Показаны сообщения с ярлыком SZ985 Z-SSD™. Показать все сообщения
Показаны сообщения с ярлыком SZ985 Z-SSD™. Показать все сообщения

пятница, 30 марта 2018 г.

Серверные технологии в потребительском форм-факторе: Samsung представил Z-SSD в виде модуля M.2




Корпорация Samsung Electronics продемонстрировала твердотельный накопитель SZ985 на базе памяти Z-NAND в форм-факторе M.2. Этот SSD может использоваться как при построении серверов с плотным размещением накопителей данных, так и для настольных компьютеров — рабочих станций и ПК для энтузиастов.
Память Z-NAND и накопители Z-SSD были представлены Samsung как ответ на разработку памяти типа 3D XPoint (Optane, QuantX) компаниями Intel и Micron. Как и 3D XPoint, Z-NAND характеризуется очень высокой износоустойчивостью и производительностью, однако в отличие от конкурентов, Samsung не раскрывает каких-либо подробностей об архитектуре Z-NAND. Поскольку Z-SSD предназначены, в первую очередь, для центров обработки данных (ЦОД), то накопители SZ985 всегда демонстрируются (и, надо полагать, поставляются) в форм-факторе карт HHHL с интерфейсом PCI Express. При этом Samsung никогда не показывал компонентов таких карт «живьём», ограничиваясь демонстраций компьютерных моделей данных SSD. Таким образом, SZ985 в форм-факторе M.2 позволяет взглянуть как на контроллер Z-SSD, так и на упаковки памяти Z-NAND.
Показанный в рамках выставки OCP Summit, проходившей на прошлой неделе, накопитель Samsung SZ985 M.2 базируется на известном контроллере Samsung Phoenix, который используется для устройств PM981 и PM983 (вторые пока не присутствуют на рынке). Продемонстрированный накопитель маркирован как SZ983, однако принимая во внимание, что маркировки на образцах далеко не всегда корректны, трудно делать из этого какие-либо выводы.
Согласно данным Samsung, SZ985 M.2 экипируется 240 или 480Гб доступной пользователю Z-NAND флэш-памяти, что не так много по меркам ЦОД. Касательно производительности Samsung заявляет, что скорость чтения SZ985 M.2 составляет 3200 Мбайт/с, а записи — 2800 Мбайт/с. Накопитель способен выдерживать до 30 перезаписей в сутки; при 5-летней гарантии это означает, что 480-Гб версия способна записать до 262,8 петабайт данных, а это является очень высоким показателем.
Согласно маркировке образца SSD с выставки, он содержит 240Гб Z-NAND, размещённой в 4-х корпусах на передней стороне модуля (таким образом, версия ёмкостью 480Гб будет использовать память на двух сторонах). Для сравнения: 512-Гб версия PM981 использует два корпуса с микросхемами V-NAND памяти. Таким образом, очевидно, что плотность записи Z-NAND радикально ниже таковой у V-NAND (3D NAND в классификации Samsung), а предположения о том, что Z-NAND представляет собой разновидность SLC (правда, выполненной по новой технологии), или же MLC с большим количеством плейнов, могут иметь под собой основания. Принимая во внимание, что Z-SSD базируется на контроллере для мощных потребительских SSD, трудно ожидать, что сама память является чем-то экзотическим.
Учитывая низкую плотность записи памяти Z-NAND, а также её высокие характеристики износоустойчивости и производительности, есть все основания полагать, что Samsung SZ985 будут отличаться высокой себестоимостью и ценами. Практическое применение подобных накопителей будет оправдано в машинах, которым требуется высочайшая производительность и износоустойчивость. Это могут быть как серверы, так и рабочие станции, в которых SZ985 будут размещаться на PCI Express x16 адаптерах вроде HP Z Turbo Drive Quad Pro. Что касается продаж Z-SSD энтузиастам, то маловероятно, что Samsung пойдёт по пути Intel Optane 800P, предлагая накопители низкого объёма, но с высокой производительностью и избыточной для данного рынка износоустойчивостью.

Samsung Reveals M.2 Z-SSD

Last week at the Open Compute Project (OCP) Summit in San Jose, Samsung's booth included a surprise appearance of a Z-SSD in the M.2 form factor. Samsung has been pitching their Z-SSD SZ985 using Z-NAND memory as a low-latency competitor to Intel's 3D XPoint-based Optane SSDs. The Z-SSD SZ985 has made many trade show appearances over the course of its development, but always in the form of a half-height half-length PCIe add-in card.
That card keeps all the interesting components covered by a heatsink, leaving us with little indication of the PCB's layout, but some of Samsung's earlier presentations included renderings showing a very large SSD controller, similar in size to a typical 16-channel controller. Samsung's exhibit at the OCP Summit included a M.2 version of the SZ985, revealing that the controller is in fact the same Phoenix 8-channel controller used on Samsung's other 98x SSDs, including the PM981 client SSD. This controller is also very likely to be used in Samsung's next generation consumer retail NVMe SSDs, the successors to the 960 PRO and 960 EVO.
Samsung's exhibit called the drive the SZ985 Z-SSD, but the stickers on the drive say SZ983. The capacity of the demo unit appears to be 240GB, the same as the smaller capacity announced earlier this year when the Z-SSD SZ985 officially launched. Samsung's display also listed a 480GB capacity, likely the most first-generation Z-NAND that Samsung can fit onto the M.2 card.
The development of a M.2 Z-SSD raises the possibility of Samsung introducing a Z-SSD for the enthusiast consumer market, to compete against the Intel Optane SSD 800P. However, it is likely that Samsung can remain quite competitive in the high-end consumer SSD space with another conventional MLC-based SSD to replace the 960 PRO. Sacrificing further capacity for incremental performance gains would probably not be worthwhile, even though a Z-SSD doesn't go as far down that road as Optane SSDs.

вторник, 30 января 2018 г.

Samsung выпускает скоростной накопитель Z-SSD на 800Гб, который способен обслуживать системы искусственного интеллекта






В сегодняшнем пресс-релизе южнокорейский техногигант сообщил о запуске в массовое производство новейших накопителей. SZ985 Z-SSD, где используются Z-NAND чипы, которые работают в 10 раз быстрее микросхем V-NAND (3-бит). Вендор отмечает, что на «случайном чтении» новый диск в 1,7 раз быстрее, чем NVMe SSD PM963. Иными словами, на рынке появится достойный конкурент SSD 900P, производимых компанией Intel.
Показатель DWPD у Samsung SZ985 Z-SSD — 30 единиц, именно столько раз можно полностью перезаписать указанный диск в течение одного дня. В столь плотном режиме новинка способна работать на протяжении 5 лет (безотказный итог — 42 Пбайт).
По заявлению производителя, такие модули можно использовать в системах искусственного интеллекта (AI), а также для хранения данных экосистем Интернета вещей (IoT), которые требуют больших вычислительных ресурсов.
Надо полагать, что в первую очередь Samsung обеспечит такими модулями свои подразделения, отвечающие за обработку данных в SmartThings (IoT) и Bixby (AI), которые станут основой будущей платформы "интеллектуальных вещей", которая будет окончательно оформлена к 2020 году.
Samsung Z-SSD будет представлен на мероприятии ISSCC 2018 (оно пройдет с 11-15 февраля в Сан-Франциско) в двух версиях: на 240 и 800 Гбайт.

Samsung Electronics Launches 800-Gigabyte Z-SSD™ for HPC Systems and AI Applications

The new Z-SSD will offer a new level of storage for today’s artificial intelligence (AI), big data and Internet of Things (IoT) applications, based on its high performance, high reliability and ultra-low latency

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has launched an 800-gigabyte (GB) solid state storage drive—the SZ985 Z-SSD™, for the most advanced enterprise applications including supercomputing for AI analysis.
Developed in 2017, the new 800GB Z-SSD provides the most efficient storage solution for high-speed cache data and log data processing, as well as other enterprise storage applications that are being designed to meet rapidly growing demand within the AI, big data and IoT markets.
“With our leading-edge 800GB Z-SSD, we expect to contribute significantly to market introductions of next-generation supercomputing systems in the near future, enabling improved IT investment efficiency and exceptional performance,” said Jinman Han, senior vice president, Memory Product Planning & Application Engineering at Samsung Electronics. “We will continue to develop next-generation Z-SSDs with higher density and greater product competitiveness, in order to lead the industry in accelerating growth of the premium SSD* market.”
The new single port, four-lane Z-SSD features Z-NAND chips that provide 10 times higher cell read performance than 3-bit V-NAND chips, along with 1.5GB LPDDR4 DRAM and a high performance controller. Armed with some of the industry’s most advanced components, the 800GB Z-SSD features 1.7 times faster random read performance at 750K IOPS, and five times less write latency – at 16 microseconds, compared to an NVMe SSD PM963, which is based on 3-bit V-NAND chips. The Z-SSD also delivers a random write speed of up to170K IOPS.
Due to its high reliability, the 800GB Z-SSD guarantees up to 30 drive writes per day (DWPD) for five years, or a total of 42 petabytes. That translates into storing a total of about 8.4 million 5GB-equivalent full-HD movies during a five-year period. The reliability of the new Z-SSD is further underscored by a mean time between failures (MTBF) of two million hours.
Samsung will introduce its new Z-SSD in 800GB and 240GB versions, as well as related technologies at ISSCC 2018 (International Solid-State Circuits Conference), which will be held February 11-15 in San Francisco.

™ Note: All brand, product, service names and logos are trademarks and/or registered trademarks of their respective owners and are hereby recognized and acknowledged. Z-SSD is a trademark of Samsung Electronics Co., Ltd.