Samsung запустил в массовое производство модули памяти LPDDR5 DRAM объёмом 16 Гб

Samsung Electronics объявляет о запуске в массовое производство первого в отрасли 16-гигабайтного мобильного пакета LPDDR5 DRAM для смартфонов премиум-класса следующего поколения. Новая версия модуля получила расширенные функции 5G и AI и за счёт добавленной ёмкости память больше подходит для графически требовательного гейминга и «вычислительной» фотографии. Выпуск предыдущей модели памяти, LPDDR5 объёмом 12Гб, Samsung начал в июле 2019 года.

Скорость передачи данных у модуля LPDDR5 объёмом 16Гб составляет 5500 Мбит/с, что примерно в 1,3 раза выше показателя мобильной памяти предыдущего поколения LPDDR4X (4266 Мбит/с). По сравнению с 8-гигабайтным пакетом LPDDR4X новая мобильная DRAM обеспечивает свыше 20% экономии энергии при увеличенной в 2 раза ёмкости. Кроме того, 16-гигабайтный LPDDR5-пакет для мобильных ПК состоит из 8-ми 12-гигабитных и 4-х 8-гигабитных чипов, благодаря чему премиальные смартфоны обладают вдвое большей ёмкостью DRAM, чем многие ноутбуки и игровые компьютеры.

Во 2-й половине 2020 года корпорация также планирует начать массовый выпуск 16-гигабитных модулей LPDDR5. Они будут основаны на технологии 10-нм (1z) 3-го поколения в соответствии с разработкой чипсета 6400 Мбит/с. Непрерывно развивая подобные инновации, Samsung намерен укрепить свои конкурентные преимущества на рынках премиальных мобильных устройств, высококлассных ПК и смарт-автомобилях.

Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 16GB LPDDR5 DRAM for Next-Generation Premium Smartphones

Based on Samsung’s 2nd-generation 10nm-class process technology, the 16GB LPDDR5 mobile DRAM package delivers industry’s highest performance and largest capacity

Samsung Electronics, a world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first 16-gigabyte (GB) LPDDR5 mobile DRAM package for next-generation premium smartphones. Following mass production of the industry-first 12GB LPDDR5 in July, 2019, the new 16GB advancement will lead the premium mobile memory market with added capacity that enables enhanced 5G and AI features including graphic-rich gaming and smart photography.

“Samsung has been committed to bringing memory technologies to the cutting edge in allowing consumers to enjoy amazing experiences through their mobile devices. We are excited to stay true to that commitment with our new, top-of-the-line mobile solution for global device manufacturers,” said Cheol Choi, senior vice president of memory sales & marketing, Samsung Electronics. “With the introduction of a new product lineup based on our next-generation process technology later this year, Samsung will be able to fully address future memory demands from global customers.”

Data transfer rate for the 16GB LPDDR5 comes in at 5,500 megabits per second (Mb/s), approximately 1.3 times faster than the previous mobile memory (LPDDR4X, 4266Mb/s). Compared to an 8GB LPDDR4X package, the new mobile DRAM delivers more than 20-percent energy savings while providing up to twice the capacity.

Samsung’s 16GB LPDDR5 mobile DRAM package consists of eight 12-gigabit (Gb) chips and four 8Gb chips, equipping premium smartphones with twice the DRAM capacity found in many higher-end laptops and gaming PCs today. Along with the blazing-fast performance, the industry’s largest capacity supports dynamic and responsive game play as well as ultra-high-resolution graphics on premium smartphones for highly immersive mobile gaming experiences.

As Samsung continues to expand LPDDR5 mobile DRAM production at its Pyeongtaek site, the company plans to mass-produce 16Gb LPDDR5 products based on third-generation 10nm-class (1z) process technology in the second half of this year, in line with the development of a 6,400Mb/s chipset. Such relentless innovation is expected to well-position Samsung to further solidify its competitive edge in markets such as premium mobile devices, high-end PCs and automotive applications.

Samsung раскрыл некоторые планы по внедрению новых типов памяти в мобильные устройства с поддержкой 5G

На специальном мероприятии Qualcomm 4G/5G Summit, которое проходит в Гонконге, представители южнокорейского техногиганта Samsung рассказали, что в 2019-м году корпорация выпустит новую флэш-память стандарта UFS 3.0, весьма актуальную для мобильных устройств с поддержкой ультраскоростной связи пятого поколения (5G).
Такие модули памяти будут доступны производителям девайсов в вариантах с объёмом 128, 256 и 512Гб. По сравнению с предыдущей версией стандарта UFS, новая (3.0) характеризуется вдвое большей (11,6 Гбит/с) скоростью передачи данных в расчёте на линию.
Также Samsung раскрыл примерные сроки внедрения нвого типа оперативной памяти LPDDR5. Такая ОЗУ появится в смартфонах в 2020 году. Новая память обеспечит пропускную способность до 51,2 Гб/с, а её энергопотребление будет снижено на 20%.
Также производители памяти обещают появление 1-требайтных модулей в смартфонах к 2021 году.   

Samsung will debut UFS 3.0 storage in 2019; LPDDR5 launching in 2020

At Qualcomm's 4G/5G Summit in Hong Kong, Samsung's head of mobile memory product planning Jay Oh revealed that the next wave of Unified File Storage (UFS) products will launch in the first half of 2019.
UFS 3.0 will be available in 128GB, 256GB, and 512GB storage variants, and if you're looking for even more storage, Micron has stated that the first wave of phones with 1TB of internal storage will make their debut in 2021. The Smartisan R1 comes with a total storage of 1TB, but it's likely that particular device is using two 512GB storage modules. The first integrated 1TB module will be unveiled in 2021.
Advances in 3D NAND manufacturing are allowing memory makers to increase storage density while retaining the same footprint. UFS 3.0 is set to come with a dramatic increase in performance, with Samsung touting a 2x increase in memory bandwidth. UFS 2.1 is currently the go-to standard for flash storage in the mobile space, so it'll be interesting to see what UFS 3.0 has to offer.
Alongside storage solutions, Samsung and Micron are also set to roll out LPDDR5 in 2020. Samsung says it will commence mass production in 2020, with LPDDR5 delivering much higher bandwidth — ranging from 44GB/s to 51.2GB/s — while reducing power consumption by 20%.
With 5G set to go mainstream next year, a faster storage standard is needed to facilitate the new slate of experiences that will go live, and UFS 3.0 is set to be on the forefront of that change. Qualcomm is working with a series of partners to bring 5G-enabled devices to market, and Samsung is turning to its Exynos business for an in-house 5G modem.

Samsung представил свои передовые решения в области мобильных технологий и сервисов на специальном форуме в Индии

14 сентября Samsung провёл в Нью-Дели (Индия) большой форум SMSF 2018 (Samsung Mobile Solutions Forum) для местных представителей мобильной отрасли и профильных СМИ.
Мировой лидер полупроводниковой и мобильной индустрии поделился своим видением будущего рынка смарт-устройств в Индии и представил линейку передовых компонентов, разработанных инженерами корпорации.
Сегодня Индия, население которой составляет порядка 1,3 миллиарда человек, является самым быстрорастущим рынком мобильных устройств, поэтому все ведущие мировые игроки обратили свой взор именно на этот регион и развернули ожесточённую борьбу за благосклонность и кошельки местных потребителей.
В форуме SMSF 2018 приняло участие более 300 отраслевых экспертов, среди которых можно было заметить представителей глобальных игроков мобильной индустрии, OEM-производителей (т.е. производителей оригинального оборудования), промышленных партнёров по выпуску компонентов и аналитиков.
Будучи мировым лидером в области технологий и поставщиком полных комплектов  мобильных решений, в Samsung подчёркивают, что обширный опыт корпорации в поддержке мировых брэндов и растущее присутствие на местном уровне обеспечит глубокое понимание и дифференцированную ценность каждого партнёра.
В рамках SMSF 2018 южнокорейский техногигант особо выделил ряд новых решений, выпускаемых специально для сторонних производителей мобильных устройств. Это процессоры Exynos 7 Series, модемы Exynos 5100 с поддержкой передовой связи 5G, процессоры Exynos i S111 для применения в индустрии интернета вещей (IoT), датчики изображения ISOSELL (включая такие передовые решения как ISOSELL Plus и ISOSELL Plug & Play), новейшие NFC-модули и PMIC-модули для управления питанием мобильных устройств, а также мобильная DRAM-амять на базе LPDDR5.
Впервые Samsung провёл свой форум для заказчиков компонентов в 2015-м году, ориентируясь, прежде всего, на линейку датчиков изображения. Однако с тех пор индийский рынок мобильных устройств сделал большой качественный рывок, потребовавший применения и других высококлассных компонентов. Именно поэтому Samsung расширил номенклатуру предлагаемых решений для для своих партнёров.
Теперь мероприятие Samsung Mobile Solutions Forum проводится ежегодно в тех странах, где сосредоточены основные производители мобильных устройств (это прежде всего Индия и Китай).    

Samsung Presents Leading-edge Technologies and Services Tailored for India’s Thriving Smartphone Ecosystem at ‘2018 Samsung Mobile Solutions Forum’

Samsung highlighted its latest component solutions such as Exynos Modem 5100, ISOCELL Plus image sensors and LPDDR5-based mobile DRAM

Samsung Electronics, the world leader in advanced semiconductor technology,  shared its vision in India’s smartphone market and lineup of advanced components at its fourth Samsung Mobile Solutions Forum (SMSF) in New Delhi.
With India burgeoning as the world’s fastest growing smartphone market and poised as a major hub for smartphone manufacturing, the country’s mobile industry has been experiencing an extraordinary shift in all aspects of the ecosystem that show new opportunities as it progresses.
More than 300 industry experts attended the forum that included global mobile manufacturers, OEM (original equipment manufacturer) companies, component partners and analysts, and were encouraged to collaborate on ways to tread “Together Toward Tomorrow” within India’s exciting mobile landscape.
As a global technology leader and total solutions provider, Samsung emphasized that its extensive experience in supporting worldwide brands and growing local presence will provide both deep insight and differentiated value to its partners.
“Innovation is our core strength that enables us to bring technologically advanced solutions,” said Haejin Park, Vice President and Head of Device Solutions in Southeast Asia, Samsung Electronics. “We strongly believe that no achievement big or small is possible without the collective effort of all stakeholders and Samsung is committed to being a long-term partner on the road to success.”
A comprehensive portfolio of Samsung’s component solutions were highlighted at SMSF that included;

* Exynos 7 Series mobile processors for a wide range of product segments such as Exynos 9610 for high-end smartphones with intelligent vision and image processing, and Exynos 7885, 7904 and 7905 for powerful performance in more affordable devices.
* Exynos Modem 5100 that fully complies with the most current 5G standard and supports multi-mode communication in a single-chip design.
* Internet of Things (IoT) solutions from the efficient and reliable Exynos i S111 for narrowband applications to ARTIK end-to-end solutions
* ISOCELL image sensors optimized for various device requirements, such as the latest ISOCELL Plus that delivers exceptionally bright and vivid picture qualities, and ISOCELL Plug & Play solution for easy development of pre-tuned camera modules.
* Near Field Communication (NFC) and Power Management IC (PMIC) for mobile devices and accessories
* LPDDR5-based mobile DRAM built on 10-nanometer (nm)-class process technology that will be powering UHD mobile devices as well as artificial intelligence (AI) and machine learning applications.

Samsung first held its components forum in 2015 that focused on its lineup of image sensors. Recognizing the opportunities in India’s mobile market since then, the company has been expanding the scope of its offerings showcased at the Samsung Mobile Solutions Forum each year.

Samsung объявил о начале массового производства микросхем DDR4 DRAM плотностью 8Гбит по 10-нм технологии 2-го поколения

В официальном пресс-релизе Samsung Electronics сообщается о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм). Чипы предназначены для широкого круга вычислительных систем следующего поколения, включая серверы, системы высокопроизводительных вычислений, суперкомпьютеры, мобильные устройства, графические ускорители, и являются самыми высокопроизводительными и энергоэффективными микросхемами DRAM плотностью 8Гбит.
Согласно пресс-релизу, Samsung уже завершил процесс проверки совместимости модулей памяти на базе новых чипов с процессорами. Теперь такие устройства могут начать использоваться в составе компьютерных систем.
Если сравнивать новую память с микросхемами DDR4 той же плотности, изготавливаемыми Samsung по технологии 10-нанометрового класса 1-го поколения (1x нм), выигрыш в производительности достигает 10%, а по  энергоэффективности она лучше на 15%. Пропускная способность памяти составляет 3600 Мбит/с по одной линии, в то время как у 10-нанометровой памяти 1-го поколения она была равна 3200 Мбит/с. Производитель отмечает, что прирост обусловлен применением оригинальных схемотехнических решений, а повысить плотность компоновки элементов позволила фирменная разработка, при которой для уменьшения паразитных ёмкостей используются воздушные зазоры. Интересно, что переход ко 2-му поколению 10-нанометровой технологии выполнен без внедрения литографии EUV.
В пресс-релизе Samsung отмечается, что новации, освоенные в 10-нанометровой  DDR4 2-го поколения, позволят ускорить выпуск новой памяти DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.
По данным аналитиков DRAMeXchange, на фоне сохраняющегося дефицита оперативной памяти и ограниченного роста поставок чипов, стоимость различных видов DRAM-продукции в июле-сентябре 2017 года поднялась в среднем на 5% относительно предыдущей четверти. Это, а также традиционное оживление на рынке во второй половине года способствовали поквартальному росту продаж DRAM на 16,2%, до 19,18 миллиардов долларов США.

Samsung Now Mass Producing Industry’s First 2nd-generation, 10-Nanometer Class DRAM

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, announced today that it has begun mass producing the industry’s first 2nd-generation of 10-nanometer class* (1y-nm), 8-gigabit (Gb) DDR4 DRAM. For use in a wide range of next-generation computing systems, the new 8Gb DDR4 features the highest performance and energy efficiency for an 8Gb DRAM chip, as well as the smallest dimensions.
“By developing innovative technologies in DRAM circuit design and process, we have broken through what has been a major barrier for DRAM scalability,” said Gyoyoung Jin, president of Memory Business at Samsung Electronics. “Through a rapid ramp-up of the 2nd-generation 10nm-class DRAM, we will expand our overall 10nm-class DRAM production more aggressively, in order to accommodate strong market demand and continue to strengthen our business competitiveness.”
Samsung’s 2nd-generation 10nm-class 8Gb DDR4 features an approximate 30 percent productivity gain over the company’s 1st–generation 10nm-class 8Gb DDR4. In addition, the new 8Gb DDR4’s performance levels and energy efficiency have been improved about 10 and 15 percent respectively, thanks to the use of an advanced, proprietary circuit design technology. The new 8Gb DDR4 can operate at 3,600 megabits per second (Mbps) per pin, compared to 3,200 Mbps of the company’s 1x-nm 8Gb DDR4.
To enable these achievements, Samsung has applied new technologies, without the use of an EUV process. The innovation here includes use of a high-sensitivity cell data sensing system and a progressive “air spacer” scheme.
In the cells of Samsung’s 2nd-generation 10nm-class DRAM, a newly devised data sensing system enables a more accurate determination of the data stored in each cell, which leads to a significant increase in the level of circuit integration and manufacturing productivity.
The new 10nm-class DRAM also makes use of a unique air spacer that has been placed around its bit lines to dramatically decrease parasitic capacitance**. Use of the air spacer enables not only a higher level of scaling, but also rapid cell operation.
With these advancements, Samsung is now accelerating its plans for much faster introductions of next-generation DRAM chips and systems, including DDR5, HBM3, LPDDR5 and GDDR6, for use in enterprise servers, mobile devices, supercomputers, HPC systems and high-speed graphics cards.
Samsung has finished validating its 2nd-generation 10nm-class DDR4 modules with CPU manufacturers, and next plans to work closely with its global IT customers in the development of more efficient next-generation computing systems.
In addition, the world’s leading DRAM producer expects to not only rapidly increase the production volume of the 2nd-generation 10nm-class DRAM lineups, but also to manufacture more of its mainstream 1st-generation 10nm-class DRAM, which together will meet the growing demands for DRAM in premium electronic systems worldwide.

* Editors’ Note 1: 10nm-class denotes a process technology node somewhere between 10 and 19 nanometers. Samsung launched its first DRAM product based on a 10nm-class process in February, 2016.
** Editors’ Note 2: Parasitic capacitance is unwanted capacitance that exists between the parts of an electronic circuit or electronic part, because of their proximity to each other. When two electrical conductors at different voltages are too close together, they are adversely affected by each other’s electric field and store opposite electric charges such as those produced by a capacitor.