Samsung и SK Hynix не собираются уступать рынок чипов памяти китайцам

На территории Китая в настоящее время возводится сразу несколько заводских комплексов, которые должны производить чипы памяти 3D NAND и DRAM. Для главных мировых вендоров они пока не представляют особой угрозы, поскольку выйти на заявленные производственные мощности им удастся не ранее, чем через 5–7 лет. В течение указанного срока на глобальном рынке памяти продолжат доминировать такие игроки, как Samsung, SK Hynix и Micron.
Как сообщает портал BusinessKorea, руководство обоих южнокорейских конгломератов намерено пойти на упреждающие шаги с целью укрепления собственных позиций на глобальном рынке памяти. Так, до конца текущего года подразделение Samsung Semiconductor и конкурирующая Hynix Semiconductor Inc. планируют вложить в развитие собственного полупроводникового бизнеса порядка $14 миллиардов, что на 27,3% больше, нежели в 2016-м.
Samsung намеревается израсходовать на эти цели около $10 миллиардов, т. е. на 25% больше, чем в 2016 году. В свою очередь, Hynix Semiconductor Inc. планирует инвестировать в развитие своего полупроводникового бизнеса $6,13 миллиардов, 4 из которых будет направлено на строительство новых фабрик.
Основная масса капитальных инвестиций Samsung и SK Hynix придётся на увеличение производства многослойной энергонезависимой памяти 3D NAND. Источник BusinessKorea подчёркивает, что основным видом деятельности обоих вендоров на рынке памяти будет оставаться производство оперативной памяти типа DRAM (включая мобильную, для серверов и другую). Так, пропорция производства DRAM/NAND у Samsung равна 6/4, а у SK Hynix — 7/3.
Запланированные на 2017 год инвестиции в линии по производству 3D NAND должны изменить эти соотношения в пользу NAND-флэш, что также означает продолжение дефицита DRAM и дальнейший рост цен на оперативную память.
Изменения также произойдут в структуре поставок памяти NAND. Пропорция будет смещаться в сторону многослойной памяти 3D NAND, которая приносит больше выручки производителям. В частности, Samsung в первом полугодии намеревается приступить к производству 64-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC (64-слойная 256-Гбит 3D NAND TLC пошла в производство в прошлом году), а SK Hynix начнёт во втором квартале выпуск 72-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC и планирует начать выпуск 72-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC в четвёртом квартале.
Благодаря запланированным инвестициям Samsung и SK Hynix в производство 3D NAND общемировые инвестиции в производство NAND-флеш в 2017 году вырастут на 14 %: с $14 млрд в прошлом году до $16 млрд в текущем году. Тем самым южнокорейским производителям в 2017 году будет принадлежать свыше 70 % рынка DRAM и свыше 45 % рынка NAND.
Что касается всех прочих игроков этого сегмента, то они, напротив, хотели бы сократить объёмы капитальных вложений (кроме Intel Corp.), причём на сотни миллионов долларов США. Это неудивительно, поскольку выдержать возрастающую с каждым днём конкурентную борьбу на рынке под силу лишь мэйджорам. К тому же строительство в КНР крупных производственных кластеров по определению не может добавить оптимизма отстающим представителям полупроводниковой промышленности.