Samsung обозначил дату презентации процессора Galaxy S9

Samsung сообщил о грядущем анонсе следующего флагманского процессора для мобильных устройств — Exynos 9810. Он был анонсирован ещё в ноябре, но тогда производитель лишь в общих чертах рассказал, что собой будет представлять этот чип. Теперь же южнокорейский гигант намерен раскрыть все технические характеристики новинки и особенности будущей платформы.
По предварительным данным, Exynos 9810 будет выполнен по 10-нм техпроцессу 2-го поколения. Чип будет включать кастомные ядра 3-го поколения, обновлённый графический ускоритель и LTE-модем с возможностью передачи на скорости до 1,2 Гбит/с и поддержкой агрегации 6-ти несущих (впервые в мобильных устройствах).
Все подробности о чипе будут объявлены в ближайший четверг, 4 января 2018.

Samsung to introduce next-gen Exynos SoC on January 4, expected to power the Galaxy S9

Samsung has announced that it will announce TheNextExynos, its next-gen flagship Exynos SoC on January 4th, 2018. It says that it will go beyond a component, so it will likely be the flagship SoC. This will probably be the Exynos 9 Series 9810 SoC that was revealed in CES 2018 Innovation Awards announcement back in November.
The successor of Exynos 9 Series 8895 SoC will be based on the 2nd generation 10-nanometer (nm) FinFET process technology will use Samsung’s 3rd generation custom designed CPU cores and come with LTE Cat.18 6CA-supported modem that offers maximum download speed of up to 1.2Gbp (Cat.18).
Samsung also said that it will have an upgraded GPU, which could be Mali-G72 GPU, an upgrade to the Mali G-71 GPU present in the 8895 for up to 40% improvement in performance.
The announcement is scheduled ahead of CES 2018 that kicks off on January 9th, but the Galaxy S9 and S9+ smartphones are not expected until the MWC in February. We should know all the details about the next-gen Exynos SoC next Thursday.

Samsung приступает к массовому производству чипов по 10-нм техпроцессу FinFET 2-го поколения

Samsung Electronics объявляет о начале производства однокристальных систем по 10-нанометровому техпроцессу FinFET 2-го поколения.
Первое поколение 10-нанометрового техпроцесса FinFET используется во флагманских чипах Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835. Как отмечает разработчик, техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной структурой 3D FinFET позволяет на 10% повысить производительность и на 15% снизить энергопотребление устройств по сравнению с первым поколением 10LPE (Low-Power Early).
Первые устройства на основе 10LPP-процессоров запланированы к выпуску в начале 2018 года. Ожидается, что Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9+ станут первыми смартфонами на базе 10-нанометрового Qualcomm Snapdragon 845. Первая партия новых чипов будет использована в Galaxy S9 для США, а для остальных регионов в основу Galaxy S9 ляжет фирменный 10-нанометровый Exynos 9810.

Samsung Starts Mass Production of its 2nd Generation 10nm FinFET Process Technology

New S3 line is now ready for ramp-up to meet the 10nm demand

Samsung Electronics, a world leader in advanced semiconductor technology, today announced that its Foundry Business has commenced mass production of System-on-Chip (SoC) products built on its second generation 10-nanometer (nm) FinFET process technology, 10LPP (Low Power Plus).
10LPP process technology allows up to 10-percent higher performance or 15-percent lower power consumption compared to its first generation 10nm process technology, 10LPE (Low Power Early). As this process is derived from the already proven 10LPE technology, it offers competitive advantages by greatly reducing turn-around time from development to mass production and by providing significantly higher initial manufacturing yield.
SoCs designed with 10LPP process technology will be used in digital devices scheduled to launch early next year and are expected to become more widely available throughout the year.
“We will be able to better serve our customers through the migration from 10LPE to 10LPP with improved performance and higher initial yield,” said Ryan Lee, vice president of Foundry Marketing at Samsung Electronics. “Samsung with its long-living 10nm process strategy will continue to work on the evolution of 10nm technology down to 8LPP to offer customers distinct competitive advantages for a wide range of applications.”
Samsung also announced that its newest manufacturing line, S3, located in Hwaseong, Korea, is ready to ramp up production of process technologies including 10nm and below. S3 is the third fab of Samsung’s Foundry Business, following S1 in Giheung, Korea and S2 in Austin, USA. Samsung’s 7nm FinFET process technology with EUV (Extreme Ultra Violet) will also be mass produced at S3.

Samsung готовит к выпуску новые процессоры Exynos 7885, 9610 и 9810

Уже известный читателям нашего блога исследователь утечек о смартфонах и других продуктах Samsung из Китая Ice Universe на сей раз поделился информацией о трёх будущих чипсетах Samsung Exynos.
Новый Exynos 7885 будет применяться в Samsung Galaxy A7 (2018), подробные характеристики которого появились в Сети совсем недавно. Этот чип выполнен по 14-нм техпроцессу, обладает 2-мя ядрами A73 и 4-мя ядрами A53 (максимальная частота 2,1 ГГц). За графику отвечает Mali-G71. Любопытно, что GFXBench распознал этот чип как 8-ядерный, но Ice Universe никак не объяснил расхождение в данных.
Exynos 9610 – более мощный чип. Он выполнен по 10-нм техпроцессу и состоит из 8-ми ядер (4 A73 и 4 A53) с максимальной частотой 2,4 ГГц. В качестве графики в нём также используется Mali-G71. Для какого смартфона он разрабатывается, пока неизвестно.
И, наконец, следующим топовым чипсетом Samsung станет Exynos 9810. Его характеристики ещё не раскрыты, но известно, что он будет использоваться в Samsung Galaxy S9.