Samsung представил 32-гигабайтные модули памяти DDR4 SoDIMM

Samsung Electronics, мировой лидер в области производства модулей памяти, объявил о начале первого в индустрии массового производства 32-гигабайтных (ГБ) модулей оперативной памяти DDR4 для игровых ноутбуков, в форм-факторе двухсторонних SODIMM. Новые SODIMM-модули, основанные на технологии 10-нанометрового (10-нм) класса*, позволят геймерам, используя ноутбуки, наслаждаться играми с качеством, близким к настольному ПК.
Используя новые модули памяти, производители смогут разработать более производительные игровые ноутбуки с батареей повышенной ёмкости и увеличенным объёмом памяти при сохранении существующих размеров. Как отметил старший вице-президент по маркетингу систем памяти компании Samsung Electronics, Севон Чон, 32GB DDR4 DRAM модули памяти Samsung обеспечат более полное погружение в игровой процесс на ноутбуках: «Мы продолжим наполнять наши новые портфолио DRAM-модулей памяти более быстрыми и ёмкими образцами для всех основных сегментов рынка, включая премиальные ноутбуки и настольные ПК».
По сравнению с 16ГБ SODIMM модулями памяти на основе 8-гигабитных (Гб) DDR4 микросхем с 20-нм технологией 2014 года, новый 32ГБ модуль обладает удвоенной ёмкостью, он на 11% быстрее и потребляет на 39% меньше энергии в активном режиме. С 16-ю новейшими 16-гигабитными (Гб) чипами (по 8 чипов на каждой стороне модуля) 32ГБ SODIMM модуль позволяет увеличить частоту передачи данных до 2666 мегабит в секунду (Mбит/c). Ноутбук с 64 ГБ ОЗУ (два 32-ГБ DDR4 модуля) потребляет менее 4,6 Вт в активном режиме и менее 1,4 Вт в режиме ожидания. В этом режиме новые модули памяти на 25% энергоэффективнее существующих 16ГБ решений.
Samsung приступил к активному развитию новой линейки DRAM модулей памяти на основе технологии 10-нм класса (16Gb LPDDR4, 16Gb GDDR5 и 16Gb DDR4), которая откроет новую эру 16-гигабитных DRAM модулей памяти в мобильных устройствах, графических подсистемах, ПК и серверных сегментах, и продолжит это движение на другие рынки, включая суперкомпьютеры и автомобильную электронику.

*Примечание редактора: 10-нм класс – это технологический процесс с масштабом между 10 и 19 нанометрами.

Samsung Enables More Appealing Gaming Experience with Introduction of 10nm-Class 32GB DDR4 SoDIMMs

The new 32GB DDR4 SoDIMM doubles capacity and increases speed to 2,666Mbps with the reduction in power consumption of up to 39%

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has started mass producing the industry’s first 32-gigabyte (GB) double data rate 4 (DDR4) memory for gaming laptops in the widely used format of small outline dual in-line memory modules (SoDIMMs). The new SoDIMMs are based on 10-nanometer (nm)-class process technology that will allow users to enjoy enriched PC-grade computer games on the go, with significantly more capacity, higher speeds, and lower energy consumption.
Using the new memory solution, PC manufacturers can build faster top-of-the-line gaming-oriented laptops with longer battery life at capacities exceeding conventional mobile workstations, while maintaining existing PC configurations.
“Samsung’s 32GB DDR4 DRAM modules will deliver gaming experiences on laptops more powerful and immersive than ever before,” said Sewon Chun, senior vice president of memory marketing at Samsung Electronics. “We will continue to provide the most advanced DRAM portfolios with enhanced speed and capacity for all key market segments including premium laptops and desktops.”
Compared to Samsung’s 16GB SoDIMM based on 20nm-class 8-gigabit (Gb) DDR4, which was introduced in 2014, the new 32GB module doubles the capacity while being 11% faster and approximately 39% more energy efficient.
With a total of 16 of Samsung’s newest 16-gigabit (Gb) DDR4 DRAM chips (eight chips each mounted on the front and back), the 32GB SoDIMM allows gaming laptops to reach speeds up to 2,666 megabits-per-second (Mbps).
A 64GB laptop configured with two 32GB DDR4 modules consumes less than 4.6 watts (W) in active mode and less than 1.4W when idle. This reduces power usage by approximately 39% and over 25%, respectively, compared to today’s leading gaming-oriented laptops, which are equipped with 16GB modules.
Samsung has begun to aggressively expand its offering of the industry’s largest 10nm-class DRAM lineup (16Gb LPDDR4, 16Gb GDDR5, and 16Gb DDR4), which will usher in a new era of 16Gb DRAM in the mobile, graphics, PC and server segments, and subsequently in other markets such as supercomputers and automotive systems.

*Editor’s Note: 10nm-class is a process node between 10 and 19 nanometers

Samsung объявил о начале массового производства микросхем DDR4 DRAM плотностью 8Гбит по 10-нм технологии 2-го поколения

В официальном пресс-релизе Samsung Electronics сообщается о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм). Чипы предназначены для широкого круга вычислительных систем следующего поколения, включая серверы, системы высокопроизводительных вычислений, суперкомпьютеры, мобильные устройства, графические ускорители, и являются самыми высокопроизводительными и энергоэффективными микросхемами DRAM плотностью 8Гбит.
Согласно пресс-релизу, Samsung уже завершил процесс проверки совместимости модулей памяти на базе новых чипов с процессорами. Теперь такие устройства могут начать использоваться в составе компьютерных систем.
Если сравнивать новую память с микросхемами DDR4 той же плотности, изготавливаемыми Samsung по технологии 10-нанометрового класса 1-го поколения (1x нм), выигрыш в производительности достигает 10%, а по  энергоэффективности она лучше на 15%. Пропускная способность памяти составляет 3600 Мбит/с по одной линии, в то время как у 10-нанометровой памяти 1-го поколения она была равна 3200 Мбит/с. Производитель отмечает, что прирост обусловлен применением оригинальных схемотехнических решений, а повысить плотность компоновки элементов позволила фирменная разработка, при которой для уменьшения паразитных ёмкостей используются воздушные зазоры. Интересно, что переход ко 2-му поколению 10-нанометровой технологии выполнен без внедрения литографии EUV.
В пресс-релизе Samsung отмечается, что новации, освоенные в 10-нанометровой  DDR4 2-го поколения, позволят ускорить выпуск новой памяти DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.
По данным аналитиков DRAMeXchange, на фоне сохраняющегося дефицита оперативной памяти и ограниченного роста поставок чипов, стоимость различных видов DRAM-продукции в июле-сентябре 2017 года поднялась в среднем на 5% относительно предыдущей четверти. Это, а также традиционное оживление на рынке во второй половине года способствовали поквартальному росту продаж DRAM на 16,2%, до 19,18 миллиардов долларов США.

Samsung Now Mass Producing Industry’s First 2nd-generation, 10-Nanometer Class DRAM

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, announced today that it has begun mass producing the industry’s first 2nd-generation of 10-nanometer class* (1y-nm), 8-gigabit (Gb) DDR4 DRAM. For use in a wide range of next-generation computing systems, the new 8Gb DDR4 features the highest performance and energy efficiency for an 8Gb DRAM chip, as well as the smallest dimensions.
“By developing innovative technologies in DRAM circuit design and process, we have broken through what has been a major barrier for DRAM scalability,” said Gyoyoung Jin, president of Memory Business at Samsung Electronics. “Through a rapid ramp-up of the 2nd-generation 10nm-class DRAM, we will expand our overall 10nm-class DRAM production more aggressively, in order to accommodate strong market demand and continue to strengthen our business competitiveness.”
Samsung’s 2nd-generation 10nm-class 8Gb DDR4 features an approximate 30 percent productivity gain over the company’s 1st–generation 10nm-class 8Gb DDR4. In addition, the new 8Gb DDR4’s performance levels and energy efficiency have been improved about 10 and 15 percent respectively, thanks to the use of an advanced, proprietary circuit design technology. The new 8Gb DDR4 can operate at 3,600 megabits per second (Mbps) per pin, compared to 3,200 Mbps of the company’s 1x-nm 8Gb DDR4.
To enable these achievements, Samsung has applied new technologies, without the use of an EUV process. The innovation here includes use of a high-sensitivity cell data sensing system and a progressive “air spacer” scheme.
In the cells of Samsung’s 2nd-generation 10nm-class DRAM, a newly devised data sensing system enables a more accurate determination of the data stored in each cell, which leads to a significant increase in the level of circuit integration and manufacturing productivity.
The new 10nm-class DRAM also makes use of a unique air spacer that has been placed around its bit lines to dramatically decrease parasitic capacitance**. Use of the air spacer enables not only a higher level of scaling, but also rapid cell operation.
With these advancements, Samsung is now accelerating its plans for much faster introductions of next-generation DRAM chips and systems, including DDR5, HBM3, LPDDR5 and GDDR6, for use in enterprise servers, mobile devices, supercomputers, HPC systems and high-speed graphics cards.
Samsung has finished validating its 2nd-generation 10nm-class DDR4 modules with CPU manufacturers, and next plans to work closely with its global IT customers in the development of more efficient next-generation computing systems.
In addition, the world’s leading DRAM producer expects to not only rapidly increase the production volume of the 2nd-generation 10nm-class DRAM lineups, but also to manufacture more of its mainstream 1st-generation 10nm-class DRAM, which together will meet the growing demands for DRAM in premium electronic systems worldwide.

* Editors’ Note 1: 10nm-class denotes a process technology node somewhere between 10 and 19 nanometers. Samsung launched its first DRAM product based on a 10nm-class process in February, 2016.
** Editors’ Note 2: Parasitic capacitance is unwanted capacitance that exists between the parts of an electronic circuit or electronic part, because of their proximity to each other. When two electrical conductors at different voltages are too close together, they are adversely affected by each other’s electric field and store opposite electric charges such as those produced by a capacitor.