Samsung will cut DRAM production and expand its image sensor business

Samsung Electronics is turning part of its DRAM production lines into image sensor production lines in order to be prepared for a decline in DRAM price. The switch is occurring in the company's plant in Hwaseong, Gyeonggi Province.

These days, the focus of the image sensor market is shifting from those for use in smartphones to vehicles. According to market research firms, the global CMOS image sensor market is expected to grow from 22 trillion won to 29 trillion won from 2020 to 2024.

Sony and Samsung Electronics are currently the two biggest companies in the image sensor market. Samsung Electronics’ CMOS image sensor production capacity was 100,000 units a month as of the end of last year, when Sony’s and Samsung Electronics’ shares in the market were 47.7 percent and 19.6 percent, respectively.

“With oversupply predicted in the global DRAM market, Samsung Electronics is planning to reduce its DRAM inventory,” Yuanta Securities explained, adding, “The inventory is likely to run out in the second quarter of next year and memory chip prices are expected to rise again in the second half of next year.”

Samsung переориентирует несколько линий по выпуску ОЗУ на производство датчиков изображения

Samsung Electronics переводит часть своих производственных линий по выпуску оперативной памяти (DRAM) на производство датчиков изображения, поскольку мировые цены на ОЗУ снижаются. Работы ведутся на одном из заводов в Хвасоне (провинция Кёнгидо), сообщает портал Business Korea.

В настоящее время рынок датчиков изображения смещается с производства CMOS для смартфонов на автомобили с системами автономного управления. По данным исследовательских компаний, ожидается, что глобальный рынок CMOS вырастет с 22-х триллионов южнокорейских вон вон до 29-ти триллионов в период с 2020 по 2024 год.

Сейчас Sony и Samsung Electronics являются двумя крупнейшими игроками на рынке датчиков изображения. Производственная мощность Samsung Electronics в бизнесе CMOS-сенсоров составляла 100.000 единиц в месяц по состоянию на конец 2020 года. В то время рыночные доли Sony и Samsung Electronics составляли 47,7% и 19,6% соответственно.

«Учитывая прогнозируемый избыток предложения на мировом рынке ОЗУ, Samsung планирует сократить свои запасы DRAM», - пояснили в компании Yuanta Securities, добавив: «Эти запасы, вероятно, закончатся во 2-м квартале следующего года, и ожидается, что цены на микросхемы памяти снова вырастут во второй половине следующего 2022-го».

South Korea becomes the world leader in semiconductor investment

According to the 'Fab Prospect Report' on the 15th, the International Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI) predicted that next year's total semiconductor process facility investment will reach $100 billion, which is a new record. The investment is expected to increase by 11% compared to this year.Korea is expected to lead the global semiconductor fab (factory) facility investment by region. Korea's next year's investment is estimated at $30 billion, surpassing Taiwan's $26 billion and China's $17 billion. Japan is expected to invest $9 billion, $8 billion from Europe and the Middle East, and $6 billion from North America.

Investment in the foundry sector stands out by sector. The global foundry investment is expected to reach 44 billion dollars. The investment accounts majority for fab equipment. The figure reflects the large-scale investment plans of major foundry companies such as Samsung Electronics, TSMC, and Intel. Investment in the memory sector is expected to be $38 billion. $17 billion and $21 billion are expected to be invested in DRAM and NAND investments, respectively.

About $9 billion in micro/MPU sector, $3 billion in discrete and power semiconductors, and $2 billion in analog semiconductors and other devices are expected amount of investment.

Южная Корея становится мировым лидером по инвестициям в полупроводниковый бизнес

Согласно «Fab Prospect Report» от 15-го сентября, эксперты профильной организации International Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI) предсказали, что в следующем году общие инвестиции в производство полупроводников достигнут 100 миллиардов долларов США, что является очередным рекордом в отрасли. Ожидается, что инвестиции увеличатся на 11% по сравнению с 2021-м годом.

Специалисты считают, что Южная Корея станет лидером по объёму инвестиций в производство полупроводников. Денежные вливания Кореи в следующем году составят порядка 30 миллиардов долларов, что превысит затраты Тайваня ($26 миллиардов) и Китая ($17 миллиардов). Япония планирует инвестиции в объёме 9-ти миллиардов долларов, по $8 миллиардов потратят Европа и страны Ближнего Востока, а Северная Америка готова раскошелится всего лишь на $6 миллиардов.

Объёмы инвестиций разнятся по секторам. Ожидается, что глобальные вложения в производственный сегмент достигнут $44 миллиардов. Большая часть выделенных средств приходится на фабричное оборудование. Эта цифра отражает масштабные планы крупных игроков полупроводниковой индустрии, таких как Samsung Electronics, TSMC и Intel. Инвестиции в сектор памяти составят $38 миллиардов. Эксперты прогнозируют, что $17 миллиардов пойдут на производство DRAM-памяти, а в сектор производства NAND вложат $21 миллиард.

Порядка 9-ти миллиардов долларов предполагается направить в сектор micro/MPU, $3 миллиарда в дискретные и силовые полупроводники, $2 миллиарда в аналоговые полупроводники и другие устройства.

Samsung Electronics ускоряет инвестиции во все направления своего полупроводникового бизнеса

Samsung Electronics решил осуществить запланированные инвестиции в свой полупроводниковый бизнес раньше, чем было запланировано, сообщает технопортал ETNews. Решение связано с тем, что мировой рынок полупроводников недавно начал сталкиваться с дефицитом и вошёл в суперцикл. Поскольку это решение влияет не только на бизнес DRAM, который является основным для южнокорейского электронного гиганта, но и на производство контрактных изделий и флэш-память NAND, ожидается, что оно окажет значительное влияние на глобальный рынок полупроводников.

Согласно отраслевым данным, опубликованным в начале этой недели, Samsung Electronics недавно изменил свой план в отношении инвестиций в DRAM-бизнес в этом году.

Первоначально Samsung планировал вложить средства, которые позволят увеличить ежемесячную производительность фабрики P2 в Пхёнтэке на 30.000 12-дюймовых пластин. Однако вендор решил увеличить инвестиции, чтобы нарастить объём до 40.000 пластин. В результате план Samsung по инвестициям в DRAM в этом году расширен с 60.000 до 70.000 пластин.

40.000 штук - это примерно 60% от объёма в 70.000 пластин, что указывает на стремление производителя к дальнейшему расширению.

Samsung также планирует увеличить инвестиции в контрактный полупроводниковый бизнес. Например, решено увеличить производственную мощность 5-нм линии, которая строится на фабрике P2, с 28.000 пластин до 43.000. Вендор также решил использовать свою новую систему литографии EUV, которая должна была использоваться для контрактного производства DRAM, чтобы удовлетворить потребности заказчиков в продуктах, выполненных по 5-нм техпроцессу, и спрос на такие изделия быстро растёт.

Samsung также рассматривает возможность увеличения запланированных инвестиций в бизнес флэш-памяти NAND. В настоящее время монтируются цеха по выпуску 128-слойной NAND 6-го поколения на китайском заводе Fab 2 в Сиане, и есть вероятность, что вендор изменит запланированные инвестиции на первое полугодие, что позволит нарастить производственные мощности до 80.000 вместо прежних 50.000.

Профильные СМИ сообщают, что компании по выпуску полупроводникового оборудования задействованы на полную мощность, чтобы удовлетворить возросший объём заказов со стороны Samsung Electronics.

Один из высокопоставленных представителей отрасли подтвердил, что большинство производителей полупроводникового оборудования для Samsung Electronics в последнее время чрезвычайно загружены.

Тот факт, что на мировом рынке полупроводников наблюдается тенденция к активному росту, является причиной того, что Samsung решил увеличить объёмы инвестиций в это направление. Ожидается, что рынок чипов памяти в этом году будет быстро расти, поскольку рынки электромобилей, смартфонов и центров обработки данных постоянно расширяются. Уже отмечен рост экспорта и тенденция к росту цен на память.

По данным Корейской таможенной службы, объём экспорта чипов памяти за период 01.01.2021 - 20.02.2021 составил 1,73 миллиарда долларов США, что на 14,9% больше, чем за тот же период прошлого года. Из-за возросшего спроса спотовая цена на память DDR4 8G 2400 Мбит/с, которая широко используется в качестве DRAM для ПК, превысила 22 февраля 4 доллара после того, как она оставалась ниже этой отметки в течение предыдущих 22-х месяцев.

Вероятно, что Samsung Electronics увеличивает объём запланированных инвестиций, поскольку считает, что эта тенденция дефицита предложения в будущем усилится.

Также наблюдается дефицит на рынке контрактного производства. Хотя спрос на более мелкие полупроводники с технологией менее 10 нанометров увеличивается, только Samsung Electronics и TSMC являются единственными контрактными вендорами, способными выпускать такую продукцию. Samsung Electronics также увеличивает инвестиции в свой контрактный бизнес, чтобы догнать TSMC, ведущую компанию в этом секторе.

Samsung, вероятно, увеличивает свои инвестиции во флэш-память NAND, чтобы опередить конкурентов, которые пытаются его преследовать.

«В то время как соперники Samsung пытаются как можно быстрее сократить технологический разрыв с лидером отрасли, первыми выпустив 176-слойную флэш-память NAND, Samsung Electronics, занимающий более 40% мирового рынка памяти, стремится к тому, чтобы превзойти их конкурентоспособной ценой за счёт огромных объёмов поставок», - сказал один из официальных отраслевых представителей. «Samsung Electronics осознаёт важность стратегии «экономии на масштабе» для своего полупроводникового бизнеса и планирует сохранить лидерство на глобальном рынке за счёт экономии на масштабе».

Samsung Electronics Accelerates Investments in Every Aspect of Its Semiconductor Business

Samsung Electronics has decided to make its planned investments for its semiconductor business earlier than their initial scheduled dates. Its decision comes from the fact that the global semiconductor market has recently started to face short supply and entered a supercycle. Because its decision affects the company’s foundry and NAND flash businesses in addition to the company’s DRAM business, which is its major business, it is expected to have a significant impact on the global semiconductor market.

According to the industry on Monday, it is reported that Samsung Electronics recently changed its plan for this year’s DRAM investment.

Initially, the company was planning to make an investment that would add monthly capacity of 30,000 12-inch wafers to the company’s P2 fab in Pyeongtaek. However, the company has decided to increase the investment so that the capacity would increase to 40,000 wafers. As a result, the company’s plan for this year’s DRAM investment will increase from 60,000 wafers to 70,000 wafers.

40,000 wafers are about 60% of 70,000 wafers. This indicates that the company is looking to push forward expansion that much more.

The company also plans to increase its investment for its foundry business. It has decided to increase the production capacity of the 5nm foundry line that is being built at the P2 fab from 28,000 wafers to 43,000 wafers. It has also decided to use its new EUV lithography system, which was supposed to be used for DRAM, for foundry in order to deal with demands for 5nm foundry that have been increasing rapidly first.

The company is also looking into increasing its scheduled investment for NAND flash as well. It is currently building facilities for 6th generation 128-layer NAND at its Xian Fab 2 and there is a chance that the company will change the scheduled investment for this first half so that the monthly production capacity of up to 80,000 wafers will be added to the fab instead of 50,000 wafers.

Actually, the semiconductor equipment industry is operating its production capacity on full scale in order to meet increased orders for Samsung Electronics.

One high-ranking official from the industry said that most of semiconductor equipment manufacturers that supply equipment to Samsung Electronics have been very busy recently.

The fact that the global semiconductor market has been on an upward trend is the reason why Samsung Electronics is deciding to increase its scheduled investments. The memory semiconductor market is expected to face a rapid growth this year as the markets for electric vehicles, smartphones, and data centers are all making growth.

Increased exports and a rising trend in memory prices are being detected within the market.

According to Korea Customs Service, the amount of memory semiconductor exports between January 1 and February 20 was $1.73 billion which is an 14.9% increase compared to the amount from the same period last year. The spot price of DDR4 8G 2400Mbps, which is widely used as a PC DRAM, surpassed four dollars on February 22 after staying below the mark for 22 months due to increased demands.

It is likely that Samsung Electronics is pushing forward and is increasing the amounts of scheduled investments because it believes that this short supply trend will become even more intensified in the future.

There is also short supply in the foundry market as well. Although demands for smaller semiconductors under 10 nanometers are increasing, only Samsung Electronics and TSMC are the only two foundry companies that are able to manufacture these semiconductors. Samsung Electronics is also increasing its foundry investment in order to chase right behind TSMC, which is the top foundry company in the world.

Samsung Electronics is likely increasing its NAND flash investment in order to be far ahead of companies that are trying to chase after it.

“While Samsung Electronics’ competitors are trying to rapidly narrow the gap in technology between themselves and Samsung Electronics by being the first ones to release 176-layer NAND flash memories, Samsung Electronics that occupies more than 40% of the global memory market is looking to overpower them with competitive price through huge supplies.” said one industry official. “Samsung Electronics realizes importance of “economy of scale” for its memory business and plans to maintain its leadership in the global market through economy of scale.”

Samsung Electronics выделит почти $32 миллиарда на строительство новых полупроводниковых заводов в Китае и Южной Корее

Samsung Electronics приступил к реализации очередной программы, предусматривающей огромные вложения в полупроводниковый сектор на сумму 31,7 миллиарда долларов США (35 триллионов южнокорейских вон). Недавно техногигант начал инвестировать в свой новый завод по выпуску флэш-памяти NAND в Китае и завод по выпуску DRAM в Южной Корее. Сообщается, что помимо NAND и DRAM, корпорация также планирует крупные инвестиции в производство чипов для сторонних заказчиков. Поскольку в этом году Samsung планирует крупные инвестиции, ожидается, что компании-смежники, производящие материалы, компоненты и оборудование, связанные с полупроводниковым сектором, получат огромный рост продаж.

Согласно отраслевым данным, Samsung Electronics планирует инвестировать в этом году 21,7 миллиарда долларов (24 триллиона вон) и 9,97 миллиарда долларов (11 триллионов вон) в производство чипов памяти и процессоров соответственно. Общий объём инвестиций увеличится на 20% по сравнению с прошлогодними расходами на строительство полупроводниковых заводов и закупки оборудования. В этом году инвестиции будут сосредоточены, в основном, на втором заводе в Сиане (Китай) и втором заводе в Пхёнтэке.

Недавно Samsung начал размещать заказы на необходимое полупроводниковое оборудование. 21 января стало известно о закупках на сумму $105 миллионов у WONIK IPS. 18 января компания TES получила заказ на сумму $25 миллионов. Полупроводниковое оборудование от этих производителей будет поставлено в июне и июле. По сообщению отраслевых инсайдеров, оно будет установлено на втором заводе Samsung Electronics в Сиане для производства 128-слойной памяти V-NAND 6-го поколения.

Samsung Electronics также начал инвестировать в заводы и оборудование, связанное с выпуском DRAM. 15 января он подписал контракт с DI на покупку оборудования контроля качества полупроводников на сумму $31,3 миллиона для линии по производству DDR5, которая является стандартом следующего поколения. Вполне вероятно, что Samsung Electronics разместил заказ, чтобы начать производство памяти DDR5 DRAM во второй половине этого года.

Такие шаги рассматриваются экспертами как знак того, что Samsung Electronics начал полномасштабные инвестиции в полупроводники в этом году, поскольку NAND и DRAM являются основными продуктами корпорации. Представители техногиганта заявили, что Samsung сосредоточит инвестиции в этом году в первом полугодии на фоне ожидаемой позитивной динамики спроса во второй половине 2021-го.

Поскольку новые заводы в Сиане и Пхёнтэке ещё не укомплектованы необходимым оборудованием, ожидается, что в этом году инвестиции Samsung Electronics будут сосредоточены на этих двух предприятиях.

Согласно отраслевым данным, до конца этого года Samsung Electronics планирует полностью дооснастить второй завод в Сиане, который в настоящее время имеет в наличии объём оборудования, эквивалентный 50% от всей производственной мощности фабрики. Электронный гигант также планирует равномерно инвестировать в DRAM, флэш-память NAND и контрактное производство чипов, когда речь идёт о своём втором заводе в Пхёнтхэке.

Размер инвестиций Samsung Electronics может меняться в зависимости от динамики спроса на мировом рынке полупроводников. Тем не менее, представители отрасли уверены, что инвестиции Samsung в заводы и оборудование в этом году будут выше, чем в 2020-м из-за активизации "бесконтактной экономики" во всём мире и увеличения спроса на полупроводники со стороны производителей смартфонов и автомобилестроения. Такая уверенность является причиной того, что общий размер инвестиций Samsung Electronics в 2021 году, по оценкам, будет на 20% выше, чем в 2020-м.

Фактически, компании, которые поставляют полупроводниковые материалы, компоненты и оборудование, в последнее время были заняты такими инвестициями благодаря заказам от Samsung Electronics. Глобальные поставщики полупроводникового оборудования ожидают в этом году максимальных продаж именно в Южной Корее, в первую очередь за счёт расширения производственных мощностей Samsung. Большую долю от этих заказов получат местные южнокорейские компании, что положительно повлияет на экономику страны в целом. Сообщается, что вице-председатель Samsung Electronics Ким Ки-Нам настоятельно призвал руководство и сотрудников корпорации искать способы сохранения "стратегии суперразрыва", чтобы заранее подготовиться к очередному циклу огромного спроса на мировом рынке полупроводников.

Анонимный чиновник из индустрии полупроводникового оборудования Южной Кореи подтвердил в интервью порталу ETnews, что в этом году ожидается значительный рост отрасли, поскольку Samsung Electronics планирует огромные инвестиции в заводы и оборудование.

Между тем, появились сообщения, что у Samsung нет планов по масштабному расширению своего завода в Остине (США), который привлёк много внимания в последнее время. Хотя имеется вероятность, что работы по закладке фундамента нового производственного корпуса всё же начнутся, но произойдёт это не ранее чем во второй половине года. Обычный цикл возведения полупроводникового предприятия состоит из следующих этапов: производитель выбирает место для строительства, строит фабрику, монтирует особо чистые помещения и на заключительной стадии устанавливает оборудование. Поскольку такой цикл занимает от 2-х до 3-х лет, вполне вероятно, что Samsung начнёт масштабные инвестиции в расширение завода в Остине в 2022-м году.

Samsung Electronics to Focus Its 35 Trillion KRW Investment on Its Second Plants in Xian and Pyeongtaek

Samsung Electronics has started making huge semiconductor investments worth $31.7 billion (35 trillion KRW). The company recently started making investments in its NAND flash plant in China and DRAM plant in South Korea. Besides NAND flash and DRAM, it is reported that the company is planning on a huge investment in its foundry business as well. As the company is planning on huge investments this year, companies that make materials, parts, and equipment related to semiconductors are expected to see a huge boost in their sales.

According to the industry on Tuesday, Samsung Electronics plans to invest $21.7 billion (24 trillion KRW) and $9.97 billion (11 trillion KRW) in memory business and foundry business respectively this year. The total amount of investment is an 20% increase compared to how much the company invested in semiconductor plants and equipment last year. This year’s investments particularly are expected to be focused on the company’s second plant in Xian and second plant in Pyeongtaek.

The company has recently begun making orders for necessary semiconductor equipment. On January 21, it placed an order worth $105 million (116 billion KRW) from WONIK IPS. On January 18, it placed an order worth $25 million (27.6 billion KRW) from TES. Semiconductor equipment from these companies will be delivered in June and July and they will be installed at Samsung Electronics’ second plant in Xian for the purpose of 6th generation 128-layer V-NAND production.

Samsung Electronics has also begun making investments in plants and equipment related to DRAM. On January 15, it signed a contract with DI to purchase $31.3 million (34.5 billion KRW) worth of semiconductor inspection equipment for DDR5, which is a standard for next-generation DRAM memories. It is likely that Samsung Electronics put in an order in order to start producing DDR5 DRAM memories in the second half this year.

These orders are seen as a sign that Samsung Electronics has begun making full-scale semiconductor investments for this year as NAND and DRAM are the company’s main products and the company stated that it would focus this year’s investments in the first half after looking at this year’s semiconductor market situation positively.

Because the second plant in Xian and the second plant in Pyeongtaek have yet to be filled with necessary equipment, Samsung Electronics’ investments this year are expected to be focused on these two plants.

According to the industry, Samsung Electronics plans to completely fill the second plant in Xian, which currently has equipment equivalent to 50% of the plant’s entire production capacity, with necessary equipment by the end of this year. It also plans to invest evenly in DRAM, NAND flash, and foundry when it comes to its second plant in Pyeongtaek.

The scale of investments for the second plant in Xian (X2) is expected to be around 55,000 sheets based on wafer input amount. Regarding the second plant in Pyeongtaek (P2), the scales of investments for DRAM, NAND flash, and foundry are expected to be between 30,000 and 60,000 sheets, between 18,000 and 30,000 sheets, and 20,000 sheets respectively.

The size of Samsung Electronics’ investment can change depending on changes within the global semiconductor market. However, the industry is certain that Samsung Electronics’ investment in plants and equipment will be higher this year than last year due to activation of contact-free economy around the world and increased demands for semiconductors from the smartphone and the automotive industries. Such certain is the reason why the total size of Samsung Electronics’ investment in 2021 is estimated to be 20% higher than 2020.

In fact, companies that supply semiconductor materials, parts, and equipment to Samsung Electronics have been busy recently with these active investments carried out by Samsung Electronics. Global semiconductor equipment suppliers are expecting to make their highest sales from South Korea ever as they expect huge performance from Samsung Electronics this year. South Korean companies that supply materials, parts, and equipment are also encouraged with Samsung Electronics’ planned investments. It is reported that Vice Chairman Kim Ki-nam of Samsung Electronics told the company’s executives and employees to look for ways to maintain the super gap strategy in order to prepare for a cycle of huge booms within the global semiconductor market.

One official from South Korea’s semiconductor equipment industry said that the industry is expecting a huge growth this year as Samsung Electronics is planning a huge investment in plants and equipment.

Meanwhile, it has been reported that Samsung Electronics does not have a plan to extend its foundry plant in Austin that had been drawing lots of attention. Although there is a chance that the company will break grounds in this second half at the earliest, it is likely that the company will only work on groundwork for the plant. Normally, a semiconductor manufacturer chooses a place for a plant, builds a plant, and installs cleanrooms and brings in equipment at the end. Because it takes two to three years from construction to installation of equipment, it is likely that the company will start making investments to extend the Austin plant in 2022.

Аналитики ожидают значительного роста стоимости акций Samsung Electronics

Аналитики дают оптимистичные прогнозы в отношении акций Samsung после того, как техногигант представил складной смартфон Galaxy Z Fold2, а компания Nvidia сообщила о сотрудничестве с южнокорейским гигантом в области производства новых игровых графических процессоров. Ранее крупный контракт на производство чипов был заключён с IBM.
Опрошенные телеканалом CNBC рыночные эксперты ожидают подъёма котировок Samsung до 70.376 южнокорейских вон (59,35 доллара США) в ближайшие 12 месяцев. Это на 29% больше стоимости ценных бумаг по состоянию на 2 сентября 2020 года. Некоторые аналитики ещё более оптимистичны в своих прогнозах. Так, в Daiwa Capital предсказывают курс акций на уровне 82 тысяч вон, что на 50% превосходит текущий показатель.
1 сентября 2020 года Samsung провёл презентацию нового гибкого смартфона Galaxy Z Fold 2. Улучшения, которые применены в устройстве, сказались на цене, которая стала рекордной на рынке. В России - это 180.000 рублей, в США - 2.000 долларов.
У Galaxy Fold нового поколения увеличена диагональ экрана по сравнению с предыдущей моделью - с 7,3 до 7,6 дюйма. Кроме того, сам дисплей теперь смотрится намного эстетичнее. Рамки стали на 27% тоньше. Разрешение экрана в планшетном режиме составляет 2208х1768 пикселей. Также поддерживается специальный адаптивный режим, в котором частота обновления может достигать 120 Гц.
Негативное влияние на бизнес Samsung оказывает дешевеющая оперативная память. По прогнозам аналитиков UBS, цены на DRAM-чипы в 3-м квартале 2020 года снизятся на 8% относительно 3-х предыдущих месяцев.
Что касается рынка флэш-памяти, то пандемия COVID-19 повлияла на него разнонаправленно. С одной стороны, вспышка коронавируса усилила востребованность облачных сервисов и технологий для дистанционной работы, что спровоцировало рост спроса на ПК, серверы и SSD-накопители, в которых используется флэш-память. Однако в тоже время ограничения, введённые из-за пандемии, вызвали падение продаж смартфонов и другой потребительской электроники. В результате в апреле-июне поставки чипов NAND Flash увеличились незначительно - примерно на 3% в поквартальном исчислении. Выручка в отрасли составила около 14,5 миллиарда долларов, что на 6,5% выше результата предыдущей четверти.
Лидером рынка остаётся Samsung. Хотя поставки памяти NAND Flash у южнокорейского гиганта в минувшем квартале немного снизились, рост средней цены продукции на 5% помог избежать падения прибыли. В апреле-июне Samsung заработал на флэш-памяти 4,54 миллиарда долларов, что на 0,9% больше выручки в январе-марте и соответствует долевому показателю 31,4%.

Samsung Electronics shares have room for 50% upside: analysts

Shares of Samsung Electronics Co. are heading north after it landed back-to-back contract deals from global fabless chipmakers Nvidia Corp. and IBM Corp.
Samsung Electronics on Thursday fell short of touching new historic high of 60,000 ($50) on net purchases worth 223.6 billion won by foreign investors and 15.3 billion won by institutional investors. Thanks to the DRAM prices that began rebounding last month, shares of SK Hynix, the nation’s second biggest chip maker, also jumped 4.2 percent to 78,700 won.
Samsung Electronics’ rally came after Nvidia, the world’s leader in visual computing technology and inventor of the graphic processing unit (GPU), announced Tuesday (local time) that Samsung Electronics will produce the U.S.-based graphic card giant’s next-generation GeForce RTX 30 Series GPUs at its 8-nano foundry lines. It is a big change by Nvidia that has been relying on Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) for its chip manufacturing.
Global investors and market analysts welcomed the new and turned bullish on Samsung Electronics that is ramping up its foundry business.
“For Samsung Electronics, we maintain our positive view as we expect a favorable memory market environment in 2021, new foundry opportunities and attractive valuation compared with its peers such as TSMC,” said Kim Sung-kyu, an analyst from Daiwa Capital Markets during an interview with CNBC on Wednesday. He presented a 12-month price target of 82,000 won for Samsung Electronics, a more than 50 percent upside room for the stock from Wednesday’s trading price.
Kim also told CNBC that the Nvidia deal is expected to generate $1 billion revenue for Samsung Electronics.
The Korean tech giant’s innovative foldable smartphones would become another income driver for the company, market analysts believe. Sanjeev Rana, senior analyst at CLSA, told CNBC that the folding phones still remain a “niche” product for now but the number of these phones will increase each year. He expects foldable phones to account for 2 million to 3 million of Samsung’s overall smartphone shipments of 250 million units this year, and that figure will increase to between 8 million and 9 million in 2021, he said.
Most analysts agree that Samsung Electronics’ shares are quite undervalued. NH Investment Securities estimated Samsung Electronics’ price to earnings ratio (PER) at 13.1x as of Wednesday, much lower that its Taiwanese rival TSMC at 23.4x. The company’s PER is still lower than the world’s third biggest chip maker Micron Technology with 16.5x and Nanya Technology at 16.2x.

Samsung продолжает доминировать на рынке чипов памяти для смартфонов

В 1-м квартале 2020 года выручка на мировом рынке микросхем памяти для смартфонов достигла 9,4 миллиарда долларов. 3 ведущих производителя - Samsung, SK Hynix и Micron обеспечили почти 84% оборота на рассматриваемом рынке. Samsung уверенно удерживает доминирующие позиции с рыночной долей 50%, сообщает Strategy Analytics.
Продажи флэш-памяти для смартфонов в январе-марте 2020-го увеличились на 4% в годовом исчислении. Позитивной динамике способствовали стабилизация цен и спрос на чипы с повышенной ёмкостью. Крупнейшим поставщиком микросхем NAND flash для смартфонов был Samsung, на долю которого пришлось 44% выручки в этом сегменте. Также в тройку лидеров вошли Kioxia и SK Hynix с показателями присутствия 21% и 16%.
В сегменте мобильной DRAM-памяти аналитики зарегистрировали отрицательную динамику: квартальные продажи этой продукции по сравнению с прошлым годом сократились на 4%. Спад объясняется сезонным фактором и смещением спроса в другие продуктовые категории.
Лидерство Samsung в DRAM-сегменте было ещё более выраженным: по итогам квартала на долю электронного гиганта пришлось 55% выручки, в то время как вклад SK Hynix и Micron составил 25% и 19%.
Комментируя полученные данные, эксперт Strategy Analytics Джеффри Мэтьюз (Jeffrey Mathews) отметил, что в целом продажи микросхем памяти для смартфонов уменьшились незначительно по сравнению с прошлогодним уровнем. Оправиться от прежней негативной динамики рынку помогли коррекция складских запасов и подготовка производителей смартфонов к будущим перебоям с поставкой комплектующих из-за пандемии коронавируса.
Дополняя коллегу, исполнительный директор Strategy Analytics Стюарт Робинсон (Stuart Robinson) предупредил, что в ближайшее время ситуация на рынке памяти останется сложной из-за снижения спроса на компоненты и слабеющих продаж смартфонов на фоне последствий COVID-19. Однако специалист оговорился, что флэш-память высокой плотности типа UFS 3.0 и DRAM-чипы LPDDR5 останутся востребованными у производителей смартфонов.

Strategy Analytics: Samsung Remains Dominant in the Smartphone Memory Market with 50% Revenue Share in Q1 2020

The global smartphone memory market registered a total chip revenue of $9.4 billion in Q1 2020, according to the Strategy Analytics Handset Component Technologies service report, “Smartphone Memory Market Share Q1 2020: Revenue Sees Modest Decline as Samsung Memory Dominates.”
This Strategy Analytics research finds that Samsung Memory, SK Hynix and Micron captured almost 84 percent revenue share in the global smartphone memory market in Q1 2020. Samsung Memory maintained its lead in the smartphone memory market with 50 percent revenue share in Q1 2020, followed by SK Hynix and Micron.

NAND Market

The smartphone NAND flash chip revenue observed 4 percent year-over-year growth driven by price stabilization and higher capacity flash demand in Q1 2020. The market was led by Samsung Memory with a revenue share of 44 percent followed by Kioxia with 21 percent and SK Hynix with 16 percent.

DRAM Market

The total DRAM market revenue for smartphones registered a decline of 4 percent year-over-year due to the seasonality and demand shift to other categories. In terms of market share, Samsung Memory registered a revenue share of 55 percent followed by SK Hynix and Micron each having a share of 25 percent and 19 percent respectively in the smartphone DRAM market in Q1 2020.

Jeffrey Mathews, Analyst at Strategy Analytics commented, “The smartphone memory market experienced only a modest decline in revenue as the memory chip market rebounded from previous levels of decline owing to the correction of inventory and early chip orders from customers in order to manage future COVID-19 disruptions. Samsung Memory continued to witness traction for its UFS 3.0 Flash and LPDDR5 DRAM memory chips and managed design wins with leading smartphone OEMs in Q1 2020.”
Stuart Robinson, Executive Director of the Strategy Analytics Handset Component Technologies service at Strategy Analytics noted, “The smartphone memory market will continue to be challenged by the fall in smartphone memory demand on the back of COVID-19 pandemic disruptions on global smartphone production and also causing demand for smartphones to drop significantly. However, the demand for high density memory chips featuring UFS 3.0 and LPDDR5 remains upbeat among smartphone OEMs.”

Коронавирус COVID-19 поможет производителям DRAM-памяти избавиться от излишков складских запасов и повысить отпускные цены

Большинство рыночных экспертов предупреждают о негативных последствиях из-за вспышки коронавируса. Но некоторые увидели плюсы даже в нынешней непростой ситуации. Портал Business Korea цитирует на своих страницах мнение одного из местных специалистов, который говорит о возможном позитивном влиянии COVID-19 на DRAM-отрасль.
Аналитик компании NH Investment & Securities, имя которого не уточняется, прогнозирует задержку инвестиций в развитие производства микросхем памяти в первой половине 2020 года. Однако это вряд ли приведёт к сокращению капиталовложений в отрасли по итогам всего года, поскольку чипмейкеры смогут компенсировать отставание во 2-м полугодии. В то же время задержка должна положительно повлиять на баланс между спросом и предложением на рынке. Прежде всего это коснётся лидеров отрасли - Samsung и SK hynix.
По словам эксперта, на фоне страхов, что эпидемия может вызвать перебои с поставками DRAM-продукции, на рынке отмечается усиление спроса на чипы оперативной памяти для серверов и персональных компьютеров.
В подтверждение приводятся данные аналитиков DRAMeXchange, которые следят за ценовой динамикой в отрасли. Из их сводки следует, что контрактные цены на серверную DRAM-память в феврале 2020 года увеличились на 6% по сравнению с январём и продолжают расти. Не в последнюю очередь это связано с тем, что многие компании переводят своих сотрудников на удалённую работу из дома, что требует увеличения мощностей поставщиков интернет-услуг.

Semiconductor Industry: COVID-19 Boosts Server DRAM Demand

Covid-19 has triggered some delays in memory semicon equipment investment in 1H20. However, chipmakers are unlikely to reduce their investment plans for 2020. And, some delays in investment should positively impact memory chip supply/demand.
Covid-19 has triggered delays in memory semicon equipment investment in 1H20. In detail, equipment investment is being delayed due to overseas equipment makers’ ban on travelling to Korea and China, and disruptions to engineers’ commuting plans in China. Such developments will inevitably have some negative effects on equipment makers’ 1H20 earnings.
That said, full-year semicon investment should remain intact in 2020. We expect Samsung Electronics (SEC) to maintain its investment plans (DRAM 50K wpm, NAND 85K wpm), as should SK Hynix (DRAM 30K wpm). Accordingly, semicon equipment makers’ full-year results are likely to meet consensus.
Meanwhile, delayed equipment investment should positively impact memory chip supply/demand. Consumers are rushing to buy memory products amid fears that supply will shrink due to investment delays, with purchases concentrating on server DRAM and PC DRAM rather than on mobile DRAM.
According to DRAMeXchange, DRAM spot prices have increased 6% since Feb 24. February server DRAM contract prices rose 6% m-m. We note that expanding data center traffic due to increased remote working and reduced participation in outdoor activities owing to the coronavirus outbreak has positively impacted server DRAM demand.

Samsung представляет высокопроизводительные модули памяти HBM2E третьего поколения

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявил о выпуске на рынок Flashbolt, высокопроизводительной памяти 3-го поколения 2E (HBM2E). Новый 16-гигабайтный (Гб) модуль HBM2E идеально подходит для высокопроизводительных вычислительных систем (HPC) и помогает своевременно совершенствовать суперкомпьютеры для аналитики данных на основе искусственного интеллекта и работы с графикой.
Новая память Flashbolt обладает вдвое большей ёмкостью по сравнению с предыдущим поколением HBM2 Aquabolt 8Гб, а также существенно возросшей производительностью и эффективностью энергопотребления. Ёмкость 16Гб достигается за счёт вертикального размещения на матрице 8-ми слоёв 16-гигабитных DRAM-чипов класса 10нм. Затем HBM2E модули соединяются между собой с помощью более 40.000 сквозных кремниевых микроскопических отверстий, при этом каждый 16-гигабитный кристалл содержит их более 5.600.
Flashbolt обеспечивает высокую скорость передачи данных в 3,2 Гбит/с благодаря запатентованной оптимизированной схеме передачи сигналов, в результате чего достигается пропускная способность каждого стека 410Гб/с. Максимальная скорость передачи данных на Samsung HBM2E – 4,2 Гбит/с, а максимальная протестированная скорость передачи данных на сегодняшний день (пиковая пропускная способность в некоторых будущих приложениях) составляет 538Гб/с на стек. Это в 1,75 раза выше, чем 307Гб/с у Aquabolt.
Samsung запустит серийное производство новой памяти в первом полугодии 2020-го. При этом ведор продолжит выпускать линейку Aquabolt 2-го поколения и приступит к выпуску Flashbolt 3-го поколения.

Samsung to Advance High Performance Computing Systems with Launch of Industry’s First 3rd-generation (16GB) HBM2E

New HBM2E stacks eight 16Gb DRAM dies to achieve 16GB package capacity and ensures a stable data transfer speed at 3.2Gbps

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced the market launch of ‘Flashbolt’, its third-generation High Bandwidth Memory 2E (HBM2E). The new 16-gigabyte (GB) HBM2E is uniquely suited to maximize high performance computing (HPC) systems and help system manufacturers to advance their supercomputers, AI-driven data analytics and state-of-the-art graphics systems in a timely manner.
“With the introduction of the highest performing DRAM available today, we are taking a critical step to enhance our role as the leading innovator in the fast-growing premium memory market,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “Samsung will continue to deliver on its commitment to bring truly differentiated solutions as we reinforce our edge in the global memory marketplace.”
Ready to deliver twice the capacity of the previous-generation 8GB HBM2 ‘Aquabolt’, the new Flashbolt also sharply increases performance and power efficiency to significantly improve next-generation computing systems. The 16GB capacity is achieved by vertically stacking eight layers of 10nm-class (1y) 16-gigabit (Gb) DRAM dies on top of a buffer chip. This HBM2E package is then interconnected in a precise arrangement of more than 40,000 ‘through silicon via’ (TSV) microbumps, with each 16Gb die containing over 5,600 of these microscopic holes.
Samsung’s Flashbolt provides a highly reliable data transfer speed of 3.2 gigabits per second (Gbps) by leveraging a proprietary optimized circuit design for signal transmission, while offering a memory bandwidth of 410GB/s per stack. Samsung’s HBM2E can also attain a transfer speed of 4.2Gbps, the maximum tested data rate to date, enabling up to a 538GB/s bandwidth per stack in certain future applications. This would represent a 1.75x enhancement over Aquabolt’s 307GB/s.
Samsung expects to begin volume production during the first half of this year. The company will continue providing its second-generation Aquabolt lineup while expanding its third-generation Flashbolt offering, and will further strengthen collaborations with ecosystem partners in next-generation systems as it accelerates the transition to HBM solutions throughout the premium memory market.

Samsung останется ведущим производителем DRAM по итогам 3-го квартала 2019

Ожидается, что в 3-м квартале Samsung Electronics укрепит свои лидирующие позиции на мировом рынке DRAM, несмотря стагнацию рынка чипов. 
Об этом сообщается в отраслевом отчёте 19 сентября. Ожидается, что доля южнокорейского техногиганта на рынке DRAM достигнет 47%. В 1-м квартале эта цифра составляла 41%, в во 2-м увеличилась до 43%, согласно данным исследовательской компании IHS Markit.
Samsung лидирует на глобальном рынке чипов памяти в этом году благодаря конкурентному преимуществу в производстве чипов высокой плотности для серверов и смартфонов, даже несмотря на вялый общемировой спрос и снижение цен на основные продукты, сообщает бизнес-портал The Investor. 
По прогнозам IHS Markit, в 3-м квартале доля DRAM в производственном портфеле ближайшего южнокорейского конкурента SK hynix сократится до 27% процентов, в то время как в двух предыдущих кварталах она составляла 30 и 28%.  
Также прогнозируется, что американский производитель микросхем Micron Technology в период с июля по сентябрь займёт 22% рынка. 
В условиях падения цен на микросхемы памяти 1-м полугодии доход Samsung упал на 57,9%, а у производителя чипов №2 SK hynix - на 79,8%.
Хотя в Samsung ожидали постепенного восстановления спроса во 2-й половине этого года, теперь там выражают обеспокоенность по поводу растущей неопределённости на фоне затянувшейся торговой войны между США и Китаем, а также, возникших в последнее время проблем, связанных с ограничением поставок японских химических компонентов в Корею из-за политического спора, касающегося выплат компенсаций жертвам японской оккупации в первой половине прошлого века. Недавно обе страны исключили друг друга из "белого списка" наибольшего благоприятствования в торговле.

Samsung to retain No. 1 position in DRAM market in Q3: report

Samsung Electronics is expected to strengthen its leading spot in the global DRAM market in the third quarter despite generally weak chip demand, an industry report showed Sept. 19. 
The South Korean tech giant’s share in the DRAM market was expected to reach 47 percent in the July-September period, up from 41 percent and 43 percent in the first and second quarters, respectively, according to the market researcher IHS Markit.
Samsung has outperformed the overall memory chip market this year with its competitive edge in chips for high-density servers and smartphones, despite sluggish global demand and softening prices of major products. 
Its smaller home rival SK hynix’s DRAM share was predicted to be at 27 percent of the total in the third quarter, falling from 30 percent and 28 percent in the previous quarters, IHS Markit said.  
US chipmaker Micron Technology was anticipated to take up 22 percent in the July-September period, it noted. 
In the face of falling memory chip prices, Samsung saw its operating profit nose-dive 57.9 percent in the first half of the year, while that of No. 2 chipmaker SK hynix sank 79.8 percent.
Although Samsung expected a gradual recovery in the demand side in the latter half of this year, it expressed concerns over rising uncertainties amid the prolonged trade war between the United States and China, and, more recently, Japan‘s export curbs on Korea.

Samsung запускает в массовое производство первые в отрасли 12-гигабитные модули памяти LPDDR5 DRAM для флагманских смартфонов

Новая 12-гигабитная память Samsung LPDDR5 на базе последнего мобильного стандарта DRAM максимально расширяет потенциал применения технологий AI и 5G во флагманских смартфонах следующего поколения

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявил о начале массового производства первой в отрасли 12-гигабитной мобильной DRAM-памяти LPDDR5, которая была оптимизирована для эффективной работы функций с применением AI (искусственного интеллекта) и 5G (ультраскоростная беспроводная связь нового поколения) на будущих смартфонах. Выпуск новых модулей начался всего через 5 месяцев после старта производства 12 Гбит LPDDR4X – модулей предыдущего поколения, что доказывает лидерство Samsung на рынке памяти класса премиум.
Учитывая растущий спрос на компоненты с более высокой эффективностью для смартфонов со стороны производителей премиальных мобильных устройств, в конце июля Samsung начал массовое производство 12-гигабитных планок памяти LPDDR5, каждая из которых объединяет 8 чипов.
«Запуская массовое производство модулей 12 Гбит LPDDR5 2-го поколения, выполненных по 10-нм техпроцессу, мы рады способствовать скорейшему появлению флагманских смартфонов с поддержкой 5G для наших клиентов во всём мире. Samsung по-прежнему стремится быстро внедрять технологии мобильной памяти нового поколения с более высокой ёмкостью и производительностью, продолжая активно стимулировать рост рынка памяти премиум-класса», – прокомментировал исполнительный директор и вице-президент Samsung Electronics по продуктам и технологиям DRAM Джун-Бай Ли (Jung-bae Lee).
Благодаря лучшим в отрасли скорости и энергоэффективности, новая мобильная DRAM от Samsung позволит флагманским аппаратам следующего поколения использовать весь потенциал функций AI и 5G, таких как запись видео сверхвысокого разрешения и машинное обучение, при этом значительно увеличив время автономной работы.
Обеспечивая скорость передачи данных 5500 Мбит/c, 12-гигабитная LPDDR5 работает примерно в 1,3 раза быстрее, чем мобильная память предыдущего поколения (LPDDR4X, 4266 Мбит/с), используемая в современных флагманских смартфонах. В 12-гигабитной планке модуль LPDDR5 способен всего за секунду передать 44Гб данных, что по объёму равно примерно 12-ти фильмам в формате Full HD размером 3,7Гб каждый. Новый чип также потребляет на 30% меньше энергии, чем его предшественник, благодаря интеграции новой конструкции схемы с улучшенными функциями тактирования, обучения и малым энергопотреблением, что обеспечивает стабильную производительность даже при работе смартфона на высокой скорости.
Для оптимизации производственных мощностей Samsung намерен перенести производство своих 12 Гбит LPDDR5 чипов на завод в Пхёнтхэке (Южная Корея), начиная со следующего года, в зависимости от спроса со стороны клиентов. Кроме того, в следующем году корпорация планирует укрепить лидерские позиции на мировом рынке, начав разработку 16-гигабитной LPDDR5 памяти.

Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones

Based on the latest mobile DRAM standard, the new Samsung 12Gb LPDDR5 
maximizes the potential of 5G and AI features in future flagships

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first 12-gigabit (Gb) LPDDR5 mobile DRAM, which has been optimized for enabling 5G and AI features in future smartphones. The new mobile memory comes just five months after announcing mass production of the 12GB LPDDR4X, further reinforcing the company’s premium memory lineup. Samsung also plans to start mass producing 12-gigabyte (GB) LPDDR5 packages later this month, each combining eight of the 12Gb chips, in line with growing demand for higher smartphone performance and capacity from premium smartphone manufacturers.
“With mass production of the 12Gb LPDDR5 built on Samsung’s latest second-generation 10-nanometer (nm) class process, we are thrilled to be supporting the timely launch of 5G flagship smartphones for our customers worldwide,” said Jung-bae Lee, executive vice president of DRAM Product & Technology, Samsung Electronics. “Samsung remains committed to rapidly introducing next-generation mobile memory technologies that deliver greater performance and higher capacity, as we continue to aggressively drive growth of the premium memory market.”
Thanks to its industry-leading speed and power efficiency, Samsung’s new mobile DRAM can enable next-generation flagship smartphones to fully leverage 5G and AI capabilities like ultra-high-definition video recording and machine learning, while greatly extending the battery life.
At a data rate of 5,500 megabits per second (Mb/s), the 12Gb LPDDR5 is approximately 1.3 times faster than previous mobile memory (LPDDR4X, 4266Mb/s) that is found in today’s high-end smartphones. When made into a 12GB package, the LPDDR5 is able to transfer 44GB of data, or about 12 full-HD (3.7GB-sized) movies, in only a second. The new chip also uses up to 30 percent less power than its predecessor by integrating a new circuit design with enhanced clocking, training and low-power feature that ensures stable performance even when operating at a blazingly fast speed.
In order to manage production capacity with more flexibility, Samsung is considering transferring its 12Gb LPDDR5 production to its Pyeongtaek (Korea) campus starting next year, depending on demand from global customers. Following its introduction of the 12Gb LPDDR5 mobile DRAM, Samsung expects to also develop a 16Gb LPDDR5 next year, to solidify its competitive edge in the global memory market.

Samsung Electronics представляет микросхемы DRAM памяти самой высокой ёмкости

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявил о начале массового производства микросхем DRAM самой высокой ёмкости, предназначенных для мобильных устройств. Новая разработка - это первый в отрасли 12-Гб модуль с пониженным энергопотреблением, выполненный в корпусе LPDDR4X (low-power double data rate 4X), оптимизированном для будущих смартфонов премиум-класса. Обладая большей ёмкостью, чем память в большинстве ультратонких ноутбуков, новые микросхемы мобильной DRAM позволят в полной мере реализовать все возможности смартфонов следующего поколения.
«С началом массового производства микросхем LPDDR4X Samsung сформировал комплексную линейку современной памяти для новой эры смартфонов: начиная с мобильной DRAM памяти ёмкостью 12Гб и заканчивая 512Гб накопителями eUFS 3.0», – говорит Сэон Чэн (Sewon Chun), исполнительный вице-президент по маркетингу технологий памяти в Samsung Electronics. – «Более того, с выпуском LPDDR4X мы укрепляем наши позиции в качестве производителя мобильной памяти премиум-класса, которая обладает всеми возможностями для удовлетворения быстрорастущего спроса со стороны мировых производителей смартфонов».
Благодаря 12-Гб мобильной DRAM-памяти производители смартфонов смогут максимально расширить потенциал своих устройств, которые всё чаще оснащаются большим числом камер, увеличенным экраном, поддерживают работу с технологиями искусственного интеллекта и сетями 5G. Что касается пользователей смартфонов, то новый вид памяти позволит быстрее переключаться между многочисленными приложениями на сверхбольших экранах с высоким разрешением. Поскольку память выполнена в корпусе высотой всего 1,1 мм, новые смартфоны могут стать ещё тоньше и изящнее.
Модули ёмкостью 12Гб были получены благодаря объединению 6-ти 16-гигабитных чипов LPDDR4X 2-го поколения, выполненных по техпроцессу 10-нм класса (1y-nm), в едином корпусе, что увеличивает пространство для аккумулятора смартфона. Кроме того, фирменная технология 1y-nm обеспечивает скорость передачи данных на уровне 34,1ГБ/с, при этом сокращая рост энергопотребления, обусловленного увеличением ёмкости DRAM.
С момента выпуска мобильной DRAM-памяти ёмкостью 1Гб в 2011 году Samsung увеличивает ёмкость запоминающих устройств, предлагая модули ёмкостью 6Гб (в 2015 году) и 8Гб (в 2016 году). Теперь доступен и первый в отрасли модуль LPDDR4X ёмкостью 12Гб. Samsung намерен нарастить мощности своей ультрасовременной производственной линии в корейском Пхёнгтэке (Pyeongtaek) и планирует в течение 2-й половины 2019 года более чем втрое увеличить поставки модулей мобильной DRAM-памяти ёмкостью 8Гб и 12Гб, выполненной по техпроцессу 1y-nm.

Samsung Launches Highest-capacity Mobile DRAM to Accommodate Next-generation Smartphones

New 12GB LPDDR4X joins 512GB eUFS to enable a seamless user experience in smartphones with multi-cameras, 2X screen sizes, and AI and 5G features

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the highest-capacity mobile DRAM – the industry’s first 12-gigabyte (GB) low-power double data rate 4X (LPDDR4X) package – optimized for tomorrow’s premium smartphones. Featuring higher capacity than most ultra-thin notebooks, the new mobile DRAM will enable smartphone users to take full advantage of all the features in next-generation smartphones.
“With mass production of the new LPDDR4X, Samsung is now providing a comprehensive lineup of advanced memory to power the new era of smartphones, from 12GB mobile DRAM to 512GB eUFS 3.0 storage,” said Sewon Chun, executive vice president of Memory Marketing at Samsung Electronics. “Moreover, with the LPDDR4X, we’re strengthening our position as the premium mobile memory maker best positioned to accommodate rapidly growing demand from global smartphone manufacturers.”
Thanks to the 12GB mobile DRAM, smartphone makers can maximize the potential of devices that feature more than five cameras and ever-increasing display sizes as well as artificial intelligence and 5G capabilities. For smartphone users, the 12GB DRAM enables more fluid multitasking and faster searches as they navigate through a myriad of apps on ultra-large high-resolution screens. Also, the 1.1-millimeter thickness allows for even sleeker smartphone designs.
The 12GB capacity was achieved by combining six 16-gigabit (Gb) LPDDR4X chips based on the second-generation 10nm-class (1y-nm) process into a single package, providing more space for the smartphone battery. In addition, by using the company’s 1y-nm technology, the new 12GB mobile memory delivers a data transfer rate of 34.1GB per second while minimizing the increase in power consumption inevitably caused by a boost in DRAM capacity.
Since introducing 1GB mobile DRAM in 2011, Samsung continues to drive capacity breakthroughs in the mobile DRAM market, moving from 6GB (in 2015) and 8GB (2016) to today’s first 12GB LPDDR4X. From its cutting-edge memory line in Pyeongtaek, Korea, Samsung plans to more than triple the supply of its 1y-nm-based 8GB and 12GB mobile DRAM during the second half of 2019 to meet the anticipated high demand.

50-е собрание акционеров Samsung: техногигант останется лидером полупроводниковой индустрии

В этом году Samsung Electronics сосредоточится на увеличении разрыва с конкурентами путём совершенствования разработок в сегменте 10-нанопроцессора для своих микросхем DRAM 3-го поколения и V-NAND 6-го поколения, одновременно завоёвывая лидерство в новом быстрорастущем секторе бизнеса с дифференцированными продуктами, такими как память с высокой пропускной способностью, заявил сегодня глава подразделения Samsung Semiconductor.

В ходе 50-го ежегодного собрания акционеров, состоявшегося в Сеуле, Ким Кинам, глава подразделения Samsung device solutions, выступил с речью, коснувшись вопроса о растущей неопределённости на мировом рынке полупроводников.
«Этот год будет непростым для Samsung Electronics из-за медленных продаж смартфонов и сокращения инвестиций со стороны крупных клиентов центров обработки данных, но в то же время будет открываться окно возможностей при устойчивом спросе со стороны новых секторов, таких как 5G, искусственный интеллект и автомобильная электроника», - сказал топ-менеджер.
Относительно инвестиций Samsung в полупроводниковый бизнес Ким сказал, что руководство будет гибко подходить к динамике рынка, одновременно готовясь к тому, чтобы не допустить сбоев в коммерческом производстве на новых линиях в Пхёнтхэке (Южная Корея) и Сиане (Китай).
Касаясь бизнеса производства полупроводников для сторонних заказчиков, чиновник сказал, что Samsung будет выпускать 7-нм чипы, используя новейшую технологию производства, известную как EUV (экстремальная ультрафиолетовая литография), опережая конкурентов.
Как и в прошлом году, на собрании акционеров не присутствовал вице-председатель Ли Джей-ён (наследник семейной империи Samsung), который активизировал свою деятельность после того, как избежал тюремного заключения в ходе апелляционного производства в начале прошлого года, сообщает южнокорейский портал PulseNews.

Samsung’s semicon head sticks to tech leadership against market dynamics

Samsung Electronics will focus on widening the gap with rivals by developing the 10 nano process for its 3rd-generation DRAM chips and 6th-generation V-NAND, while gaining leadership in a high-growth new business sector with differentiated products such as high bandwidth memory this year, according to the company’s semiconductor business head on Wednesday. 
During Kim Ki-nam, head of Samsung Electronics’ device solutions division, made the remarks as part of his response to growing uncertainty in the global semiconductor market during the company’s 50th annual shareholders’ meeting held in its Seoul headquarters Wednesday morning. 
"This year will be a challenging for Samsung Electronics due to slow sales of smartphones and investment contractions by big data center clients, but there will be a window of opportunity at the same time with steady demand from new growth areas such as 5G, artificial intelligence and car electronics,” he said. 
Regarding the company’s semiconductor capex investment, Kim said the management will take a flexible approach to market dynamics, while prepping to ensure no disruption in commercial production from new lines in Pyeongtaek in Korea and Xian in China. 
Touching on Samsung’s foundry business, he said will produce chips with circuitry widths of 7 nano meters using the latest manufacturing technology called EUV (extreme ultraviolet) lithography ahead of rivals. 
Meanwhile, vice chairman Jay Y. Lee who has expanded his business activities after avoiding a jail sentence during appellate proceedings early last year was not present in the shareholders’ meeting.

Samsung намерен построить ещё один завод по выпуску чипов памяти в Южной Корее

По сообщениям отраслевых источников, Samsung Electronics готовится к запуску в марте следующего года ещё одного завода по впуску полупроводниковой продукции в Пхёнтэке. Этот шаг рассматривается как стратегия на сохранение лидерства, несмотря на неблагоприятные рыночные условия, приведшие к временному падению спроса.
Как сообщают инсайдеры, представители Samsung недавно провели встречи с несколькими организациями, включая мэрию города Пхёнтхэк, чтобы обсудить вопросы подвода коммуникаций в новому предприятию стоимостью 30 триллионов южнокорейских вон. 
Первоначально ожидалось, что эксплуатация нового завода начнётся в июне 2020 года, но план, по-видимому, перенесён на март, учитывая текущие рыночные условия и более высокие прогнозы спроса на 2020-й год.
«Samsung, похоже, готовится к восстановлению спроса на чипы памяти в следующем году», - сказал представитель отрасли. «И новая фабрика будет использоваться, вероятно, для производства самых высокотехнологичных микросхем DRAM, которые войдут в новейшие модели цифровых устройств, таких как складные смартфоны с гибкими дисплеями». 
Ведущий глобальный производитель микросхем памяти заложил фундамент для второго производственного объекта рядом с его первым заводом, который в настоящее время считается самым большим объектом по производству чипов в мире и оснащён самым передовым оборудованием. 
Весь комплекс Samsung по выпуску чипов памяти в Пхёнтэке (провинция Кёнги) имеет площадь 2,89 миллиона квадратных метров, что соответствует размеру 400 футбольных стадионов. 
Samsung планирует построить ещё 2 производственных объекта на территории этого комплекса, и в ближайшее время будут объявлены планы следующего этапа строительства. 
На прошлой неделе корпорация достигла соглашения с жителями близлежащих городов о строительстве ЛЭП, которые будут обеспечивать подачу до 200 мегаватт электроэнергии к объектам по выпуску полупроводников. 
Местные жилищные кооперативы поначалу решительно возражали против строительства ЛЭП из-за опасений, что высоковольтные линии могут представлять угрозу их здоровью. 
«Хотя цены на флэш-память DRAM и NAND упали в 1-м квартале, Samsung не останавливает свои инвестиционные планы», - сказал отраслевой чиновник. «Высокопоставленные официальные лица прогнозируют, что спрос на чипы увеличится во 2-й половине этого года и продолжит быстро расти в следующем году».
Будущий завод по выпуску полупроводников должен сыграть ключевую роль в достижении баланса между спросом и предложением, поэтому Samsung хочет взять эту миссию на себя», - добавил неназванный официальный источник бизнес-порталу The Investor. 
Изначально корпорация определила примерные сроки запуска нового завода в марте 2020-го, сообщил официальный представитель Samsung по связям с общественностью, но до недавнего времени этот план не обнародовали. 
«Официально дата не объявлена, поскольку график может быть скорректирован исходя из складывающихся рыночных условий», - отметил чиновник. «График был установлен в начале прошлого года, когда Samsung планировал строительство второго завода, но сейчас рыночная ситуация совсем другая».

Samsung likely to start operating second memory fab in Pyeongtaek in March

Samsung Electronics is reportedly preparing to kick off operations of its second memory plant in Pyeongtaek in March next year, a move seen as a strategy to maintain its leadership despite unfavorable market conditions recently, according to industry sources on March 17. 
The tech giant is reported to have recently held meetings with multiple entities including the Pyeongtaek City to discuss the supply of public utilities such as electricity and water for the new 30 trillion won worth factory with a schedule of operating the facility in March. 
Operations of the new plant was widely expected to begin in June of 2020, but the plan seems to be have been moved forward to March, considering currently slow market conditions and higher demand forecasts for next year.
“Samsung seems to be preparing for a recovery demand for memory chips next year,” said an industry official. “And the new fab will be used probably for the most high-tech DRAM chips that will go into high-spec digital devices like foldable smartphones.” 
The world’s top memory chipmaker broke ground for the second fabrication facility next to its first plant that is already the single largest memory fab in the world. 
The entire Samsung memory complex in Peyongtaek, Gyeonggi Province, measures 2.89 million square meters, about the size of 400 football stadiums. 
Samsung is planning to build two more memory fabs within the complex, and plans for the next construction will be announced soon. 
Last week, the company reached an agreement with the residents of nearby cities spanning from West Anseong to Godeok, to build electricity pylons that will provide up to 200 megawatts of power for the semiconductor production facilities. 
The construction of the towers was strongly objected by the residential communities over fears that high voltage transmission towers could pose threats to their health. 
“Although prices of DRAM and NAND flash chips experienced falls in the first quarter, Samsung is not halting its investment plans,” the official said. “Senior officials are predicting the demand will pick up in the second half of this year and continue rising rapidly next year.”
“The upcoming memory plant will play a key role in striking a balance of supply and demand, and Samsung wants to take the lead,” he added. 
The company had initially set a rough timeline for the new fab to start running in March, said a Samsung PR official, which has not been made public until recently. 
“It’s not been officially announced, because the schedule could be adjusted in accordance with market conditions,” the official noted. “The time table was set early last year when the company broke ground for the second plant, but the market is now totally different.”

Samsung объявляет о запуске в массовое производство передовых модулей памяти LPDDR4X

В сегодняшнем официальном пресс-релизе Samsung Electronics объявил о запуске в массовое производство модулей оперативной памяти нового поколения, которые будут применяться во флагманских смартфонах и фаблетах.
Модули LPDDR4X (Low-Power Double Data Rate 4X) обладают ёмкостью в 12Гбт. Они объединяют 6 16-гигабитных чипов в одной упаковке. При производстве новых изделий применяется технология 10-нанометрового класса (1y-нм) 2-го поколения.
В анонсе отмечается, что толщина модулей составляет всего 1,1 миллиметра. Это позволит реализовать новую компоновку узлов будущих мобильных гаджетов, освободив больше места, например, для аккумуляторной батареи.
В Samsung отмечают, что наличие 12Гб ОЗУ в смартфонах откроет новые возможности. Такие аппараты смогут поддерживать работу более 5-ти камер, передовые решения в области искусственного интеллекта, большие экраны высокого разрешения, сервисы связи 5-го поколения (5G) и так далее.
Напомним, что совсем недавно южнокорейский техногигант представил флэш-накопители eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб для флагманских смартфонов. Эти изделия обеспечивают скорость последовательного чтения информации до 2.100 Мбайт/с. Во 2-й половине текущего года планируется начать серийное производство модулей eUFS 3.0 объёмом 1Тб.
В качестве иллюстрации стремительного прогресса Samsung в области создания полупроводниковой продукции, вендор приводит таблицу основных технических характеристик модулей DRAM для мобильных устройств, начиная с 2009 года.  

Samsung Launches Highest-capacity Mobile DRAM to Accommodate Next-generation Smartphones

New 12GB LPDDR4X joins 512GB eUFS to enable a seamless user experience in smartphones with multi-cameras, 2X screen sizes, and AI and 5G features

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the highest-capacity mobile DRAM – the industry’s first 12-gigabyte (GB) low-power double data rate 4X (LPDDR4X) package – optimized for tomorrow’s premium smartphones. Featuring higher capacity than most ultra-thin notebooks, the new mobile DRAM will enable smartphone users to take full advantage of all the features in next-generation smartphones.
“With mass production of the new LPDDR4X, Samsung is now providing a comprehensive lineup of advanced memory to power the new era of smartphones, from 12GB mobile DRAM to 512GB eUFS 3.0 storage,” said Sewon Chun, executive vice president of Memory Marketing at Samsung Electronics. “Moreover, with the LPDDR4X, we’re strengthening our position as the premium mobile memory maker best positioned to accommodate rapidly growing demand from global smartphone manufacturers.”
Thanks to the 12GB mobile DRAM, smartphone makers can maximize the potential of devices that feature more than five cameras and ever-increasing display sizes as well as artificial intelligence and 5G capabilities. For smartphone users, the 12GB DRAM enables more fluid multitasking and faster searches as they navigate through a myriad of apps on ultra-large high-resolution screens. Also, the 1.1-millimeter thickness allows for even sleeker smartphone designs.
The 12GB capacity was achieved by combining six 16-gigabit (Gb) LPDDR4X chips based on the second-generation 10nm-class (1y-nm) process into a single package, providing more space for the smartphone battery. In addition, by using the company’s 1y-nm technology, the new 12GB mobile memory delivers a data transfer rate of 34.1GB per second while minimizing the increase in power consumption inevitably caused by a boost in DRAM capacity.
Since introducing 1GB mobile DRAM in 2011, Samsung continues to drive capacity breakthroughs in the mobile DRAM market, moving from 6GB (in 2015) and 8GB (2016) to today’s first 12GB LPDDR4X. From its cutting-edge memory line in Pyeongtaek, Korea, Samsung plans to more than triple the supply of its 1y-nm-based 8GB and 12GB mobile DRAM during the second half of 2019 to meet the anticipated high demand.