Samsung начинает массовое производство самой быстрой памяти для флагманских смартфонов

Новая eUFC 3.1 512Гб хранит видео 8K и большие изображения без буферизации

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявил о начале массового производства первого в отрасли встроенного универсального флэш-хранилища eUFS 3.1 ёмкостью 512Гб для флагманских смартфонов. Скорость записи eUFS 3.1 составляет более 1 ГБ/c — в 3 раза выше, чем у памяти предыдущего поколения eUFS 3.0 на 512Гб. В конце 2020 года Samsung также выпустит накопители для флагманских смартфонов объёмом 256Гб и 128Гб.
Скорость последовательной записи Samsung eUFS 3.1 объёмом 512Гб превышает 1200 МБ/с, что более чем вдвое превосходит скорость ПК на базе SATA (540 МБ/c) и более чем в 10 раз – скорость microSD-карты UHS-I (90 МБ/c). Это означает, что доступ к очень большим файлам, таким как видео 8K или фотографии высокого разрешения, осуществляется с той же скоростью, что и на ультратонком ноутбуке, и без необходимости использования буфера. Для переноса данных со старого смартфона на новое устройство также потребуется намного меньше времени: гаджету с памятью eUFC 3.1 потребуется только 1,5 минуты на копирование 100Гб данных, тогда как телефону на базе UFC 3.0 — более 4-х минут.
Производительность случайного чтения и записи eUFS 3.1 512Гб на 60% выше, чем у широко распространённых накопителей UFS 3.0, и составляет 100.000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) для чтения и 70.000 IOPS для записи.
В марте Samsung начал массовое производство V-NAND 5-го поколения, чтобы полностью удовлетворить спрос на этот тип компонентов на рынке флагманских смартфонов. Вскоре корпорация планирует также перевести производство V-NAND с 5-го поколения на 6-е поколение для соответствия растущим потребностям производителей.

Samsung Begins Mass Production of the Fastest Storage for Flagship Smartphones

The new 512GB eUFS 3.1 stores 8K videos and large-size image files without buffering

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first 512-gigabyte (GB) eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.1 for use in flagship smartphones. Delivering three times the write speed of the previous 512GB eUFS 3.0 mobile memory, Samsung’s new eUFS 3.1 breaks the 1GB/s performance threshold in smartphone storage.
“With our introduction of the fastest mobile storage, smartphone users will no longer have to worry about the bottleneck they face with conventional storage cards,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “The new eUFS 3.1 reflects our continuing commitment to supporting the rapidly increasing demands from global smartphone makers this year.”
At a sequential write speed of over 1,200MB/s, Samsung 512GB eUFS 3.1 boasts more than twice the speed of a SATA-based PC (540MB/s) and over ten times the speed of a UHS-I microSD card (90MB/s). This means consumers can enjoy the speed of an ultra-slim notebook when storing massive files like 8K videos or several hundred large-size photos in their smartphones, without any buffering. Transferring contents from an old phone to a new device will also require considerably less time. Phones with the new eUFS 3.1 will only take about 1.5 minutes to move 100GB of data whereas UFS 3.0-based phones require more than four minutes.
In terms of random performance, the 512GB eUFS 3.1 processes up to 60 percent faster than the widely used UFS 3.0 version, offering 100,000 input/output operations per second (IOPS) for reads and 70,000 IOPS for writes.
Along with the 512GB option, Samsung will also have 256GB and 128GB capacities available for flagship smartphones that will be launched later this year.
Samsung began volume production of fifth-generation V-NAND at its new Xi’an, China, line (X2) this month to fully accommodate storage demand throughout the flagship and high-end smartphone market. The company soon plans to shift V-NAND volume production at its Pyeongtaek line (P1) in Korea from fifth-generation to sixth-generation V-NAND to better address the growing demand.

Samsung приступил к массовому производству чипов памяти eUFC 2.1 для автомобилей

В сегодняшнем официальном пресс-релизе корпорация Samsung Electronics сообщила о запуске в серию встраиваемых модулей флэш-памяти объёмом 256Гб, предназначенных для автомобильной индустрии. модули соответствуют требованиям спецификации eUFS (embedded Universal Flash Storage) 2.1.
Южнокорейский вендор отмечает, что этот продукт стал первым в отрасли, обеспечивающем возможности, стандартизованные в UFS 3.0.
С учётом области применения модули рассчитаны на работу в диапазоне температур от -40°С до +105°С. Наличие встроенного датчика температуры позволяет уведомлять процессор о превышении допустимого предела. Эти данные процессор может использовать для снижения тактовой частоты с целью понижения температуры до приемлемого уровня.
Скорость последовательного чтения достигает 850МБ/с, а максимальная производительность на операциях чтения с произвольным доступом заявлена равной 45.000 IOPS.

Samsung Begins Mass Production of 256GB Embedded Universal Flash Storage for Automotive Applications

The new 256GB eUFS 2.1 for automotives is the industry’s first storage device to incorporate advanced features of the UFS 3.0 standard for automotive applications. 
Enhanced warranty for extended temperature range offers optimum solution for next-generation automotive systems.

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass production of a 256-gigabyte (GB) embedded Universal Flash Storage (eUFS) solution with advanced features based on automotive specifications from the JEDEC UFS 3.0 standard, for the first time in the industry.
Following the memory breakthrough of the automotive industry’s first 128GB eUFS in September, 2017, Samsung’s 256GB eUFS is now being shipped to automotive manufacturers preparing the market for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), next-generation infotainment systems and new-age dashboards in luxury vehicles.
As thermal management is crucial for automotive memory applications, Samsung’s 256GB eUFS extends the temperature range to between -40°C and +105°C for both operational and power-saving modes. Warranties for conventional embedded multimedia card (eMMC) 5.1 solutions generally cover -25°C to +85°C for vehicles in operation and -40°C to +85°C when in idle or power-saving mode,
“With the new temperature threshold for automobile warranties, major automotive manufacturers can now design-in memory that’s even well suited for extreme environments and know they will be getting highly reliable performance,” said Kyoung Hwan Han, vice president of NAND marketing at Samsung Electronics. “Starting with high-end vehicles, we expect to expand our business portfolio across the entire automotive market, while accelerating growth in the premium memory segment.”
Samsung’s 256GB eUFS not only can easily endure the new temperature specification, despite the heat-sensitive nature of memory storage, but also through its temperature notification feature, a sensor will notify the host application processor (AP) when the device temperature exceeds 105°C or any pre-set level. The AP would then regulate its clock speed to lower the temperature to an acceptable level.
Sequential reads for the 256GB eUFS can reach 850 megabytes per second (MB/s), which is at the high end of the current JEDEC UFS 2.1 standard, and random read operations come in at 45,000 IOPS. In addition, a data refresh feature speeds up processing and enables greater system reliability by relocating older data to other less-used cells.
The temperature notification, developed by Samsung, and data refresh features are included in UFS specification, version 3.0, which was announced last month by JEDEC, a global semiconductor standards organization.
Samsung plans to bolster its technology partnerships with global automakers and component providers, and continue expanding its eUFS line-up with an aim to lead the premium memory market.