Samsung увеличит затраты на расширение производства флэш-памяти NAND

Капиталовложения Samsung Electronics, направленные на расширение производства флэш-памяти NAND, а также дальнейшее развитие этой технологии, в текущем году составят 6,4 миллиарда долларов США. В 2019-м м году на эти цели будет выделено порядка 9 миллиардов долларов.
Южнокорейский техногигант сделает упор на расширении производства флэш-памяти 3D NAND в городе Пхёнтхэк (Южная Корея) и городе Сиань (Китай), что позволит Samsung сохранить позиции абсолютного лидера на рынке полупроводников.
На этой неделе Samsung объявил о начале массового выпуска флэш-памяти V-NAND 5-го поколения для смартфонов и суперкомпьютеров. При этом отраслевые эксперты не сомневаются, что Samsung опережает конкурентов в указанном сегменте сегменте, по меньшей мере, на 2 года.
Одновременно специалисты полагают, что на фоне существенного повышения затрат на расширение производства флэш-памяти 3D NAND высок риск того, что предложение на рынке в ближайшие пару лет значительно превысит спрос. Тем не менее в дальнейшем спрос будет повышаться за счёт взрывного развития IoT-технологий (интернета вещей), для чего понадобится большой объём такой продукции. 

Samsung capex for NAND flash to hike

Samsung Electronics will expand its capex for NAND flash memory to around US$9 billion in 2019, up from about US$6.4 billion in 2018, a recent Chosun Ilbo report quoted industry sources in South Korea as saying.
Samsung will focus mainly on scaling up its 3D NAND chip output in Pyeongtaek, South Korea and Xian, China, according to the report. The industry leader's planned huge spending is believed to be an effort to defend its dominance in the market.
Meanwhile, with its recent announcement of its fifth-generation 3D NAND memory chips, Samsung will be at least two years ahead of its competitors in technology, the report indicated.
In addition, IC Insights warned of overspending by major NAND suppliers in a recent analysis, which said it is no surprise that NAND flash prices have already softened in early 2018. It said the pace of the softening is expected to pick up in the second half of 2018 and continue into 2019.
Samsung, along with SK Hynix, Micron, Intel, Toshiba/Western Digital/SanDisk and XMC/Yangtze River Storage Technology, all plan to ramp up dramatically their 3D NAND flash capacities over the next couple of years. IC Insights believes that the risk for significantly overshooting 3D NAND flash market demand is very high and growing.

Лидерство Samsung на рынке полупроводников официально подтверждено независимыми аналитическими группами

Вслед за IC Insights и Gartner, исследовательская компания IHS Markit опубликовала подробный отчёт о положении на глобальном рынке полупроводников за 2017-й год. Как следует из доклада, в отрасли произошли "драматические изменения", связанные со сменой лидера и общим взрывным ростом продаж.
Под "драматическими изменениями" подразумевается потеря короны бывшим "кремниевым королём" - американской корпорации Intel и сенсационный взлёт южнокорейского техногиганта Samsung, который всего лишь за год сумел нарастить выпуск чипов на 53,6%.
В глобальном масштабе рынок полупроводников продемонстрировал в 2017 году рост на 21,7%. Это рекордный показатель за последние 14 лет. Аналитики официально подтвердили, что Samsung стал лидером, обогнав Intel. Ранее об этом можно было говорить только по данным отчётов самих компаний.
Итак, объём рынка полупроводников в 2017 году составил $429,1 миллиарда, что на 21,7% больше аналогичного показателя за предыдущий год. Таким образом рынок продемонстрировал самый значительный годовой рост за последние 14 лет, отмечают эксперты IHS Markit. Из этой суммы почти $251 миллиард приходится на 10 лидирующих компаний.
В частности, Samsung, как было сказано выше, за год увеличил свою выручку от полупроводников до $62 млрд, показав годовой рост на 53,6%, что является рекордным показателем за всю историю корпорации. IHS Markit подтверждает данные о том, что южнокорейский электронный гигант занял на рынке полупроводников лидирующее положение, отодвинув Intel на 2-е место с объёмом полупроводниковый выручки $61,4 млрд и годовым ростом на уровне 11,7%. Таким образом, 25-летнему доминированию американцев на рыке чипов пришёл конец (по крайней мере на этот момент).
Другая южнокорейская компания SK Hynix, находится на 3-м месте с объёмом выручки $26,6 миллиарда, однако именно она показала самые высокие темпы роста — 81,2%. 2-е место по наращиванию темп оборота занимает американская Micron с результатом 79,7%. Если говорить об объёмах продаж, то Micron находится на 4-м месте с выручкой $22,8 миллиарда. 5-е место занимает Broadcom с выручкой $17,4 миллиарда и годовым ростом на 16%.
Среди полупроводниковых компаний, не имеющих собственных производственных мощностей, лидером по-прежнему является Qualcomm с выручкой $16,9 миллиарда и годовым ростом на 9,5%. В общем рейтинге Qualcomm занимает 6-е место, на которое опустилась с 3-го. На 2-м месте в "бесфабричном" списке и 10-м в общем зачёте находится nVidia с показателем годового роста 42,3% и выручкой $8,6 миллиарда.
Интегральные схемы памяти остаются самым быстрорастущим сегментом рынка полупроводников — в 2017 году они показали рост на 60,8% по сравнению с 2016-м. Подсегмент памяти типа DRAM вырос на 76,7%, а памяти типа NAND — на 46,6%. Для обеих указанных категорий это самый высокий темп роста за последние 10 лет. Результат был достигнут во многом потому, что цены на память повысились в связи с недостатком предложения при растущем спросе.
Согласно заявлению старшего директора IHS Markit Крейга Стайса (Craig Stice), специализирующегося на чипах памяти и хранилищах данных, IT-отрасль переходит с памяти типа 2D NAND на 3D NAND, результатом чего и является дисбаланс спроса и предложения. По состоянию на начало 2018 года, на выпуск 3D NAND перешли уже 3/4 производителей, что должно способствовать росту предложения.
Не считая памяти, рынок полупроводников показал годовой рост на 9,9%, во многом благодаря продажам твердотельных накопителей. Примечательно, что продажи полупроводников, используемых для приложений обработки данных, выросли под конец года на 33,4%. В этом сегменте Intel пока остаётся лидером и её продажи вдвое превосходят показатели Samsung, занимающего 2-е место.

Противостояние Intel и Samsung на рынке полупроводников

В январе Samsung опубликовал отчёт об итогах 2017 года, из которого следует, что на продажах полупроводниковых чипов памяти корпорация заработала $69,1 миллиарда. Эта сумма превысила ранее объявленные рекордные показатели Intel — $62,8 миллиарда. В результате последняя потеряла лидерство в рейтинге продаж, которое удерживала с 1992 года.
Ранее опубликованный отчёт Intel свидетельствует о том, что минувший год в плане экономических показателей был для компании достаточно неплохим. Продажи чипов выросли на 6%, но основная часть этого роста пришлась на компьютеры и ноутбуки. На этом рынке Intel, по оценкам экспертов Bloomberg, всё ещё успешен: процессоры и микрочипы компании установлены в 90% персональных компьютеров.
Однако успех Samsung в очередной раз демонстрирует важность подобных технологий и на постоянно растущем рынке смартфонов. Свою роль играет и увеличение популярности интернета вещей (IoT), а также рост числа подключённых автомобилей. Интересно, что Samsung начал активно играть на этих перспективных направлениях, одновременно стимулируя собственное производство чипов для нужд IoT и автоиндустрии.
Тем не менее у Intel ещё имеются шансы вернуть корону лидера, поскольку разрыв с Samsung не столь велик, а рынок полупроводников вступил в фазу быстрменяющегося спроса. Оказать влияние на положение дел в отрасли могут и китайцы, которые провозгласили "чипизацию" своей национальной программой и за счёт гигантской подпитки из госказны могут обрушить цены, отвоевав, таким образом, большую долю. В перспективе это означает очередной передел рынка полупроводников. 

Samsung Topples Intel as Market Leader in 2017

Posting the highest year-over-year growth in 14 years, the global semiconductor industry grew 21.7 percent in 2017, reaching $429.1 billion, according to IHS Markit. Another milestone was Samsung toppling Intel as the market leader for the first time in 25 years.
Samsung reported 53.6 percent growth in 2017, thanks to rising prices and tight supply of memory ICs, coupled with high demand from the server market, which propelled the company to the No. 1 position. Rounding out the top five are Intel, SK Hynix, Micron and Broadcom.
“2017 was quite a memorable year,” said Shaun Teevens, semiconductor supply chain analyst, IHS Markit, in a statement. “Alongside record industry growth, Intel, which had led the market for 25 years, was supplanted by Samsung as the leading semiconductor supplier in the world.”
Two other memory IC leaders, SK Hynix and Micron, also saw strong growth in 2017. Both achieved the largest year-over-year revenue growth, growing 81.2 percent and 79.7 percent, respectively, said IHS.
“A very favorable memory market with strong demand and high prices was mainly responsible for the strong growth of these companies,” Teevens said.
IC Insights’ forecast in November 2017 predicted that Samsung would overtake Intel last year amid rising average selling prices (ASPs) for DRAM and NAND flash.
Gartner’s preliminary results in January also indicated that Samsung would topple Intel from the No. 1 position on the heels of undersupply and higher prices in the memory market. Gartner predicted that global semiconductor revenue would grow 22 percent in 2017, reaching $419.7 billion.
Strong demand in the global server market also drove high growth for memory ICs, and overall, for semiconductors. Revenue in the global server market grew 10.4 percent in 2017, recording 25.7 percent growth in the fourth quarter alone, according to Gartner.
Prices are expected to keep climbing for DRAMs used in server applications. Server DRAM ASPs are forecast to increase by 4 percent in the first quarter of 2018, followed by additional single-digit increases in the second quarter, according to DRAMeXchange.
Memory ICs achieved the strongest growth among all semiconductor categories in 2017, growing 60.8 percent. The DRAM segment grew 76.7 percent and NAND increased by 46.6 percent. Gartner attributes the growth primarily to higher prices; the result of higher demand and tight supply throughout 2017.
“The technology transition from planar 2D NAND to 3D NAND drove the market into an unbalanced supply-demand environment in 2017, driving prices higher throughout the year,” said Craig Stice, senior director, memory and storage, IHS Markit, in a statement. “Entering 2018, the 3D NAND transition is now almost three-quarters of the total bit percent of production, and it is projected to provide supply relief for the strong demand coming from the SSD and mobile markets. Prices are expected to begin to decline aggressively, but 2018 could still be a record revenue year for the NAND market.”
The semiconductor industry, excluding memory, increased by 9.9 percent, due to strong demand across applications, regions and technologies, said Gartner. Semiconductors used in data processing applications, for example, expanded by 33.4 percent last year.
“Intel remained the market leader in this category, with sales almost two times larger than second-ranked Samsung,” said Gartner.

Samsung направляет рекордные суммы в развитие полупроводникового бизнеса

Потратив на расширение производства полупроводников $11,3 миллиарда в 2016-м году, корпорация Samsung, лидер мирового рынка микросхем памяти, недавно объявила, что в 2017-м году её вложения в этот бизнес увеличатся вдвое и достигнут 26 миллиардов долларов США. Если южнокорейский гигант осуществит свои планы, то по капзатратам Samsung опередит корпорацию Intel и крупнейшего в мире контрактного чипмейкера TSMC вместе взятых, отмечают аналитики IC Insights.
"За все 37 лет работы, в течение которых я слежу за полупроводниковой отраслью, мне ни разу не доводилось видеть столь интенсивного роста капитальных вложений в производство чипов. Сумма запланированных Samsung расходов - беспрецедентна за всю историю индустрии", - заявил президент IC Insights Бил Макклин (Bill McClean).
В 2010-м году техногигант Samsung впервые потратил на расширение полупроводниковых мощностей более $10 миллиардов. В последующие 3 года сумма колебалась от 11,3 до 12,3 миллиардов долларов, а в 2014-м и в 2015-м вложения достигали 13,5 и 13 миллиардов соответственно.
Ожидаемый в этом году скачок просто поражает, говорят эксперты. В IV квартале 2017-го полупроводниковые вложения Samsung должны достигнуть 8,6 миллиардов долларов, что составит треть от всего объёма инвестиций в $26,2 миллиардов долларов, который прогнозируется в мировой полупроводниковой отрасли в текущей четверти. При этом вклад Samsung в совокупную выручку на рынке чипов в октябре-декабре 2017-го ожидается на уровне 16%.
Из намеченной на 2017 год суммы, 14 миллиардов долларов Samsung направит на развитие бизнеса по выпуску 3D NAND. Большая часть средств предназначена для предприятия в городе Пхёнтхэк, провинции Кёнгидо, Южная Корея. В расширение и модернизацию DRAM-мощностей корпорация вложит порядка 7 миллиардов долларов, а ещё 5 миллиардов будет направлено в фаундри-бизнес (контрактное производство чипов), в рамках которого предполагается увеличить производство 10-нанометровых чипов.
Аналитики считают, что столь масштабные вложения Samsung не обойдутся без последствий для отрасли. В частности, ожидается период перепроизводства микросхем флэш-памяти 3D NAND. К сбою баланса спроса и предложения приведут не только действия Samsung, но его конкурентов - SK Hynix, Micron, Toshiba и Intel. Чтобы не потерять долю на рынке, им также придётся наращивать выпуск чипов.
Также эксперты добавили, что учитывая огромные инвестиции Samsung, надеждам китайский вендоров стать значимыми игроками на рынке 3D NAND flash или DRAM вряд ли суждено сбыться.
"Мы крайне скептически оцениваем способность китайских производителей конкурировать с Samsung, SK Hynix и Micron в технологическом плане", - подчеркнули в IC Insights.

Samsung to rank No. 1 in capital spending among chipmakers this year

Capital spending among chipmakers is expected reach US$90.8 billion this year, an industry tracker said Friday, with South Korea's Samsung Electronics Co. leading the pact.
According to the data compiled by IC Insights, Samsung Electronics' annual facility investment for this year is estimated at $26 billion, accounting for more than 20 percent of the total investments planned by these companies.
The semiconductor market researcher said Samsung is presumed to have allocated $14 billion for the 3D NAND flash segment, followed by $7 billion and $5 billion for the dynamic random-access memory (DRAM) and foundry sectors, respectively.
IC Insight said the "unprecedented" aggressive investment by Samsung is anticipated to lead to overcapacity in the 3D NAND flash market.
"This overcapacity situation will not only be due to Samsung's huge spending for 3D NAND flash but also to its competitors in this market segment responding to the company's spending surge," the industry tracker said, referring to SK hynix Inc. and Micron Technology Inc.
"At some point, Samsung's competitors will need to ramp up their capacity or lose market share," it added.
IC Insights added traditional leaders such as Samsung, SK hynix, and Micron will continue to take the lead against Chinese players down the road.
"This year's level of spending by Samsung just about guarantees that without some type of joint venture with a large existing memory suppler, new Chinese memory startups stand little chance of competing on the same level as today's leading suppliers," the industry tracker said.

Samsung вложит $7 миллиардов в развитие производства флэш-памяти в Китае

Южнокорейский техногигант Samsung планирует в течение 3-х лет инвестировать $7 миллиардов в производство чипов флэш-памяти типа NAND, которые используют в смартфонах и другой мобильной электронике. Об этом сегодня поведало бизнес-агентство Bloomberg со ссылкой на соответствующее заявление вендора.
В заявлении уточняется, что первый транш инвестиций составит $2,3 миллиарда. В корпорации уже одобрили направление этих денег на расширение мощностей завода Samsung в городе Сиань на юго-западе Китая.
Микрочипы NAND используют в смартфонах, различных устройствах, в картах памяти и флэш-накопителях. Bloomberg, ссылаясь на информацию консалтинговой компании IDC (International Data Corporation) отмечает, что Samsung, по данным на март 2017 года, занял 41% на рынке флэш-памяти. Это более чем в 2 раза превышает долю японской компании Toshiba Corp. (18%).
Samsung является крупнейшим производителем динамической оперативной памяти (DRAM/Dynamic Random Access Memory). Южнокорейский чеболь занимает 44% этого рынка.
Качественные чипы памяти принесли конгломерату Samsung рекордную прибыль в последнем квартале 2016 года, что помогло ему стать более прибыльным, чем Apple Inc, отмечает Bloomberg.
В конце июля текущего года Samsung заявил о рекордной чистой прибыли в $9,9 миллиардов во 2-м квартале текущего же года. В заявлении говорилось, что наращивание прибыли произошло за счёт продаж чипов памяти DRAM и NAND, с помощью которых обрабатываются и хранятся данные на серверах и в гаджетах.
Кроме того, рост прибыли произошел благодаря хорошим продажам смартфонов Samsung S8 и S8+.

Samsung Will Invest $7 Billion in China Flash-Memory Production

Samsung Electronics Co., the world’s biggest maker of memory chips, will invest $7 billion in a Chinese semiconductor plant to meet growing demand for the NAND flash memory used in smartphones and other devices.
The spending will take place over a three-year period and be focused on its plant in Xi’an, the Suwon, South Korea-based company said in a statement Monday.
Samsung’s strength in memory chips has driven the company’s earnings to a record in the most recent quarter, and helped it become more profitable than Apple Inc. The announcement came just days after a Seoul court sentenced Vice Chairman Jay Y. Lee to five years in prison for his role in a graft scandal.
NAND is used in everything from smartphones to connected appliances, as well as memory cards and flash drives. Samsung had about 41% of the NAND market in the March quarter, more than double the 18% of Toshiba Corp. The South Korean techgiant is also the biggest producer of dynamic random access memory, or DRAM, with about 44% of sales.

Samsung представил новые решения в области развития чипов памяти, которые окажут влияние на технологии будущего

В рамках конференции Flash Memory Summit, которая в эти дни проходит в Санта-Клара (США), техногигант Samsung поделился планами развития памяти типа 3D NAND.
Южнокорейский вендор стал пионером массового производства многослойной флэш-памяти, что произошло в 2013 году — примерно на 2 года раньше, чем это смогли сделать конкуренты. Это опережение сохраняется до сих пор, что лишний раз было показано на нынешней конференции. Проще говоря, Samsung было чем удивить отраслевых экспертов.
На мероприятии представители корпорации сообщили, что в следующем году она начнёт массовый выпуск 1-Тбит кристаллов 3D NAND. Скорость передачи для каждого кристалла будет достигать 1,2 Гбит/с. В один стэк можно будет паковать до 32 кристаллов. Для их соединения в стэке будет введён один дополнительный (нижний) слой для проводной обвязки. По всей видимости, это будет память с записью четырёх бит в каждую ячейку. На выходе получатся 2-х и 4-Тбайт сборки, благодаря которым вендор сможет выпускать в 2,5-дюймовом формфакторе 128-Тбайт SSD.
Другой интересной новостью от Samsung стала информация о начале поставок клиентам опытных SSD на базе Z-NAND. Память Z-NAND была анонсировали в прошлом году на том же Flash Memory Summit. Пока о ней мало что известно. По словам представителей Samsung, память Z-NAND — это "убийца" памяти Intel 3D XPoint. Архитектура Z-NAND нацелена на максимальное снижение задержек при обращении. Рабочие образцы, которые уже есть в распоряжении компаний NetApp и Datera, на уровне отдельных кристаллов демонстрируют задержки менее 15 мкс на скорости передачи данных 800 Мбит/с. Накопители на памяти Z-NAND ориентированы на работу с аналитическими программами и используются для кэширования данных.
По некоторым признакам, память Z-NAND представляет собой память 3D NAND с однобитовой ячейкой, за счёт чего достигается высокая скорость, надёжность и малое время доступа. Косвенно это подтвердили менеджеры Samsung, сообщив, что в следующем году начнётся выпуск Z-NAND с записью двух бит данных в ячейку. Это позволит сделать инновационную память дешевле для клиентов, хотя задержки при обращении к Z-NAND MLC немного увеличатся.
Помимо традиционной NAND-флэш в Samsung не забывают и о перспективных типах энергонезависимой памяти. Представители вендора напомнили, что с 2002 года корпорация разрабатывает магниторезистивную память MRAM и память с изменяемым фазовым состоянием вещества (как Intel 3D XPoint). Память MRAM и PRAM обещает стать тем решением, которое сделает оперативную память энергонезависимой.
Наконец, Samsung показал прототип SSD в формфакторе M.3. Накопители M.3 шире SSD в формфакторе M.2. Предложенный Samsung вариант имеет размеры 30,5 x 110,0 x 4,38 мм. Продемонстрированные накопители M.3 будут иметь ёмкость до 16 Тбайт и поддерживать скорость в IOPS до 500 млн операций в секунду (когда в следующем году перейдут на 1-Тбит чипы). Современный прототип даёт возможность выпустить решение в формате U1 ёмкостью 576 Тбайт с производительностью 10 млн IOPS.
Новая флэш-память должна удовлетворить непрерывно увеличивающийся спрос на рынке бурно развивающегося "Интернета вещей" (IoT) и технологий искусственного интеллекта (AI). По заявлению топ-менеджеров Samsung, быстрая флэш-память играет критически важную роль для получения информации и анализа данных в реальном времени.
Таким образом, представленные на Flash Memory Summit продукты снова подтвердили неоспоримое лидерство Samsung в этом важнейшем для будущего всего человечества сегменте и в очередной раз убедили инвесторов в правильности выбранного курса.

Samsung Introduces Far-reaching V-NAND Memory Solutions to Tackle Data Processing and Storage Challenges

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, has announced new V-NAND (Vertical NAND) memory solutions and technology that will address the pressing requirements of next-generation data processing and storage systems. With the rapid increase of data-intensive applications across many industries using artificial intelligence and Internet of Things (IoT) technologies, the role of flash memory has become extremely critical in accelerating the speed at which information can be extracted for real-time analysis.
At the inaugural Samsung Tech Day* and this year’s Flash Memory Summit**, Samsung is showcasing solutions to address next-generation data processing challenges centered around the company’s latest V-NAND technology and an array of solid state drives (SSDs). These solutions will be at the forefront of enabling today’s most data-intensive tasks such as high-performance computing, machine learning, real-time analytics and parallel computing.
“Our new, highly advanced V-NAND technologies will offer smarter solutions for greater value by providing high data processing speeds, increased system scalability and ultra-low latency for today’s most demanding cloud-based applications,” said Gyoyoung Jin, executive vice president and head of Memory Business at Samsung Electronics. “We will continue to pioneer flash innovation by leveraging our expertise in advanced 3D-NAND memory technology to significantly enhance the way in which information-rich data is processed.

Samsung Heralds Era of 1-Terabit (Tb) V-NAND Chip

Samsung announced a 1Tb V-NAND chip that it expects to be available next year. Initially mentioned in 2013, during unveiling of the industry’s first 3D NAND, Samsung has been working to enable its core memory technologies to realize one terabit of capacity on a single chip using a V-NAND structure.
The arrival of a 1Tb V-NAND chip next year will enable 2TB of memory in a single V-NAND package by stacking 16 1Tb dies and will represent one of the most important memory advances of the past decade.

NGSFF (Next Generation Small Form Factor) SSD to Improve Server Storage Capacity and IOPS

Samsung is sampling the industry’s first 16-terabyte (TB) NGSFF SSD, which will dramatically improve the memory storage capacity and IOPS (input/output operations per second) of today’s 1U rack servers. Measuring 30.5mm x 110mm x 4.38mm, the Samsung NGSFF SSD provides hyper-scale data center servers with substantially improved space utilization and scaling options.
Utilizing the new NGSFF drive instead of M.2 drives in a 1U server can increase the storage capacity of the system by four times. To highlight the advantages, Samsung demonstrated a reference server system that delivers 576TB in a 1U rack, using 36 16TB NGSFF SSDs. The 1U reference system can process about 10 million random read IOPS, which triples the IOPS performance of a 1U server equipped with 2.5-inch SSDs. A petabyte capacity can be achieved using only two of the 576TB systems.
Samsung plans to begin mass producing its first NGSFF SSDs in the fourth quarter of this year, while working to standardize the form factor with industry partners.

Z-SSD: Optimized for Systems Requiring Fast Memory Responsiveness

Following last year’s introduction of its Z-SSD technology, Samsung introduced its first Z-SSD product, the SZ985. Featuring ultra-low latency and high performance, the Z-SSD will be used in data centers and enterprise systems dealing with extremely large, data-intensive tasks such as real-time “big data” analytics and high-performance server caching. Samsung is collaborating with several of its customers on integrating the Z-SSD in upcoming applications.
The Samsung SZ985 requires only 15 microseconds of read latency time which is approximately a seventh of the read latency of an NVMe*** SSD. At the application level, the use of Samsung’s Z-SSDs can reduce system response time by up to 12 times, compared to using NVMe SSDs.
With its fast response time, the new Z-SSD will play a pivotal role in eliminating storage bottlenecks in the enterprise and in improving the total cost of ownership (TCO).

New Approach to Storage with Proprietary Key Value SSD Technology

Samsung also introduced a completely new technology called Key Value SSD. The name refers to a highly innovative method of processing complex data sets. With the sharply increasing use of social media services and IoT applications, which contribute to the creation of object data such as text, image, audio and video files, the complexity in processing this data increases substantially.
Today, SSDs convert object data of widely ranging sizes into data fragments of a specific size called “blocks.” The use of these blocks requires implementation processes consisting of LBA (logical block addressing) and PBA (physical block addressing) steps. However, Samsung’s new Key Value SSD technology allows SSDs to process data without converting it into blocks. Samsung’s Key Value instead assigns a ‘key’ or specific location to each ”value,” or piece of object data – regardless of its size. The key enables direct addressing of a data location, which in turn enables the storage to be scaled. Samsung’s Key Value technology enables SSDs to scale-up (vertically) and scale-out (horizontally) in performance and capacity. As a result, when data is read or written, a Key Value SSD can reduce redundant steps, which leads to faster data inputs and outputs, as well as increasing TCO and significantly extending the life of an SSD.

* Editor’s Note: Samsung Tech Day hosted at Samsung’s Silicon Valley headquarters on Monday August 7th, showcased “Samsung@the Heart of Storage” and provided insights into the company’s plans to deliver IT products that support the big data explosion, give greater access to massive real-time data sets, and provide real-time, fast data capabilities. The event also hosted an executive, customer and analyst panel, and displayed product demos across Samsung’s comprehensive product ecosystem.

** Editor’s Note: Flash Memory Summit (FMS), produced by Conference ConCepts, showcases the mainstream applications, key technologies and leading vendors that are driving the multi-billion dollar non-volatile memory and SSD markets. FMS is reportedly the world’s largest event featuring the trends, innovations, and influencers driving the adoption of flash memory in demanding enterprise storage applications, as well as in smartphones, tablets, and mobile and embedded systems. For more information, please visit at www.flashmemorysummit.com

*** Editors’ Note: Often shortened as NVMe, NVM Express (Non-Volatile Memory Express) is a high performance, scalable host controller interface with a streamlined ‘register and command’ set that has been optimized for enterprise and client systems using PCIe SSDs. For more information, please visit www.nvmexpress.org

Samsung расширит производство чипов памяти в Китае

Samsung Electronics сообщает, что рассматривает возможность наращивания производственных мощностей по выпуску чипов памяти в Китае ввиду огромного спроса, который будет способствовать рекордным продажам модулей и микросхем памяти.
Руководство Samsung обсуждает возможное расширение производственной базы в Сиане (провинция Шэньси), однако представитель южнокорейского техногиганта уточнил, что окончательного решения по поводу объёма инвестиций для реализации этого плана, пока нет.
Samsung является крупнейшим в мире производителем чипов памяти с глобальной долей более 60%. Корпорация уже инвестировала $7 миллиардов на постройку и оснащение в Сиане завода по производству чипов 3D NAND, которые используются для хранения данных в электронных устройствах, таких как смартфоны, персональные компьютеры и серверы.
Бизнес-портал The Investor сегодня сообщил, что представители конгломерата Samsung уже провели переговоры с китайскими властями о расширении производственных мощностей по выпуску чипов 3D NAND в Сиане, и строительство может начаться до конца года.
Ожидается, что ведущий южнокорейский чеболь и его более мелкие конкуренты типа SK Hynix и Micron, занимающиеся выпуском чипов памяти, получат рекордные доходы и прибыль в 2017 году на фоне растущего спроса на эффективные решения в области обработки данных в бытовой электронике в связи с бурным развитием экосистем ToT (интернет вещей).
Что касается производства чипов памяти в Сиане, то на новом заводе предполагается наладить выпуск продукции более низкого профиля, поскольку наиболее передовые технологии останутся под контролем Samsung в пределах Южной Кореи. Именно там в июле будет запущено самое крупное в мире производство чипов NAND последнего поколения. Завод, построенный к городе Пьёнгтак (провинция Гёнджи) способен выпускать 200.000 пластин ежемесячно для нужд самых передовых отраслей, где требуются создавать огромные массивы для хранения и обработки данных. Кроме того, подобные чипы вендор планирует использовать во флагманских моделях смартфонов Samsung, которые будут наделены самыми передовыми технологическими решениями. 
В то же время китайский завод в Сиане сосредоточится на выпуске продукции для местных китайских производителей мобильных устройств рангом пониже.    
Аналитики компании IHS ожидают, что доходы индустрии памяти в этом году вырастут на 32 %, достигнув рекордной отметки в $104 млрд. Эксперты также утверждают, что в 2017 году поставщикам чипов 3D NAND, скорее всего, будет сложно полностью удовлетворить быстро растущие аппетиты своих клиентов.

Samsung to beef up NAND production in China

Samsung Electronics has recently decided to add a new production line for 3-D NAND flash chips at its plant in Xian, China, with aims to start operations from 2019, industry sources said on May 29.
The Korean tech giant is reportedly in talks with the local government for the latest expansion and plans to invest up to 10 trillion won (US$8.93 billion). 
“Samsung and the local government are finalizing the talks. The construction is likely to start in September,” an industry source said.
The current Line 1 at the Xian plant, established in 2014, produces 120,000 NAND flash sheets per month. Following the planned expansion of Line 2, the production capacity will reach 200,000 units. 
Samsung, the world’s largest memory chipmaker, is the market leader in NAND production with more than 60 percent market share. The company aims to further strengthen its leadership as its smaller rivals such as SK Hynix and Micron are pouring considerable resources into the production of NAND chips whose demand is soaring recently for long-term storage for Internet of Things, cloud and big data services.
Samsung also plans to start operations at its brand new NAND plant in Pyeongtaek, Gyeonggi Province, which has a production capacity of a monthly 200,000 sheets, possibly from June. While the Chinese plant will produce lower-end chips mostly for Chinese handset makers, the Korean plant will focus on more advanced, high-end chips.

Samsung инвестирует рекордные суммы в развитие производства полупроводников

Подразделение Samsung Semiconductor, производящее чипы памяти, вложит рекордные средства в развитие своего бизнеса. Согласно данным исследовательской компании IC Insights, в текущем году южнокорейский техногигант потратит на эти цели 12,5 миллиардов долларов США, что на 11% больше, чем было выделено годом ранее.
Следом за Samsung расположилась американская Intel, которая готова потратить на те же цели около $12 миллиардов (прирост составит 25%). Тайваньская TSMC, похоже, не выдерживает темпа и снижает затраты в этом сегменте на 2%, которые в итоге составят $10 миллиардов. Далее следует ещё один известный южнокорейский производитель чипов - SK Hynix, который инвестирует в развитие $6,13 миллиарда, из которых 4 милларда пойдут на модернизацию заводов.
Таким образом, южнокорейские чипмейкеры лидируют по инвестициям в полупроводниковой отрасли.
В то же время, у многих других производителей ожидается сокращение капзатрат на сотни миллионов долларов в сравнении с 2016 годом. В этом списке, помимо упомянутой выше тайваньской TSMC, фигурируют американский производитель микросхем памяти Micron и китайский полупроводниковый гигант SMIC, говорится в публикации IC Insights.
Источник отмечает, что основная часть капзатрат Samsung Electronics и SK Hynix придется именно на 3D NAND. Вендоры также намерены постепенно наращивать продажи этой продукции и сделать её более приоритетной, чем DRAM-микросхемы.
В настоящее время соотношение продукции типа DRAM и NAND flash у Samsung оценивается как 6/4, а у SK Hynix - как 7/3. Однако оба производителя собираются изменить показатель в пользу более прибыльной многослойной флэш-памяти 3D NAND, что позволит повысить рентабельность и дифференцироваться от других чипмейкеров.
Учитывая запланированные Samsung и SK Hynix вложения в производство 3D NAND, глобальные инвестиции в производство NAND flash в 2017 году должны увеличиться на 14%, с 14 млрд до 16 млрд долларов. По оценкам экспертов SEMI, в нынешнем году южнокорейские чипмейкеры совместно будут контролировать более 70% рынка DRAM-памяти, а в сегменте NAND flash на их долю в сумме придётся свыше 45%.

Samsung и SK Hynix не собираются уступать рынок чипов памяти китайцам

На территории Китая в настоящее время возводится сразу несколько заводских комплексов, которые должны производить чипы памяти 3D NAND и DRAM. Для главных мировых вендоров они пока не представляют особой угрозы, поскольку выйти на заявленные производственные мощности им удастся не ранее, чем через 5–7 лет. В течение указанного срока на глобальном рынке памяти продолжат доминировать такие игроки, как Samsung, SK Hynix и Micron.
Как сообщает портал BusinessKorea, руководство обоих южнокорейских конгломератов намерено пойти на упреждающие шаги с целью укрепления собственных позиций на глобальном рынке памяти. Так, до конца текущего года подразделение Samsung Semiconductor и конкурирующая Hynix Semiconductor Inc. планируют вложить в развитие собственного полупроводникового бизнеса порядка $14 миллиардов, что на 27,3% больше, нежели в 2016-м.
Samsung намеревается израсходовать на эти цели около $10 миллиардов, т. е. на 25% больше, чем в 2016 году. В свою очередь, Hynix Semiconductor Inc. планирует инвестировать в развитие своего полупроводникового бизнеса $6,13 миллиардов, 4 из которых будет направлено на строительство новых фабрик.
Основная масса капитальных инвестиций Samsung и SK Hynix придётся на увеличение производства многослойной энергонезависимой памяти 3D NAND. Источник BusinessKorea подчёркивает, что основным видом деятельности обоих вендоров на рынке памяти будет оставаться производство оперативной памяти типа DRAM (включая мобильную, для серверов и другую). Так, пропорция производства DRAM/NAND у Samsung равна 6/4, а у SK Hynix — 7/3.
Запланированные на 2017 год инвестиции в линии по производству 3D NAND должны изменить эти соотношения в пользу NAND-флэш, что также означает продолжение дефицита DRAM и дальнейший рост цен на оперативную память.
Изменения также произойдут в структуре поставок памяти NAND. Пропорция будет смещаться в сторону многослойной памяти 3D NAND, которая приносит больше выручки производителям. В частности, Samsung в первом полугодии намеревается приступить к производству 64-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC (64-слойная 256-Гбит 3D NAND TLC пошла в производство в прошлом году), а SK Hynix начнёт во втором квартале выпуск 72-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC и планирует начать выпуск 72-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC в четвёртом квартале.
Благодаря запланированным инвестициям Samsung и SK Hynix в производство 3D NAND общемировые инвестиции в производство NAND-флеш в 2017 году вырастут на 14 %: с $14 млрд в прошлом году до $16 млрд в текущем году. Тем самым южнокорейским производителям в 2017 году будет принадлежать свыше 70 % рынка DRAM и свыше 45 % рынка NAND.
Что касается всех прочих игроков этого сегмента, то они, напротив, хотели бы сократить объёмы капитальных вложений (кроме Intel Corp.), причём на сотни миллионов долларов США. Это неудивительно, поскольку выдержать возрастающую с каждым днём конкурентную борьбу на рынке под силу лишь мэйджорам. К тому же строительство в КНР крупных производственных кластеров по определению не может добавить оптимизма отстающим представителям полупроводниковой промышленности.