Samsung Electronics объявляет о начале коммерческих поставок eMRAM

В сегодняшнем официальном пресс-релизе Samsung Electronics объявляет о старте массового производства своего первого коммерческого продукта со встроенной магнитной памятью с произвольной выборкой (eMRAM). В изделиях используется 28-нанометровый техпроцесс 28FDS, построенный на использовании полностью обеднённого кремния на изоляторе (FD-SOI).
В аннотации подразделения Samsung Foundry говорится, что встраиваемой флэш-памяти (eFlash) присуще ограничение масштабируемости по той причине, что в основе лежит хранение заряда. Память eMRAM, работа которой основана на сопротивлении, выглядит многообещающим преемником eFlash, так как обеспечивает высокую масштабируемость и обладает такими преимуществами, как энергонезависимость, возможность произвольного доступа и высокая износостойкость.
Представленное Samsung решение eMRAM по всем параметрам превосходт eFlash, включая скорость, уровень энергопотребления и более низкую стоимость. Поскольку в памяти eMRAM отсутствует цикл стирания перед размещением данных, скорость записи в этом случае примерно в 1.000 раз выше, чем у eFlash. Кроме того, eMRAM использует более низкие напряжения, чем eFlash.
Ещё одним достоинством eMRAM является простая интеграция, требующая добавления меньшего количества слоёв. Это означает, что заказчики могут повторно использовать существующую инфраструктуру проектирования, снижая затраты.
Ожидается, что память eMRAM, рассчитанная на изготовление по 28FD-SOI техпроцессу, найдёт применение в микроконтроллерах, микросхемах для интернета вещей (IoT) и искусственного интеллекта (AI).
В течение года Samsung рассчитывает довести плотность eMRAM до 1 ГБ.

Samsung Electronics Starts Commercial Shipment of eMRAM Product Based on 28nm FD-SOI Process

Samsung's eMRAM will further strengthen the company’s technology leadership in embedded memory

Samsung Electronics the world leader in semiconductor technology, today announced that it has commenced mass production of its first commercial embedded magnetic random access memory (eMRAM) product based on the company’s 28-nanometer(nm) fully-depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) process technology, called 28FDS.
As eFlash has faced scalability challenges due to a charge storage-based operation, eMRAM has been the most promising successor since its resistance-based operation allows strong scalability while also possessing outstanding technical characteristics of memory semiconductors such as nonvolatility, random access, and strong endurance. With today’s announcement, Samsung has proved its capability to overcome technical hurdles and demonstrated the possibility for further scalability of embedded memory technology to 28nm process node and beyond.
Samsung’s 28FDS-based eMRAM solution offers unprecedented power and speed advantages with lower cost. Since eMRAM does not require an erase cycle before writing data, its writing speed is approximately a thousand times faster than eFlash. Also, eMRAM uses lower voltages than eFlash, and does not consume electric power when in power-off mode, resulting in great power efficiency.
Furthermore, since an eMRAM module can easily be inserted in the back-end of the process by adding the least number of layers, it has less dependence on the front-end of the process for easy integration with existing logic technologies, such as bulk, fin, and FD-SOI transistor. With this plug-in module concept, customers can enjoy the benefit of reutilizing existing design infrastructure even with this added new technology, eMRAM, and saving costs at the same time.
By combining with 28FD-SOI for better transistor control and minimizing leakage current through body-bias control, Samsung’s eMRAM solution will provide differentiated benefits for a variety of applications including micro controller unit (MCU), internet of things (IoT), and artificial intelligence (AI).
“We are very proud of this achievement in offering right embedded non-volatile memory (eNVM) technology after overcoming complicated challenges of new materials.” said Ryan Lee, vice president of foundry marketing at Samsung Electronics. “By integrating eMRAM with existing proven logic technologies, Samsung Foundry continues to expand its eNVM process portfolio to provide distinct competitive advantages and excellent manufacturability to meet customers and market requirement.”
A ceremony to celebrate this first shipment of eMRAM product will be held on March 6 at Samsung’s Giheung campus, Korea. Samsung plans to expand its options for high-density eNVM solutions, including a tape-out of 1Gb eMRAM test chip within this year.

ARM и Samsung создали компилятор для проектирования блоков памяти eMRAM

В сентябре прошлого года в Samsung заявили о намерениях наладить выпуск контроллеров и другой логики со встроенной памятью eMRAM (магниторезистивная память со случайным доступом). По сравнению с eNAND память eMRAM обещает лучшую устойчивость к износу, более простой (и дешёвый) техпроцесс, а также хорошие скоростные и другие характеристики, свойственные энергонезависимой памяти. Кроме Samsung памятью eMRAM для встраиваемого применения интересуются компании STMicroelectronics и GlobalFoundries. Последняя, например, лицензировала у STMicroelectronics соответствующий техпроцесс.
Но одного техпроцесса мало. Необходимы ещё инструменты проектирования блоков eMRAM в составе решений. Такие инструменты, сообщили на днях в компании ARM, готовы и начнут распространяться в 4-м квартале текущего года. Речь идёт о компиляторе блоков eMRAM для техпроцесса Samsung 28FDS (28 нм на пластинах FD-SOI). По словам ARM, с помощью компилятора на основе eMRAM IP создан цифровой проект опытного массива eMRAM, подтвердивший работоспособность решения. Новые инструменты позволят клиентам Samsung на базе техпроцесса 28FDS быстро и без особых усилий проектировать массивы памяти eMRAM в зависимости от поставленных задач, а это может повысить популярность eMRAM.
Кроме того, ARM сообщила о создании наборов инструментов проектирования (physical IP) с использованием техпроцессов Samsung 7LPP, 5LPE EUV и 11LPP FinFET. Платформа 7LPP будет доступна проектировщикам в 3-м квартале 2018 года, платформа 5LPE начнёт распространяться в начале 2019 года, а платформа 11LPP доступна для получения уже сейчас.
Доступность платформ проектирования под соответствующие техпроцессы открывает перед разработчиками возможность создания решений для последующего производства.
Новые инструменты позволят проектировать целый спектр решений 7LPP и 5LPE EUV, включая вычислительные и графические ядра. Ожидается, что их тактовая частота превысит 3 ГГц с приемлемым компромиссом между потреблением и площадью кристаллов. Для оптимизации логической архитектуры представлены новые высокоплотные (HD) и сверхвысокоплотные (UHD) ячейки SRAM. Техпроцесс 11LPP нацелен на энергоэффективную встраиваемую, автомобильную и носимую электронику с частотой решений свыше 2 ГГц. Он основан на техпроцессе 14LPP и, в отличие от техпроцессов 7LPP и 5LPE EUV, не потребует использования EUV-сканеров.

ARM and Samsung build eMRAM compiler

New offerings for Samsung Foundry’s 7LPP and 5LPE EUV, and 11LPP FinFET nodes

ARM and Samsung Foundry are announcing the industry’s first eMRAM compiler offering which will be available on Samsung Foundry’s 28FDS (FDSOI) process technology.
The tech will allow customers the flexibility to scale memory needs based on the complexity of various use-cases, and to ultimately accelerate product to market timeline.
ARM has successfully completed the first eMRAM IP test chip tapeout and the compiler IP will be available from 4Q 2018 for lead partners.
This is just the latest of many recent collaborations with Samsung Foundry, including new offerings of Arm’s physical IP for 7LPP and 5LPE EUV, and 11LPP FinFET nodes.
ARM's  vice president marketing, physical design group, Kelvin Low said: "Today’s announcement is only the latest milestone in our collaboration with Samsung Foundry, which began with the 65nm process node and has carried on through recent new offerings of ARM’s physical IP on Samsung Foundry’s 11LPP (11nm Low Power Plus), 7LPP (7nm Low Power Plus) and 5LPE (5nm Low Power Early) process technologies. We have worked closely with Samsung Foundry to develop and verify these manufacturing process innovations using Arm’s physical and processor IP, allowing us to integrate support for these innovations in future CPU, GPU, and other processor cores."
He said the tech will support for HD and UHD logic architectures to optimise circuits for performance, power and area tradeoffs and provide a comprehensive suite of memory compilers, 1.8V and 3.3V GPIO (General-Purpose Input/Output) libraries, and support for CPU frequencies exceeding 3 GHz.
The ARM physical IP for 11LPP FinFET is built on Samsung Foundry’s 14LPP FinFET process technology. It includes a comprehensive suite of logic libraries, memory compilers, and a GPIO library. Additional new ultra-high density standard cell architecture with multi-height support to deliver superior area scaling while maintaining high performance
Low said that with more than 2 GHz CPU frequency target, the ARM 11LPP platform is suitable for the latest consumer designs, high-end wearables and automotive products
The ARM eMRAM compiler IP will be available from 4Q 2018 for lead partners. ARM 7LPP physical IP platform is available starting 3Q 2018 for lead partners, while the 5LPE physical IP platform offering will be available in early 2019. ARM physical IP platform for 11LPP is available for access now for lead partners.

Samsung запускает производство чипов eMRAM по 28-нанометровой технологии FD-SOI

Подразделение по контрактному выпуску чипов Samsung Foundry, выделенное недавно в отдельное предприятие по инициативе материнской корпорации Samsung Electronics, уже готово начинать пробные отгрузки своей новейшей продукции заинтересованным клиентам.
Сегодня в официальном пресс-релизе Samsung Electronics опубликовано сообщение о достижении лидерских позиций южнокорейского вендора в развитии технологии FD-SOI. В производство запущен первый в отрасли чип eMRAM, рассчитанный на изготовление по 28-нанометровой технологии FD-SOI.
Ранее Samsung представил комплексную экосистему решений для создания продукции, рассчитанной на выпуск по этому техпроцессу, получившему обозначение 28FDS. Досрочная передача тестового чипа в производство не только подтверждает готовность техпроцесса к серийному выпуску — об этом производитель сообщил ещё в прошлом году, но и говорит о приверженности Samsung развитию технологии FD-SOI.
К передаче в производство по технологии FD-SOI уже подготовлены изделия более чем 40 заказчиков. Предполагается, что добавление возможности изготовления радиочастотных схем и памяти eMRAM с использованием техпроцессов 28FDS и 18FDS позволит Samsung привлечь дополнительных клиентов. Встраиваемая энергонезависимая память eMRAM характеризуется высоким быстродействием, низким энергопотреблением и высокой надёжностью.

Samsung Expands FD-SOI Process Technology Leadership and its Design Ecosystem Readiness

Samsung Foundry tapes out industry first eMRAM test chip based on 28nm FD-SOI process

Samsung Electronics, the world leader in advanced semiconductor technology, today announced it has expanded its differentiated FD-SOI process technology leadership by offering derivatives that include RF and eMRAM. Samsung already established a full set of FD-SOI design enablement solutions with key ecosystem partners for the 28-nanometer (nm) FD-SOI (28FDS) process technology. By accomplishing industry first eMRAM testchip tape-out milestone on 28FDS process technology, Samsung Foundry has demonstrated its 28FDS readiness with eMRAM technology leadership with the long commitment and expertise of Samsung’s semiconductor technology R&D capability.
“Samsung started mass production of its 28FDS process technology last year and reached the desired process maturity earlier than originally scheduled,” said Ryan Lee, Vice President of Foundry Marketing at Samsung Electronics. “So far we have taped out more than 40 products based on the FD-SOI process for various customers. With the addition of RF and eMRAM on 28FDS and 18FDS technologies, we expect an increasing number of product engagements.”
Samsung eMRAM is the newest addition to the family of embedded non-volatile memories and it offers unprecedented speed, power and endurance advantages.
“By adding only three layers in the back-end of the process, we can simply integrate the new eMRAM cells into the existing baseline FD-SOI process,” said Gitae Jeong, Senior Vice President of the Advanced Technology Development Team at Samsung Electronics. “Combined with Samsung’s memory technology leadership and its differentiated FD-SOI technology, we finally succeeded in incorporating eMRAM into various commercial applications”
“Samsung is working with NXP on a test chip to deliver eMRAM macro capability which is optimized for embedded processor integration and manufacturing.” said Ron Martino, VP and GM for NXP’s iMX Applications Processor product line. “This test chip is complete and will produce results in the 4th quarter. This work will further enable the vision of integrating diverse SOC components on a single SOC in a cost effective manner.”
Samsung has completed its full set of 28FDS technology eco-system solutions with various eco- system partners including Cadence and Synopsys. Customers can access Samsung certified 28FDS reference flows from Cadence and Synopsys along with application-specific IP offerings.
“Through our collaboration with Samsung, our mutual customers can access the 28FDS certified, comprehensive Cadence RTL-to-GDS reference flow,” said KT Moore, vice president, product management in the Digital & Signoff Group at Cadence. “The Cadence tools integrate the back-biasing and multi-bit flip-flop design optimization features included with the Samsung 28FDS process technology, enabling designers to quickly and easily develop high-quality SoCs with optimal power and performance.”
“Early joint collaboration on PDKs, reference flows and IP is a hallmark of the Samsung/Synopsys relationship,” said Michael Jackson, corporate vice president of marketing and business development for the Design Group at Synopsys. “For Samsung’s 28FDS, our mutual customers can design with confidence, knowing that it has been fully certified for Synopsys’ Design Platform and Design Ware® IP.
Details on the recent updates to Samsung Foundry’s cutting-edge process technology including FD-SOI technology roadmap and readiness will be presented at the Shanghai FD-SOI Forum on September 26th, 2017, by ES Jung, Executive Vice President and General Manager of Foundry Business at Samsung Electronics.