Показаны сообщения с ярлыком 8Gb. Показать все сообщения
Показаны сообщения с ярлыком 8Gb. Показать все сообщения

среда, 26 июля 2017 г.

Samsung осуществляет массовые поставки модулей памяти HBM2 компании AMD


На прошлой неделе представители Samsung заявили, что корпорация увеличивает объёмы производства микросхем памяти типа HBM2 объёмом 8Гб для "удовлетворения растущих потребностей рынка" и что Samsung является единственным в мире поставщиком микросхем HBM2 такого объёма.
Однако не было обнародовано никаой информации относительно заказчиков указанной продукции.
Как стало известно сегодня, именно Samsung будет снабжать графические процессоры AMD Vega памятью HBM2. Более того, других поставщиков пока не предвидится, хотя соотечественники из компании SK Hynix тоже предлагают память этого типа.
В своё время разработку памяти HBM первого поколения AMD и SK Hynix осуществляли совместными усилиями, результатом чего стало появление видеокарт Radeon R9 Fury X, Radeon R9 Fury и Radeon R9 Nano на базе графического процессора AMD Fiji. Тем не менее, при создании графических решений Vega компания AMD отдала предпочтение продукции Samsung. Память типа HBM2 также устанавливается и на ускорители вычислений NVIDIA Tesla V100 с архитектурой Volta, поэтому AMD является далеко не единственным потребителем решений от южнокорейского техногиганта. Но, судя по всему, именно выход относительно массовой видеокарты Radeon RX Vega подтолкнул Samsung к увеличению объёмов выпуска необходимого ассортимента микросхем HBM2.

среда, 19 июля 2017 г.

Samsung форсирует выпуск чипов памяти HBM2 объёмом 8 ГБ






Samsung заявил об увеличении объёмов производства памяти HBM2 (High Bandwidth Memory-2) объёмом 8Гб вследствие роста спроса на эту категорию продукции вендора. HBM2 применяется в широком перечне приложений, включая искусственный интеллект, высокопроизводительные компьютеры, производительные графические решения, сетевые системы и корпоративное серверное оборудование.
Отмечается, что память Samsung HBM2 ёмкостью 8Гб обеспечивает высокую производительность, надёжность и энергоэффективность. В ней применяется множество запатентованных технологических решений. Чип памяти HBM2 объёмом 8Гб состоит из восьми 8-гигабитных HBM2-матриц и буферной матрицы в нижней части стека, которые все вертикально связаны между собой при помощи технологии TSV (Through Silicon Via).
Каждый слой включает более 5 тыс. соединений TSV, а весь чип Samsung HBM2 объёмом 8 ГБ – более 40 тыс. соединений. Использование столь большого количества соединений, включая запасные, обеспечивает высокую производительность и обеспечивает возможность переключения потоков данных на разные соединения TSV в случае возникновения задержек передачи. Память HBM2 разработана таким образом, чтобы избежать перегрева выше определённой температуры, что обеспечивает высокую надёжность.
Память HBM2 впервые была представлена в июне 2016 года. Она обеспечивала пропускную способность передачи данных на уровне 256 ГБ/с, что в 8 раз превосходит возможности чипов памяти GDDR5 DRAM (32 Гб/с). Благодаря удвоению ёмкости чипов с 4Гб до 8Гб удалось повысить производительность и энергоэффективность систем.
Samsung ожидает, что объём производства памяти HBM2 объёмом 8Гб составит более 50% производства всей памяти HBM2 в первой половине следующего года.

Samsung Increases Production of Industry’s Fastest DRAM ─ 8GB HBM2, to Address Rapidly Growing Market Demand

With 256GB/s memory bandwidth, Samsung’s 8GB HBM2 offers the highest DRAM performance for the most data-intensive, high-performance applications

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it is increasing the production volume of its 8-gigabyte (GB) High Bandwidth Memory-2 (HBM2) to meet growing market needs across a wide range of applications including artificial intelligence, HPC (high-performance computing), advanced graphics, network systems and enterprise servers.
“By increasing production of the industry’s only 8GB HBM2 solution now available, we are aiming to ensure that global IT system manufacturers have sufficient supply for timely development of new and upgraded systems,” said Jaesoo Han, executive vice president, Memory Sales & Marketing team at Samsung Electronics. “We will continue to deliver more advanced HBM2 line-ups, while closely cooperating with our global IT customers.”
Samsung’s 8GB HBM2 delivers the highest level of HBM2 performance, reliability and energy efficiency in the industry, underscoring the company’s commitment to DRAM innovation. Among the HBM2 and TSV (Through Silicon Via) technologies that were utilized for the latest DRAM solution, more than 850 of them have been submitted for patents or already patented.
The 8GB HBM2 consists of eight 8-gigabit (Gb) HBM2 dies and a buffer die at the bottom of the stack, which are all vertically interconnected by TSVs and microbumps. With each die containing over 5,000 TSVs, a single Samsung 8GB HBM2 package has over 40,000 TSVs. The utilization of so many TSVs, including spares, ensures high performance, by enabling data paths to be switched to different TSVs when a delay in data transmission occurs. The HBM2 is also designed to prevent overheating beyond certain temperature to guarantee high reliability.
First introduced in June 2016, the HBM2 boasts a 256GB/s data transmission bandwidth, offering more than an eight-fold increase over a 32GB/s GDDR5 DRAM chip. With capacity double that of 4GB HBM2, the 8GB solution contributes greatly to improving system performance and energy efficiency, offering ideal upgrades to data-intensive, high-end computing applications that deal with machine learning, parallel computing and graphics rendering.
In meeting increasing market demand, Samsung anticipates that its volume production of the 8GB HBM2 will cover more than 50 percent of its HBM2 production by the first half of next year.