23 февраля 2018 года корпорация Samsung Electronics объявила о начале строительства в г. Хвасон (Южная Корея) новой линии про выпуску полупроводниковых изделий с использованием литографии в жёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
В официальном пресс-релизе говорится, что эти производственные мощности позволят техногиганту упрочить лидерство в технологических процессах с нормами, измеряемыми единицами нанометров.
Иными словами, в Samsung будут использовать EUV, начиная с 7-нанометрового техпроцесса, оптимизированного по критерию энергопотребления микросхем (Low Power Plus или LPP).
Согласно планам вендора, строительство завершится во второй половине 2019 года, а в 2020-м году начнётся освоение производства. Первоначальные инвестиции в предприятие на период до 2020 года составят порядка 6 миллиардов долларов США. В случае увеличения спроса на такую продукцию сумма инвестиций может быть увеличена.
Что такое EUV?
В полупроводниковой промышленности EUV относится к экстремальной ультрафиолетовой литографии, технологии, которая, как ожидается, приведёт к радикальному продвижению на один из важнейших этапов производства полупроводников, фотолитографии.
При изготовлении полупроводниковых чипов круглые диски на основе кремния, называемые «вафли», покрываются светочувствительным веществом и поступают в систему под названием «сканер». Внутри сканера лазерный источник света наносит специальный профиль на пластины для создания паттернов схемы, которые позже используются для формирования миллиардов ультратонких, микроскопически малых структур внутри полупроводникового микрочипа. Этот процесс, описанный очень кратко, известен как фотолитография.
Благодаря применению технологии EUV теперь появилась возможность осуществлять этап фотолитографии, используя источник света с «ультрафиолетовой» длиной волны. В высококонкурентном мире производства микросхем производителям необходимо реализовывать всё более тонкие схемы, поскольку это позволяет интегрировать большее количество компонентов внутри чипа и, следовательно, создавать более мощный и энергоэффективный чип.
Использование источника света EUV позволит формировать более тонкие и плотные шаблоны, чем в предыдущих поколениях, благодаря более короткой длине волны. Следующие поколения сканеров EUV, в частности, будут использовать излучение EUV на длине волны 13,5 нанометров, менее 1/10 из того, что могут обеспечить современные эксимерные лазерные сканеры ArF.
Где будут использованы преимущества EUV?
Сегодня полупроводниковые чипы используются практически во всех электронных устройствах. Технология EUV будет применяться для производства самых передовых полупроводников для мобильных устройств, серверов, сетевого оборудования и суперкомпьютеров.
Samsung Electronics Breaks Ground on New EUV Line in Hwaseong
Construction will be completed in the second half of 2019 and ready for production in 2020 Samsung aims to maintain its leadership in cutting-edge process technology under 7nm
Samsung Electronics, a world leader in advanced semiconductor technology, today announced that it broke ground on a new EUV (extreme ultraviolet) line in Hwaseong, Korea, aiming to maintain its leadership in state-of-the-art semiconductor technology.
With this new EUV line, Samsung will be able to strengthen its leadership in single nanometer process technology by responding to market demand from various applications, including mobile, server, network, and HPC (high performance computing), for which high performance and power efficiency are critical.
The new facility is expected to be completed within the second half of 2019 and start production ramp-up in 2020. The initial investment in the new EUV line is projected to reach USD 6 billion by 2020 and additional investment will be determined depending on market circumstances.
“With the addition of the new EUV line, Hwaseong will become the center of the company’s semiconductor cluster spanning Giheung, Hwaseong and Pyeongtaek in Korea,” said Kinam Kim, President & CEO of Device Solutions at Samsung Electronics. “The line will play a pivotal role as Samsung seeks to maintain a competitive edge as an industry leader in the coming age of the Fourth Industrial Revolution.”
Samsung has decided to utilize cutting-edge EUV technology starting with its 7-nanometer (nm) LPP (Low Power Plus) process. This new line will be set up with EUV lithography equipment to overcome nano-level technology limitations. Samsung has continued to invest in EUV R&D to support its global customers for developing next-generation chips based on this leading-edge technology.
A Look at EUV: The Core Technology Behind Next Generation Chips
Strategically investing to maintain its long-standing leadership in advanced semiconductor technology, Samsung Electronics today broke ground on a new extreme ultraviolet (EUV) technology line in Hwaseong, Korea. The new line, with initial investment expected to reach USD 6 billion by 2020, will focus on cutting-edge EUV technology considered core to the next generation single nanometer semiconductor era.
Here, we explore exactly what EUV is and why it is so integral to developing next-generation chips.
What is EUV?
In the semiconductor industry, EUV refers to extreme ultraviolet lithography, a technology that is expected to bring a radical progress to one of the most important steps in semiconductor manufacturing, photolithography.
When producing semiconductor chips, silicon-based round disks, called “wafers” are coated with a light-sensitive substance and enter a system called a “scanner.” Inside the scanner, a laser light source is cast onto the wafers to create patterns of circuitries, which later are used for forming billions of ultrafine, microscopically small structures, inside a semiconductor chip. This process, while described very concisely, is known as photolithography.
With EUV technology, a EUV system, or EUV scanner, will now be able to perform the photolithography step by utilizing a light source with an “extreme ultraviolet” wavelength. In the world of chip manufacturing, realizing finer circuits is a must, as it enables integration of a greater number of components inside a chip and therefore building faster and more energy efficient chip.
The utilization of an EUV light source will allow for defining finer and denser patterns than previous methods because of its shorter wavelength, which is essential since light isn’t able to directly define features smaller than its own wavelength. Upcoming EUV scanners will, specifically, utilize EUV radiation at a 13.5-nanometer wavelength, less than 1/10th of what current ArF excimer laser scanners are able to provide.
How will EUV be implemented?
Today, semiconductor chips are being used in almost every electronic device imaginable, and EUV technology will be utilized to produce the most advanced semiconductors for mobile, server, network and supercomputing applications.
For its part, Samsung plans to utilize EUV starting with its 7-nanometer LPP (Low Power Plus) process, a cutting-edge technology that the company expects to apply by the second half of 2018. Samsung’s new fabrication line in Hwaseong, which will be ready for production in 2020, will also be set up with EUV technology to provide leading-edge semiconductor products to global market.
Комментариев нет:
Отправить комментарий