smartphone market. The company soon plans to shift V-NAND volume production at its Pyeongtaek line (P1) in Korea from fifth-generation to sixth-generation V-NAND to better address the growing demand.

Samsung показал будущее автономного вождения

Как говорил персонаж Берни Мака в фильме «Трансформеры»: «Между машиной и водителем существует мистическая связь». Благодаря развитию современных технологий и их проникновению в автомобильную отрасль с каждым годом эта связь становится всё теснее.
Наличием режима «автопилота» в машине сегодня никого не удивишь, их бортовые системы становятся всё более «умными», увеличиваются объёмы данных, анализируемых и обрабатываемых внутренними устройствами и т. д. Всё это позволяет повысить безопасность вождения и сделать этот процесс комфортным для человека.
Samsung Electronics вносит свой вклад в формирование будущего безопасных систем автономного вождения, предлагая решения для высокоскоростной связи между машиной и водителем, обработки, хранения и доступа к информации.
Например, благодаря высокой скорости работы eUFS, автомобильные системы могут включаться всего за 2 секунды, обеспечивая мгновенный доступ к данным. Накопитель AutoSSD хранит картографические данные для автономного вождения. Модули памяти LPDDR5 DRAM используют высокоразвитую и оптимизированную по скорости схемную архитектуру с низким энергопотреблением для мгновенной передачи информации с автомобильных датчиков, а память GDDR6 DRAM со сверхвысокой пропускной способностью использует для хранения и обработки данных алгоритмы глубокого обучения и искусственного интеллекта.
На видео продемонстрированы новейшие разработки Samsung для автономного вождения, которые являются одним из стратегических направлений корпорации: искусственный интеллект, 5G, биофармацевтика и автомобильные компоненты для будущих беспилотных автомобилей.

The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions

The relationship between a car and its driver has always been a unique, interdependent one; a “mystical bond between man and machine”, in the words of the late Bernie Mac from the 2007 hit film, Transformers. But thanks to all the latest technological advances that are leading today’s automobile industry, this relationship is evolving, as the amount of data processed by a smart vehicle and delivered to the driver increases. With this comes the need for vehicle-driver feedback that is instantaneous to uphold that most paramount of concerns, safety.  
Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, is dedicated to developing the future of safe autonomous driving with components and solutions that prioritize safety above all else. In order to enable effective, high-speed driver feedback, Samsung’s automotive memory solutions for processing, storing and accessing information are paving the way for seamless and safe autonomous driving experiences.
The video below introduces some of the automotive memory solutions Samsung has integrated to ensure the most effective automobile-driver feedback loop possible. The eUFS harnesses its exceptional speed capability to power on in-car systems in 2 seconds with instant data access. The AutoSSD stores map data for autonomous driving at the highest bandwidth. The LPDDR5 DRAM component makes use of a highly advanced, speed-optimized and energy-efficient circuit architecture to transfer data from automobile sensors instantaneously, and the GDDR6 DRAM allows for AI deep learning thanks to its ultra-high bandwidth.
Take a look at the video below for more information on how these powerful components are enabling the future of autonomous driving, putting safety above all else. This latest development forms part of Samsung’s commitment to investing in four key growth areas: AI, 5G technology, bio-pharmaceuticals and auto-technology components for future smart cars.

Find out more: https://www.samsung.com/semiconductor/

Новое поколение флагманских смартфонов Samsung получит 1Тб сверхскоростной встроенной памяти

Samsung Electronics, мировой лидер в области разработки передовых технологий памяти, начинает массовое производство первого в отрасли встроенного модуля флэш-памяти Embedded Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) ёмкостью 1Тб, предназначенного для использования в мобильных устройствах следующего поколения. Спустя всего 4 года после выхода своего первого UFS-решения, eUFS ёмкостью 128Гб, Samsung преодолел терабайтный порог объёма памяти смартфона. Вскоре владельцам гаджетов будет доступна память, сопоставимая с объёмом памяти на ноутбуке премиум-класса, без необходимости приобретать дополнительные карты памяти.
«Встроенный модуль eUFC ёмкостью 1Тб будет критически важным для обеспечения опыта использования мобильных устройств следующего поколения как на ноутбуке», – прокомментировал Чеол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу подразделения памяти в Samsung Electronics. – «Samsung стремится обеспечить наиболее надёжную цепочку поставок и достаточные объёмы производства для будущих флагманских смартфонов с целью ускорения роста мирового рынка мобильных устройств».
eUFS ёмкостью 1Тб также обладает исключительной скоростью, что позволяет передавать большие объёмы мультимедийного контента в кратчайшее время. Новый накопитель обеспечивает скорость до 1000 Мб/с – вдвое больше, чем стандартный 2,5-дюймовый твердотельный накопитель SATA (SSD). Это означает, что видео в формате Full HD размером 5Гб можно переписать на NVMe SSD всего за 5 секунд, что в 10 раз быстрее, чем позволяет обычная карта microSD. Скорость случайного чтения по сравнению с версией 512Гб увеличилась на 38% и достигла 58.000 IOPS. Произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее, чем позволяют высокопроизводительные карты microSD (100 IOPS), – её скорость может достигать 50.000 IOPS. Это позволяет осуществлять высокоскоростную непрерывную съёмку со скоростью 960 кадров в секунду, благодаря чему владельцы флагманских устройств смогут в полной мере использовать все возможности многокамерной съёмки.
Samsung намерен расширять производство своих V-NAND 5-го поколения ёмкостью 512Гб на заводе в городе Пхёнтэк (Южная Корея) в первой половине 2019 года, чтобы полностью удовлетворить ожидаемый высокий спрос на eUFS ёмкостью 1Тб со стороны производителей мобильных устройств по всему миру.

Samsung Breaks Terabyte Threshold for Smartphone Storage with Industry’s First 1TB Embedded Universal Flash Storage

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first one-terabyte (TB) embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1, for use in next-generation mobile applications. Just four years after introducing the first UFS solution, the 128-gigabyte (GB) eUFS, Samsung has passed the much-anticipated terabyte threshold in smartphone storage. Smartphone enthusiasts will soon be able to enjoy storage capacity comparable to a premium notebook PC, without having to pair their phones with additional memory cards.
“The 1TB eUFS is expected to play a critical role in bringing a more notebook-like user experience to the next generation of mobile devices,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “What’s more, Samsung is committed to assuring the most reliable supply chain and adequate production quantities to support the timely launches of upcoming flagship smartphones in accelerating growth of the global mobile market.”
Within the same package size (11.5mm x 13.0mm), the 1TB eUFS solution doubles the capacity of the previous 512GB version by combining 16 stacked layers of Samsung’s most advanced 512-gigabit (Gb) V-NAND flash memory and a newly developed proprietary controller. Smartphone users will now be able to store 260 10-minute videos in 4K UHD (3840×2160) format, whereas the 64GB eUFS widely used in many current high-end smartphones is capable of storing 13 videos of the same size.
The 1TB eUFS also possesses exceptional speed, allowing users to transfer large amounts of multimedia content in significantly reduced time. At up to 1,000 megabytes per second (MB/s), the new eUFS features approximately twice the sequential read speed of a typical 2.5-inch SATA solid state drive (SSD). This means that 5GB-sized full HD videos can be offloaded to an NVMe SSD in as fast as five seconds, which is 10 times the speed of a typical microSD card. Furthermore, the random read speed has increased by up to 38 percent over the 512GB version, clocking in at up to 58,000 IOPS. Random writes are 500 times faster than a high-performance microSD card (100 IOPS), coming in at up to 50,000 IOPS. The random speeds allow for high-speed continuous shooting at 960 frames per second and will enable smartphone users to take full advantage of the multi-camera capabilities in today and tomorrow’s flagship models.
Samsung plans to expand the production of its fifth-generation 512Gb V-NAND at its Pyeongtaek plant in Korea throughout the first half of 2019 to fully address the anticipated strong demand for the 1TB eUFS from mobile device manufacturers around the world.

Цифровая кабина Samsung вызвала большой интерес у посетителей выставки CES 2019

На крупнейшей в мире ежегодной международной выставке потребительской элктроники CES 2019, завершившейся в американском Лам-Вегасе на минувшей неделе, Samsung традиционно представил целый ряд интересных новинок. Причём «умными» стали не только гаджеты и бытовые приборы. Техногигант продолжает развивать тему создания идеальной "цифровой кабины" (Digital Cocpit) для автомобильной промышленности.
Новая разработка 2019 года сочетает в себе передовые технологии персонализации, связи и защиты, которые применяются в «умных» домах, а благодаря интеллектуальному помощнику Bixby владелец "автомобиля будущего" сможет установить необходимую температуру, проверить остаток топлива (или заряда батареи в электромобиле), отрегулировать звук мультимедийной системы и воспользоваться другими функциями, просто отдав голосовую команду. Но, даже если у вас не будет желания беседовать со своим четырёхколесным другом, установленные в автомобиле смарт-камеры распознают водителя и автоматически отрегулируют все системы в соответствии с его предыдущими предпочтениями. 
Максимально комфортная поездка также гарантирована и сидящим сзади пассажирам. Дисплеи также персонализируются, а благодаря док-станции Samsung Dex, вы в любой момент сможете перенести весь важный контент со своего смартфона на большой экран.
Бесперебойную работу всех функций обеспечивает специально разработанный многофункуиональный 8-ядерный процессор Exynos Auto V9 с мощной графической 10-ядерной системой, который способен поддерживать одновременную работу 6-ти дисплеев с высоким разрешением. Кроме того, благодаря отдельному блоку смарт-кабина может распознавать звуковые и визуальные данные (лица, речь, жесты), помогая системе точно установить личность человека, находящегося в салоне автомобиля.
Новинка создана в содружестве с американским подразделением конгломерата HARMAN International, который с марта 2017 года полностью принадлежит Samsung Electronics.
В специальном пресс-релизе, опубликованном после завершения CES 2019, Samsung сообщил, что концепт смарт-кабины Digital Cocpit получил престижную награду за выдающиеся инновации (CES Innovation Awars).
Кроме того, наград удостоена целая линейка компонентов, разработанных Samsung для автомобильной промышленности. И это впридачу к уже полученным 30 наградам CES 2019, которые были вручены за лучшие потребительские электронные продукты, включая телевизоры, кухонную и прочую бытовую технику, а также продукты для компьютерной индустрии, дата-центров и т.д.

Samsung Showcases Latest Award-Winning Semiconductor and Automotive Solutions at Specialized CES Exhibit

At CES 2019, Samsung Electronics introduced its vision for the future of Connected Living and exhibited its most up-to-date solutions at the Las Vegas Convention Center. As exciting as this public exhibition was, it was at the company’s nearby specialized exhibition event where Samsung exclusively showcased its cutting-edge semiconductor and automotive technologies to key customers and partners. Between January 8 and 10, leading industry figures visited the Encore Ballroom at the Encore at Wynn Hotel, Las Vegas, to learn about the very latest in automotive and memory solutions from Samsung Semiconductor and discuss potential collaborations.

Pioneering Automotive Solutions

Samsung’s automotive solution offering has been one of the highlights of this year’s CES, and at the Encore Hotel showcase, key components and technologies for in-vehicle infotainment, telematics and the advanced driving assistance system (ADAS) were on display to invited customers and partners.
Exynos Auto V9 is Samsung’s first dedicated automotive system-on chip for next-generation IVI (In-Vehicle Infotainment) systems. The Exynos Auto V9 can support up to six high resolution displays through powerful processing from eight core CPUs and a tri-cluster GPU, an advanced GPU arranged in three separated sets of GPU cores able to seamlessly support multiple systems simultaneously. The Exynos Auto V9 is also equipped with a neural processing unit (NPU) that processes visual and audio data to accurately recognize face, speech and gesture patterns for intelligent driving experiences. The showcase demo presented diverse concurrent driving assistant and entertainment experiences – for example, the running of navigation in the central information display (CID) at the same time as a movie plays in rear-seat displays.

Exynos Auto T is a telematics solution that empowers safe driving experiences through the integrated use of telecommunications and informatics technologies. The industry’s first cellular modem to support multi-mode from 2G to 5G NR, the Exynos Modem 5100, was also showcased.

ADAS is leading the way in in-drive visual perception capabilities. The demonstration showcased how the ADAS system can recognize and detecting all manner of objects such as cars, pedestrians and traffic signs. Furthermore, the DRVLINE, an open, modular and scalable platform for building ADAS with a faster time to market, was introduced at the showcase.

ISOCELL Auto image sensor is an advanced new solution capable of bringing about a wholly new driving experience thanks to its high performance in detecting objects in a variety of lighting conditions. The ISOCELL Auto image sensor technology provides unrivalled object recognition in a diverse range of driving environments, as the sensor’s high resolution and fast frame rate enables the accurate detection of any moving objects, while its high light sensitivity assists in object recognition even in dark lighting conditions. Furthermore, a wide dynamic range permits the sensor to respond quickly and effectively to sudden changes in brightness, as one might experience when driving in or out of dimly-lit tunnels.

Innovative Pixel Solution for Smart ADB(Adaptive Driving Beam) is the next-generation one-chip LED solution for headlamps that helps prevent glare affecting preceding and oncoming vehicles or pedestrians by automatically controlling the light distribution of a headlamp. Samsung presented this highly-specialized LED solution by demonstrating different driving situations including when a driver starts the engine, needs high or low beam, and faces preceding or oncoming vehicle.

Next-Generation Semiconductor Technologies

This year, five of Samsung’s latest semiconductor products have received recognition from the coveted CES 2019 Best of Innovation Awards – the Samsung 256GB 3DS DDR4 RDIMM, 512GB Universal Flash Storage, 3.84TB NVMe Z-SSD SZ1733, LM302S and the SSM-U Series.

Samsung 256GB 3DS DDR4 RDIMM is the industry’s fastest DDR4 and highest density memory module for next-generation enterprise server platforms, providing the finest high-density, high-performance consumer infrastructure solutions with extremely low-power consumption (15 watts at 1.2V).

Samsung 512GB Universal Flash Storage is the industry’s first 512-gigabyte embedded Universal Flash Storage (eUFS) for automotive A/V systems and next-gen flagship mobile devices, using Samsung’s new 64-layer 512-gigabit V-NAND chips. The 512GB eUFS package transfers a 5GB-equivalent full HD video clip to an SSD in about six seconds, over 8 times faster than a typical microSD card.

Samsung 3.84TB NVMe Z-SSD SZ1733 offers a new level of storage for supercomputing targeted for AI analysis, big data and IoT applications, using Samsung’s new Z-NAND chips which provide 10 times higher cell read performance than 3-bit V-NAND chips.

Samsung LM302S is the most user-oriented next-generation lighting platform to date, designed to improve work efficiency by helping users achieve a better circadian rhythm and healthier sleep. Its human-centric LED solution can improve a person’s concentration level for greater work efficiency by as much as 10% and improve sleep quality by repressing melatonin during the day.

Samsung SSM-U Series is a new type of smart module made up of tiny radar-based sensors with higher detecting sensitivity than conventional sensors. The SSM-U series features invisible and intelligent motion detection-based transmission for greater flexibility and reactivity in smart residential lighting.

Samsung приступил к массовому производству чипов памяти eUFC 2.1 для автомобилей

В сегодняшнем официальном пресс-релизе корпорация Samsung Electronics сообщила о запуске в серию встраиваемых модулей флэш-памяти объёмом 256Гб, предназначенных для автомобильной индустрии. модули соответствуют требованиям спецификации eUFS (embedded Universal Flash Storage) 2.1.
Южнокорейский вендор отмечает, что этот продукт стал первым в отрасли, обеспечивающем возможности, стандартизованные в UFS 3.0.
С учётом области применения модули рассчитаны на работу в диапазоне температур от -40°С до +105°С. Наличие встроенного датчика температуры позволяет уведомлять процессор о превышении допустимого предела. Эти данные процессор может использовать для снижения тактовой частоты с целью понижения температуры до приемлемого уровня.
Скорость последовательного чтения достигает 850МБ/с, а максимальная производительность на операциях чтения с произвольным доступом заявлена равной 45.000 IOPS.

Samsung Begins Mass Production of 256GB Embedded Universal Flash Storage for Automotive Applications

The new 256GB eUFS 2.1 for automotives is the industry’s first storage device to incorporate advanced features of the UFS 3.0 standard for automotive applications. 
Enhanced warranty for extended temperature range offers optimum solution for next-generation automotive systems.

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass production of a 256-gigabyte (GB) embedded Universal Flash Storage (eUFS) solution with advanced features based on automotive specifications from the JEDEC UFS 3.0 standard, for the first time in the industry.
Following the memory breakthrough of the automotive industry’s first 128GB eUFS in September, 2017, Samsung’s 256GB eUFS is now being shipped to automotive manufacturers preparing the market for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), next-generation infotainment systems and new-age dashboards in luxury vehicles.
As thermal management is crucial for automotive memory applications, Samsung’s 256GB eUFS extends the temperature range to between -40°C and +105°C for both operational and power-saving modes. Warranties for conventional embedded multimedia card (eMMC) 5.1 solutions generally cover -25°C to +85°C for vehicles in operation and -40°C to +85°C when in idle or power-saving mode,
“With the new temperature threshold for automobile warranties, major automotive manufacturers can now design-in memory that’s even well suited for extreme environments and know they will be getting highly reliable performance,” said Kyoung Hwan Han, vice president of NAND marketing at Samsung Electronics. “Starting with high-end vehicles, we expect to expand our business portfolio across the entire automotive market, while accelerating growth in the premium memory segment.”
Samsung’s 256GB eUFS not only can easily endure the new temperature specification, despite the heat-sensitive nature of memory storage, but also through its temperature notification feature, a sensor will notify the host application processor (AP) when the device temperature exceeds 105°C or any pre-set level. The AP would then regulate its clock speed to lower the temperature to an acceptable level.
Sequential reads for the 256GB eUFS can reach 850 megabytes per second (MB/s), which is at the high end of the current JEDEC UFS 2.1 standard, and random read operations come in at 45,000 IOPS. In addition, a data refresh feature speeds up processing and enables greater system reliability by relocating older data to other less-used cells.
The temperature notification, developed by Samsung, and data refresh features are included in UFS specification, version 3.0, which was announced last month by JEDEC, a global semiconductor standards organization.
Samsung plans to bolster its technology partnerships with global automakers and component providers, and continue expanding its eUFS line-up with an aim to lead the premium memory market.

Samsung объявляет о старте массового производства модулей флэш-памяти eUFS ёмкостью 512Гб

Сегодня корпорация Samsung Electronics официально сообщила, что приступает к массовому производству модулей флэш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) ёмкостью 512Гб, которые предназначены для мобильных устройств следующего поколения.
Samsung удалось нарастить ёмкость флэш-накопителей для смартфонов в 2 раза за неполные два года: модули eUFS ёмкостью 256Гб были выпущены в феврале 2016 года. При этом новые модули по своим размерам идентичны предыдущим. В корпусе того же размера размещены 8 64-слойных микросхем V-NAND плотностью 512Гбит и контроллер.
В пресс-релизе Samsung говорится, что во флэш-памяти такого объёма поместятся 130 10-минутных видеороликов с разрешением 3840 х 2160 пикселей, тогда как на современных смартфонах, оснащённых 64Гб флэш-памяти, сохраняется в 10 раз меньше таких материалов.
Последовательная скорость чтения и записи достигает 860 и 255Мб/с соответственно. Видеоролик с разрешением 1920 х 1080 пикселей объёмом 5Гб будет скопирован примерно за 6 секунд. При использовании карт памяти microSD это время увеличится в 8 раз.
Производительность на операциях чтения и записи с произвольным доступом достигает 42.000 и 40.000 IOPS соответственно. Это примерно в 400 раз выше, чем показатель microSD (около 100 IOPS).
Samsung планирует наращивать темпы производства как новой флэш-памяти eUFS объёмом 512 Гб, так и модулей ёмкостью 256Гб.

Samsung Starts Producing First 512-Gigabyte Universal Flash Storage for Next-Generation Mobile Devices

Setting a new threshold for mobile storage to handle ever-increasing amounts of multimedia content

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass production of the industry’s first 512-gigabyte (GB) embedded Universal Flash Storage (eUFS) solution for use in next-generation mobile devices. Utilizing Samsung’s latest 64-layer 512-gigabit (Gb) V-NAND chips, the new 512GB eUFS package provides unparalleled storage capacity and outstanding performance for upcoming flagship smartphones and tablets.
“The new Samsung 512GB eUFS provides the best embedded storage solution for next-generation premium smartphones by overcoming potential limitations in system performance that can occur with the use of micro SD cards, said Jaesoo Han, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “By assuring an early, stable supply of this advanced embedded storage, Samsung is taking a big step forward in contributing to timely launches of next-generation mobile devices by mobile manufacturers around the world.”
Consisting of eight 64-layer 512Gb V-NAND chips and a controller chip, all stacked together, Samsung’s new 512GB UFS doubles the density of Samsung’s previous 48-layer V-NAND-based 256GB eUFS, in the same amount of space as the 256GB package. The eUFS’ increased storage capacity will provide a much more extensive mobile experience. For example, the new high-capacity eUFS enables a flagship smartphone to store approximately 130 4K Ultra HD (3840×2160) video clips of a 10-minute duration*, which is about a tenfold increase over a 64GB eUFS which allows storing only about 13 of the same-sized video clips.
To maximize the performance and energy efficiency of the new 512GB eUFS, Samsung has introduced a new set of proprietary technologies. The 64-layer 512Gb V-NAND’s advanced circuit design and new power management technology in the 512GB eUFS’ controller minimize the inevitable increase in energy consumed, which is particularly noteworthy since the new 512GB eUFS solution contains twice the number of cells compared to a 256GB eUFS. In addition, the 512GB eUFS’ controller chip speeds up the mapping process for converting logical block addresses to those of physical blocks.
The Samsung 512GB eUFS also features strong read and write performance. With its sequential read and writes reaching up to 860 megabytes per second (MB/s) and 255MB/s respectively, the 512GB embedded memory enables transferring a 5GB-equivalent full HD video clip to an SSD in about six seconds, over eight times faster than a typical microSD card.
For random operations, the new eUFS can read 42,000 IOPS and write 40,000 IOPS. Based on the eUFS’ rapid random writes, which are approximately 400 times faster than the100 IOPS speed of a conventional microSD card, mobile users can enjoy seamless multimedia experiences such as high-resolution burst shooting, as well as file searching and video downloading in dual-app viewing mode.
On a related note, Samsung intends to steadily increase an aggressive production volume for its 64-layer 512Gb V-NAND chips, in addition to expanding its 256Gb V-NAND production. This should meet the increase in demand for advanced embedded mobile storage, as well as for premium SSDs and removable memory cards with high density and performance.

* Editor’s note: The calculation reflects internal tests where the averaged actual storage is approximately 93% of the labeled capacity, and where the preloaded mobile OS uses about 13GB of the capacity on a flagship smartphone.