Samsung представил новые твердотельные накопители серии SATA – 870 EVO

Новые 870 EVO подходят для профессионального и повседневного использования, а скорость произвольного чтения увеличилась на 38%

Samsung Electronics представляет твердотельные накопители 870 EVO, новейшее решение SATA в самой продаваемой в мире серии потребительских SSD[1]. 870 EVO подойдут как обычным владельцам персональных компьютеров (PC), так и IT-специалистам, а также будут применяться в сетевых хранилищах (NAS).

Накопители серии 870 EVO оснащены новейшими чипами V-NAND и фирменными контроллерами Samsung, что позволяет достигать максимальной скорости последовательного чтения и записи 560 МБ/с и 530 МБ/с соответственно. За счёт использования большого переменного буфера SLC технология Intelligent TurboWrite в накопителях поддерживает максимальный уровень производительности. Кроме того, накопители серии 870 EVO получили на 38% более высокую скорость произвольного чтения, по сравнению с предыдущими моделями 860[2], и обеспечивают улучшенное взаимодействие с пользователем при работе в режиме многозадачности, просмотре веб-страниц или просто при загрузке компьютера.

Используя свой многолетний опыт и экспертизу в области технологий памяти, Samsung самостоятельно разрабатывает все компоненты твердотельных накопителей, чтобы обеспечить их согласованную работу. В результате 870 EVO получили примерно на 30% большую стабильность производительности по сравнению с 860 EVO[3], а также лучший в своём классе ресурс записанных терабайт (TBW) в размере 2400 Тб[4] или 5-летнюю ограниченную гарантию для модели 4Тб[5].

Помимо исключительной скорости работы и надёжности, накопители 870 EVO обладают широкой совместимостью со многими вычислительными устройствами и новейшими функциями PC. Накопители поддерживаются всеми гаджетами с 2,5-дюймовым интерфейсом SATA. Более того, благодаря энергосберегающему «спящему» режиму 870 EVO совместимы с устройствами с функцией Windows Modern Standby, что обеспечивает дополнительное удобство для владельцев компьютеров[6].

В рамках стратегии Samsung по снижению воздействия на окружающую среду, при производстве 870 EVO уровень выбросов углекислого газа был сведён к минимуму.

О старте продаж в России будет сообщено дополнительно. Узнать больше о твердотельных накопителях 870 EVO можно на официальных интернет-ресурсах https://samsung.com/ssd или https://samsungssd.com.

[1] * Источники: серии 850 EVO и 860 EVO, NPD (данные для США с января 2015 г. по апрель 2020 г.) и GfK (данные EU5 с января 2015 г. по апрель 2020 г., данные по Китаю с сентября 2018 г. по апрель 2020 г.)

[2] Произвольное чтение QD1 улучшило производительность до 38%

[3] По сравнению с моделью 250Гб

[4] Рейтинги TBW различаются в зависимости от модели: 2Тб = 1200 TBW / 1Тб = 600 TBW / 500Гб = 300TBW / 250Гб = 150TBW

[5] В соответствии с ограниченной 5-летней гарантией или рейтингом TBW, в зависимости от того, что наступит раньше. Для получения дополнительной информации о гарантии см. прилагаемое гарантийное заявление в упаковке устройства.

[6] Modern Standby поддерживается Windows 8 и 10. Использование Modern Standby также зависит от конкретной модели PC и дисплея, соответствующих требованиям функции.

Samsung Introduces Latest in Its World’s Best Selling Consumer SATA SSD Series, the 870 EVO

New 870 EVO is ideal for both general and professional use / 38% higher random read performance speeds up everyday computing tasks / 30% improved sustained performance further extends SSD endurance

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced the release of 870 EVO SSD, the company’s latest SATA solution in its world’s best-selling consumer SSD series.1 The new drive combines best-in-class performance and reliability, making it an all-round storage solution for a wide range of consumers from general PC users to IT professionals.

“Representing the culmination of our SATA SSD line, the new 870 EVO delivers a compelling mix of performance, reliability and compatibility for casual laptop and desktop PC users as well as Network Attached Storage (NAS) users,” said KyuYoung Lee, vice president of Memory Brand Product Biz at Samsung Electronics.

The Samsung 870 EVO features the company’s latest V-NAND and controller, allowing it to reach the maximum SATA sequential read and write speeds of 560 and 530MB/s, respectively. Using a large variable SLC buffer, the drive’s Intelligent TurboWrite technology helps maintain its peak performance levels. The 870 EVO also delivers a nearly 38% improvement in random read speed over the previous 860 model,2 enabling enhanced user experiences when multi-tasking, web browsing or simply booting up PCs.

Harnessing its accumulated experience and expertise in storage memory technologies, Samsung designs all SSD components in-house to ensure that every part works together cohesively. As a result, the 870 EVO offers around 30% improvement in sustained performance over the 860 EVO,3 as well as a class-leading terabytes written (TBW) rating of 2,400TB,4 or a 5-year limited warranty, for its 4TB model.5

In addition to exceptional performance and reliability, the 870 EVO provides broad compatibility with many computing devices and the most up-to-date PC features. The drive can be used with all devices that have 2.5-inch SATA interface connection. Moreover, with its power saving sleep mode, the 870 EVO is compatible with devices that support Window’s Modern Standby function, offering added convenience to PC users.6

The new 870 EVO is also designed with the environment in mind. By minimizing its carbon footprint throughout the entire production process, the drive expands consumer choice for greener products.

The Samsung 870 EVO carries a manufacturer’s suggested retail price that starts at $49.99 for the 250GB model. To find out more, please visit https://samsung.com/ssd or https://samsungssd.com.

1 Sources: 850 EVO and 860 EVO series, NPD (US data from Jan. 2015 to Apr. 2020) and GfK (EU5 data from Jan. 2015 to Apr. 2020, China data from Sep. 2018 to Apr. 2020)

2 Random performance improved up to 38% with QD1 Random read

3 Compared to the 250GB model

4 TBW ratings differ depending on model: 2TB = 1,200 TBW / 1TB = 600 TBW / 500GB = 300TBW / 250GB = 150TBW

5 Product guaranteed according to limited 5-year warranty or TBW rating, whichever comes first. For more information on warranty, please find the enclosed warranty statement in the package.

6 Modern Standby is supported by Windows 8 and 10. Use of Modern Standby is also contingent on PC and display meeting the feature’s requirements.

Samsung представляет 3D-память SSD V-NAND 6-го поколения

Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, объявиляет о начале массового производства твердотельных накопителей SATA ёмкостью 250Гб на базе 256-гигабитных V-NAND модулей 6-го поколения из более чем 100 слоёв трёхбитных ячеек, которые будут поставляться глобальным производителям ПК. На создание нового поколения V-NAND Samsung потребовалось всего 13 месяцев – таким образом, корпорация сократила производственный цикл на 4 месяца, при этом выпустив самые производительные, энергоэффективные и более простые в производстве модули.
V-NAND модули Samsung 6-го поколения отличаются самой высокой в отрасли скоростью передачи данных, демонстрируя производственное преимущество вендора, которое выводит 3D-память на новый уровень.
Благодаря уникальной фирменной технологии травления каналов новые V-NAND кристаллы получили примерно на 40% больше ячеек, чем одноблочные 9x-модули памяти предыдущего поколения. Это достигается путём формирования электропроводящей 136-слойной структуры, с последующим вертикальным прокалыванием цилиндрических отверстий сверху вниз, в результате чего образуются однородные трёхмерные ячейки с технологией ловушки снаряда (charge trap flash, CTF).
По мере увеличения высоты матрицы в каждой ячейке флэш-чипы NAND становятся более подвержены ошибкам и задержкам чтения. Для преодоления этого ограничения Samsung внедрил оптимизированную по скорости конструкцию схемы, которая позволяет достигать максимальной скорости передачи данных: менее 450 микросекунд (мкс) для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения. По сравнению с предыдущим поколением новая конструкция обеспечивает повышение производительности более чем на 10% и снижение энергопотребления более чем на 15%.
Благодаря оптимизированному дизайну, решения V-NAND следующего поколения смогут получить более 300 слоёв, сочетая 3 ячейки 6-го поколения без ущерба для производительности или надёжности чипа.
Кроме того, для создания чипа плотностью 256Гб нового поколения необходимо всего 670 миллионов сквозных каналов, по сравнению с 930 миллионами в решениях предыдущего поколения. Это позволило уменьшить размер чипов и сократить число этапов производства, повысив эффективность изготовления на 20%.
Используя функции с высокой скоростью и малой мощностью, Samsung намерен не только расширить возможности использования своих 3D V-NAND-решений в таких типах устройств, как мобильные гаджеты и корпоративные серверы, но и вывести их на автомобильный рынок, где высокая надёжность имеет ключевое значение.
«Внедряя передовые технологии 3D-памяти в модели массового производства, мы можем представить линейки памяти, которые обладают значительно большими скоростью и энергопотреблением, — отметил Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флэш-памяти и технологии Samsung Electronics. — Благодаря сокращению цикла разработки продуктов V-NAND следующего поколения мы планируем активно расширять рынок наших высокоскоростных и высокопроизводительных решений на базе 512-гигабитных V-NAND».
В планы Samsung, после выпуска 250-гигабайтных SSD, входит запуск на рынок 512-гигабитных трёхбитных V-NAND SSD и eUFS во 2-м полугодии. Корпорация также намерена расширить производство мощных высокоскоростных V-NAND-решений 6-го поколения на заводе в Пхёнтэке (Южная Корея), начиная со следующего года.

Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-Generation V-NAND SSDs for Client Computing

New V-NAND breaks through current cell stacking limitation in 3D NAND with the industry's first 100+ layer single-tier design for superior speed and power efficiency. Starting with a 250GB SATA SSD now in production, Samsung plans to offer high-speed, high-capacity SSDs and eUFS solutions based on its sixth-generation V-NAND.

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing 250-gigabyte (GB) SATA solid state drive (SSD) that integrates the company’s sixth-generation (1xx-layer) 256-gigabit (Gb) three-bit V-NAND for global PC OEMs. By launching a new generation of V-NAND in just 13 months, Samsung has reduced the mass production cycle by four months while securing the industry’s highest performance, power efficiency and manufacturing productivity.
“By bringing cutting-edge 3D memory technology to volume production, we are able to introduce timely memory lineups that significantly raise the bar for speed and power efficiency,” said Kye Hyun Kyung, executive vice president of Solution Product & Development at Samsung Electronics. “With faster development cycles for next-generation V-NAND products, we plan to rapidly expand the markets for our high-speed, high-capacity 512Gb V-NAND-based solutions.”

The Only Single-stack 3D Memory Die With a 100+ Layer Design

Samsung’s sixth-generation V-NAND features the industry’s fastest data transfer rate, capitalizing on the company’s distinct manufacturing edge that is taking 3D memory to new heights.
Utilizing Samsung’s unique ‘channel hole etching’ technology, the new V-NAND adds around 40-percent more cells to the previous 9x-layer single-stack structure. This is achieved by building an electrically conductive mold stack comprised of 136 layers, then vertically piercing cylindrical holes from top to bottom, creating uniform 3D charge trap flash (CTF) cells.
As the mold stack in each cell area increases in height, NAND flash chips tend to become more vulnerable to errors and read latencies. To overcome such limitations, Samsung has incorporated a speed-optimized circuit design that allows it to achieve the fastest data transfer speed, at below 450 microseconds (μs) for write operations and below 45μs for reads. Compared to the previous generation, this represents a more than 10-percent improvement in performance, while power consumption is reduced by more than 15 percent.
Thanks to this speed-optimized design, Samsung will be able to offer next-generation V-NAND solutions with over 300 layers simply by mounting three of the current stacks, without compromising chip performance or reliability.
In addition, the number of channel holes required to create a 256Gb chip density has decreased to 670 million holes from over 930 million with the previous generation, enabling reduced chip sizes and less process steps. This brings a more than 20-percent improvement in manufacturing productivity.
Leveraging the high-speed and low-power features, Samsung plans to not only broaden the reach of its 3D V-NAND into areas like next-generation mobile devices and enterprise servers, but also into the automotive market where high reliability is extremely critical.
Following today’s introduction of the 250GB SSD, Samsung plans to offer 512Gb three-bit V-NAND SSD and eUFS in the second half of this year. The company also expects to expand production of higher-speed and greater-capacity sixth-generation V-NAND solutions at its Pyeongtaek (South Korea) campus starting next year to better meet demand from global customers.

Samsung удваивает скорость работы современных накопителей в смартфонах

Техногигант начинает массовое производство первого в отрасли накопителя eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб. Построенная на базе фирменной технологии V-NAND 5-го поколения новая память отвечает самым последним требованиям отраслевых спецификаций Universal Flash Storage и обеспечивает скорость работы, в 20 раз превосходящую скорость обычных карт microSD

Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, объявил о начале массового производства первого в отрасли встраиваемого накопителя Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 ёмкостью 512 ГБ для мобильных устройств нового поколения. В соответствии с требованиями спецификаций eUFS 3.0, представленное решение обеспечивает вдвое более высокую скорость работы по сравнению с предыдущими eUFS накопителями (eUFS 2.1). Новинка будет применяться в будущих смартфонах с ультраширокими экранами с высоким разрешением.
«Начало массового производства накопителей линейки eUFS 3.0 обеспечивает Samsung огромное преимущество на рынке мобильных устройств нового поколения, где мы представляем память со скоростью чтения, которая раньше была достижима только в ультратонких ноутбуках, – говорит Чол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу технологий памяти в Samsung Electronics. – По мере расширения линейки eUFS 3.0, а также с выпуском версии ёмкостью 1ТБ в этом году динамика на рынке премиальных мобильных устройств будет возрастать».
Samsung начал производство первого в отрасли UFS интерфейса в январе 2015 года, выпустив накопитель eUFS 2.0, который обеспечивал в 1,4 раза более высокую скорость работы по сравнению со стандартной на тот момент памятью eMMC 5.1 (embedded multi-media card). Спустя всего 4 года новейшая память Samsung eUFS 3.0 по своей производительности не уступает памяти в современных ультратонких ноутбуках.
В накопителе Samsung eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб используется восемь 512-гигабитных кристаллов памяти Samsung V-NAND 5-го поколения и высокопроизводительный контроллер. Скорость последовательного чтения нового устройства составляет 2100 мегабайт в секунду, что вдвое превышает аналогичный показатель в новейшей uEFS памяти (eUFS 2.1), которая была анонсирована в январе. Скорость чтения нового решения в 4 раза превосходит скорость чтения в твердотельных SATA накопителях и в 20 раз – обычных карт памяти microSD. Таким образом, перемещение целого фильма в Full HD качестве c премиального смартфона на компьютер займёт всего порядка 3-х секунд*. Кроме того, скорость последовательной записи также выросла, увеличившись на 50% до 410МБ/с, что сопоставимо со скоростью записи в твердотельных SATA накопителях.
Скорость произвольного чтения и записи новой памяти на 36% выше, чем в текущей спецификации eUFS 2.1, и составляет, соответственно, 63000 и 68000 операций ввода/вывода в секунду (IOPS). С учётом значительного прироста в скорости произвольного чтения и записи, которая более чем в 630 раз превосходит показатели обычных карт памяти microSD (100 IOPS), новая память позволяет одновременно запускать сразу несколько сложных приложений, обеспечивая улучшенную отзывчивость пользовательского интерфейса, особенно в новейшем поколении мобильных устройств.
После старта производства накопителей eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб и версии ёмкостью 128Гб, которые будут запущены уже в этом месяце, Samsung намерен запустить производство моделей ёмкостью 1Тб и 256Гб во 2-й половине этого года, чтобы помочь глобальным производителям устройств реализовывать мобильные инновации будущего.

*Расчёты приведены для передачи фильма в формате Full HD размером 3,7Гб с мобильного устройства, оснащённого накопителем eUFS 3.0 ёмкостью 512ГБ, на компьютер с твердотельным NVMe-накопителем.  
** Для справки: сравнение производительности встраиваемой памяти Samsung

Samsung Electronics Doubling Current Smartphone Storage Speed as it Begins Mass Production of First 512GB eUFS 3.0

Based on the company’s fifth-generation V-NAND, the new memory meets the newest Universal Flash Storage industry specifications at a speed 20x faster than a typical microSD card

Samsung plans to launch a 1-Terabyte version within the second half of the year

Samsung Electronics the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first 512-gigabyte (GB) embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 for next-generation mobile devices. In line with the latest eUFS 3.0 specification, the new Samsung memory delivers twice the speed of the previous eUFS storage (eUFS 2.1), allowing mobile memory to support seamless user experiences in future smartphones with ultra-large high-resolution screens.
“Beginning mass production of our eUFS 3.0 lineup gives us a great advantage in the next-generation mobile market to which we are bringing a memory read speed that was before only available on ultra-slim laptops,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “As we expand our eUFS 3.0 offerings, including a 1-Terabyte (TB) version later this year, we expect to play a major role in accelerating momentum within the premium mobile market.”
Samsung produced the industry-first UFS interface with eUFS 2.0 in January, 2015, which was 1.4 times faster than the mobile memory standard at that time, referred to as the embedded multi-media card (eMMC) 5.1. In just four years, the company’s newest eUFS 3.0 matches the performance of today’s ultra-slim notebooks.
Samsung’s 512GB eUFS 3.0 stacks eight of the company’s fifth-generation 512-gigabit (Gb) V-NAND die and integrates a high-performance controller. At 2,100 megabytes-per-second (MB/s), the new eUFS doubles the sequential read rate of Samsung’s latest eUFS memory (eUFS 2.1) which was announced in January. The new solution’s blazing read speed is four times faster than that of a SATA solid state drive (SSDs) and 20 times faster than a typical microSD card, allowing premium smartphones to transfer a Full HD movie to a PC in about three seconds*. In addition, the sequential write speed also has been improved by 50 percent to 410MB/s, which is equivalent to that of a SATA SSD.
The new memory’s random read and write speeds provide up to a 36-percent increase over the current eUFS 2.1 industry specification, at 63,000 and 68,000 Input/Output Operations Per Second (IOPS), respectively. With the significant gains in random read and writes that are more than 630 times faster than general microSD cards (100 IOPS), a number of complex applications can be simultaneously run, while achieving enhanced responsiveness, especially on the newest generation of mobile devices.
Following the 512GB eUFS 3.0 as well as a 128GB version that are both launching this month, Samsung plans to produce 1TB and 256GB models in the second half of the year, to further help global device manufacturers in better delivering tomorrow’s mobile innovations.

* The calculation is based on transferring a 3.7GB full HD movie file from a mobile device with the 512GB eUFS 3.0 to a PC with a non-volatile memory express (NVMe) interface SSD.
※ Reference: Comparison of Samsung’s internal memory performance