Показаны сообщения с ярлыком Sixth-generation V-NAND. Показать все сообщения
Показаны сообщения с ярлыком Sixth-generation V-NAND. Показать все сообщения

среда, 10 марта 2021 г.

Samsung представил доступный твердотельный накопитель 980 NVMe без DRAM-буфера




Samsung Electronics анонсировал SSD 980 NVMe[1] – свой первый потребительский накопитель без DRAM-буфера[2]. Обеспечивая один из самых высоких уровней производительности среди твердотельных накопителей этой категории, новый SSD 980 делает молниеносные скорости протокола NVMe доступными для более широкого круга пользователей.
«Благодаря инновациям в аппаратном и программном обеспечении наш новый твердотельный накопитель 980 обладает лучшими характеристиками без ущерба для высокой производительности протокола NVMe, – отметил Кю-ён Ли (KyuYoung Lee), вице-президент подразделения продуктов памяти Samsung Electronics. – 980 обладает отличным сочетанием скорости, энергоэффективности и надёжности, благодаря чему подходит как для обычных пользователей ПК, так и для геймеров, а также для создателей контента».
Ранее конструкции накопителей без DRAM-буфера предоставляли более низкую скорость, что было обусловлено отсутствием буферной памяти для быстрого доступа к данным. В Samsung 980 используется технология Host Memory Buffer (HMB), которая напрямую подключает диск к DRAM хост-процессора, чтобы избежать этой проблемы. Данная технология в сочетании с новейшим V–NAND 6-го поколения, а также оптимизированным контроллером и прошивкой, позволяет 980-му обеспечивать скорость, в 6 раз превышающую показатели SATA SSD. Скорость последовательного чтения и записи достигает 3500 и 3000 МБ/с, а произвольного чтения и записи – 500.000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) и 480.000 IOPS[3] соответственно.
Недавно обновлённая технология Intelligent TurboWrite 2.0 также обеспечивает значительно большую устойчивость работы устройства по сравнению с предыдущей версией[4] за счёт выделения намного большей буферной области для хранения в конструкции накопителя.
Новый Full Power Mode («режим полной мощности»), добавленный в программное обеспечение SamsungMagician 6.3, предназначен для пользователей, работающих с очень большими файлами или запускающих графически требовательные игры, и позволяет накопителю непрерывно работать с максимальной производительностью.
Кроме того, накопитель не будет перегреваться благодаря продуманной тепловой конструкции. Технология Dynamic Thermal Guard, контроллер с никелевым покрытием и этикетки с теплоотводом на накопителях Samsung 980 позволяют дискам продолжать стабильную и надёжную работу даже при длительном использовании.
SSD накопитель также отличается улучшенной энергоэффективностью до 56% по сравнению с предыдущей моделью, 970 EVO[5], что позволяет владельцам ноутбуков лучше управлять потреблением энергии.

В Росссии модель Samsung 980 будет доступна в официальном интернет-магазине:

* накопитель 980 ёмкостью 250 ГБ (MZ-V8V250BW) по цене 4,190.00 рублей;
* накопитель 980 ёмкостью 500 ГБ (MZ-V8V500BW) по цене 5,990.00 рублей;
* накопитель 980 ёмкостью 1 ТБ (MZ-V8V1T0BW) по цене 10,990.00 рублей.

Для получения дополнительной информации посетите сайты https://samsung.com/ru/ssd/ или https://samsung.com/ru/.

Ключевые технические характеристики:

Категория: Samsung 980 NVMe SSD
Интерфейс: PCIe Gen.3.0 x4, NVMe 1.4
Форм-фактор: M.2 (2280)
Емкость: 1Тб, 500Гб, 250Гб
Скорость последовательного чтения/записи: До 3500/3000 Mб/с
Скорость произвольного чтения/записи (QD32): До 500.000 IOPS/480.000 IOPS
ПО: Samsung Magician
Шифрование данных: AES 256-bit Full Disk Encryption, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667)
Общее количество записанных байтов: 600TBW (1Тб) / 300TBW (500Гб) /150TBW (250Гб)
Гарантия[6]: Ограниченная гарантия на 5 лет[7]

[1] Знак дизайна NVM Express® является зарегистрированным товарным знаком NVM Express, Inc.
[2] Твердотельные накопители без DRAM PCIe 3.0 NVMe, по состоянию на март 2021 г.
[3] Производительность может варьироваться в зависимости от версии прошивки твердотельного накопителя, а также аппаратного обеспечения и конфигурации системы. Измерения производительности основаны на IOmeter 1.1.0. Производительность последовательной и произвольной записи измерялась с активированной технологией Intelligent TurboWrite. Intelligent TurboWrite работает только с определённым объёмом передаваемых данных. За подробной информацией обращайтесь в местный сервисный центр.
* Конфигурация тестовой системы: Intel (R) Core (TM) i7-6700K CPU @ 4,00GHz, DDR4 2133MHz 8GBx2 OS–Windows 10 Pro 64bit Asrock Z-170 Extreme7 +
[4] Область TurboWrite была значительно увеличена: с 42Гб в 970 EVO до 160Гб в NVMe SSD 980.
[5] Повышение энергоэффективности (измеряется в IOP / Вт) по сравнению с 970 EVO 1Тб. Энергопотребление измерено с помощью версии IOmeter1.1.0 с AMD Ryzen 7 3700X 8 Core @3.6GHz, DDR4 ГБx2, ОС-Windows 10 Pro 64бит Chipset-GIGABYTE-X570-AORUS MASTER
[6] Samsung Electronics не несёт ответственности за любые убытки, не покрываемые ограниченной гарантией, включая, помимо прочего, любую потерю данных или другой информации, хранящейся в продукте Samsung Electronics, или любую потерю прибыли или дохода, которая может быть понесена пользователем из-за потери данных. Дополнительные сведения об ограниченной гарантии см. на сайте https://samsung.com/ssd.
[7] Гарантия на продукт составляет 5 лет или до выполнения рейтинга TBW, в зависимости от того, что наступит раньше. Для получения дополнительной информации о гарантии см. гарантийный документ в комплекте.

Samsung’s 980 NVMe SSD Combines Speed and Affordability to Set a New Standard in Consumer SSD Performance

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, announced the 980 NVMe SSD,(1) the company’s first consumer drive without DRAM. Delivering the highest performance among DRAM-less SSDs,(2) the new 980 makes blazing NVMe speeds more accessible to a wider range of users.
“Through both hardware and software innovations, our new 980 SSD brings greater value without compromising the high-end NVMe performance,” said KyuYoung Lee, vice president of Memory Brand Product Biz team at Samsung Electronics. “The 980 offers an excellent blend of speed, power efficiency and reliability, making it suitable for everyday PC users and gamers as well as content creators.”
Previously, DRAM-less designs have presented a disadvantage in speed without the short-term memory at hand for fast access to data. Samsung’s 980 utilizes Host Memory Buffer (HMB) technology, which links the drive directly to the host processor’s DRAM to overcome any performance drawbacks. This technology, coupled with the company’s latest sixth-generation V-NAND as well as optimized controller and firmware, enables the 980 to provide NVMe performance with six times the speed of SATA SSDs. Sequential read and write speeds come in at up to 3,500 and 3,000 MB/s, while random read and write performances are rated as high as 500K IOPS and 480K IOPS,(3) respectively.
The newly upgraded Intelligent TurboWrite 2.0 also offers significantly enhanced sustained performance over the previous iteration(4) by allocating a much larger buffer storage area inside the drive.
For users working with extremely large files or running graphics-heavy games, the new ‘Full Power Mode’ added to Samsung’s Magician 6.3 software allows the drive to continuously run at peak performance for uninterrupted work and play.
Additionally, consumers will no longer have to worry about their drive overheating, thanks to its advanced thermal designs. With Dynamic Thermal Guard technology, nickel-coated controller and heat spreader label solutions available in Samsung’s high-end 980 series, users can enjoy stable and reliable performance even during prolonged use.
The SSD further features improved power efficiency of up to 56% when compared to the previous 970 EVO,(5) allowing laptop users to better manage power usage.
The Samsung 980 SSD is available for a manufacturer’s suggested retail price of $49.99 for the 250GB, $69.99 for the 500GB and $129.99 for the 1TB. For more information, please visit https://samsung.com/SSD or https://samsungssd.com.

Key Specifications:

Category: Samsung 980 NVMe SSD
Interface: PCIe Gen.3.0 x4, NVMe 1.4
Form Factor: M.2 (2280)
Capacity: 1TB, 500GB, 250GB
Sequential Read/Write Speed: Up to 3,500/3,000 MB/s
Random Read/Write Speed (QD32): Up to 500K IOPS/480K IOPS
Management Software: Samsung Magician
Data Encryption: AES 256-bit Full Disk Encryption, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667)
Total Bytes Written: 600TBW (1TB) / 300TBW (500GB) / 150TBW (250GB)
Warranty(6): Five-year Limited Warranty(7)

(1) The NVM Express® design mark is a registered trademark of NVM Express, Inc.
(2) PCIe 3.0 NVMe DRAM-less SSDs, as of March 2021
(3) Performance may vary depending on the SSD’s firmware version and the system hardware & system configuration. Performance measurements are based on IOmeter 1.1.0. Sequential and random write performance were measured with Intelligent TurboWrite technology activated. Intelligent TurboWrite operates only within a specific data transfer size. For detailed information, please contact your local service center
* Test system configuration: Intel(R) Core(TM) i7-6700K CPU @ 4.00GHz, DDR4 2133MHz 8GBx2 OS-Windows 10 Pro 64bit Asrock Z-170 Extreme7+
(4) TurboWrite region has been increased significantly, from up to 42GB in the 970 EVO to up to 160GB in the NVMe SSD 980
(5) Power efficiency (measured as IOPs/watts) improvement determined in comparison to the 970 EVO 1TB. Power consumption measured with IOmeter1.1.0 version with AMD Ryzen 7 3700X 8 Core @3.6GHz, DDR4 8GBx2, OS-Windows 10 Pro 64bit Chipset-GIGABYTE-X570-AORUS MASTER
(6) Samsung Electronics will not be responsible for any damages not covered by the limited warranty, including but not limited to any loss of data or other information stored on Samsung Electronics product or any loss of profit or revenue which may be incurred by user due to loss of data. For more information on the limited warranty, please visit https://samsung.com/ssd.
(7) Product covered for five years or until fulfillment of the TBW rating, whichever comes first. For more information on the warranty, please see the warranty document enclosed in the package.

вторник, 17 марта 2020 г.

Samsung начинает массовое производство самой быстрой памяти для флагманских смартфонов





Новая eUFC 3.1 512Гб хранит видео 8K и большие изображения без буферизации

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявил о начале массового производства первого в отрасли встроенного универсального флэш-хранилища eUFS 3.1 ёмкостью 512Гб для флагманских смартфонов. Скорость записи eUFS 3.1 составляет более 1 ГБ/c — в 3 раза выше, чем у памяти предыдущего поколения eUFS 3.0 на 512Гб. В конце 2020 года Samsung также выпустит накопители для флагманских смартфонов объёмом 256Гб и 128Гб.
Скорость последовательной записи Samsung eUFS 3.1 объёмом 512Гб превышает 1200 МБ/с, что более чем вдвое превосходит скорость ПК на базе SATA (540 МБ/c) и более чем в 10 раз – скорость microSD-карты UHS-I (90 МБ/c). Это означает, что доступ к очень большим файлам, таким как видео 8K или фотографии высокого разрешения, осуществляется с той же скоростью, что и на ультратонком ноутбуке, и без необходимости использования буфера. Для переноса данных со старого смартфона на новое устройство также потребуется намного меньше времени: гаджету с памятью eUFC 3.1 потребуется только 1,5 минуты на копирование 100Гб данных, тогда как телефону на базе UFC 3.0 — более 4-х минут.
Производительность случайного чтения и записи eUFS 3.1 512Гб на 60% выше, чем у широко распространённых накопителей UFS 3.0, и составляет 100.000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) для чтения и 70.000 IOPS для записи.
В марте Samsung начал массовое производство V-NAND 5-го поколения, чтобы полностью удовлетворить спрос на этот тип компонентов на рынке флагманских смартфонов. Вскоре корпорация планирует также перевести производство V-NAND с 5-го поколения на 6-е поколение для соответствия растущим потребностям производителей.

Samsung Begins Mass Production of the Fastest Storage for Flagship Smartphones

The new 512GB eUFS 3.1 stores 8K videos and large-size image files without buffering

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first 512-gigabyte (GB) eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.1 for use in flagship smartphones. Delivering three times the write speed of the previous 512GB eUFS 3.0 mobile memory, Samsung’s new eUFS 3.1 breaks the 1GB/s performance threshold in smartphone storage.
“With our introduction of the fastest mobile storage, smartphone users will no longer have to worry about the bottleneck they face with conventional storage cards,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “The new eUFS 3.1 reflects our continuing commitment to supporting the rapidly increasing demands from global smartphone makers this year.”
At a sequential write speed of over 1,200MB/s, Samsung 512GB eUFS 3.1 boasts more than twice the speed of a SATA-based PC (540MB/s) and over ten times the speed of a UHS-I microSD card (90MB/s). This means consumers can enjoy the speed of an ultra-slim notebook when storing massive files like 8K videos or several hundred large-size photos in their smartphones, without any buffering. Transferring contents from an old phone to a new device will also require considerably less time. Phones with the new eUFS 3.1 will only take about 1.5 minutes to move 100GB of data whereas UFS 3.0-based phones require more than four minutes.
In terms of random performance, the 512GB eUFS 3.1 processes up to 60 percent faster than the widely used UFS 3.0 version, offering 100,000 input/output operations per second (IOPS) for reads and 70,000 IOPS for writes.
Along with the 512GB option, Samsung will also have 256GB and 128GB capacities available for flagship smartphones that will be launched later this year.
Samsung began volume production of fifth-generation V-NAND at its new Xi’an, China, line (X2) this month to fully accommodate storage demand throughout the flagship and high-end smartphone market. The company soon plans to shift V-NAND volume production at its Pyeongtaek line (P1) in Korea from fifth-generation to sixth-generation V-NAND to better address the growing demand.