Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявил о выпуске на рынок Flashbolt, высокопроизводительной памяти 3-го поколения 2E (HBM2E). Новый 16-гигабайтный (Гб) модуль HBM2E идеально подходит для высокопроизводительных вычислительных систем (HPC) и помогает своевременно совершенствовать суперкомпьютеры для аналитики данных на основе искусственного интеллекта и работы с графикой.
Новая память Flashbolt обладает вдвое большей ёмкостью по сравнению с предыдущим поколением HBM2 Aquabolt 8Гб, а также существенно возросшей производительностью и эффективностью энергопотребления. Ёмкость 16Гб достигается за счёт вертикального размещения на матрице 8-ми слоёв 16-гигабитных DRAM-чипов класса 10нм. Затем HBM2E модули соединяются между собой с помощью более 40.000 сквозных кремниевых микроскопических отверстий, при этом каждый 16-гигабитный кристалл содержит их более 5.600.
Flashbolt обеспечивает высокую скорость передачи данных в 3,2 Гбит/с благодаря запатентованной оптимизированной схеме передачи сигналов, в результате чего достигается пропускная способность каждого стека 410Гб/с. Максимальная скорость передачи данных на Samsung HBM2E – 4,2 Гбит/с, а максимальная протестированная скорость передачи данных на сегодняшний день (пиковая пропускная способность в некоторых будущих приложениях) составляет 538Гб/с на стек. Это в 1,75 раза выше, чем 307Гб/с у Aquabolt.
Samsung запустит серийное производство новой памяти в первом полугодии 2020-го. При этом ведор продолжит выпускать линейку Aquabolt 2-го поколения и приступит к выпуску Flashbolt 3-го поколения.
Samsung to Advance High Performance Computing Systems with Launch of Industry’s First 3rd-generation (16GB) HBM2E
New HBM2E stacks eight 16Gb DRAM dies to achieve 16GB package capacity and ensures a stable data transfer speed at 3.2Gbps
Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced the market launch of ‘Flashbolt’, its third-generation High Bandwidth Memory 2E (HBM2E). The new 16-gigabyte (GB) HBM2E is uniquely suited to maximize high performance computing (HPC) systems and help system manufacturers to advance their supercomputers, AI-driven data analytics and state-of-the-art graphics systems in a timely manner.
“With the introduction of the highest performing DRAM available today, we are taking a critical step to enhance our role as the leading innovator in the fast-growing premium memory market,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “Samsung will continue to deliver on its commitment to bring truly differentiated solutions as we reinforce our edge in the global memory marketplace.”
Ready to deliver twice the capacity of the previous-generation 8GB HBM2 ‘Aquabolt’, the new Flashbolt also sharply increases performance and power efficiency to significantly improve next-generation computing systems. The 16GB capacity is achieved by vertically stacking eight layers of 10nm-class (1y) 16-gigabit (Gb) DRAM dies on top of a buffer chip. This HBM2E package is then interconnected in a precise arrangement of more than 40,000 ‘through silicon via’ (TSV) microbumps, with each 16Gb die containing over 5,600 of these microscopic holes.
Samsung’s Flashbolt provides a highly reliable data transfer speed of 3.2 gigabits per second (Gbps) by leveraging a proprietary optimized circuit design for signal transmission, while offering a memory bandwidth of 410GB/s per stack. Samsung’s HBM2E can also attain a transfer speed of 4.2Gbps, the maximum tested data rate to date, enabling up to a 538GB/s bandwidth per stack in certain future applications. This would represent a 1.75x enhancement over Aquabolt’s 307GB/s.
Samsung expects to begin volume production during the first half of this year. The company will continue providing its second-generation Aquabolt lineup while expanding its third-generation Flashbolt offering, and will further strengthen collaborations with ecosystem partners in next-generation systems as it accelerates the transition to HBM solutions throughout the premium memory market.
