Samsung представляет 3D-память SSD V-NAND 6-го поколения

Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, объявиляет о начале массового производства твердотельных накопителей SATA ёмкостью 250Гб на базе 256-гигабитных V-NAND модулей 6-го поколения из более чем 100 слоёв трёхбитных ячеек, которые будут поставляться глобальным производителям ПК. На создание нового поколения V-NAND Samsung потребовалось всего 13 месяцев – таким образом, корпорация сократила производственный цикл на 4 месяца, при этом выпустив самые производительные, энергоэффективные и более простые в производстве модули.
V-NAND модули Samsung 6-го поколения отличаются самой высокой в отрасли скоростью передачи данных, демонстрируя производственное преимущество вендора, которое выводит 3D-память на новый уровень.
Благодаря уникальной фирменной технологии травления каналов новые V-NAND кристаллы получили примерно на 40% больше ячеек, чем одноблочные 9x-модули памяти предыдущего поколения. Это достигается путём формирования электропроводящей 136-слойной структуры, с последующим вертикальным прокалыванием цилиндрических отверстий сверху вниз, в результате чего образуются однородные трёхмерные ячейки с технологией ловушки снаряда (charge trap flash, CTF).
По мере увеличения высоты матрицы в каждой ячейке флэш-чипы NAND становятся более подвержены ошибкам и задержкам чтения. Для преодоления этого ограничения Samsung внедрил оптимизированную по скорости конструкцию схемы, которая позволяет достигать максимальной скорости передачи данных: менее 450 микросекунд (мкс) для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения. По сравнению с предыдущим поколением новая конструкция обеспечивает повышение производительности более чем на 10% и снижение энергопотребления более чем на 15%.
Благодаря оптимизированному дизайну, решения V-NAND следующего поколения смогут получить более 300 слоёв, сочетая 3 ячейки 6-го поколения без ущерба для производительности или надёжности чипа.
Кроме того, для создания чипа плотностью 256Гб нового поколения необходимо всего 670 миллионов сквозных каналов, по сравнению с 930 миллионами в решениях предыдущего поколения. Это позволило уменьшить размер чипов и сократить число этапов производства, повысив эффективность изготовления на 20%.
Используя функции с высокой скоростью и малой мощностью, Samsung намерен не только расширить возможности использования своих 3D V-NAND-решений в таких типах устройств, как мобильные гаджеты и корпоративные серверы, но и вывести их на автомобильный рынок, где высокая надёжность имеет ключевое значение.
«Внедряя передовые технологии 3D-памяти в модели массового производства, мы можем представить линейки памяти, которые обладают значительно большими скоростью и энергопотреблением, — отметил Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флэш-памяти и технологии Samsung Electronics. — Благодаря сокращению цикла разработки продуктов V-NAND следующего поколения мы планируем активно расширять рынок наших высокоскоростных и высокопроизводительных решений на базе 512-гигабитных V-NAND».
В планы Samsung, после выпуска 250-гигабайтных SSD, входит запуск на рынок 512-гигабитных трёхбитных V-NAND SSD и eUFS во 2-м полугодии. Корпорация также намерена расширить производство мощных высокоскоростных V-NAND-решений 6-го поколения на заводе в Пхёнтэке (Южная Корея), начиная со следующего года.

Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-Generation V-NAND SSDs for Client Computing

New V-NAND breaks through current cell stacking limitation in 3D NAND with the industry's first 100+ layer single-tier design for superior speed and power efficiency. Starting with a 250GB SATA SSD now in production, Samsung plans to offer high-speed, high-capacity SSDs and eUFS solutions based on its sixth-generation V-NAND.

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing 250-gigabyte (GB) SATA solid state drive (SSD) that integrates the company’s sixth-generation (1xx-layer) 256-gigabit (Gb) three-bit V-NAND for global PC OEMs. By launching a new generation of V-NAND in just 13 months, Samsung has reduced the mass production cycle by four months while securing the industry’s highest performance, power efficiency and manufacturing productivity.
“By bringing cutting-edge 3D memory technology to volume production, we are able to introduce timely memory lineups that significantly raise the bar for speed and power efficiency,” said Kye Hyun Kyung, executive vice president of Solution Product & Development at Samsung Electronics. “With faster development cycles for next-generation V-NAND products, we plan to rapidly expand the markets for our high-speed, high-capacity 512Gb V-NAND-based solutions.”

The Only Single-stack 3D Memory Die With a 100+ Layer Design

Samsung’s sixth-generation V-NAND features the industry’s fastest data transfer rate, capitalizing on the company’s distinct manufacturing edge that is taking 3D memory to new heights.
Utilizing Samsung’s unique ‘channel hole etching’ technology, the new V-NAND adds around 40-percent more cells to the previous 9x-layer single-stack structure. This is achieved by building an electrically conductive mold stack comprised of 136 layers, then vertically piercing cylindrical holes from top to bottom, creating uniform 3D charge trap flash (CTF) cells.
As the mold stack in each cell area increases in height, NAND flash chips tend to become more vulnerable to errors and read latencies. To overcome such limitations, Samsung has incorporated a speed-optimized circuit design that allows it to achieve the fastest data transfer speed, at below 450 microseconds (μs) for write operations and below 45μs for reads. Compared to the previous generation, this represents a more than 10-percent improvement in performance, while power consumption is reduced by more than 15 percent.
Thanks to this speed-optimized design, Samsung will be able to offer next-generation V-NAND solutions with over 300 layers simply by mounting three of the current stacks, without compromising chip performance or reliability.
In addition, the number of channel holes required to create a 256Gb chip density has decreased to 670 million holes from over 930 million with the previous generation, enabling reduced chip sizes and less process steps. This brings a more than 20-percent improvement in manufacturing productivity.
Leveraging the high-speed and low-power features, Samsung plans to not only broaden the reach of its 3D V-NAND into areas like next-generation mobile devices and enterprise servers, but also into the automotive market where high reliability is extremely critical.
Following today’s introduction of the 250GB SSD, Samsung plans to offer 512Gb three-bit V-NAND SSD and eUFS in the second half of this year. The company also expects to expand production of higher-speed and greater-capacity sixth-generation V-NAND solutions at its Pyeongtaek (South Korea) campus starting next year to better meet demand from global customers.