Samsung переходит на 2-е поколение 10-нм техпроцесса

Samsung Electronics непрерывно совершенствует литографические технологии, используемые в производстве полупроводников. На днях корпорация сообщила о завершении квалификационных процедур в отношении 2-го поколения 10-нм техпроцесса, которое получил условное обозначение 10LPP (Low Power Plus). Представители вендора заявили, что новая версия техпроцесса позволяет поднять быстродействие транзисторов на 10% и снизить уровень энергопотребления до 15% по сравнению с 10-нм техпроцессом первого поколения (10LPE).
Samsung выпустил несколько мобильных чипов на базе 10LPE. В частности, этот техпроцесс стал основой для изготовления процессора Galaxy S8. Вендор освоил 10LPE с использованием технологии FinFET в октябре прошлого года. В производстве 10-нм чипов применяется метод тройного структурирования, то есть контур схемы трижды рисуется на плате перед нарезкой. Это помогает преодолеть масштабное ограничение при создании небольших по размеру схем.
Технология FinFET основана на использовании в микросхемах трёхмерного затвора, имеющего форму плавника. Это позволяет повысить ширину затвора при сохранении площади ячейки. На основе FinFET производятся так называемые объёмные транзисторы. С начала 2015 г. Samsung выпускает чипы на базе технологии FinFET с затвором 14 нм. Это позволило лидеру отрасли запустить решения премиального уровня в бюджетных устройствах.
Первым чипом Samsung на базе 10LPE стал Exynos 9 Series 8895. Процессор содержит восемь вычислительных ядер. Это квартет собственных ядер Samsung второго поколения и квартет Cortex-A53. Обработкой графики занят мощный ускоритель ARM Mali-G71.
Желая увеличить объёмы выпуска 10-нм продукции, Samsung начинает монтаж технологического оборудования на своём заводе S3 в Южной Корее. Там приступят к производству 10-нм изделий в IV квартале. Как поясняют представители корпорации, с использованием 10LPP будут изготавливаться решения, применяемые в мобильном и телекоммуникационном секторах, а также в сфере вычислительной техники различного назначения. Как известно, AMD минует эту стадию эволюции, планируя сразу освоить 7-нм техпроцесс.
После освоения 10LPP Samsung также собирается освоить 7-нм техпроцесс.

Samsung vows to speed up foundry biz

Samsung Electronics said April 20 that it has finalized the development of second generation 10-nanometer FinFET process technology, which will help it secure more foundry business partners.
While the Korean chipmaker developed the industry’s first-generation 10-nanometer FinFET technology, the company said the latest development has improved performance and power efficiency by 10 percent and 15 percent, respectively.
Samsung already adopted the first-generation technology on its Exynos 9 and Qualcomm’s Snapdragon 835.
The company said it seeks to diversify its foundry clients while applying its technology to a wider scope of industries, including wearables, the Internet of Things and network segments.