Samsung Electronics представляет микросхемы DRAM памяти самой высокой ёмкости

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявил о начале массового производства микросхем DRAM самой высокой ёмкости, предназначенных для мобильных устройств. Новая разработка - это первый в отрасли 12-Гб модуль с пониженным энергопотреблением, выполненный в корпусе LPDDR4X (low-power double data rate 4X), оптимизированном для будущих смартфонов премиум-класса. Обладая большей ёмкостью, чем память в большинстве ультратонких ноутбуков, новые микросхемы мобильной DRAM позволят в полной мере реализовать все возможности смартфонов следующего поколения.
«С началом массового производства микросхем LPDDR4X Samsung сформировал комплексную линейку современной памяти для новой эры смартфонов: начиная с мобильной DRAM памяти ёмкостью 12Гб и заканчивая 512Гб накопителями eUFS 3.0», – говорит Сэон Чэн (Sewon Chun), исполнительный вице-президент по маркетингу технологий памяти в Samsung Electronics. – «Более того, с выпуском LPDDR4X мы укрепляем наши позиции в качестве производителя мобильной памяти премиум-класса, которая обладает всеми возможностями для удовлетворения быстрорастущего спроса со стороны мировых производителей смартфонов».
Благодаря 12-Гб мобильной DRAM-памяти производители смартфонов смогут максимально расширить потенциал своих устройств, которые всё чаще оснащаются большим числом камер, увеличенным экраном, поддерживают работу с технологиями искусственного интеллекта и сетями 5G. Что касается пользователей смартфонов, то новый вид памяти позволит быстрее переключаться между многочисленными приложениями на сверхбольших экранах с высоким разрешением. Поскольку память выполнена в корпусе высотой всего 1,1 мм, новые смартфоны могут стать ещё тоньше и изящнее.
Модули ёмкостью 12Гб были получены благодаря объединению 6-ти 16-гигабитных чипов LPDDR4X 2-го поколения, выполненных по техпроцессу 10-нм класса (1y-nm), в едином корпусе, что увеличивает пространство для аккумулятора смартфона. Кроме того, фирменная технология 1y-nm обеспечивает скорость передачи данных на уровне 34,1ГБ/с, при этом сокращая рост энергопотребления, обусловленного увеличением ёмкости DRAM.
С момента выпуска мобильной DRAM-памяти ёмкостью 1Гб в 2011 году Samsung увеличивает ёмкость запоминающих устройств, предлагая модули ёмкостью 6Гб (в 2015 году) и 8Гб (в 2016 году). Теперь доступен и первый в отрасли модуль LPDDR4X ёмкостью 12Гб. Samsung намерен нарастить мощности своей ультрасовременной производственной линии в корейском Пхёнгтэке (Pyeongtaek) и планирует в течение 2-й половины 2019 года более чем втрое увеличить поставки модулей мобильной DRAM-памяти ёмкостью 8Гб и 12Гб, выполненной по техпроцессу 1y-nm.

Samsung Launches Highest-capacity Mobile DRAM to Accommodate Next-generation Smartphones

New 12GB LPDDR4X joins 512GB eUFS to enable a seamless user experience in smartphones with multi-cameras, 2X screen sizes, and AI and 5G features

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the highest-capacity mobile DRAM – the industry’s first 12-gigabyte (GB) low-power double data rate 4X (LPDDR4X) package – optimized for tomorrow’s premium smartphones. Featuring higher capacity than most ultra-thin notebooks, the new mobile DRAM will enable smartphone users to take full advantage of all the features in next-generation smartphones.
“With mass production of the new LPDDR4X, Samsung is now providing a comprehensive lineup of advanced memory to power the new era of smartphones, from 12GB mobile DRAM to 512GB eUFS 3.0 storage,” said Sewon Chun, executive vice president of Memory Marketing at Samsung Electronics. “Moreover, with the LPDDR4X, we’re strengthening our position as the premium mobile memory maker best positioned to accommodate rapidly growing demand from global smartphone manufacturers.”
Thanks to the 12GB mobile DRAM, smartphone makers can maximize the potential of devices that feature more than five cameras and ever-increasing display sizes as well as artificial intelligence and 5G capabilities. For smartphone users, the 12GB DRAM enables more fluid multitasking and faster searches as they navigate through a myriad of apps on ultra-large high-resolution screens. Also, the 1.1-millimeter thickness allows for even sleeker smartphone designs.
The 12GB capacity was achieved by combining six 16-gigabit (Gb) LPDDR4X chips based on the second-generation 10nm-class (1y-nm) process into a single package, providing more space for the smartphone battery. In addition, by using the company’s 1y-nm technology, the new 12GB mobile memory delivers a data transfer rate of 34.1GB per second while minimizing the increase in power consumption inevitably caused by a boost in DRAM capacity.
Since introducing 1GB mobile DRAM in 2011, Samsung continues to drive capacity breakthroughs in the mobile DRAM market, moving from 6GB (in 2015) and 8GB (2016) to today’s first 12GB LPDDR4X. From its cutting-edge memory line in Pyeongtaek, Korea, Samsung plans to more than triple the supply of its 1y-nm-based 8GB and 12GB mobile DRAM during the second half of 2019 to meet the anticipated high demand.

Samsung объявляет о запуске в массовое производство передовых модулей памяти LPDDR4X

В сегодняшнем официальном пресс-релизе Samsung Electronics объявил о запуске в массовое производство модулей оперативной памяти нового поколения, которые будут применяться во флагманских смартфонах и фаблетах.
Модули LPDDR4X (Low-Power Double Data Rate 4X) обладают ёмкостью в 12Гбт. Они объединяют 6 16-гигабитных чипов в одной упаковке. При производстве новых изделий применяется технология 10-нанометрового класса (1y-нм) 2-го поколения.
В анонсе отмечается, что толщина модулей составляет всего 1,1 миллиметра. Это позволит реализовать новую компоновку узлов будущих мобильных гаджетов, освободив больше места, например, для аккумуляторной батареи.
В Samsung отмечают, что наличие 12Гб ОЗУ в смартфонах откроет новые возможности. Такие аппараты смогут поддерживать работу более 5-ти камер, передовые решения в области искусственного интеллекта, большие экраны высокого разрешения, сервисы связи 5-го поколения (5G) и так далее.
Напомним, что совсем недавно южнокорейский техногигант представил флэш-накопители eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб для флагманских смартфонов. Эти изделия обеспечивают скорость последовательного чтения информации до 2.100 Мбайт/с. Во 2-й половине текущего года планируется начать серийное производство модулей eUFS 3.0 объёмом 1Тб.
В качестве иллюстрации стремительного прогресса Samsung в области создания полупроводниковой продукции, вендор приводит таблицу основных технических характеристик модулей DRAM для мобильных устройств, начиная с 2009 года.  

Samsung Launches Highest-capacity Mobile DRAM to Accommodate Next-generation Smartphones

New 12GB LPDDR4X joins 512GB eUFS to enable a seamless user experience in smartphones with multi-cameras, 2X screen sizes, and AI and 5G features

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the highest-capacity mobile DRAM – the industry’s first 12-gigabyte (GB) low-power double data rate 4X (LPDDR4X) package – optimized for tomorrow’s premium smartphones. Featuring higher capacity than most ultra-thin notebooks, the new mobile DRAM will enable smartphone users to take full advantage of all the features in next-generation smartphones.
“With mass production of the new LPDDR4X, Samsung is now providing a comprehensive lineup of advanced memory to power the new era of smartphones, from 12GB mobile DRAM to 512GB eUFS 3.0 storage,” said Sewon Chun, executive vice president of Memory Marketing at Samsung Electronics. “Moreover, with the LPDDR4X, we’re strengthening our position as the premium mobile memory maker best positioned to accommodate rapidly growing demand from global smartphone manufacturers.”
Thanks to the 12GB mobile DRAM, smartphone makers can maximize the potential of devices that feature more than five cameras and ever-increasing display sizes as well as artificial intelligence and 5G capabilities. For smartphone users, the 12GB DRAM enables more fluid multitasking and faster searches as they navigate through a myriad of apps on ultra-large high-resolution screens. Also, the 1.1-millimeter thickness allows for even sleeker smartphone designs.
The 12GB capacity was achieved by combining six 16-gigabit (Gb) LPDDR4X chips based on the second-generation 10nm-class (1y-nm) process into a single package, providing more space for the smartphone battery. In addition, by using the company’s 1y-nm technology, the new 12GB mobile memory delivers a data transfer rate of 34.1GB per second while minimizing the increase in power consumption inevitably caused by a boost in DRAM capacity.
Since introducing 1GB mobile DRAM in 2011, Samsung continues to drive capacity breakthroughs in the mobile DRAM market, moving from 6GB (in 2015) and 8GB (2016) to today’s first 12GB LPDDR4X. From its cutting-edge memory line in Pyeongtaek, Korea, Samsung plans to more than triple the supply of its 1y-nm-based 8GB and 12GB mobile DRAM during the second half of 2019 to meet the anticipated high demand.

Samsung удваивает скорость работы современных накопителей в смартфонах

Техногигант начинает массовое производство первого в отрасли накопителя eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб. Построенная на базе фирменной технологии V-NAND 5-го поколения новая память отвечает самым последним требованиям отраслевых спецификаций Universal Flash Storage и обеспечивает скорость работы, в 20 раз превосходящую скорость обычных карт microSD

Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, объявил о начале массового производства первого в отрасли встраиваемого накопителя Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 ёмкостью 512 ГБ для мобильных устройств нового поколения. В соответствии с требованиями спецификаций eUFS 3.0, представленное решение обеспечивает вдвое более высокую скорость работы по сравнению с предыдущими eUFS накопителями (eUFS 2.1). Новинка будет применяться в будущих смартфонах с ультраширокими экранами с высоким разрешением.
«Начало массового производства накопителей линейки eUFS 3.0 обеспечивает Samsung огромное преимущество на рынке мобильных устройств нового поколения, где мы представляем память со скоростью чтения, которая раньше была достижима только в ультратонких ноутбуках, – говорит Чол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу технологий памяти в Samsung Electronics. – По мере расширения линейки eUFS 3.0, а также с выпуском версии ёмкостью 1ТБ в этом году динамика на рынке премиальных мобильных устройств будет возрастать».
Samsung начал производство первого в отрасли UFS интерфейса в январе 2015 года, выпустив накопитель eUFS 2.0, который обеспечивал в 1,4 раза более высокую скорость работы по сравнению со стандартной на тот момент памятью eMMC 5.1 (embedded multi-media card). Спустя всего 4 года новейшая память Samsung eUFS 3.0 по своей производительности не уступает памяти в современных ультратонких ноутбуках.
В накопителе Samsung eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб используется восемь 512-гигабитных кристаллов памяти Samsung V-NAND 5-го поколения и высокопроизводительный контроллер. Скорость последовательного чтения нового устройства составляет 2100 мегабайт в секунду, что вдвое превышает аналогичный показатель в новейшей uEFS памяти (eUFS 2.1), которая была анонсирована в январе. Скорость чтения нового решения в 4 раза превосходит скорость чтения в твердотельных SATA накопителях и в 20 раз – обычных карт памяти microSD. Таким образом, перемещение целого фильма в Full HD качестве c премиального смартфона на компьютер займёт всего порядка 3-х секунд*. Кроме того, скорость последовательной записи также выросла, увеличившись на 50% до 410МБ/с, что сопоставимо со скоростью записи в твердотельных SATA накопителях.
Скорость произвольного чтения и записи новой памяти на 36% выше, чем в текущей спецификации eUFS 2.1, и составляет, соответственно, 63000 и 68000 операций ввода/вывода в секунду (IOPS). С учётом значительного прироста в скорости произвольного чтения и записи, которая более чем в 630 раз превосходит показатели обычных карт памяти microSD (100 IOPS), новая память позволяет одновременно запускать сразу несколько сложных приложений, обеспечивая улучшенную отзывчивость пользовательского интерфейса, особенно в новейшем поколении мобильных устройств.
После старта производства накопителей eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб и версии ёмкостью 128Гб, которые будут запущены уже в этом месяце, Samsung намерен запустить производство моделей ёмкостью 1Тб и 256Гб во 2-й половине этого года, чтобы помочь глобальным производителям устройств реализовывать мобильные инновации будущего.

*Расчёты приведены для передачи фильма в формате Full HD размером 3,7Гб с мобильного устройства, оснащённого накопителем eUFS 3.0 ёмкостью 512ГБ, на компьютер с твердотельным NVMe-накопителем.  
** Для справки: сравнение производительности встраиваемой памяти Samsung

Samsung Electronics Doubling Current Smartphone Storage Speed as it Begins Mass Production of First 512GB eUFS 3.0

Based on the company’s fifth-generation V-NAND, the new memory meets the newest Universal Flash Storage industry specifications at a speed 20x faster than a typical microSD card

Samsung plans to launch a 1-Terabyte version within the second half of the year

Samsung Electronics the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first 512-gigabyte (GB) embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 for next-generation mobile devices. In line with the latest eUFS 3.0 specification, the new Samsung memory delivers twice the speed of the previous eUFS storage (eUFS 2.1), allowing mobile memory to support seamless user experiences in future smartphones with ultra-large high-resolution screens.
“Beginning mass production of our eUFS 3.0 lineup gives us a great advantage in the next-generation mobile market to which we are bringing a memory read speed that was before only available on ultra-slim laptops,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “As we expand our eUFS 3.0 offerings, including a 1-Terabyte (TB) version later this year, we expect to play a major role in accelerating momentum within the premium mobile market.”
Samsung produced the industry-first UFS interface with eUFS 2.0 in January, 2015, which was 1.4 times faster than the mobile memory standard at that time, referred to as the embedded multi-media card (eMMC) 5.1. In just four years, the company’s newest eUFS 3.0 matches the performance of today’s ultra-slim notebooks.
Samsung’s 512GB eUFS 3.0 stacks eight of the company’s fifth-generation 512-gigabit (Gb) V-NAND die and integrates a high-performance controller. At 2,100 megabytes-per-second (MB/s), the new eUFS doubles the sequential read rate of Samsung’s latest eUFS memory (eUFS 2.1) which was announced in January. The new solution’s blazing read speed is four times faster than that of a SATA solid state drive (SSDs) and 20 times faster than a typical microSD card, allowing premium smartphones to transfer a Full HD movie to a PC in about three seconds*. In addition, the sequential write speed also has been improved by 50 percent to 410MB/s, which is equivalent to that of a SATA SSD.
The new memory’s random read and write speeds provide up to a 36-percent increase over the current eUFS 2.1 industry specification, at 63,000 and 68,000 Input/Output Operations Per Second (IOPS), respectively. With the significant gains in random read and writes that are more than 630 times faster than general microSD cards (100 IOPS), a number of complex applications can be simultaneously run, while achieving enhanced responsiveness, especially on the newest generation of mobile devices.
Following the 512GB eUFS 3.0 as well as a 128GB version that are both launching this month, Samsung plans to produce 1TB and 256GB models in the second half of the year, to further help global device manufacturers in better delivering tomorrow’s mobile innovations.

* The calculation is based on transferring a 3.7GB full HD movie file from a mobile device with the 512GB eUFS 3.0 to a PC with a non-volatile memory express (NVMe) interface SSD.
※ Reference: Comparison of Samsung’s internal memory performance