ARM и Samsung создали компилятор для проектирования блоков памяти eMRAM

В сентябре прошлого года в Samsung заявили о намерениях наладить выпуск контроллеров и другой логики со встроенной памятью eMRAM (магниторезистивная память со случайным доступом). По сравнению с eNAND память eMRAM обещает лучшую устойчивость к износу, более простой (и дешёвый) техпроцесс, а также хорошие скоростные и другие характеристики, свойственные энергонезависимой памяти. Кроме Samsung памятью eMRAM для встраиваемого применения интересуются компании STMicroelectronics и GlobalFoundries. Последняя, например, лицензировала у STMicroelectronics соответствующий техпроцесс.
Но одного техпроцесса мало. Необходимы ещё инструменты проектирования блоков eMRAM в составе решений. Такие инструменты, сообщили на днях в компании ARM, готовы и начнут распространяться в 4-м квартале текущего года. Речь идёт о компиляторе блоков eMRAM для техпроцесса Samsung 28FDS (28 нм на пластинах FD-SOI). По словам ARM, с помощью компилятора на основе eMRAM IP создан цифровой проект опытного массива eMRAM, подтвердивший работоспособность решения. Новые инструменты позволят клиентам Samsung на базе техпроцесса 28FDS быстро и без особых усилий проектировать массивы памяти eMRAM в зависимости от поставленных задач, а это может повысить популярность eMRAM.
Кроме того, ARM сообщила о создании наборов инструментов проектирования (physical IP) с использованием техпроцессов Samsung 7LPP, 5LPE EUV и 11LPP FinFET. Платформа 7LPP будет доступна проектировщикам в 3-м квартале 2018 года, платформа 5LPE начнёт распространяться в начале 2019 года, а платформа 11LPP доступна для получения уже сейчас.
Доступность платформ проектирования под соответствующие техпроцессы открывает перед разработчиками возможность создания решений для последующего производства.
Новые инструменты позволят проектировать целый спектр решений 7LPP и 5LPE EUV, включая вычислительные и графические ядра. Ожидается, что их тактовая частота превысит 3 ГГц с приемлемым компромиссом между потреблением и площадью кристаллов. Для оптимизации логической архитектуры представлены новые высокоплотные (HD) и сверхвысокоплотные (UHD) ячейки SRAM. Техпроцесс 11LPP нацелен на энергоэффективную встраиваемую, автомобильную и носимую электронику с частотой решений свыше 2 ГГц. Он основан на техпроцессе 14LPP и, в отличие от техпроцессов 7LPP и 5LPE EUV, не потребует использования EUV-сканеров.

ARM and Samsung build eMRAM compiler

New offerings for Samsung Foundry’s 7LPP and 5LPE EUV, and 11LPP FinFET nodes

ARM and Samsung Foundry are announcing the industry’s first eMRAM compiler offering which will be available on Samsung Foundry’s 28FDS (FDSOI) process technology.
The tech will allow customers the flexibility to scale memory needs based on the complexity of various use-cases, and to ultimately accelerate product to market timeline.
ARM has successfully completed the first eMRAM IP test chip tapeout and the compiler IP will be available from 4Q 2018 for lead partners.
This is just the latest of many recent collaborations with Samsung Foundry, including new offerings of Arm’s physical IP for 7LPP and 5LPE EUV, and 11LPP FinFET nodes.
ARM's  vice president marketing, physical design group, Kelvin Low said: "Today’s announcement is only the latest milestone in our collaboration with Samsung Foundry, which began with the 65nm process node and has carried on through recent new offerings of ARM’s physical IP on Samsung Foundry’s 11LPP (11nm Low Power Plus), 7LPP (7nm Low Power Plus) and 5LPE (5nm Low Power Early) process technologies. We have worked closely with Samsung Foundry to develop and verify these manufacturing process innovations using Arm’s physical and processor IP, allowing us to integrate support for these innovations in future CPU, GPU, and other processor cores."
He said the tech will support for HD and UHD logic architectures to optimise circuits for performance, power and area tradeoffs and provide a comprehensive suite of memory compilers, 1.8V and 3.3V GPIO (General-Purpose Input/Output) libraries, and support for CPU frequencies exceeding 3 GHz.
The ARM physical IP for 11LPP FinFET is built on Samsung Foundry’s 14LPP FinFET process technology. It includes a comprehensive suite of logic libraries, memory compilers, and a GPIO library. Additional new ultra-high density standard cell architecture with multi-height support to deliver superior area scaling while maintaining high performance
Low said that with more than 2 GHz CPU frequency target, the ARM 11LPP platform is suitable for the latest consumer designs, high-end wearables and automotive products
The ARM eMRAM compiler IP will be available from 4Q 2018 for lead partners. ARM 7LPP physical IP platform is available starting 3Q 2018 for lead partners, while the 5LPE physical IP platform offering will be available in early 2019. ARM physical IP platform for 11LPP is available for access now for lead partners.