Показаны сообщения с ярлыком OCP. Показать все сообщения
Показаны сообщения с ярлыком OCP. Показать все сообщения

пятница, 30 марта 2018 г.

Серверные технологии в потребительском форм-факторе: Samsung представил Z-SSD в виде модуля M.2




Корпорация Samsung Electronics продемонстрировала твердотельный накопитель SZ985 на базе памяти Z-NAND в форм-факторе M.2. Этот SSD может использоваться как при построении серверов с плотным размещением накопителей данных, так и для настольных компьютеров — рабочих станций и ПК для энтузиастов.
Память Z-NAND и накопители Z-SSD были представлены Samsung как ответ на разработку памяти типа 3D XPoint (Optane, QuantX) компаниями Intel и Micron. Как и 3D XPoint, Z-NAND характеризуется очень высокой износоустойчивостью и производительностью, однако в отличие от конкурентов, Samsung не раскрывает каких-либо подробностей об архитектуре Z-NAND. Поскольку Z-SSD предназначены, в первую очередь, для центров обработки данных (ЦОД), то накопители SZ985 всегда демонстрируются (и, надо полагать, поставляются) в форм-факторе карт HHHL с интерфейсом PCI Express. При этом Samsung никогда не показывал компонентов таких карт «живьём», ограничиваясь демонстраций компьютерных моделей данных SSD. Таким образом, SZ985 в форм-факторе M.2 позволяет взглянуть как на контроллер Z-SSD, так и на упаковки памяти Z-NAND.
Показанный в рамках выставки OCP Summit, проходившей на прошлой неделе, накопитель Samsung SZ985 M.2 базируется на известном контроллере Samsung Phoenix, который используется для устройств PM981 и PM983 (вторые пока не присутствуют на рынке). Продемонстрированный накопитель маркирован как SZ983, однако принимая во внимание, что маркировки на образцах далеко не всегда корректны, трудно делать из этого какие-либо выводы.
Согласно данным Samsung, SZ985 M.2 экипируется 240 или 480Гб доступной пользователю Z-NAND флэш-памяти, что не так много по меркам ЦОД. Касательно производительности Samsung заявляет, что скорость чтения SZ985 M.2 составляет 3200 Мбайт/с, а записи — 2800 Мбайт/с. Накопитель способен выдерживать до 30 перезаписей в сутки; при 5-летней гарантии это означает, что 480-Гб версия способна записать до 262,8 петабайт данных, а это является очень высоким показателем.
Согласно маркировке образца SSD с выставки, он содержит 240Гб Z-NAND, размещённой в 4-х корпусах на передней стороне модуля (таким образом, версия ёмкостью 480Гб будет использовать память на двух сторонах). Для сравнения: 512-Гб версия PM981 использует два корпуса с микросхемами V-NAND памяти. Таким образом, очевидно, что плотность записи Z-NAND радикально ниже таковой у V-NAND (3D NAND в классификации Samsung), а предположения о том, что Z-NAND представляет собой разновидность SLC (правда, выполненной по новой технологии), или же MLC с большим количеством плейнов, могут иметь под собой основания. Принимая во внимание, что Z-SSD базируется на контроллере для мощных потребительских SSD, трудно ожидать, что сама память является чем-то экзотическим.
Учитывая низкую плотность записи памяти Z-NAND, а также её высокие характеристики износоустойчивости и производительности, есть все основания полагать, что Samsung SZ985 будут отличаться высокой себестоимостью и ценами. Практическое применение подобных накопителей будет оправдано в машинах, которым требуется высочайшая производительность и износоустойчивость. Это могут быть как серверы, так и рабочие станции, в которых SZ985 будут размещаться на PCI Express x16 адаптерах вроде HP Z Turbo Drive Quad Pro. Что касается продаж Z-SSD энтузиастам, то маловероятно, что Samsung пойдёт по пути Intel Optane 800P, предлагая накопители низкого объёма, но с высокой производительностью и избыточной для данного рынка износоустойчивостью.

Samsung Reveals M.2 Z-SSD

Last week at the Open Compute Project (OCP) Summit in San Jose, Samsung's booth included a surprise appearance of a Z-SSD in the M.2 form factor. Samsung has been pitching their Z-SSD SZ985 using Z-NAND memory as a low-latency competitor to Intel's 3D XPoint-based Optane SSDs. The Z-SSD SZ985 has made many trade show appearances over the course of its development, but always in the form of a half-height half-length PCIe add-in card.
That card keeps all the interesting components covered by a heatsink, leaving us with little indication of the PCB's layout, but some of Samsung's earlier presentations included renderings showing a very large SSD controller, similar in size to a typical 16-channel controller. Samsung's exhibit at the OCP Summit included a M.2 version of the SZ985, revealing that the controller is in fact the same Phoenix 8-channel controller used on Samsung's other 98x SSDs, including the PM981 client SSD. This controller is also very likely to be used in Samsung's next generation consumer retail NVMe SSDs, the successors to the 960 PRO and 960 EVO.
Samsung's exhibit called the drive the SZ985 Z-SSD, but the stickers on the drive say SZ983. The capacity of the demo unit appears to be 240GB, the same as the smaller capacity announced earlier this year when the Z-SSD SZ985 officially launched. Samsung's display also listed a 480GB capacity, likely the most first-generation Z-NAND that Samsung can fit onto the M.2 card.
The development of a M.2 Z-SSD raises the possibility of Samsung introducing a Z-SSD for the enthusiast consumer market, to compete against the Intel Optane SSD 800P. However, it is likely that Samsung can remain quite competitive in the high-end consumer SSD space with another conventional MLC-based SSD to replace the 960 PRO. Sacrificing further capacity for incremental performance gains would probably not be worthwhile, even though a Z-SSD doesn't go as far down that road as Optane SSDs.

среда, 21 марта 2018 г.

OCP 2018: Samsung представляет 8-терабайтный SSD NF1 и ОЗУ DDR4 RDIMM на 64Гб



В ходе ежегодного отраслевого мероприятия OCP 2018 (Open Compute Project), техногигант Samsung, помимо упомянутых в нашей предыдущей публикации твердотельных накопителей PM883, представит в калифорнийском городе Сан-Хосе и другие новинки. В частности, речь пойдёт о первом SSD объёмом 8ТБ типоразмера NF1 и первом модуле DDR4 RDIMM объёмом 64ГБ, в котором используются кристаллы DRAM плотностью 16 Гбит.
Накопители Samsung NF1 (ранее этот типоразмер был известен как NGSFF) предназначены для серверов 1U с повышенной плотностью компоновки. Их поставки уже начались нескольким производителям серверов. Накопитель демонстрирует пропускную способность 0,5 ПБ/с. Его габариты составляют 30,5x110x4,8 мм. Вдоль передней панели блока 1RU помещается до 36 таких накопителей, позволяя получить примерно в 6 раз больший объём по сравнению с накопителями типоразмера U.2.
Другая новинка - модули памяти DDR4 RDIMM объёмом 64 ГБ, которые также предназначены для серверов. В пресс-релизе сообщается, что используя кристаллы плотностью 16 Гбит, вендору удалось снизить потребляемую мощность более чем на 20% по сравнению с модулями на кристаллах плотностью 8 Гбит. Кроме того, новые кристаллы позволяют изготовить модули объёмом до 256ГБ. Производитель намерен представить модули RDIMM и LRDIMM объёмом 128ГБ и 246ГБ уже в этом году.

Samsung NF1 - the first 8TB SSD built in the ultra-small NF1 form factor, and the first 64GB DDR4 RDIMM using 16Gb monolithic chips

Samsung has announced the rollout of the PM883, its highest-density datacenter SATA drive at 8TB. PM883 is the first datacenter SATA drive to use LPDDR4 DRAM (16Gb) modules while featuring a 6.0Gbps, 2.5-inch SATA interface. Samsung indicates that it will accelerate a transition in many existing enterprise datacenters to SATA-formatted SSD designs, boasting enhanced economies of scale through the use of advanced-generation V-NAND technology at higher densities.
The PM883 is also the first SSD that supports a SATA 3.3-compliant Power Disable (PWDIS) feature, which allows power management in individual SSD units to maximize the energy efficiency of tomorrow’s datacenters. As a result, the new Samsung drive is quoted to use just 2.8 watts of power in reads and 3.7 watts in writes.
As for performance, the PM883 is set to deliver sequential reads and writes at 550MB/s and 520MB/s, respectively.  Random speeds are expected to hit upwards of 98,000 IOPS and 28,000 IOPS in reads and writes, respectively. The TBW rating is specced at 5,466TB for the 3840GB drive and 10,932TB for the 7680GB drive.
Samsung also announced that it will exhibit two new HPC memory solutions at the 2018 Open Compute Project U.S. Summit in the San Jose: the Samsung NF1, which is the first 8TB SSD built in the ultra-small NF1 form factor, and the first 64GB DDR4 RDIMM using 16Gb monolithic chips. The Samsung NF1 64-layer 8TB SSD was designed to dramatically improve the storage capacity and performance of next-generation 1U rack servers and is quoted to deliver I/O at a phenomenal 0.5 petabytes per second. Samsung’s 16Gb-based 64GB RDIMMs are low-power monolithic chips that support interface speeds of 2666 MT/s. They will offer a greater than 20% power reduction versus 8Gb-based 64GB LRDIMMs and allow the maximum DIMM density to increase to 256GB. Samsung believes that this will make them well-suited for memory-intensive applications such as In-Memory Databases and VDI.
Samsung is expected to expand its lineup with higher capacity 16Gb-based 128GB and 256GB RDIMM and LRDIMMs sometime later this year. The 16Gb 64GB DDR4 RDIMMs are available now.