Samsung запускает новые SSD на базе QLC V-NAND для потребительского сектора

В конце июля 2018 Samsung раскрыл подробности о готовящихся к выпуску твердотельных накопителях на микросхемах флэш-памяти 3D QLC NAND, которые допускают хранение 4-х бит информации в одной ячейке. Теперь южнокорейский электронный гигант объявил о начале массового производства таких SSD для потребительского рынка.
Основное преимущество твердотельной памяти QLC, хранящей 4 бита в ячейке, перед TLC, хранящей 3 бита в ячейке, заключается в более высокой (на 33 %) плотности хранения данных. Это открывает путь к очередному снижению удельной стоимости накопителей на единицу ёмкости. Правда, не стоит рассчитывать, что новые твердотельные накопители с QLC-памятью будут дешёвыми настолько, чтобы в полной мере заменить традиционные жёсткие диски. Однако применение 4-битовой флэш-памяти наверняка положительно скажется на распространении SSD большей ёмкости. Как ожидается, к 2022 году QLC-память будет использоваться более чем в 20 % поставляемых накопителей.
Новые твердотельные накопители Samsung построены на той же платформе, что и нынешние Samsung 860 EVO. Новинки выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма и работают через интерфейс SATA. Но вместо 64-слойных чипов TLC V-NAND ёмкостью 256 и 512Гб, в них используются 64-слойные чипы QLC V-NAND ёмкостью 1Тб. Учитывая возможность использования до 32 чипов в 2,5-дюймовом SSD, новые QLC-накопители получат ёмкость вплоть до 4Тб.
Согласно официальному пресс-релизу, производительность новинок будет сравнима с характеристиками нынешних моделей. SSD используют тот же контроллер Samsung MJX, что и нынешние Samsung 860 EVO. Поэтому скорость последовательного чтения достигает 540 Мбайт/с, а последовательной записи — 520 Мбайт/с (при использовании SLC-кэширования в рамках технологии TurboWrite). Это вполне обычные показатели для SATA-накопителей, ограниченные рамками интерфейса.
Новые твердотельные накопители Samsung на памяти 3D QLC NAND появятся в продаже в конце осени. Модельный ряд будет включать SSD ёмкостью от 1 до 4Тб. Как ожидается, такие накопители окажутся примерно на 20 % дешевле типичных массовых TLC-моделей аналогичного объёма. На потребительские накопители с 4-битовой памятью будет даваться 3-летняя гарантия.
Кроме того, Samsung обещает выпустить более скоростные SSD с интерфейсом PCIe на новой памяти, но сначала они появятся в серверном сегменте, а уже потом – в массовом.

Samsung Electronics Starts Mass Production of Industry’s First 4-bit Consumer SSD

New 4TB QLC SSD features performance levels on par with 3-bit SATA SSDs
Offers 540MB/s read speed, 520MB/s write speed and 3-year warranty period

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, announced that it has begun mass producing the industry’s first 4-bit (QLC, quad-level cell) 4-terabyte (TB) SATA solid-state drive (SSD) for consumers.
Based on 1-terabit (Tb) V-NAND with outstanding performance equivalent to the company’s 3-bit design, Samsung’s QLC SSD is expected to bring a new level of efficiency to consumer SSDs.
“Samsung’s new 4-bit SATA SSD will herald a massive move to terabyte-SSDs for consumers,” said Jaesoo Han, executive vice president of memory sales & marketing at Samsung Electronics. “As we expand our lineup across consumer segments and to the enterprise, 4-bit terabyte-SSD products will rapidly spread throughout the entire market.”
With its new 1Tb 4-bit V-NAND chip, Samsung will be able to efficiently produce a 128GB memory card for smartphones that will lead the charge toward higher capacities for high-performance memory storage.
Typically, as data stored within a memory cell increases from three bits to four, the chip capacity per unit area would rise and the electrical charge (used to determine information from a sensor) would decrease by as much as 50 percent, making it considerably more difficult to maintain a device’s desired performance and speed.
However, Samsung’s 4-bit 4TB QLC SATA SSD maintains its performance levels at the same level as a 3-bit SSD, by using a 3-bit SSD controller and TurboWrite technology, while increasing drive capacity through the use of 32 chips, all based on 64-layer fourth-generation 1Tb V-NAND.*
The 4-bit QLC SSD enables a sequential read speed of 540 MB/s and a sequential write speed of 520 MB/s, and comes with a three-year warranty.
Samsung plans to introduce several 4-bit consumer SSDs later this year with 1TB, 2TB, and 4TB capacities in the widely used 2.5-inch form factor.
Since introducing the 32-gigabyte (GB) 1-bit SSD in 2006, which ushered in the PC SSD era, to today’s 4TB 4-bit SSD, Samsung continues to drive new thresholds for each multi-bit generation.**
In addition, the company expects to provide M.2 NVMe SSDs for the enterprise this year and begin mass production of 4-bit fifth-generation V-NAND. This will considerably expand its SSD lineup to meet the growing demand for faster, more reliable performance across a wide span of applications, such as next generation data centers, enterprise servers, and enterprise storage.

*1Tb (128GB) x 32 = 4TB (4,096GB)
**Samsung’s mass production history of SSDs in bits per cell

Samsung представил скоростные твердотельные накопители 970 PRO и 970 EVO

Корпорация Samsung Electronics представила высокопроизводительные твердотельные (SSD) накопители серий 970 PRO и 970 EVO, рассчитанные на потребительский рынок.
Эти модули памяти выполнены в формате M.2 2280: их размеры составляют 22 × 80 мм. Накопители относятся к устройствам NVMe 1.3. Спецификация NVM Express (NVMe) описывает доступ к SSD с помощью шины PCI Express — в данном случае PCIe 3.0 x4. Это обеспечивает более высокие показатели скорости чтения и записи, а также позволяет снизить задержки.
Решения серии 970 PRO базируются на микрочипах флэш-памяти Samsung 64L V-NAND 2-bit MLC. Вместимость составляет 512 Гб и 1 Тб. Скорость последовательного чтения и записи информации достигает соответственно 3.500 и 2.700 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) составляет до 500.000 при произвольном чтении данных и до 500.000 при произвольной записи.
Семейство 970 EVO, в свою очередь, базируется на чипах памяти Samsung 64L V-NAND 3-bit MLC. Предусмотрено 4 варианта — на 250 и 500 Гб, а также на 1 и 2 Тб. Скорость последовательного чтения составляет до 3.500 Мбайт/с, скорость последовательной записи — до 2.500 Мбайт/с. Величина IOPS на операциях чтения и записи — до 500.000 и до 480.000 соответственно.
Накопители используют фирменный контроллер Samsung Phoenix. Гарантия производителя составляет 5 лет. Цена решений 970 PRO — от 330 долларов США, а 970 EVO — от $120.

Samsung Electronics Sets New Performance Standards for NVMe SSDs with 970 PRO and EVO

New 970 series enables high-performance computing through enhanced speed, exceptional endurance and system design flexibility

Samsung Electronics America, Inc., today introduced the Samsung 970 PRO and EVO, the third generation of its industry-leading consumer solid state drive (SSD) lineup. Having led the market with the first consumer-focused NVMe SSD in 2015, Samsung continues to push the performance barriers with this latest generation of SSDs that are built for tech enthusiasts and professionals so that they can enjoy higher bandwidth for intensive workloads on PCs and workstations.
“Samsung has led the NVMe SSD industry since its inception, and the company continues to define the latest standards of consumer storage with unprecedented performance of the 970 PRO and EVO SSDs,” said Un-Soo Kim, senior vice president of Brand Product Marketing, Memory Business at Samsung Electronics. “The 970 series sets a new bar in all aspects for the NVMe SSD market with groundbreaking performance, superior reliability and best-in-class capacity.”
The Samsung 970 PRO and EVO are designed based on the M.2 form factor standard and with the latest PCIe Gen 3×4 lane interface.The 970 series maximizes the potential of NVMe bandwidth, delivering unparalleled performance for processing large volumes of data, including 3D, 4K graphics work, high-end games and data analytics.
The 970 PRO enables sequential read speed of up to 3,500 MB/s and sequential write speed of up to 2,700 MB/s[1], while the EVO features sequential read speed of up to 3,500 MB/s and sequential write speed of up to 2,500 MB/s[2]. The sequential write speeds represent an enhancement of up to 30 percent over the previous generation[3], thanks to Samsung’s latest V-NAND technology and the newly designed Phoenix controller. The 970 EVO, in particular, utilizes the Intelligent TurboWrite technology, which uses a large buffer size of up to 78GB[4]to enable faster write speeds.
In addition to the advancements in performance levels, the 970 PRO and EVO deliver exceptional endurance and reliability. Featuring a five-year warranty[5], or up to 1,200 terabytes written[6]– 50 percent higher than those provided for the previous generation[7]– the 970 PRO and EVO are built to last. The Dynamic Thermal Guard technology safeguards against overheating by automatically monitoring and maintaining optimal operating temperatures, while a heat spreader and new nickel-coated controller further lower the SSD temperatures.
The 970 PRO and EVO also provide greater system design flexibility for the high-performance computing systems. Offering a variety of high capacity options in a compact M.2 form factor – including the single-sided 2TB EVO model – the 970 series enables convenient storage expansion across a wide range of computing devices.
The 970 EVO will be offered in 250GB, 500GB, 1TB and 2TB[8]capacities, and the 970 PRO in 512GB and 1TB capacities. The 970 PRO and EVO will be available for purchase worldwide starting May 7, 2018, with manufacturer’s suggested retail prices starting at $329.99 and $119.99USD, respectively. For more information, including warranty details, please visit www.samsung.com/SSD, www.samsungssd.com.

1]970 PROandEVO performance may vary based on SSD’s firmware version, system hardware and configuration. Performance measurements based on IOmeter 1.1.0. *Test system configuration: Intel Core i7-7700K CPU @4.2GHz, DDR4 2400MHz 32GB, OS-Windows 10 Built 10240, Chipset–ASUS PRIME Z270-A.
[2]Performance may vary based on SSD’s firmware version, system hardware and configuration.Performance measurements based on IOmeter 1.1.0.
Write performance measurements are based on Intelligent TurboWrite technology.
The sequential write performances after TurboWrite region are: 300 MB/s(250GB), 600 MB/s(500GB), 1,200 MB/s(1TB) and 1,250 MB/s(2TB).
The random write performances after TurboWrite region are: 80,000 IOPS(250GB), 160,000 IOPS(500GB) and 300,000 IOPS(1TB/2TB).
*Test system configuration: Intel Core i7-7700K CPU @4.2GHz, DDR4 2400MHz 32GB, OS-Windows 10 Built 10240, Chipset–ASUS PRIME Z270-A.
[3]Up to 29% and 32% in sequential write speeds, respectively, have increased when compared to Samsung 960 PRO and EVO.
[4]970 EVO Intelligent TurboWrite buffer size varies based on the capacity of the SSD: 13GB for 250GB model, 22GB for 500GB model, 42GB for 1TB
model and 78GB for 2TB model. For more information on the TurboWrite, please visit www.samsungssd.com.
[5]Five years or TBW, whichever comes first. For more information on the warranty, please find the enclosed warranty document in the package.
[6]Warrantied TBW(Total byte written) for 970 PRO: 600TB for 512GB model, 1,200TB for 1TB model;
Warrantied TBW(Total byte written) for 970 EVO: 150TB for 250GB model, 300TB for 500GB model, 600TB for 1TB model, 1,200TB for 2TB.
[7]50% increase when compared to Samsung 960 PRO and EVO.
[8]1GB=1,000,000,000 bytes by IDEMA. A certain portion of capacity may be used for system file and maintenance use, so the actual capacity may differfrom what is indicated on the product label.

По итогам 2017 года Samsung превзошёл Intel в полупроводниковом бизнесе

Эксперты аналитической службы Gartner в одном из первых материалов нового года подтвердили прогнозы многих своих коллег, предрекавших Samsung корону крупнейшего изготовителя и продавца полупроводниковых изделий по итогам 2017 года. С 90-х годов прошлого века этот титул удерживала корпорация Intel, но возникший дефицит микросхем памяти с последующим ростом цен позволил Samsung возглавить рейтинг.
Как пояснили авторы аналитического доклада, в 2017 году на память приходился 31% совокупной выручки полупроводниковой отрасли. Выручка в сегменте производства памяти за год выросла на 64%. Это крупнейший сегмент полупроводниковой отрасли в показателях выручки. Именно память на 2/3 обусловила рост прибыли в полупроводниковом секторе в прошедшем году. Цены на твердотельную память в 2017 году выросли на 17%, на оперативную – на 44%.
Другие производители памяти тоже заметно увеличили выручку, но её абсолютной величины не хватило, чтобы приблизиться к Samsung. Впрочем, ещё одна южнокорейская компания, SK Hynix, поднялась с 4-го места на 3-е, Micron с 6-го на 4-е, а Western Digital Corporation вообще перескочила с 17-го на 9-е, продемонстрировав максимальное увеличение выручки – на 120%. Многострадальная Toshiba осталась на 8-м месте, хотя выручка компании и увеличилась на 29,2%.
Эксперты Gartner теперь предрекают, что цены на память могут начать снижаться. В текущем году подешевеет твердотельная, а с выходом на рынок китайских производителей оперативной памяти в 2019 году снизятся цены и на микросхемы DRAM.

Samsung Beats Intel to Become Top Semiconductor Player in 2017

With 14.6% market share, Samsung Electronics has replaced chipmaker giant Intel to become the top player in the global semiconductor industry in 2017, market research firm Gartner said on Thursday.
This is the first time Intel has been toppled since 1992 as worldwide semiconductor revenue totalled $419.7 billion in 2017 - a 22.2% increase from 2016.
"The largest memory supplier, Samsung Electronics, gained the most market share with 52.6% growth in revenue and took the No. 1 position from Intel. Memory accounted for more than two-thirds of all semiconductor revenue growth in 2017 and became the largest semiconductor category," said Andrew Norwood, Research Vice President at Gartner.
Intel revenue grew 6.7% in 2017 - driven by 6% growth in data centre processor revenue owing to growing demand from Cloud and communications service providers.
Intel's PC processor revenue grew more slowly at 1.9% but average PC prices are on the rise again after years of decline following the market's shift from traditional desktops.
Undersupply helped drive 64% revenue growth in the memory market, which accounted for 31% of total semiconductor revenue last year, Gartner said.
The key driver behind the booming memory revenue was higher prices due to a supply shortage.
"NAND flash prices increased year over year for the first time ever, up 17%, while DRAM prices rose 44%," the report said.
Equipment companies could not absorb these price increases and so passed them onto consumers, making everything from PCs to smartphones more expensive in 2017.
Other major memory vendors, including SK Hynix and Micron Technology, also performed strongly in 2017.

Samsung направляет рекордные суммы в развитие полупроводникового бизнеса

Потратив на расширение производства полупроводников $11,3 миллиарда в 2016-м году, корпорация Samsung, лидер мирового рынка микросхем памяти, недавно объявила, что в 2017-м году её вложения в этот бизнес увеличатся вдвое и достигнут 26 миллиардов долларов США. Если южнокорейский гигант осуществит свои планы, то по капзатратам Samsung опередит корпорацию Intel и крупнейшего в мире контрактного чипмейкера TSMC вместе взятых, отмечают аналитики IC Insights.
"За все 37 лет работы, в течение которых я слежу за полупроводниковой отраслью, мне ни разу не доводилось видеть столь интенсивного роста капитальных вложений в производство чипов. Сумма запланированных Samsung расходов - беспрецедентна за всю историю индустрии", - заявил президент IC Insights Бил Макклин (Bill McClean).
В 2010-м году техногигант Samsung впервые потратил на расширение полупроводниковых мощностей более $10 миллиардов. В последующие 3 года сумма колебалась от 11,3 до 12,3 миллиардов долларов, а в 2014-м и в 2015-м вложения достигали 13,5 и 13 миллиардов соответственно.
Ожидаемый в этом году скачок просто поражает, говорят эксперты. В IV квартале 2017-го полупроводниковые вложения Samsung должны достигнуть 8,6 миллиардов долларов, что составит треть от всего объёма инвестиций в $26,2 миллиардов долларов, который прогнозируется в мировой полупроводниковой отрасли в текущей четверти. При этом вклад Samsung в совокупную выручку на рынке чипов в октябре-декабре 2017-го ожидается на уровне 16%.
Из намеченной на 2017 год суммы, 14 миллиардов долларов Samsung направит на развитие бизнеса по выпуску 3D NAND. Большая часть средств предназначена для предприятия в городе Пхёнтхэк, провинции Кёнгидо, Южная Корея. В расширение и модернизацию DRAM-мощностей корпорация вложит порядка 7 миллиардов долларов, а ещё 5 миллиардов будет направлено в фаундри-бизнес (контрактное производство чипов), в рамках которого предполагается увеличить производство 10-нанометровых чипов.
Аналитики считают, что столь масштабные вложения Samsung не обойдутся без последствий для отрасли. В частности, ожидается период перепроизводства микросхем флэш-памяти 3D NAND. К сбою баланса спроса и предложения приведут не только действия Samsung, но его конкурентов - SK Hynix, Micron, Toshiba и Intel. Чтобы не потерять долю на рынке, им также придётся наращивать выпуск чипов.
Также эксперты добавили, что учитывая огромные инвестиции Samsung, надеждам китайский вендоров стать значимыми игроками на рынке 3D NAND flash или DRAM вряд ли суждено сбыться.
"Мы крайне скептически оцениваем способность китайских производителей конкурировать с Samsung, SK Hynix и Micron в технологическом плане", - подчеркнули в IC Insights.

Samsung to rank No. 1 in capital spending among chipmakers this year

Capital spending among chipmakers is expected reach US$90.8 billion this year, an industry tracker said Friday, with South Korea's Samsung Electronics Co. leading the pact.
According to the data compiled by IC Insights, Samsung Electronics' annual facility investment for this year is estimated at $26 billion, accounting for more than 20 percent of the total investments planned by these companies.
The semiconductor market researcher said Samsung is presumed to have allocated $14 billion for the 3D NAND flash segment, followed by $7 billion and $5 billion for the dynamic random-access memory (DRAM) and foundry sectors, respectively.
IC Insight said the "unprecedented" aggressive investment by Samsung is anticipated to lead to overcapacity in the 3D NAND flash market.
"This overcapacity situation will not only be due to Samsung's huge spending for 3D NAND flash but also to its competitors in this market segment responding to the company's spending surge," the industry tracker said, referring to SK hynix Inc. and Micron Technology Inc.
"At some point, Samsung's competitors will need to ramp up their capacity or lose market share," it added.
IC Insights added traditional leaders such as Samsung, SK hynix, and Micron will continue to take the lead against Chinese players down the road.
"This year's level of spending by Samsung just about guarantees that without some type of joint venture with a large existing memory suppler, new Chinese memory startups stand little chance of competing on the same level as today's leading suppliers," the industry tracker said.

Samsung планирует увеличть выпуск чипов памяти, укрепив свои лидерские позиции в отрасли

Снижение объёмов производства микросхем DRAM в 2016 году и увеличение спроса со стороны производителей смартфонов и ноутбуков привели к тому, что со второй половины 2016 года конечные цены на оперативную память продолжают неуклонно расти. Тем не менее ситуация скоро может измениться в лучшую сторону. Как сообщают эксперты подразделения DRAMeXchange, являющегося частью аналитической компании TrendForce, лидирующая в отрасли корпорация Samsung Electronics рассматривает возможность расширения своих производственных мощностей. Следовательно, существует вероятность того, что дефицит чипов DRAM может закончиться раньше, чем первоначально предполагалось.
Прибыль крупных поставщиков DRAM значительно увеличилась из-за быстро развивающегося рынка. Например, у Samsung рентабельность продаж составляет 59%, а у компаний SK Hynix и Micron этот показатель составляет 54% и 44% соответственно.
«Средняя контрактная цена популярного на рынке модуля памяти DDR4 объёмом 4Гб выросла с 13 долларов США в конце 2-го квартала 2016 года до нынешних 30,5 долларов в 4-м квартале 2017 года. Это составляет внушительные 130% в течение 6-ти кварталов подряд», — отметил Аврил Ву (Avril Wu), директор по исследованиям DRAMeXchange.
По словам аналитиков, Samsung собирается увеличить производство полупроводниковых пластин приблизительно на 100 тыс. единиц в месяц. Таким образом, общее производство кремниевых пластин вырастет с 390 тыс. штук/месяц в 2017 году до 500 тыс. единиц/месяц в 2018 году. При этом поставки памяти с точки зрения суммарной ёмкости у Samsung возрастут на 23%. Примерно такой же рост сможет показать весь рынок оперативной памяти, тогда как по итогам 2017 года ожидается прирост на 19,5%, говорится в исследовании.
Увеличение производственных возможностей Samsung и дальнейший рост цен повышает барьеры для вхождения на рынок новых игроков, поскольку таким компаниям тяжело осваивать новые технологии и расширять предприятия без большой выручки на рынке. Это указывает на то, что тройка лидеров во главе с Samsung закрепит своё доминирующее положение в отрасли.

TrendForce Says Samsung Could Increase Competition in DRAM Market Next Year by Expanding Its Production Capacity

During the recent two years, limited increase in production capacity and challenges related to technology migration have slowed down the growth of DRAM supply, according to DRAMeXchange, a division of TrendForce. Contract prices of DRAM products began to climb in the second half of 2016, particularly driven by the strong demand in the year-end busy season. The DRAM market since then has continued to see surging prices. However, there are reports that Samsung is considering expanding its production capacity to increase competition and raise the barrier for market entry. Thus, there is a possibility that the tight supply for DRAM may end sooner than originally anticipated.
“The average contract price of mainstream 4GB DDR4 PC DRAM modules, for example, has soared from US$13 at the end of second quarter of 2016 to the current US$30.5 in the fourth quarter of 2017,” said Avril Wu, research director of DRAMeXchange. “This represents an increase of 130% over six consecutive quarters.”
Profits of major DRAM suppliers have also expanded significantly on account of the booming market. Currently, the top supplier Samsung has an operating margin of 59%, while operating margins of SK Hynix and Micron are also impressive, respectively at 54% and 44%. The outlook for the fourth quarter of 2017 can be summed up as higher contract prices and higher profits.
With the DRAM market being an oligopoly, the three dominant suppliers theoretically would want to maintain the status quo as to maximize their profits. Nonetheless, SK Hynix and Micron are now flushed with cash after benefiting from several quarters of rising prices, and they are also in a great position to improve their competitiveness. SK Hynix is now transitioning to the 18nm node and will be building its second fab in the Chinese city of Wuxi next year. Meanwhile, with the cash and resources at hand, SK Hynix will be able to proceed with its plans smoothly and on schedule. As for Micron, its rising stock price has given the company an opportunity to pursue capital increase by cash. This signals that Micron is preparing to build new fabs, expand production capacity or upgrade its manufacturing technology. The gains made by SK Hynix and Micron as well as their recent activities are unlikely to have escape Samsung’s notice. Therefore, Samsung may in response expand its DRAM production capacity to main its lead in the market.
Capacity building on the surface is about alleviating the current tight supply situation but the underlying motive behind such a move is to keep prices from going up further. If Samsung chooses this strategy, the short-term effect will be an increase in depreciation cost that will also erode the profitability of its DRAM business. However, Samsung’s ultimate goal to ensure its long-term dominance in the market in terms of having an enormous production capacity and being ahead of its competitors’ technologies by one to two years.
Additionally, China’s memory industry continues to take shape and is expected to enter its formative stage of development in 2018. To forestall Chinese DRAM and NAND Flash makers from catching up significantly, Samsung could raise its production capacities for these products and engage in aggressive pricing. Potential market entrants will not be able to expand their production capacities and improve their technologies on schedule if they are under heavy financial pressure.
DRAMeXchange reports that Samsung is considering raising its DRAM production by altering the plan for its new Pyeongtaek facility and expanding the capacity of its Line 17 fab. A part of the second floor of the Pyeongtaek facility may be set aside for fabricating DRAM wafers rather than NAND Flash wafers as originally intended. It would also be probable that DRAM production at the Pyeongtaek facility will be wholly on the 18nm process. As for Line 17, there is still some space for further capacity expansion.
If Samsung follows through with the aforementioned plans, its DRAM output for the entire 2018 is forecast to increase by 80,000 to 100,000 wafers. Under the same scenario, Samsung’s total DRAM production capacity would also shoot up from 390,000 wafers per month at the end of 2017 to nearly 500,000 wafers per month by the end of 2018. In terms of annual bit supply growth for 2018, DRAMeXchange originally forecast Samsung’s at 18%. However, the annual growth rate for next year could go up to 23% if Samsung carries out capacity expansion.
Taking Samsung’s plans into account, the annual bit supply growth in the global DRAM market for 2018 could reach 22.5%, which is noticeably higher compared with the estimated rate of 19.5% for 2017. This also suggests that the supply gap may be filled next year. Furthermore, SK Hynix and Micron will likely to follow Samsung’s initiative and expand their capacities to maintain their market shares. The activities from the three major suppliers will add new variables into the market.
DRAMeXchange’s latest analysis finds that Samsung’s capacity expansion plans, while could bring relief to the current tight supply situation, are mainly about checking the runaway profit growths of competitors. With supply increasing, profitability of suppliers will return to their usual levels. Furthermore, the NAND Flash market will likely see a milder oversupply situation than initially expected for next year if major memory makers focus more of their investments on DRAM production. In this case, the slide in the average selling price of NAND Flash may also become more moderate. Thus, Samsung’s capacity building could impact DRAM market in 2018, but it might not be negative to the long-term development of the industry as a whole.

Samsung начнёт производство флэш-памяти Z-NAND до конца 2017 года

Samsung впервые продемонстрировал твердотельный накопитель на основе памяти Z-NAND в начале текущего года. Модель объёмом 800Гб имеет производительностью чтения/записи 750.000/160.000 IOPS и скоростью записи 3,2Гб/с.
Как сообщает портал BusinessKorea, производство памяти Z-NAND и соответствующих контроллеров должно начаться ещё до конца нынешнего года. Samsung уже начал обсуждение вариантов поставок с клиентами и наладил тестовое производство.
Также стало известно, что память Z-NAND относится к типу SLC, то есть способна хранить только один бит данных в каждой ячейке. В теории это должно обеспечить высокую надёжность таких модулей памяти, а преимущества с точки зрения производительности и скорости были подтверждены на примере показанного в марте накопителя.
Источник, раскрывший информацию, говорит об относительно небольшой ёмкости микросхем Z-NAND, хотя, если судить по ранним данным, первыми на рынке должны появиться SSD объёмом от 1 до 4Тб.

Samsung Electronics Preparing to Manufacture Z-SSDs

According to industry sources, Samsung Electronics recently developed Z-NAND and a controller optimized for it. The manufacturing of these products is expected to start next year. At present, these products are in a test production phase and Samsung Electronics recently began to discuss supply with clients.
Z-NAND is small in capacity as it is based on a single level cell (SLC), in which one bit is allocated to each cell. However, Z-NAND has advantages in terms of response speed, power consumption and so on. A Z-SSD incorporating this type of NAND has a reading speed about seven times that of solid state drives in general.
Samsung Electronics’ preparation for large-scale Z-SSD production is to cope with the 3D XPoint SSD Intel and Micron Technology developed in April this year. 3D XPoint is a type of phase-change memory and its speed and durability overwhelm those of NAND on the market.
The global SSD market is growing rapidly these days as SSDs are replacing hard disk drives. Specifically, its size reached US$20 billion last year and is estimated to reach US$30 billion within four years. The average SSD selling price is estimated to fall from US$0.61 to US$0.09 per gigabyte between 2014 and 2021.

Samsung лидирует на рынке твердотельных SSD-накопителей

Эксперты аналитической компании Trendfocus опубликовали данные по реализации твердотельных накопителей во 2-м квартале 2017. Согласно отчёту, за этот период было выпущено 42 миллиона штук, что на 5,8% больше, чем в 1-м квартале.
Специалисты отмечают, что поставки потребительских твердотельных накопителей, выполненных в типоразмере, унаследованном от HDD, сократились, а поставки потребительских твердотельных накопителей в виде модулей — выросли, поэтому результирующий показатель роста равен 3,1%. Поставки в потребительском сегменте оцениваются в 35,9 миллиона штук.
В корпоративном сегменте, оцениваемом в 6,1 миллиона, преобладают модели с интерфейсом SATA, которых было отгружено 4,5 миллиона штук. Поставки корпоративных SSD по сравнению с 1-м кварталом увеличились на 25,2%.
Лидером рынка с огромным отрывом остаётся Samsung, на который приходится 35,4% поставок в натуральном выражении и 39,4%, если считать общий объём отгруженных SSD. Распределение рынка в натуральном выражении показано на верхней диаграмме.
Суммарный объём SSD, отгруженных в течение квартала, увеличился по сравнению с 1-м кварталом, на 2,7%. Распределение рынка по объёму отгруженных SSD показано на нижней диаграмме.

Samsung представил новые решения в области развития чипов памяти, которые окажут влияние на технологии будущего

В рамках конференции Flash Memory Summit, которая в эти дни проходит в Санта-Клара (США), техногигант Samsung поделился планами развития памяти типа 3D NAND.
Южнокорейский вендор стал пионером массового производства многослойной флэш-памяти, что произошло в 2013 году — примерно на 2 года раньше, чем это смогли сделать конкуренты. Это опережение сохраняется до сих пор, что лишний раз было показано на нынешней конференции. Проще говоря, Samsung было чем удивить отраслевых экспертов.
На мероприятии представители корпорации сообщили, что в следующем году она начнёт массовый выпуск 1-Тбит кристаллов 3D NAND. Скорость передачи для каждого кристалла будет достигать 1,2 Гбит/с. В один стэк можно будет паковать до 32 кристаллов. Для их соединения в стэке будет введён один дополнительный (нижний) слой для проводной обвязки. По всей видимости, это будет память с записью четырёх бит в каждую ячейку. На выходе получатся 2-х и 4-Тбайт сборки, благодаря которым вендор сможет выпускать в 2,5-дюймовом формфакторе 128-Тбайт SSD.
Другой интересной новостью от Samsung стала информация о начале поставок клиентам опытных SSD на базе Z-NAND. Память Z-NAND была анонсировали в прошлом году на том же Flash Memory Summit. Пока о ней мало что известно. По словам представителей Samsung, память Z-NAND — это "убийца" памяти Intel 3D XPoint. Архитектура Z-NAND нацелена на максимальное снижение задержек при обращении. Рабочие образцы, которые уже есть в распоряжении компаний NetApp и Datera, на уровне отдельных кристаллов демонстрируют задержки менее 15 мкс на скорости передачи данных 800 Мбит/с. Накопители на памяти Z-NAND ориентированы на работу с аналитическими программами и используются для кэширования данных.
По некоторым признакам, память Z-NAND представляет собой память 3D NAND с однобитовой ячейкой, за счёт чего достигается высокая скорость, надёжность и малое время доступа. Косвенно это подтвердили менеджеры Samsung, сообщив, что в следующем году начнётся выпуск Z-NAND с записью двух бит данных в ячейку. Это позволит сделать инновационную память дешевле для клиентов, хотя задержки при обращении к Z-NAND MLC немного увеличатся.
Помимо традиционной NAND-флэш в Samsung не забывают и о перспективных типах энергонезависимой памяти. Представители вендора напомнили, что с 2002 года корпорация разрабатывает магниторезистивную память MRAM и память с изменяемым фазовым состоянием вещества (как Intel 3D XPoint). Память MRAM и PRAM обещает стать тем решением, которое сделает оперативную память энергонезависимой.
Наконец, Samsung показал прототип SSD в формфакторе M.3. Накопители M.3 шире SSD в формфакторе M.2. Предложенный Samsung вариант имеет размеры 30,5 x 110,0 x 4,38 мм. Продемонстрированные накопители M.3 будут иметь ёмкость до 16 Тбайт и поддерживать скорость в IOPS до 500 млн операций в секунду (когда в следующем году перейдут на 1-Тбит чипы). Современный прототип даёт возможность выпустить решение в формате U1 ёмкостью 576 Тбайт с производительностью 10 млн IOPS.
Новая флэш-память должна удовлетворить непрерывно увеличивающийся спрос на рынке бурно развивающегося "Интернета вещей" (IoT) и технологий искусственного интеллекта (AI). По заявлению топ-менеджеров Samsung, быстрая флэш-память играет критически важную роль для получения информации и анализа данных в реальном времени.
Таким образом, представленные на Flash Memory Summit продукты снова подтвердили неоспоримое лидерство Samsung в этом важнейшем для будущего всего человечества сегменте и в очередной раз убедили инвесторов в правильности выбранного курса.

Samsung Introduces Far-reaching V-NAND Memory Solutions to Tackle Data Processing and Storage Challenges

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, has announced new V-NAND (Vertical NAND) memory solutions and technology that will address the pressing requirements of next-generation data processing and storage systems. With the rapid increase of data-intensive applications across many industries using artificial intelligence and Internet of Things (IoT) technologies, the role of flash memory has become extremely critical in accelerating the speed at which information can be extracted for real-time analysis.
At the inaugural Samsung Tech Day* and this year’s Flash Memory Summit**, Samsung is showcasing solutions to address next-generation data processing challenges centered around the company’s latest V-NAND technology and an array of solid state drives (SSDs). These solutions will be at the forefront of enabling today’s most data-intensive tasks such as high-performance computing, machine learning, real-time analytics and parallel computing.
“Our new, highly advanced V-NAND technologies will offer smarter solutions for greater value by providing high data processing speeds, increased system scalability and ultra-low latency for today’s most demanding cloud-based applications,” said Gyoyoung Jin, executive vice president and head of Memory Business at Samsung Electronics. “We will continue to pioneer flash innovation by leveraging our expertise in advanced 3D-NAND memory technology to significantly enhance the way in which information-rich data is processed.

Samsung Heralds Era of 1-Terabit (Tb) V-NAND Chip

Samsung announced a 1Tb V-NAND chip that it expects to be available next year. Initially mentioned in 2013, during unveiling of the industry’s first 3D NAND, Samsung has been working to enable its core memory technologies to realize one terabit of capacity on a single chip using a V-NAND structure.
The arrival of a 1Tb V-NAND chip next year will enable 2TB of memory in a single V-NAND package by stacking 16 1Tb dies and will represent one of the most important memory advances of the past decade.

NGSFF (Next Generation Small Form Factor) SSD to Improve Server Storage Capacity and IOPS

Samsung is sampling the industry’s first 16-terabyte (TB) NGSFF SSD, which will dramatically improve the memory storage capacity and IOPS (input/output operations per second) of today’s 1U rack servers. Measuring 30.5mm x 110mm x 4.38mm, the Samsung NGSFF SSD provides hyper-scale data center servers with substantially improved space utilization and scaling options.
Utilizing the new NGSFF drive instead of M.2 drives in a 1U server can increase the storage capacity of the system by four times. To highlight the advantages, Samsung demonstrated a reference server system that delivers 576TB in a 1U rack, using 36 16TB NGSFF SSDs. The 1U reference system can process about 10 million random read IOPS, which triples the IOPS performance of a 1U server equipped with 2.5-inch SSDs. A petabyte capacity can be achieved using only two of the 576TB systems.
Samsung plans to begin mass producing its first NGSFF SSDs in the fourth quarter of this year, while working to standardize the form factor with industry partners.

Z-SSD: Optimized for Systems Requiring Fast Memory Responsiveness

Following last year’s introduction of its Z-SSD technology, Samsung introduced its first Z-SSD product, the SZ985. Featuring ultra-low latency and high performance, the Z-SSD will be used in data centers and enterprise systems dealing with extremely large, data-intensive tasks such as real-time “big data” analytics and high-performance server caching. Samsung is collaborating with several of its customers on integrating the Z-SSD in upcoming applications.
The Samsung SZ985 requires only 15 microseconds of read latency time which is approximately a seventh of the read latency of an NVMe*** SSD. At the application level, the use of Samsung’s Z-SSDs can reduce system response time by up to 12 times, compared to using NVMe SSDs.
With its fast response time, the new Z-SSD will play a pivotal role in eliminating storage bottlenecks in the enterprise and in improving the total cost of ownership (TCO).

New Approach to Storage with Proprietary Key Value SSD Technology

Samsung also introduced a completely new technology called Key Value SSD. The name refers to a highly innovative method of processing complex data sets. With the sharply increasing use of social media services and IoT applications, which contribute to the creation of object data such as text, image, audio and video files, the complexity in processing this data increases substantially.
Today, SSDs convert object data of widely ranging sizes into data fragments of a specific size called “blocks.” The use of these blocks requires implementation processes consisting of LBA (logical block addressing) and PBA (physical block addressing) steps. However, Samsung’s new Key Value SSD technology allows SSDs to process data without converting it into blocks. Samsung’s Key Value instead assigns a ‘key’ or specific location to each ”value,” or piece of object data – regardless of its size. The key enables direct addressing of a data location, which in turn enables the storage to be scaled. Samsung’s Key Value technology enables SSDs to scale-up (vertically) and scale-out (horizontally) in performance and capacity. As a result, when data is read or written, a Key Value SSD can reduce redundant steps, which leads to faster data inputs and outputs, as well as increasing TCO and significantly extending the life of an SSD.

* Editor’s Note: Samsung Tech Day hosted at Samsung’s Silicon Valley headquarters on Monday August 7th, showcased “Samsung@the Heart of Storage” and provided insights into the company’s plans to deliver IT products that support the big data explosion, give greater access to massive real-time data sets, and provide real-time, fast data capabilities. The event also hosted an executive, customer and analyst panel, and displayed product demos across Samsung’s comprehensive product ecosystem.

** Editor’s Note: Flash Memory Summit (FMS), produced by Conference ConCepts, showcases the mainstream applications, key technologies and leading vendors that are driving the multi-billion dollar non-volatile memory and SSD markets. FMS is reportedly the world’s largest event featuring the trends, innovations, and influencers driving the adoption of flash memory in demanding enterprise storage applications, as well as in smartphones, tablets, and mobile and embedded systems. For more information, please visit at www.flashmemorysummit.com

*** Editors’ Note: Often shortened as NVMe, NVM Express (Non-Volatile Memory Express) is a high performance, scalable host controller interface with a streamlined ‘register and command’ set that has been optimized for enterprise and client systems using PCIe SSDs. For more information, please visit www.nvmexpress.org

Samsung осуществляет массовые поставки модулей памяти HBM2 компании AMD

На прошлой неделе представители Samsung заявили, что корпорация увеличивает объёмы производства микросхем памяти типа HBM2 объёмом 8Гб для "удовлетворения растущих потребностей рынка" и что Samsung является единственным в мире поставщиком микросхем HBM2 такого объёма.
Однако не было обнародовано никаой информации относительно заказчиков указанной продукции.
Как стало известно сегодня, именно Samsung будет снабжать графические процессоры AMD Vega памятью HBM2. Более того, других поставщиков пока не предвидится, хотя соотечественники из компании SK Hynix тоже предлагают память этого типа.
В своё время разработку памяти HBM первого поколения AMD и SK Hynix осуществляли совместными усилиями, результатом чего стало появление видеокарт Radeon R9 Fury X, Radeon R9 Fury и Radeon R9 Nano на базе графического процессора AMD Fiji. Тем не менее, при создании графических решений Vega компания AMD отдала предпочтение продукции Samsung. Память типа HBM2 также устанавливается и на ускорители вычислений NVIDIA Tesla V100 с архитектурой Volta, поэтому AMD является далеко не единственным потребителем решений от южнокорейского техногиганта. Но, судя по всему, именно выход относительно массовой видеокарты Radeon RX Vega подтолкнул Samsung к увеличению объёмов выпуска необходимого ассортимента микросхем HBM2.

Samsung форсирует выпуск чипов памяти HBM2 объёмом 8 ГБ

Samsung заявил об увеличении объёмов производства памяти HBM2 (High Bandwidth Memory-2) объёмом 8Гб вследствие роста спроса на эту категорию продукции вендора. HBM2 применяется в широком перечне приложений, включая искусственный интеллект, высокопроизводительные компьютеры, производительные графические решения, сетевые системы и корпоративное серверное оборудование.
Отмечается, что память Samsung HBM2 ёмкостью 8Гб обеспечивает высокую производительность, надёжность и энергоэффективность. В ней применяется множество запатентованных технологических решений. Чип памяти HBM2 объёмом 8Гб состоит из восьми 8-гигабитных HBM2-матриц и буферной матрицы в нижней части стека, которые все вертикально связаны между собой при помощи технологии TSV (Through Silicon Via).
Каждый слой включает более 5 тыс. соединений TSV, а весь чип Samsung HBM2 объёмом 8 ГБ – более 40 тыс. соединений. Использование столь большого количества соединений, включая запасные, обеспечивает высокую производительность и обеспечивает возможность переключения потоков данных на разные соединения TSV в случае возникновения задержек передачи. Память HBM2 разработана таким образом, чтобы избежать перегрева выше определённой температуры, что обеспечивает высокую надёжность.
Память HBM2 впервые была представлена в июне 2016 года. Она обеспечивала пропускную способность передачи данных на уровне 256 ГБ/с, что в 8 раз превосходит возможности чипов памяти GDDR5 DRAM (32 Гб/с). Благодаря удвоению ёмкости чипов с 4Гб до 8Гб удалось повысить производительность и энергоэффективность систем.
Samsung ожидает, что объём производства памяти HBM2 объёмом 8Гб составит более 50% производства всей памяти HBM2 в первой половине следующего года.

Samsung Increases Production of Industry’s Fastest DRAM ─ 8GB HBM2, to Address Rapidly Growing Market Demand

With 256GB/s memory bandwidth, Samsung’s 8GB HBM2 offers the highest DRAM performance for the most data-intensive, high-performance applications

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it is increasing the production volume of its 8-gigabyte (GB) High Bandwidth Memory-2 (HBM2) to meet growing market needs across a wide range of applications including artificial intelligence, HPC (high-performance computing), advanced graphics, network systems and enterprise servers.
“By increasing production of the industry’s only 8GB HBM2 solution now available, we are aiming to ensure that global IT system manufacturers have sufficient supply for timely development of new and upgraded systems,” said Jaesoo Han, executive vice president, Memory Sales & Marketing team at Samsung Electronics. “We will continue to deliver more advanced HBM2 line-ups, while closely cooperating with our global IT customers.”
Samsung’s 8GB HBM2 delivers the highest level of HBM2 performance, reliability and energy efficiency in the industry, underscoring the company’s commitment to DRAM innovation. Among the HBM2 and TSV (Through Silicon Via) technologies that were utilized for the latest DRAM solution, more than 850 of them have been submitted for patents or already patented.
The 8GB HBM2 consists of eight 8-gigabit (Gb) HBM2 dies and a buffer die at the bottom of the stack, which are all vertically interconnected by TSVs and microbumps. With each die containing over 5,000 TSVs, a single Samsung 8GB HBM2 package has over 40,000 TSVs. The utilization of so many TSVs, including spares, ensures high performance, by enabling data paths to be switched to different TSVs when a delay in data transmission occurs. The HBM2 is also designed to prevent overheating beyond certain temperature to guarantee high reliability.
First introduced in June 2016, the HBM2 boasts a 256GB/s data transmission bandwidth, offering more than an eight-fold increase over a 32GB/s GDDR5 DRAM chip. With capacity double that of 4GB HBM2, the 8GB solution contributes greatly to improving system performance and energy efficiency, offering ideal upgrades to data-intensive, high-end computing applications that deal with machine learning, parallel computing and graphics rendering.
In meeting increasing market demand, Samsung anticipates that its volume production of the 8GB HBM2 will cover more than 50 percent of its HBM2 production by the first half of next year.

Samsung запустил массовое производство 64-слойной флэш-памяти V-Nand

В официальном пресс-рализе Samsung сообщает о начале серийного выпуска микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 256 Гбит, предназначенных для накопителей, применяемых в серверах, компьютерах и мобильных устройствах.

В настоящее время вендор также разрабатывает продукты других категорий, включая встраиваемые накопители UFS и карты памяти, которые должны быть представлены в течение этого года.

Увеличивая производство 64-слойных микросхем V-NAND, которые также называются V-NAND 4-го поколения, вендор рассчитывает, что до конца года они составят более 50% всего выпускаемого им объёма флэш-памяти.

Микросхемы V-NAND плотностью 256 Гбит, хранящие в каждой ячейке по 3 бита, поддерживают скорость передачи данных 1 Гбит/с, что является рекордным значением для флэш-памяти типа NAND. Кроме того, память V-NAND характеризуется минимальным временем страничной записи (tPROG) — 500 мкс. Это значение примерно в 4 раза меньше значения, типичного для планарной флэш-памяти, изготовленной по технологии 10-нанометрового класса.

По сравнению с микросхемами 48-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 256 Гбит, 64-слойная память V-NAND такой же плотности на 30% экономичнее, поскольку напряжение питания снижено с 3,3 В до 2,5 В. При этом надёжность изделий возросла на 20%.

Samsung Ramps up 64-Layer V-NAND Memory Production to Accommodate Expanding Line-up of High-Performance Flash Storage Solutions

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun volume production of 64-layer, 256Gb V-NAND flash memory for use with an expanding line-up of storage solutions for server, PC and mobile applications.

Since Samsung began producing the industry’s first SSD based on 64-layer 256Gb V-NAND chips in January for key IT customers, it has been working on a wide range of new V-NAND-based mobile and consumer storage solutions. These include embedded UFS memory, branded SSDs and external memory cards, which the company plans to introduce later this year.

To solidify its competitive edge in the memory market, Samsung intends for its volume production of the 64-layer V-NAND chip, which is widely referred to as 4th generation V-NAND, to cover more than 50 percent of its monthly NAND flash production by year end.

“Following a long commitment to innovative technology, we will continuously push the limits of generations of industry-first V-NAND production, in moving the industry closer to the advent of the terabit V-NAND era,” said Kye Hyun Kyung, Executive Vice President of the Flash Product and Technology team, Memory Business at Samsung Electronics. “We will keep developing next-generation V-NAND products in sync with the global IT industry so that we can contribute to the timeliest launches of new systems and services, in bringing a higher level of satisfaction to consumers.”

The Samsung 64-layer 3-bit 256Gb V-NAND features a data transfer speed of 1Gbps (gigabit per second), which is the fastest among currently available NAND flash memory. Also, the V-NAND has the industry’s shortest page program time (tPROG)* of 500 microseconds (㎲) among NAND flash memory, which is about four times faster than that of a typical 10-nanometer (nm) class, planar NAND flash memory and approximately 1.5 times faster than that of Samsung’s fastest 48-layer 3-bit 256Gb V-NAND flash. With today’s ample supply of leading-edge V-NAND products, Samsung expects that the industry will now focus more on the high performance and reliability of memory storage, rather than immerse itself in a chip scaling race.

The new 64-layer 256Gb V-NAND provides more than a 30 percent productivity gain, compared to the 48-layer 256Gb V-NAND that preceded it. In addition, the 64-layer V-NAND has a 2.5V input voltage for its circuits, which leads to approximately 30 percent greater energy efficiency than the 3.3 volts that 48-layer V-NAND used. Also, the reliability of the new V-NAND cell increased by about 20 percent compared to its predecessor.

Samsung enabled these improvements by tackling a diversity of challenges that appear in the advanced V-NAND manufacturing process. Chief among them were realizing multi-billion channel holes that penetrate several dozen layers of cell-arrays, and minimizing the loss of electrons from about 85.3 billion cells.

As the layers of cell arrays increase, the level of technological difficulty also increases, especially in making the channel holes homogeneous in their shape from the top to the bottom layer, and in properly dispersing the weight of all the layers to improve the stability of the channel holes.

Another challenge that Samsung overcame was to realize 64 layers of cell arrays based on 3D CTF (charge trap flash) structure and uniformly cover the inner side of each channel hole with an atomically thin, non-conductive substance. This led to the creation of smaller cells with improved performance and reliability.

Based on 15 years of research into its proprietary V-NAND 3D structure, Samsung has formed the basis for more than 500 patents related to essential technological findings, and filed applications for them in many countries including Korea, the U.S. and Japan. Based on its success with 64-layer V-NAND, Samsung has secured the fundamental technology that it needs in the future to produce V-NAND chips with one terabit capacity and more, by stacking over 90 layers of cell arrays.

Samsung откроет самый большой в мире завод по производству полупроводников

По сообщению бизнес-портала The Investor, техногигант Samsung Electronics в июле текущего года откроет новый завод по производству полупроводников. Предприятие расположено в городе Пхёнтхэк в провинции Кёнгидо.
Сооружение станет крупнейшим в мире заводом по производству полупроводников с площадью 2,89 миллиона квадратных метров. Подразделение Samsung Semiconductor будет производить здесь, среди прочего, флэш-память V-NAND 4-го поколения с 64-слойной архитектурой.
Samsung уже поторопил поставщиков с началом отгрузки необходимого оборудования для пробного запуска производства в конце мая этого года. Официальное открытие крупнейшего в мире завода по производству полупроводников намечено на июль 2017.
Как сообщают информированные источники, заводу потребуется порядка 2-х лет, чтобы выйти на проектную мощность. Тогда предприятие сможет выпускать по 450 тыс. полупроводниковых пластин ежемесячно.
Возведение нового предприятия-колосса строительное подразделение Samsung начало в 2015 году. Заказчик в лице Samsung Electronics вложил в строительство порядка $13,6 миллиардов. Это почти в 2 раза больше, чем корпорация затратила на недавнюю покупку крупнейшего транснационального поставщика аудиооборудования и автомобильных систем HARMAN, стоимость которого была оценена в $8 миллиардов.

Samsung’s new semiconductor plant to go online in July

Tech giant Samsung Electronics will start operating its new semiconductor facilities in Pyeongtaek, Gyeonggi Province, from July, according to news reports on April 12. 
The facilities are the world’s largest in size, built on 2.89 million square meters of land. The Korean tech giant will churn out fourth-generation 3-D NAND flash memory chips that stack 64-layers of cells vertically. The chipmaker has already asked its partners to supply necessary chip manufacturing equipment by the end of May, according to the Seoul Economy Daily.
“Initially, the production volume at the new facilities will be limited and it will a couple of years before the facilities are fully operational,” said a source quoted by the publication.
Samsung is expected to start operations at the chip-making complex this year, but a specific timeline has not yet been officially released. 
Construction started in 2015, costing the firm 15.6 trillion won (US$13.6 billion). The full production capacity for both planar and vertical NAND chips is estimated to stand at 450,000 wafers per month, with 3-D NAND chips accounting for more than half the volume.
Samsung is currently the world’s No. 1 NAND flash memory chip company. It saw its global market share increase from 32 percent in 2015 to 36.1 percent last year, according to market research firm IHS Markit.

Gartner: в 2016-м году Samsung снова стал крупнейшим заказчиком на полупроводники

Подразделение Samsung Electronics снова оказалось крупнейшим потребителем полупроводников в 2016-м году. Об этом свидетельствует отчёт аналитической компании Gartner.
За период с января по декабрь 2016-го южнокорейский вендор закупил полупроводниковых изделий на сумму $31,667 миллиардов (9,3% от всех потребностей мирового рынка). В 2015-м Samsung потратил на закупку полупроводников $30,343 миллиардов, то есть объём закупок вырос на 4,4%. Следом за Samsung идёт американская корпорация Apple, которая сократила закупки по сравнению с 2015-м годом с $30,885 миллиардов до $29,989 миллиардов, то есть падение составило 2,9% при общемировой доле 8,8%.
Samsung Electronics и Apple занимают ведущие места в списке потребителей полупроводниковой продукции 6-й год подряд. В TOP5 также входят компании Dell, Lenovo и Huawei, на которые приходится 3,9%, 3,8% и 2,9% закупок полупроводниковой продукции соответственно.
Наращивание объёмов закупок полупроводников свидетельствует о высоком спросе на конечные продукты Samsung в высокотехнологичном сектре. При этом увеличение поставок полупроводниковых компонентов играет на руку другому подразделению - Samsung Semiconductor, что, в итоге, сказывается на общем росте прибыли конгломерата Samsung Group.

Samsung сокращает разрыв с Intel на рынке полупроводников

Аналитическая компания Gartner подвела годовые итоги исследования мирового рынка полупроводниковой продукции. Согласно её оценкам, в 2016-м году было поставлено полупроводниковых изделий на сумму в $339,7 млрд. Это на 1,5% больше по сравнению с результатом 2015 года, когда объём отрасли равнялся $334,8 млрд.
Крупнейшим производителем полупроводниковых микросхем остаётся корпорация Intel с долей в 15,9%. В прошлом году её выручка от реализации этих продуктов составила около $54 млрд. На втором месте находится Samsung Electronics. Южнокорейский гигант получил от реализации полупроводниковых изделий $40,1 млрд дохода, заняв 11,8% мирового рынка. Таким образом, Samsung сократил разрыв с конкурентами из Intel по сравнению с 2015-м годом за счёт более динамичного роста поставок. В Gartner отмечают, что южнокорейский производитель сохраняет высокие позиции уже пятнадцатый год подряд. Замыкает тройку Qualcomm с 4,5% отрасли. В прошлом году этот вендор выручил от поставок полупроводниковых изделий примерно $15,4 млрд.
В десятку ведущих производителей также вошли SK Hynix, Broadcom, Micron Technology, Texas Instruments, Toshiba, NXP и MediaTek (см. таблицу выше). Gartner отмечает, что 25 крупнейших производителей в совокупности занимают 75,9% глобального рынка.