Показаны сообщения с ярлыком Exynos 9. Показать все сообщения
Показаны сообщения с ярлыком Exynos 9. Показать все сообщения

понедельник, 24 апреля 2017 г.

Samsung и Qualcomm работают над процессором Snapdragon 845 для следующего флагмана Galaxy S9



Samsung Electronics и Qualcomm уже начали совместную разработку процессора Snapdragon 845 для следующего мобильного флагмана Samsung Galaxy S9, сообщает портал Aju Business Daily. После того как архитектура нового чипа будет утверждена, его производство будет передано либо на предприятия Samsung Semiconductor, либо тайваньской компании TSMC.
В настоящее время лишь флагманы Samsung Galaxy S8/S8+ могут похвастаться наличием последнего решения от Qualcomm (Snapdragon 835) или более производительным аналогом Samsung Exynos 9. Ни один их конкурирующих флагманов (будь то LG G6 или Xiaomi) пока не смог получить вожделенные чипы, поскольку все партии уходят исключительно на производство безумно востребованных на мировом рынке Galaxy S8/S8+.
Snapdradon 835 производятся на заводах Samsung Semiconductor по новейшему 10-нанометровому процессу. Указанный чип на 27% быстрее и на 30% энергоэффективнее своих предшественников и конкурирующих решений, созданных по 14-нм технологии. Возможности 835-го позволяют развивать такую мощность, что девайсы, где они применяются, могут во многих случаях заменить стационарные PC (это уже реализовано в Galaxy S8 с применением док-станции Samsung DeX). Snapdragon 835 и Exynos 9 прекрасно подходят для качественной обработки видео (вплоть до стандарта 4K), что позволяет беспроблемно совершать видеозвонки с высоким разрешением и раскрыть дополнительные возможности технологии виртуальной реальности с помощью гарнитуры Samsung Gear VR.
Будущий процессор Snapdragon 845 откроет путь к реализации ещё более амбициозных проектов с использованием мобильных платформ.
Samsung - крупнейший в мире производитель чипов памяти, недавно представил новый чип с использованием 10-нм технологии второго поколения, что позволяет увеличить производительность ещё на 10%, а энергопотребление снизить на 15%. Конкурирующие компании пока не могут составить серьёзную конкуренцию южнокорейскому техногиганту в этом сегменте.     

Samsung, Qualcomm work on Snapdragon 845 chips for Galaxy S9

Samsung Electronics and its chip partner Qualcomm have already started working on a new mobile chip for its next flagship smartphone, dubbed the Galaxy S9, according to Aju Business Daily on April 24. 
The report said the new chip is highly likely to be named Snapdragon 845. When the development is completed, either Samsung or Taiwan’s TSMC will start manufacturing the chip.
Samsung’s current Galaxy S8 is the first smartphone to feature Qualcomm’s latest 835 processor. Other new phones like LG Electronics’ G6 also hoped to use the chip but failed to do so due to supply constraints. 
The 835 chip is produced at Samsung’s manufacturing facilities equipped with the 10-nanometer chip manufacturing technology. The chip boasts 27 percent faster processing speed and 30 percent more energy efficient compared to a chip based on the preceding 14-nanometer technology. 
“The capabilities of a mobile processor can decide the overall performance of smartphones which now have a range of features such as video calls, video recording, VR, and AR,” an industry source said.
“The competition to secure advanced mobile chips will intensify down the road.”
The Korean tech giant declined to comment on the matter. 
Samsung, the world’s largest memory chipmaker, has recently unveiled a new chip using the second-generation 10-nanometer technology that improves processing speed by 10 percent and consumes 15 percent less energy than the first-generation chip.

пятница, 21 апреля 2017 г.

Samsung переходит на 2-е поколение 10-нм техпроцесса

Samsung Electronics непрерывно совершенствует литографические технологии, используемые в производстве полупроводников. На днях корпорация сообщила о завершении квалификационных процедур в отношении 2-го поколения 10-нм техпроцесса, которое получил условное обозначение 10LPP (Low Power Plus). Представители вендора заявили, что новая версия техпроцесса позволяет поднять быстродействие транзисторов на 10% и снизить уровень энергопотребления до 15% по сравнению с 10-нм техпроцессом первого поколения (10LPE).
Samsung выпустил несколько мобильных чипов на базе 10LPE. В частности, этот техпроцесс стал основой для изготовления процессора Galaxy S8. Вендор освоил 10LPE с использованием технологии FinFET в октябре прошлого года. В производстве 10-нм чипов применяется метод тройного структурирования, то есть контур схемы трижды рисуется на плате перед нарезкой. Это помогает преодолеть масштабное ограничение при создании небольших по размеру схем.
Технология FinFET основана на использовании в микросхемах трёхмерного затвора, имеющего форму плавника. Это позволяет повысить ширину затвора при сохранении площади ячейки. На основе FinFET производятся так называемые объёмные транзисторы. С начала 2015 г. Samsung выпускает чипы на базе технологии FinFET с затвором 14 нм. Это позволило лидеру отрасли запустить решения премиального уровня в бюджетных устройствах.
Первым чипом Samsung на базе 10LPE стал Exynos 9 Series 8895. Процессор содержит восемь вычислительных ядер. Это квартет собственных ядер Samsung второго поколения и квартет Cortex-A53. Обработкой графики занят мощный ускоритель ARM Mali-G71.
Желая увеличить объёмы выпуска 10-нм продукции, Samsung начинает монтаж технологического оборудования на своём заводе S3 в Южной Корее. Там приступят к производству 10-нм изделий в IV квартале. Как поясняют представители корпорации, с использованием 10LPP будут изготавливаться решения, применяемые в мобильном и телекоммуникационном секторах, а также в сфере вычислительной техники различного назначения. Как известно, AMD минует эту стадию эволюции, планируя сразу освоить 7-нм техпроцесс.
После освоения 10LPP Samsung также собирается освоить 7-нм техпроцесс.

Samsung vows to speed up foundry biz

Samsung Electronics said April 20 that it has finalized the development of second generation 10-nanometer FinFET process technology, which will help it secure more foundry business partners.
While the Korean chipmaker developed the industry’s first-generation 10-nanometer FinFET technology, the company said the latest development has improved performance and power efficiency by 10 percent and 15 percent, respectively.
Samsung already adopted the first-generation technology on its Exynos 9 and Qualcomm’s Snapdragon 835.
The company said it seeks to diversify its foundry clients while applying its technology to a wider scope of industries, including wearables, the Internet of Things and network segments.

пятница, 17 февраля 2017 г.

Samsung готовит к выпуску новый процессор для флагманских мобильных устройств


Давно не секрет, что Samsung устанавливает на многие модели своих смартфонов однокристальные апрцессоры Qualcomm и собственные Exynos. В 2016-м году южнокорейский техногигант отдал приоритет своим SoC во флагманских коммуникаторах Galaxy S7.
Как уже сообщалось ранее, грядущее поколение флагманов 2017 года частично будет основано на SoC Snapdragon 835 (это партии для рынков США и Китая, где используются отличные остальных регионов протоколы мобильной связи). Причём выпускать эти процессоры Samsung будет на собственных мощностях. Расситывая на хороший сбыт Galaxy S8 и Galaxy S8+, Samsung заключил с Qualcomm крупную сделку, фактически монополизировав закупки Snapdragon 835 и лишив, таким образом, конкурентов козырной карты (по крайней мере на старте продаж). Например, новый флагман LG довольствовался решением Qualcomm прошлого поколения.
Однако и новой SoC Exynos, судя по всему, найдётся место в новых флагманах Samsung. Сегодня корпорация Samsung Electronics опубликовала первое промо-изображение новейшей SoC Exynos 9.
Пока никаких спецификаций на это изделие не обнародовано. Однако нет никаких сомнений в том, что оно должно производиться по 10-нанометровому техпроцессу и, скорее всего, будет содержать GPU Mali-G71. Недавние слухи, распространившиеся в профильных ресурсах, также указывали на 8-ядерный процессор и наличие двух модификаций Exynos 9.