понедельник, 2 октября 2017 г.

Samsung, Intel и SK Hynix инвестируют в нано-производство


Стартап, базирующийся в штате Невада — Reno Sub-Systems — сообщил о проведении третьего раунда сбора средств (Series C) на перспективные разработки. Reno Sub-Systems создаёт устройства согласования для управления плазменной дугой в системах проекции для литографического производства полупроводников (RF matching networks). Также Reno Sub-Systems разрабатывает и выпускает генераторы мощности для работы с плазмой (RF power generators) и системы подачи газа, в среде которого зажигается и работает плазменная дуга.


Типичный вакуумный подстраиваемый конденсатор

Всё перечисленное важно для стабильной работы литографических сканеров при производстве 14-нм чипов, будущих 7-нм и с меньшими нормами производства. Передовые сканеры оперируют слоями напыления толщиной в один атом. Любая нестабильность или рассогласование приведёт к росту уровня брака. Системы Reno Sub-Systems обещают высокую скорость реакции блока управления плазмой и достаточно компактны для встраивания в сканеры.


Полупроводниковый подстраиваемый конденсатор Reno Sub-Systems

В основе систем подстройки компании Reno Sub-Systems лежит старый добрый переменный вакуумный конденсатор, предложенный 120 лет назад Николой Тесла. В сороковые годы прошлого века переменные вакуумные конденсаторы получили толчок к развитию, но даже усовершенствованные современные модели могут похвастаться скоростью регулировки на уровне 1–3 секунд. Инженеры Reno Sub-Systems разработали уникальный твердотельный переменный конденсатор Electronically Variable Capacitor (EVC) с перестройкой ёмкости за 10 мкс и автоподстройкой менее 500 мкс. Именно эта разработка позволила создать передовые системы подстройки для работы с плазмой в современных и будущих литографических сканерах.



Наглядно о разности в скорости реакции вакуумных и полупроводниковых подстраиваемых конденсаторов Reno Sub-Systems

Всё перечисленное важно для стабильной работы литографических сканеров при производстве 14-нм чипов, будущих 7-нм и с меньшими нормами производства. Передовые сканеры оперируют слоями напыления толщиной в один атом. Любая нестабильность или рассогласование приведёт к росту уровня брака. Системы Reno Sub-Systems обещают высокую скорость реакции блока управления плазмой и достаточно компактны для встраивания в сканеры.

Samsung, Intel, Hitachi and Lam invest $11.2M in Reno Sub-Systems

Reno Sub-Systems (Reno), a developer of high-performance radio frequency (RF) matching networks, RF power generators and gas flow management systems for semiconductor manufacturing, today announced it has closed its Series C funding. Samsung Venture Investment Corporation led the round. New investors Samsung Venture Investment Corp., Hitachi High-Technologies Corporation and SK hynix all join Reno’s premier list of strategic investors. Existing investors Intel Capital, Lam Research and MKS Instruments also participated in this funding round.
“Our list of strategic investors now includes the venture arms of three of the top five largest semiconductor manufacturers, two out of four of the largest etch tool providers, and a key subsystems supplier,” said Bob MacKnight, CEO of Reno Sub-Systems. “Our holistic approach to precision subsystem process control across RF as well as flow technologies offers clear differentiation from competitive approaches. Our new investors are motivated to participate to secure access to our innovative technologies, to enhance their manufacturing operations or product offerings.”
“We saw high value in Reno’s technology, so it only made sense for us to pursue an investment,” said Dr. Dong-Su Kim, vice president of Samsung Venture Investment Corp.
“The new capabilities that Reno’s subsystems provide will add to our competitive strengths,” said Craig Kerkove, president & CEO of Hitachi High-Technologies America.
“Greater precision and repeatability of processing are key to future device geometries,” said Heejin Chung, head of SK hynix’s Venture Investment. “Reno’s subsystems can help us achieve that.”
The additional funding will support continued development of the technology to enable leading-edge silicon manufacturing technology nodes in high-volume production. “The C-round will allow us to support our rapidly growing number of deployments and enable high-volume manufacturing of our systems to support our recent platform wins,” said MacKnight.
The company also announced that it has secured several additional platform design wins for its Electronically Variable Capacitor (EVC™) impedance matching networks and has been qualified by a leading OEM.

Комментариев нет:

Отправить комментарий