Показаны сообщения с ярлыком 7nm LPP. Показать все сообщения
Показаны сообщения с ярлыком 7nm LPP. Показать все сообщения

воскресенье, 25 февраля 2018 г.

Состоялась официальная церемония закладки нового завода Samsung по выпуску чипов с использованием технологии EUV





23 февраля 2018 года корпорация Samsung Electronics объявила о начале строительства в г. Хвасон (Южная Корея) новой линии про выпуску полупроводниковых изделий с использованием литографии в жёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
В официальном пресс-релизе говорится, что эти производственные мощности позволят техногиганту упрочить лидерство в технологических процессах с нормами, измеряемыми единицами нанометров.
Иными словами, в Samsung будут использовать EUV, начиная с 7-нанометрового техпроцесса, оптимизированного по критерию энергопотребления микросхем (Low Power Plus или LPP).
Согласно планам вендора, строительство завершится во второй половине 2019 года, а в 2020-м году начнётся освоение производства. Первоначальные инвестиции в предприятие на период до 2020 года составят порядка 6 миллиардов долларов США. В случае увеличения спроса на такую продукцию сумма инвестиций может быть увеличена.

Что такое EUV?

В полупроводниковой промышленности EUV относится к экстремальной ультрафиолетовой литографии, технологии, которая, как ожидается, приведёт к радикальному продвижению на один из важнейших этапов производства полупроводников, фотолитографии.
При изготовлении полупроводниковых чипов круглые диски на основе кремния, называемые «вафли», покрываются светочувствительным веществом и поступают в систему под названием «сканер». Внутри сканера лазерный источник света наносит специальный профиль на пластины для создания паттернов схемы, которые позже используются для формирования миллиардов ультратонких, микроскопически малых структур внутри полупроводникового микрочипа. Этот процесс, описанный очень кратко, известен как фотолитография.
Благодаря применению технологии EUV теперь появилась возможность осуществлять этап фотолитографии, используя источник света с «ультрафиолетовой» длиной волны. В высококонкурентном мире производства микросхем производителям необходимо реализовывать всё более тонкие схемы, поскольку это позволяет интегрировать большее количество компонентов внутри чипа и, следовательно, создавать более мощный и энергоэффективный чип.
Использование источника света EUV позволит формировать более тонкие и плотные шаблоны, чем в предыдущих поколениях, благодаря более короткой длине волны. Следующие поколения сканеров EUV, в частности, будут использовать излучение EUV на длине волны 13,5 нанометров, менее 1/10 из того, что могут обеспечить современные эксимерные лазерные сканеры ArF.

Где будут использованы преимущества EUV?

Сегодня полупроводниковые чипы используются практически во всех электронных устройствах. Технология EUV будет применяться для производства самых передовых полупроводников для мобильных устройств, серверов, сетевого оборудования и суперкомпьютеров.

Samsung Electronics Breaks Ground on New EUV Line in Hwaseong

Construction will be completed in the second half of 2019 and ready for production in 2020 Samsung aims to maintain its leadership in cutting-edge process technology under 7nm

Samsung Electronics, a world leader in advanced semiconductor technology, today announced that it broke ground on a new EUV (extreme ultraviolet) line in Hwaseong, Korea, aiming to maintain its leadership in state-of-the-art semiconductor technology.
With this new EUV line, Samsung will be able to strengthen its leadership in single nanometer process technology by responding to market demand from various applications, including mobile, server, network, and HPC (high performance computing), for which high performance and power efficiency are critical.
The new facility is expected to be completed within the second half of 2019 and start production ramp-up in 2020. The initial investment in the new EUV line is projected to reach USD 6 billion by 2020 and additional investment will be determined depending on market circumstances.
“With the addition of the new EUV line, Hwaseong will become the center of the company’s semiconductor cluster spanning Giheung, Hwaseong and Pyeongtaek in Korea,” said Kinam Kim, President & CEO of Device Solutions at Samsung Electronics. “The line will play a pivotal role as Samsung seeks to maintain a competitive edge as an industry leader in the coming age of the Fourth Industrial Revolution.”
Samsung has decided to utilize cutting-edge EUV technology starting with its 7-nanometer (nm) LPP (Low Power Plus) process. This new line will be set up with EUV lithography equipment to overcome nano-level technology limitations. Samsung has continued to invest in EUV R&D to support its global customers for developing next-generation chips based on this leading-edge technology.

A Look at EUV: The Core Technology Behind Next Generation Chips

Strategically investing to maintain its long-standing leadership in advanced semiconductor technology, Samsung Electronics today broke ground on a new extreme ultraviolet (EUV) technology line in Hwaseong, Korea. The new line, with initial investment expected to reach USD 6 billion by 2020, will focus on cutting-edge EUV technology considered core to the next generation single nanometer semiconductor era.
Here, we explore exactly what EUV is and why it is so integral to developing next-generation chips.

What is EUV?

In the semiconductor industry, EUV refers to extreme ultraviolet lithography, a technology that is expected to bring a radical progress to one of the most important steps in semiconductor manufacturing, photolithography.
When producing semiconductor chips, silicon-based round disks, called “wafers” are coated with a light-sensitive substance and enter a system called a “scanner.” Inside the scanner, a laser light source is cast onto the wafers to create patterns of circuitries, which later are used for forming billions of ultrafine, microscopically small structures, inside a semiconductor chip. This process, while described very concisely, is known as photolithography.
With EUV technology, a EUV system, or EUV scanner, will now be able to perform the photolithography step by utilizing a light source with an “extreme ultraviolet” wavelength. In the world of chip manufacturing, realizing finer circuits is a must, as it enables integration of a greater number of components inside a chip and therefore building faster and more energy efficient chip.
The utilization of an EUV light source will allow for defining finer and denser patterns than previous methods because of its shorter wavelength, which is essential since light isn’t able to directly define features smaller than its own wavelength. Upcoming EUV scanners will, specifically, utilize EUV radiation at a 13.5-nanometer wavelength, less than 1/10th of what current ArF excimer laser scanners are able to provide.

How will EUV be implemented?

Today, semiconductor chips are being used in almost every electronic device imaginable, and EUV technology will be utilized to produce the most advanced semiconductors for mobile, server, network and supercomputing applications.
For its part, Samsung plans to utilize EUV starting with its 7-nanometer LPP (Low Power Plus) process, a cutting-edge technology that the company expects to apply by the second half of 2018. Samsung’s new fabrication line in Hwaseong, which will be ready for production in 2020, will also be set up with EUV technology to provide leading-edge semiconductor products to global market.

понедельник, 11 сентября 2017 г.

В 2018 году Samsung сделает ставку на 7-нм и 11-нм чипсеты




Южнокорейский техногигант Samsung огласил свои планы по производству чипсетов для смартфонов в 2018-м году. Как следует из доклада, наиболее массовым останется сегмент платформ на базе технологии Low Power Plus (LPP). По этой технологии сейчас производятся чипсеты с 14-нм техпроцессом, но в следующем году корпорация перейдёт на несколько уменьшенный вариант того же типа — 11-нм. По такой технологии будут производиться платформы для смартфонов от среднего уровня и выше. Уменьшение должно дать 15% экономию энергии и 10% сокращение площади чипа. Ожидается, что серийные образцы новых платформ будут доступны в первой половине 2018 года.
Кроме того, корпорация ведёт разработку абсолютно новой архитектуры 7-нм LPP, созданной с применением литографии Extrem Ultra Violet (EUV) - смартфоны и прочие устройства на базе этого процессора должны появиться во 2-й половине следующего года, сообщается в официальном пресс-релизе. С учётом того, что Samsung периодически изготавливает процессоры для Apple, похоже, что именно такой может появиться в iPhone 9.
Таким образом, Samsung удалось пройти путь архитектуры от 14 до 7 нм, и полностью подтвердить закон Мура, согласно которому количество транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, удваивается каждые 2 года.
Samsung представит более подробную информацию о своих достижениях в этой области на конференции Samsung Foundry Forum Japan 15 сентября в Токио.

Samsung Strengthens Advanced Foundry Portfolio with New 11nm LPP and 7nm LPP with EUV Technology

Samsung also confirms development of 7nm LPP with EUV is on schedule

Samsung Electronics, the world leader in advanced semiconductor technology, today announced it has added 11-nanometer (nm) FinFET process technology (11LPP, Low Power Plus) to its advanced foundry process portfolio, offering customers with an even wider range of options for their next-generation products.
Through further scaling from the earlier 14LPP process, 11LPP delivers up to 15 percent higher performance and up to 10 percent chip area reduction with the same power consumption.
In addition to the 10nm FinFET process for mobile processors in premium flagship smartphones, the company expects its 11nm process to bring differentiated value to mid- to high-end smartphones.
The new process technology is scheduled to be ready for production in the first half of 2018.
Samsung also confirmed that development of 7LPP with EUV (extreme ultra violet) lithography technology is on schedule, targeting its initial production in the second half of 2018.
Since 2014, Samsung has processed close to 200,000 wafers with EUV lithography technology and, building on its experience, has recently seen visible results in process development such as achieving  80 percent yield for 256 megabit (Mb) SRAM (static random-access memory).
“Samsung has added the 11nm process to our roadmap to offer advanced options for various applications,” said Ryan Lee, Vice President and Head of Foundry Marketing at Samsung Electronics. “Through this, Samsung has completed a comprehensive process roadmap spanning from 14nm to 11nm, 10nm, 8nm, and 7nm in the next three years.”
Details of the recent update to Samsung’s foundry roadmap, including 11LPP availability and 7nm EUV development, will be elaborated at the Samsung Foundry Forum Japan on September 15, 2017, in Tokyo. The Samsung Foundry Forum was held in the United States and South Korea earlier this year, sharing Samsung’s cutting-edge process technologies with global customers and partners.