Техногигант начинает массовое производство первого в отрасли накопителя eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб. Построенная на базе фирменной технологии V-NAND 5-го поколения новая память отвечает самым последним требованиям отраслевых спецификаций Universal Flash Storage и обеспечивает скорость работы, в 20 раз превосходящую скорость обычных карт microSD
Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, объявил о начале массового производства первого в отрасли встраиваемого накопителя Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 ёмкостью 512 ГБ для мобильных устройств нового поколения. В соответствии с требованиями спецификаций eUFS 3.0, представленное решение обеспечивает вдвое более высокую скорость работы по сравнению с предыдущими eUFS накопителями (eUFS 2.1). Новинка будет применяться в будущих смартфонах с ультраширокими экранами с высоким разрешением.
«Начало массового производства накопителей линейки eUFS 3.0 обеспечивает Samsung огромное преимущество на рынке мобильных устройств нового поколения, где мы представляем память со скоростью чтения, которая раньше была достижима только в ультратонких ноутбуках, – говорит Чол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу технологий памяти в Samsung Electronics. – По мере расширения линейки eUFS 3.0, а также с выпуском версии ёмкостью 1ТБ в этом году динамика на рынке премиальных мобильных устройств будет возрастать».
Samsung начал производство первого в отрасли UFS интерфейса в январе 2015 года, выпустив накопитель eUFS 2.0, который обеспечивал в 1,4 раза более высокую скорость работы по сравнению со стандартной на тот момент памятью eMMC 5.1 (embedded multi-media card). Спустя всего 4 года новейшая память Samsung eUFS 3.0 по своей производительности не уступает памяти в современных ультратонких ноутбуках.
В накопителе Samsung eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб используется восемь 512-гигабитных кристаллов памяти Samsung V-NAND 5-го поколения и высокопроизводительный контроллер. Скорость последовательного чтения нового устройства составляет 2100 мегабайт в секунду, что вдвое превышает аналогичный показатель в новейшей uEFS памяти (eUFS 2.1), которая была анонсирована в январе. Скорость чтения нового решения в 4 раза превосходит скорость чтения в твердотельных SATA накопителях и в 20 раз – обычных карт памяти microSD. Таким образом, перемещение целого фильма в Full HD качестве c премиального смартфона на компьютер займёт всего порядка 3-х секунд*. Кроме того, скорость последовательной записи также выросла, увеличившись на 50% до 410МБ/с, что сопоставимо со скоростью записи в твердотельных SATA накопителях.
Скорость произвольного чтения и записи новой памяти на 36% выше, чем в текущей спецификации eUFS 2.1, и составляет, соответственно, 63000 и 68000 операций ввода/вывода в секунду (IOPS). С учётом значительного прироста в скорости произвольного чтения и записи, которая более чем в 630 раз превосходит показатели обычных карт памяти microSD (100 IOPS), новая память позволяет одновременно запускать сразу несколько сложных приложений, обеспечивая улучшенную отзывчивость пользовательского интерфейса, особенно в новейшем поколении мобильных устройств.
После старта производства накопителей eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб и версии ёмкостью 128Гб, которые будут запущены уже в этом месяце, Samsung намерен запустить производство моделей ёмкостью 1Тб и 256Гб во 2-й половине этого года, чтобы помочь глобальным производителям устройств реализовывать мобильные инновации будущего.
*Расчёты приведены для передачи фильма в формате Full HD размером 3,7Гб с мобильного устройства, оснащённого накопителем eUFS 3.0 ёмкостью 512ГБ, на компьютер с твердотельным NVMe-накопителем.
** Для справки: сравнение производительности встраиваемой памяти Samsung
Samsung Electronics Doubling Current Smartphone Storage Speed as it Begins Mass Production of First 512GB eUFS 3.0
Based on the company’s fifth-generation V-NAND, the new memory meets the newest Universal Flash Storage industry specifications at a speed 20x faster than a typical microSD card
Samsung plans to launch a 1-Terabyte version within the second half of the year
Samsung Electronics the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first 512-gigabyte (GB) embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 for next-generation mobile devices. In line with the latest eUFS 3.0 specification, the new Samsung memory delivers twice the speed of the previous eUFS storage (eUFS 2.1), allowing mobile memory to support seamless user experiences in future smartphones with ultra-large high-resolution screens.
“Beginning mass production of our eUFS 3.0 lineup gives us a great advantage in the next-generation mobile market to which we are bringing a memory read speed that was before only available on ultra-slim laptops,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “As we expand our eUFS 3.0 offerings, including a 1-Terabyte (TB) version later this year, we expect to play a major role in accelerating momentum within the premium mobile market.”
Samsung produced the industry-first UFS interface with eUFS 2.0 in January, 2015, which was 1.4 times faster than the mobile memory standard at that time, referred to as the embedded multi-media card (eMMC) 5.1. In just four years, the company’s newest eUFS 3.0 matches the performance of today’s ultra-slim notebooks.
Samsung’s 512GB eUFS 3.0 stacks eight of the company’s fifth-generation 512-gigabit (Gb) V-NAND die and integrates a high-performance controller. At 2,100 megabytes-per-second (MB/s), the new eUFS doubles the sequential read rate of Samsung’s latest eUFS memory (eUFS 2.1) which was announced in January. The new solution’s blazing read speed is four times faster than that of a SATA solid state drive (SSDs) and 20 times faster than a typical microSD card, allowing premium smartphones to transfer a Full HD movie to a PC in about three seconds*. In addition, the sequential write speed also has been improved by 50 percent to 410MB/s, which is equivalent to that of a SATA SSD.
The new memory’s random read and write speeds provide up to a 36-percent increase over the current eUFS 2.1 industry specification, at 63,000 and 68,000 Input/Output Operations Per Second (IOPS), respectively. With the significant gains in random read and writes that are more than 630 times faster than general microSD cards (100 IOPS), a number of complex applications can be simultaneously run, while achieving enhanced responsiveness, especially on the newest generation of mobile devices.
Following the 512GB eUFS 3.0 as well as a 128GB version that are both launching this month, Samsung plans to produce 1TB and 256GB models in the second half of the year, to further help global device manufacturers in better delivering tomorrow’s mobile innovations.
* The calculation is based on transferring a 3.7GB full HD movie file from a mobile device with the 512GB eUFS 3.0 to a PC with a non-volatile memory express (NVMe) interface SSD.
※ Reference: Comparison of Samsung’s internal memory performance
