Samsung Electronics объявляет о начале массового производства первых отрасли 16-Гб чипов памяти LPDDR5 для флагманских смартфонов нового поколения. Новая энергозависимая память на 16% быстрее образцов, применяемых в современных топовых гаджетах.
Новое поколение LPDDR5
Samsung приступил к массовому производству первых в отрасли мобильных чипов энергоэффективной памяти LPDDR5 ёмкостью 16Гб, говорится в официальном пресс-релизе.
Помимо рекордной ёмкости,, заявлена самая высокая производительность изделия в своём классе. Предполагается, что новинка найдёт применение во флагманских смартфонах следующего поколения.
При заявленной скорости в 6400 Мбит/сек новинка примерно на 16% быстрее 12-Гб LPDDR5 (5500 Мбит/сек), которые применяются в большинстве современных флагманов. В упаковке 16Гб такая память, как отмечают в Samsung, может обеспечить передачу 51,2Гб информации (эквивалент 10 фильмов формата Full HD размером 5 Гб) за одну секунду.
Благодаря использованию техпроцесса 1z, упаковка LPDDR5 уменьшилась на 30% по сравнению с предшественником. Таким образом, в корпусе смартфонов на базе новой памяти производители смогут уместить больше компонентов. Упаковка ёмкостью 16Гб теперь состоит из 8-ми микросхем вместо прежних 12 с технологией 1y (8 чипов по 12Гб и 4 по 8 Гб).
В 2021 году. Samsung намерен укрепить своё положение в качестве поставщика памяти для мировых производителей смартфонов, а также увеличить долю на рынке LPDDR5 для автомобильной электроники за счёт решений с поддержкой работы в большом температурном диапазоне.
Вторая производственная линия в Пхёнтхэке
Выпуск кристаллов новой LPDDR5-памяти налажен на собственной (второй) производственной линии южнокорейской корпорации, которая расположена в Пхёнтхэке. Производство осуществляется в соответствии с техпроцессом 10нм (1z) 3-го поколения в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV, Extreme Ultraviolet).
Вторая производственная линия Samsung в Пхёнтхэке занимает площадь более чем 128.000 квадратных метров, что эквивалентно суммарной площади 16-ти футбольных полей. На сегодняшний день это крупнейшее полупроводниковое производство в мире. Помимо передовой DRAM, здесь планируют выпускать флэш-память V-NAND, которая применяется в твердотельных накопителях (SSD).
LPDDR5 – это относительно новый стандарт оперативной памяти для мобильных устройств, в частности смартфонов, планшетов и ноутбуков. Модули LPDDR (Low-power DDR) отличаются от DDR, в первую очередь, пониженным энергопотреблением.
Samsung стал первым в мире производителем, наладившим массовый выпуск 12-Гб мобильной DRAM-памяти LPDDR5. Конвейер заработал в июне 2019 г., и первые чипы имели объём 6Гб. Первые 12-Гб модули были выпущены в сентябре 2019 года. Они обеспечивали скорость передачи данных 5500 Мбит/cек при этом на 30% был снижен уровень потребления энергии по сравнению с предшественником (LPDDR4x).
В конце февраля 2020-го Samsung запустил в серию 16-Гб модули памяти на базе ранее представленных 12-Гб чипов с пропускной способностью 5500 Мбит/сек.
Samsung Begins Mass Production of 16Gb LPDDR5 DRAM at World’s Largest Semiconductor Line
Samsung starts shipping industry's first third-gen 10nm-class (1z) EUV-based 16Gb LPDDR5 DRAM. Following DRAM, new Pyeongtaek Line 2 to produce next-gen V-NAND and foundry solutions.
Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that its second production line in Pyeongtaek, Korea, has commenced mass production of the industry’s first 16-gigabit (Gb) LPDDR5 mobile DRAM, using extreme ultraviolet (EUV) technology. Built on Samsung’s third-generation 10nm-class (1z) process, the new 16Gb LPDDR5 boasts the highest mobile memory performance and largest capacity to enable more consumers to enjoy the full benefits of 5G and AI features in next-generation smartphones.
“The 1z-based 16Gb LPDDR5 elevates the industry to a new threshold, overcoming a major developmental hurdle in DRAM scaling at advanced nodes,” said Jung-bae Lee, executive vice president of DRAM Product & Technology at Samsung Electronics. “We will continue to expand our premium DRAM lineup and exceed customer demands, as we lead in growing the overall memory market.”
Expanding Manufacturing Capacity in Pyeongtaek Complex
Spanning more than 128,900 square meters (over 1.3 million square feet) – equivalent to about 16 soccer fields – Samsung’s Pyeongtaek Line 2 is the largest-scale semiconductor production line to date.
The new Pyeongtaek line will serve as the key manufacturing hub for the industry’s most advanced semiconductor technologies, delivering cutting-edge DRAM followed by next-generation V-NAND and foundry solutions, while reinforcing the company’s leadership in the Industry 4.0 era.
Fastest, Largest-capacity Mobile Memory
Based on today’s most advanced (1z) process node, Samsung’s new 16Gb LPDDR5 is the first memory to be mass produced using EUV technology, providing the highest speed and largest capacity available in mobile DRAM.
At 6,400 megabits per second (Mb/s), the new LPDDR5 is about 16 percent faster than the 12Gb LPDDR5 (5,500Mb/s) found in most of today’s flagship mobile devices. When made into a 16GB package, the LPDDR5 can transfer about 10 5GB-sized full-HD movies, or 51.2GB of data, in one second.
Thanks to its use of the first commercial 1z process, the LPDDR5 package is 30 percent thinner than its predecessor, enabling 5G and multi-camera smartphones as well as foldable devices to pack more functionality into a slim design. The 16Gb LPDDR5 can build a 16GB package with only eight chips, whereas its 1y-based predecessor requires 12 chips (eight 12Gb chips and four 8Gb chips) to provide the same capacity.
By delivering the first 1z-based 16GB LPDDR5 package to global smartphone makers, Samsung plans to further strengthen its presence in the flagship mobile device market throughout 2021. Samsung will also expand the use of its LPDDR5 offerings into automotive applications, offering an extended temperature range to meet strict safety and reliability standards in extreme environments.
