"За все 37 лет работы, в течение которых я слежу за полупроводниковой отраслью, мне ни разу не доводилось видеть столь интенсивного роста капитальных вложений в производство чипов. Сумма запланированных Samsung расходов - беспрецедентна за всю историю индустрии", - заявил президент IC Insights Бил Макклин (Bill McClean).
В 2010-м году техногигант Samsung впервые потратил на расширение полупроводниковых мощностей более $10 миллиардов. В последующие 3 года сумма колебалась от 11,3 до 12,3 миллиардов долларов, а в 2014-м и в 2015-м вложения достигали 13,5 и 13 миллиардов соответственно.
Ожидаемый в этом году скачок просто поражает, говорят эксперты. В IV квартале 2017-го полупроводниковые вложения Samsung должны достигнуть 8,6 миллиардов долларов, что составит треть от всего объёма инвестиций в $26,2 миллиардов долларов, который прогнозируется в мировой полупроводниковой отрасли в текущей четверти. При этом вклад Samsung в совокупную выручку на рынке чипов в октябре-декабре 2017-го ожидается на уровне 16%.
Из намеченной на 2017 год суммы, 14 миллиардов долларов Samsung направит на развитие бизнеса по выпуску 3D NAND. Большая часть средств предназначена для предприятия в городе Пхёнтхэк, провинции Кёнгидо, Южная Корея. В расширение и модернизацию DRAM-мощностей корпорация вложит порядка 7 миллиардов долларов, а ещё 5 миллиардов будет направлено в фаундри-бизнес (контрактное производство чипов), в рамках которого предполагается увеличить производство 10-нанометровых чипов.
Аналитики считают, что столь масштабные вложения Samsung не обойдутся без последствий для отрасли. В частности, ожидается период перепроизводства микросхем флэш-памяти 3D NAND. К сбою баланса спроса и предложения приведут не только действия Samsung, но его конкурентов - SK Hynix, Micron, Toshiba и Intel. Чтобы не потерять долю на рынке, им также придётся наращивать выпуск чипов.
Также эксперты добавили, что учитывая огромные инвестиции Samsung, надеждам китайский вендоров стать значимыми игроками на рынке 3D NAND flash или DRAM вряд ли суждено сбыться.
"Мы крайне скептически оцениваем способность китайских производителей конкурировать с Samsung, SK Hynix и Micron в технологическом плане", - подчеркнули в IC Insights.
Samsung to rank No. 1 in capital spending among chipmakers this year
Capital spending among chipmakers is expected reach US$90.8 billion this year, an industry tracker said Friday, with South Korea's Samsung Electronics Co. leading the pact.
According to the data compiled by IC Insights, Samsung Electronics' annual facility investment for this year is estimated at $26 billion, accounting for more than 20 percent of the total investments planned by these companies.
The semiconductor market researcher said Samsung is presumed to have allocated $14 billion for the 3D NAND flash segment, followed by $7 billion and $5 billion for the dynamic random-access memory (DRAM) and foundry sectors, respectively.
IC Insight said the "unprecedented" aggressive investment by Samsung is anticipated to lead to overcapacity in the 3D NAND flash market.
"This overcapacity situation will not only be due to Samsung's huge spending for 3D NAND flash but also to its competitors in this market segment responding to the company's spending surge," the industry tracker said, referring to SK hynix Inc. and Micron Technology Inc.
"At some point, Samsung's competitors will need to ramp up their capacity or lose market share," it added.
IC Insights added traditional leaders such as Samsung, SK hynix, and Micron will continue to take the lead against Chinese players down the road.
"This year's level of spending by Samsung just about guarantees that without some type of joint venture with a large existing memory suppler, new Chinese memory startups stand little chance of competing on the same level as today's leading suppliers," the industry tracker said.
