Samsung наймёт рекордное количество аспирантов-исследователей для укрепления позиций в секторе проектирования чипов и систем искусственного интеллекта

В минувшую среду Samsung Electronics объявил, что в этом году планирует нанять рекордное количество аспирантов для укрепления позиций в секторе полупроводников и искусственного интеллекта (AI).
Южнокорейский техногигант заявил, что до конца текущего года наймёт 1.000 аспирантов. В первой половине года Samsung уже предложил работу 500 докторантам в области дизайна микросхем и искусственного интеллекта.
Крупнейший в мире производитель чипов памяти и смартфонов заявил, что его масштабный план набора персонала направлен на преодоление глобальных неопределённостей, вызванных пандемией COVID-19 и жёсткой конкуренцией в сегменте IT.
Этот шаг соответствует инвестиционному плану Samsung 2018 года, когда лидер южнокорейской электронной индустрии объявил, что потратит 180 триллионов вон (149,5 миллиарда долларов США) в течение следующих 3-х лет на продвижение новых перспективных направлений, таких как AI, 5G и усовершенствованные чипы.
В прошлом году Samsung обнародовал своё намерение стать лидером в сегменте логических чипов к 2030 году, инвестировав 133 триллиона вон, поддерживая, таким образом, свою конкурентоспособность в системных LSI и контрактном производстве микросхем.
Новый план Samsung по набору персонала появился через неделю после того, как известный исследователь в области AI Себастьян Сёнг, профессор Института нейробиологии Принстонского университета и факультета компьютерных наук, возглавил центр исследований и разработок Samsung Research.
В ходе своей пресс-конференции, состоявшейся в мае, вице-председатель Samsung Electronics Ли Джей-ён, фактический лидер крупнейшего южнокорейского конгломерата Samsung Group, пообещал привлечь талантливых людей, которые могут сделать Samsung лучше.
По состоянию на конец 2019 года в Samsung Electronics работало более 287.400 человек.

Samsung to hire record number of postgraduate researchers for chips, AI

Samsung Electronics Co. said Wednesday it plans to hire a record number of postgraduate researchers this year to secure future technologies in the semiconductor and artificial intelligence (AI) sectors.
The South Korean tech giant said it will hire 1,000 postgraduate engineers by the end of this year. Samsung already offered jobs to 500 doctoral researchers in the first half of the year in the field of chip design and AI.
The world's largest memory chip and smartphone maker said its massive recruitment plan is aimed at overcoming global uncertainties sparked by the COVID-19 pandemic and fierce competition in the IT segment.
The move is in line with Samsung's investment plan in 2018, when it announced it would spend 180 trillion won (US$149.5 billion) over the next three years to promote its new growth engines, such as AI, 5G and advanced chips.
Last year, Samsung unveiled a vision to become the world's No. 1 logic chip maker by 2030 by investing 133 trillion won and bolstering its competitiveness in the system LSI and foundry businesses.
Samsung's latest recruitment plan comes a week after the company named renowned AI expert Sebastian Seung, a professor at Princeton University's Neuroscience Institute and Department of Computer Science, as chief of its research and development (R&D) hub, Samsung Research.
In May, Samsung Electronics Vice Chairman Lee Jae-yong, the de facto leader of South Korea's top conglomerate Samsung Group, vowed to bring in talented individuals who can make Samsung better during his press conference.
As of 2019, more than 287,400 workers were working for Samsung Electronics globally.

Samsung начинает массовое производство самой быстрой памяти для флагманских смартфонов

Новая eUFC 3.1 512Гб хранит видео 8K и большие изображения без буферизации

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявил о начале массового производства первого в отрасли встроенного универсального флэш-хранилища eUFS 3.1 ёмкостью 512Гб для флагманских смартфонов. Скорость записи eUFS 3.1 составляет более 1 ГБ/c — в 3 раза выше, чем у памяти предыдущего поколения eUFS 3.0 на 512Гб. В конце 2020 года Samsung также выпустит накопители для флагманских смартфонов объёмом 256Гб и 128Гб.
Скорость последовательной записи Samsung eUFS 3.1 объёмом 512Гб превышает 1200 МБ/с, что более чем вдвое превосходит скорость ПК на базе SATA (540 МБ/c) и более чем в 10 раз – скорость microSD-карты UHS-I (90 МБ/c). Это означает, что доступ к очень большим файлам, таким как видео 8K или фотографии высокого разрешения, осуществляется с той же скоростью, что и на ультратонком ноутбуке, и без необходимости использования буфера. Для переноса данных со старого смартфона на новое устройство также потребуется намного меньше времени: гаджету с памятью eUFC 3.1 потребуется только 1,5 минуты на копирование 100Гб данных, тогда как телефону на базе UFC 3.0 — более 4-х минут.
Производительность случайного чтения и записи eUFS 3.1 512Гб на 60% выше, чем у широко распространённых накопителей UFS 3.0, и составляет 100.000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) для чтения и 70.000 IOPS для записи.
В марте Samsung начал массовое производство V-NAND 5-го поколения, чтобы полностью удовлетворить спрос на этот тип компонентов на рынке флагманских смартфонов. Вскоре корпорация планирует также перевести производство V-NAND с 5-го поколения на 6-е поколение для соответствия растущим потребностям производителей.

Samsung Begins Mass Production of the Fastest Storage for Flagship Smartphones

The new 512GB eUFS 3.1 stores 8K videos and large-size image files without buffering

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first 512-gigabyte (GB) eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.1 for use in flagship smartphones. Delivering three times the write speed of the previous 512GB eUFS 3.0 mobile memory, Samsung’s new eUFS 3.1 breaks the 1GB/s performance threshold in smartphone storage.
“With our introduction of the fastest mobile storage, smartphone users will no longer have to worry about the bottleneck they face with conventional storage cards,” said Cheol Choi, executive vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “The new eUFS 3.1 reflects our continuing commitment to supporting the rapidly increasing demands from global smartphone makers this year.”
At a sequential write speed of over 1,200MB/s, Samsung 512GB eUFS 3.1 boasts more than twice the speed of a SATA-based PC (540MB/s) and over ten times the speed of a UHS-I microSD card (90MB/s). This means consumers can enjoy the speed of an ultra-slim notebook when storing massive files like 8K videos or several hundred large-size photos in their smartphones, without any buffering. Transferring contents from an old phone to a new device will also require considerably less time. Phones with the new eUFS 3.1 will only take about 1.5 minutes to move 100GB of data whereas UFS 3.0-based phones require more than four minutes.
In terms of random performance, the 512GB eUFS 3.1 processes up to 60 percent faster than the widely used UFS 3.0 version, offering 100,000 input/output operations per second (IOPS) for reads and 70,000 IOPS for writes.
Along with the 512GB option, Samsung will also have 256GB and 128GB capacities available for flagship smartphones that will be launched later this year.
Samsung began volume production of fifth-generation V-NAND at its new Xi’an, China, line (X2) this month to fully accommodate storage demand throughout the flagship and high-end smartphone market. The company soon plans to shift V-NAND volume production at its Pyeongtaek line (P1) in Korea from fifth-generation to sixth-generation V-NAND to better address the growing demand.