Samsung приступает к массовому производству чипов по 10-нм техпроцессу FinFET 2-го поколения

Samsung Electronics объявляет о начале производства однокристальных систем по 10-нанометровому техпроцессу FinFET 2-го поколения.
Первое поколение 10-нанометрового техпроцесса FinFET используется во флагманских чипах Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835. Как отмечает разработчик, техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной структурой 3D FinFET позволяет на 10% повысить производительность и на 15% снизить энергопотребление устройств по сравнению с первым поколением 10LPE (Low-Power Early).
Первые устройства на основе 10LPP-процессоров запланированы к выпуску в начале 2018 года. Ожидается, что Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9+ станут первыми смартфонами на базе 10-нанометрового Qualcomm Snapdragon 845. Первая партия новых чипов будет использована в Galaxy S9 для США, а для остальных регионов в основу Galaxy S9 ляжет фирменный 10-нанометровый Exynos 9810.

Samsung Starts Mass Production of its 2nd Generation 10nm FinFET Process Technology

New S3 line is now ready for ramp-up to meet the 10nm demand

Samsung Electronics, a world leader in advanced semiconductor technology, today announced that its Foundry Business has commenced mass production of System-on-Chip (SoC) products built on its second generation 10-nanometer (nm) FinFET process technology, 10LPP (Low Power Plus).
10LPP process technology allows up to 10-percent higher performance or 15-percent lower power consumption compared to its first generation 10nm process technology, 10LPE (Low Power Early). As this process is derived from the already proven 10LPE technology, it offers competitive advantages by greatly reducing turn-around time from development to mass production and by providing significantly higher initial manufacturing yield.
SoCs designed with 10LPP process technology will be used in digital devices scheduled to launch early next year and are expected to become more widely available throughout the year.
“We will be able to better serve our customers through the migration from 10LPE to 10LPP with improved performance and higher initial yield,” said Ryan Lee, vice president of Foundry Marketing at Samsung Electronics. “Samsung with its long-living 10nm process strategy will continue to work on the evolution of 10nm technology down to 8LPP to offer customers distinct competitive advantages for a wide range of applications.”
Samsung also announced that its newest manufacturing line, S3, located in Hwaseong, Korea, is ready to ramp up production of process technologies including 10nm and below. S3 is the third fab of Samsung’s Foundry Business, following S1 in Giheung, Korea and S2 in Austin, USA. Samsung’s 7nm FinFET process technology with EUV (Extreme Ultra Violet) will also be mass produced at S3.

Samsung переходит на 2-е поколение 10-нм техпроцесса

Samsung Electronics непрерывно совершенствует литографические технологии, используемые в производстве полупроводников. На днях корпорация сообщила о завершении квалификационных процедур в отношении 2-го поколения 10-нм техпроцесса, которое получил условное обозначение 10LPP (Low Power Plus). Представители вендора заявили, что новая версия техпроцесса позволяет поднять быстродействие транзисторов на 10% и снизить уровень энергопотребления до 15% по сравнению с 10-нм техпроцессом первого поколения (10LPE).
Samsung выпустил несколько мобильных чипов на базе 10LPE. В частности, этот техпроцесс стал основой для изготовления процессора Galaxy S8. Вендор освоил 10LPE с использованием технологии FinFET в октябре прошлого года. В производстве 10-нм чипов применяется метод тройного структурирования, то есть контур схемы трижды рисуется на плате перед нарезкой. Это помогает преодолеть масштабное ограничение при создании небольших по размеру схем.
Технология FinFET основана на использовании в микросхемах трёхмерного затвора, имеющего форму плавника. Это позволяет повысить ширину затвора при сохранении площади ячейки. На основе FinFET производятся так называемые объёмные транзисторы. С начала 2015 г. Samsung выпускает чипы на базе технологии FinFET с затвором 14 нм. Это позволило лидеру отрасли запустить решения премиального уровня в бюджетных устройствах.
Первым чипом Samsung на базе 10LPE стал Exynos 9 Series 8895. Процессор содержит восемь вычислительных ядер. Это квартет собственных ядер Samsung второго поколения и квартет Cortex-A53. Обработкой графики занят мощный ускоритель ARM Mali-G71.
Желая увеличить объёмы выпуска 10-нм продукции, Samsung начинает монтаж технологического оборудования на своём заводе S3 в Южной Корее. Там приступят к производству 10-нм изделий в IV квартале. Как поясняют представители корпорации, с использованием 10LPP будут изготавливаться решения, применяемые в мобильном и телекоммуникационном секторах, а также в сфере вычислительной техники различного назначения. Как известно, AMD минует эту стадию эволюции, планируя сразу освоить 7-нм техпроцесс.
После освоения 10LPP Samsung также собирается освоить 7-нм техпроцесс.

Samsung vows to speed up foundry biz

Samsung Electronics said April 20 that it has finalized the development of second generation 10-nanometer FinFET process technology, which will help it secure more foundry business partners.
While the Korean chipmaker developed the industry’s first-generation 10-nanometer FinFET technology, the company said the latest development has improved performance and power efficiency by 10 percent and 15 percent, respectively.
Samsung already adopted the first-generation technology on its Exynos 9 and Qualcomm’s Snapdragon 835.
The company said it seeks to diversify its foundry clients while applying its technology to a wider scope of industries, including wearables, the Internet of Things and network segments.