Samsung удваивает скорость работы современных накопителей в смартфонах

Техногигант начинает массовое производство первого в отрасли накопителя eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб. Построенная на базе фирменной технологии V-NAND 5-го поколения новая память отвечает самым последним требованиям отраслевых спецификаций Universal Flash Storage и обеспечивает скорость работы, в 20 раз превосходящую скорость обычных карт microSD

Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, объявил о начале массового производства первого в отрасли встраиваемого накопителя Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 ёмкостью 512 ГБ для мобильных устройств нового поколения. В соответствии с требованиями спецификаций eUFS 3.0, представленное решение обеспечивает вдвое более высокую скорость работы по сравнению с предыдущими eUFS накопителями (eUFS 2.1). Новинка будет применяться в будущих смартфонах с ультраширокими экранами с высоким разрешением.
«Начало массового производства накопителей линейки eUFS 3.0 обеспечивает Samsung огромное преимущество на рынке мобильных устройств нового поколения, где мы представляем память со скоростью чтения, которая раньше была достижима только в ультратонких ноутбуках, – говорит Чол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу технологий памяти в Samsung Electronics. – По мере расширения линейки eUFS 3.0, а также с выпуском версии ёмкостью 1ТБ в этом году динамика на рынке премиальных мобильных устройств будет возрастать».
Samsung начал производство первого в отрасли UFS интерфейса в январе 2015 года, выпустив накопитель eUFS 2.0, который обеспечивал в 1,4 раза более высокую скорость работы по сравнению со стандартной на тот момент памятью eMMC 5.1 (embedded multi-media card). Спустя всего 4 года новейшая память Samsung eUFS 3.0 по своей производительности не уступает памяти в современных ультратонких ноутбуках.
В накопителе Samsung eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб используется восемь 512-гигабитных кристаллов памяти Samsung V-NAND 5-го поколения и высокопроизводительный контроллер. Скорость последовательного чтения нового устройства составляет 2100 мегабайт в секунду, что вдвое превышает аналогичный показатель в новейшей uEFS памяти (eUFS 2.1), которая была анонсирована в январе. Скорость чтения нового решения в 4 раза превосходит скорость чтения в твердотельных SATA накопителях и в 20 раз – обычных карт памяти microSD. Таким образом, перемещение целого фильма в Full HD качестве c премиального смартфона на компьютер займёт всего порядка 3-х секунд*. Кроме того, скорость последовательной записи также выросла, увеличившись на 50% до 410МБ/с, что сопоставимо со скоростью записи в твердотельных SATA накопителях.
Скорость произвольного чтения и записи новой памяти на 36% выше, чем в текущей спецификации eUFS 2.1, и составляет, соответственно, 63000 и 68000 операций ввода/вывода в секунду (IOPS). С учётом значительного прироста в скорости произвольного чтения и записи, которая более чем в 630 раз превосходит показатели обычных карт памяти microSD (100 IOPS), новая память позволяет одновременно запускать сразу несколько сложных приложений, обеспечивая улучшенную отзывчивость пользовательского интерфейса, особенно в новейшем поколении мобильных устройств.
После старта производства накопителей eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб и версии ёмкостью 128Гб, которые будут запущены уже в этом месяце, Samsung намерен запустить производство моделей ёмкостью 1Тб и 256Гб во 2-й половине этого года, чтобы помочь глобальным производителям устройств реализовывать мобильные инновации будущего.

*Расчёты приведены для передачи фильма в формате Full HD размером 3,7Гб с мобильного устройства, оснащённого накопителем eUFS 3.0 ёмкостью 512ГБ, на компьютер с твердотельным NVMe-накопителем.  
** Для справки: сравнение производительности встраиваемой памяти Samsung

Samsung Electronics Doubling Current Smartphone Storage Speed as it Begins Mass Production of First 512GB eUFS 3.0

Based on the company’s fifth-generation V-NAND, the new memory meets the newest Universal Flash Storage industry specifications at a speed 20x faster than a typical microSD card

Samsung plans to launch a 1-Terabyte version within the second half of the year

Samsung Electronics the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first 512-gigabyte (GB) embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 for next-generation mobile devices. In line with the latest eUFS 3.0 specification, the new Samsung memory delivers twice the speed of the previous eUFS storage (eUFS 2.1), allowing mobile memory to support seamless user experiences in future smartphones with ultra-large high-resolution screens.
“Beginning mass production of our eUFS 3.0 lineup gives us a great advantage in the next-generation mobile market to which we are bringing a memory read speed that was before only available on ultra-slim laptops,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “As we expand our eUFS 3.0 offerings, including a 1-Terabyte (TB) version later this year, we expect to play a major role in accelerating momentum within the premium mobile market.”
Samsung produced the industry-first UFS interface with eUFS 2.0 in January, 2015, which was 1.4 times faster than the mobile memory standard at that time, referred to as the embedded multi-media card (eMMC) 5.1. In just four years, the company’s newest eUFS 3.0 matches the performance of today’s ultra-slim notebooks.
Samsung’s 512GB eUFS 3.0 stacks eight of the company’s fifth-generation 512-gigabit (Gb) V-NAND die and integrates a high-performance controller. At 2,100 megabytes-per-second (MB/s), the new eUFS doubles the sequential read rate of Samsung’s latest eUFS memory (eUFS 2.1) which was announced in January. The new solution’s blazing read speed is four times faster than that of a SATA solid state drive (SSDs) and 20 times faster than a typical microSD card, allowing premium smartphones to transfer a Full HD movie to a PC in about three seconds*. In addition, the sequential write speed also has been improved by 50 percent to 410MB/s, which is equivalent to that of a SATA SSD.
The new memory’s random read and write speeds provide up to a 36-percent increase over the current eUFS 2.1 industry specification, at 63,000 and 68,000 Input/Output Operations Per Second (IOPS), respectively. With the significant gains in random read and writes that are more than 630 times faster than general microSD cards (100 IOPS), a number of complex applications can be simultaneously run, while achieving enhanced responsiveness, especially on the newest generation of mobile devices.
Following the 512GB eUFS 3.0 as well as a 128GB version that are both launching this month, Samsung plans to produce 1TB and 256GB models in the second half of the year, to further help global device manufacturers in better delivering tomorrow’s mobile innovations.

* The calculation is based on transferring a 3.7GB full HD movie file from a mobile device with the 512GB eUFS 3.0 to a PC with a non-volatile memory express (NVMe) interface SSD.
※ Reference: Comparison of Samsung’s internal memory performance

Samsung представил новые SSD-накопители 860 QVO

Samsung Electronics представляет новые твердотельные накопители линейки QVO. Модельный ряд состоит из 3-х вариантов разного объёма: 1, 2 и 4Тб с кэш-памятью LPDDR4 объемом 1, 2 и 4Гб соответственно. Для моделей заявлен ресурс в 360, 720 и 1440 TBW (количество записанных терабайт данных).
В новинках используется фирменный контроллер Samsung MJX и флэш-память QLC V-NAND, которая хранит по 4 бита в каждой ячейке. Скорость чтения составляет до 550 МБ/сек, записи — до 520 МБ/сек, что почти «упирается» в верхний предел пропускной способности SATA 3. Показатели скорости случайного чтения/записи составляют 97000/89000 IOPS.
Все модели имеют 3-летнюю гарантию производителя. Старт продаж накопителей ожидается 16 декабря. Модель на 1 ТБ оценивается в 150 долларов США (чуть более 10 тысяч рублей), что является рекордно низакой ценой для такого вида продукции ведущего производителя флэш-памяти.
Новая серия SSD QVO рассчитана на потребителей с ограниченным бюджетом, желающим перейти на качественно новый уровень путём замены морально устаревших HDD на современные SSD.

Samsung Electronics Brings Multi-terabyte Storage Capacities at Accessible Price with 860 QVO SSD

860 QVO SSD combines high capacity with fast performance and trusted reliability to reach a broader consumer market

Samsung Electronics, today unveiled its new consumer solid state drive (SSD) lineup — the Samsung 860 QVO SSD — featuring up to four terabytes (TB) of storage capacity with exceptional speed and reliability. Built on the company’s high-density 4-bit multi-level cell (MLC) NAND flash architecture, the 860 QVO makes terabyte capacities more accessible to the masses at approachable price points.
“Today’s consumers are using, producing and storing more high-resolution files than ever, including 4K videos and graphics-intensive games, escalating demand for greater capacities and performance in storage devices,” said Dr. Mike Mang, vice president of Brand Product Marketing, Memory Business at Samsung Electronics. “Samsung continues to lead the move toward multi-terabyte SSDs with the introduction of the Samsung 860 QVO, delivering fast performance, reliability and value to more consumers around the world.”
Mainstream PC users handling large multi-media content often need to upgrade their PC’s storage to improve everyday computing experience. Based on the commonly used SATA interface and 2.5-inch form factor, the 860 QVO fits perfectly in most standard laptops or desktops. Also, by offering both high capacity and performance in a single, affordable drive, the 860 QVO eliminates the need to use a combination of an SSD and an HDD for booting and storage.
Featuring sequential read and write speeds of up to 550 megabytes per second (MB/s) and 520 MB/s, respectively1, the 860 QVO achieves the same level of performance as today’s 3-bit MLC SSD, thanks to Samsung’s latest 4-bit V-NAND and the proven MJX controller. The drive is also integrated with Intelligent TurboWrite technology2, which helps to accelerate speeds while maintaining high performance for longer periods of time.
For optimal reliability, Samsung provides a total byte written based on a thorough analysis of consumers’ SSD usage patterns: a three-year limited warranty3 or up to 1,440 terabytes written (TBW) for the 4TB version, and 720 TBW and 360 TBW for the 2TB and 1TB versions, respectively.
The 860 QVO will be available globally from December 2018, with a manufacturer’s suggested retail price (MSRP) starting at $149.99 for the 1TB model. For more information, please visit samsung.com/ssd or samsungssd.com.

1 Performances may vary depending on SSD’s firmware version and system hardware & configuration. The sequential write performances were measured with Intelligent TurboWrite technology being activated. The sequential write performances may not be sustained for the portion of data exceeding over Intelligent TurboWrite buffer size. Sequential performance measurements are based on CrystalDiskMark v. 5.0.2. Random performances are measured with Intelligent TurboWrite technology being activated. Random performances may not be sustained for the portion of data exceeding over Intelligent TurboWrite buffer size. Random performance measurements are based on IOmeter1.1.0.
* Test system configuration: Intel® Core i7-4790k CPU@4GHz, DDR3 1600MHz 8GB, OS-Windows 7 Ultimate 64bit, Chipset-ASUS-Z97-PRO
2 The Intelligent TurboWrite technology adjusts the buffer size to optimal levels within the usable disk space; up to 42GB for 1TB model and up to 78GB for 2TB and 4TB models. For more information on TurboWrite, please visit www.samsungssd.com.
3 3 years or TBW, whichever comes first. For more information on warranty, please find the enclosed warranty statement in the package
4 1GB=1,000,000,000 bytes by IDEMA. A certain portion of capacity may be used for system file and maintenance use, so the actual capacity may differ from what is indicated on the product label.
5 Samsung Electronics shall not be liable for any loss, including but not limited to loss of data or other information contained on Samsung Electronics product or loss of profit or revenue which may be incurred by user. For more information on the warranty, please visit http://samsung.com/ssd.

Samsung приступил к массовому производству чипов памяти eUFC 2.1 для автомобилей

В сегодняшнем официальном пресс-релизе корпорация Samsung Electronics сообщила о запуске в серию встраиваемых модулей флэш-памяти объёмом 256Гб, предназначенных для автомобильной индустрии. модули соответствуют требованиям спецификации eUFS (embedded Universal Flash Storage) 2.1.
Южнокорейский вендор отмечает, что этот продукт стал первым в отрасли, обеспечивающем возможности, стандартизованные в UFS 3.0.
С учётом области применения модули рассчитаны на работу в диапазоне температур от -40°С до +105°С. Наличие встроенного датчика температуры позволяет уведомлять процессор о превышении допустимого предела. Эти данные процессор может использовать для снижения тактовой частоты с целью понижения температуры до приемлемого уровня.
Скорость последовательного чтения достигает 850МБ/с, а максимальная производительность на операциях чтения с произвольным доступом заявлена равной 45.000 IOPS.

Samsung Begins Mass Production of 256GB Embedded Universal Flash Storage for Automotive Applications

The new 256GB eUFS 2.1 for automotives is the industry’s first storage device to incorporate advanced features of the UFS 3.0 standard for automotive applications. 
Enhanced warranty for extended temperature range offers optimum solution for next-generation automotive systems.

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass production of a 256-gigabyte (GB) embedded Universal Flash Storage (eUFS) solution with advanced features based on automotive specifications from the JEDEC UFS 3.0 standard, for the first time in the industry.
Following the memory breakthrough of the automotive industry’s first 128GB eUFS in September, 2017, Samsung’s 256GB eUFS is now being shipped to automotive manufacturers preparing the market for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), next-generation infotainment systems and new-age dashboards in luxury vehicles.
As thermal management is crucial for automotive memory applications, Samsung’s 256GB eUFS extends the temperature range to between -40°C and +105°C for both operational and power-saving modes. Warranties for conventional embedded multimedia card (eMMC) 5.1 solutions generally cover -25°C to +85°C for vehicles in operation and -40°C to +85°C when in idle or power-saving mode,
“With the new temperature threshold for automobile warranties, major automotive manufacturers can now design-in memory that’s even well suited for extreme environments and know they will be getting highly reliable performance,” said Kyoung Hwan Han, vice president of NAND marketing at Samsung Electronics. “Starting with high-end vehicles, we expect to expand our business portfolio across the entire automotive market, while accelerating growth in the premium memory segment.”
Samsung’s 256GB eUFS not only can easily endure the new temperature specification, despite the heat-sensitive nature of memory storage, but also through its temperature notification feature, a sensor will notify the host application processor (AP) when the device temperature exceeds 105°C or any pre-set level. The AP would then regulate its clock speed to lower the temperature to an acceptable level.
Sequential reads for the 256GB eUFS can reach 850 megabytes per second (MB/s), which is at the high end of the current JEDEC UFS 2.1 standard, and random read operations come in at 45,000 IOPS. In addition, a data refresh feature speeds up processing and enables greater system reliability by relocating older data to other less-used cells.
The temperature notification, developed by Samsung, and data refresh features are included in UFS specification, version 3.0, which was announced last month by JEDEC, a global semiconductor standards organization.
Samsung plans to bolster its technology partnerships with global automakers and component providers, and continue expanding its eUFS line-up with an aim to lead the premium memory market.