Samsung Electronics представляет микросхемы DRAM памяти самой высокой ёмкости

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявил о начале массового производства микросхем DRAM самой высокой ёмкости, предназначенных для мобильных устройств. Новая разработка - это первый в отрасли 12-Гб модуль с пониженным энергопотреблением, выполненный в корпусе LPDDR4X (low-power double data rate 4X), оптимизированном для будущих смартфонов премиум-класса. Обладая большей ёмкостью, чем память в большинстве ультратонких ноутбуков, новые микросхемы мобильной DRAM позволят в полной мере реализовать все возможности смартфонов следующего поколения.
«С началом массового производства микросхем LPDDR4X Samsung сформировал комплексную линейку современной памяти для новой эры смартфонов: начиная с мобильной DRAM памяти ёмкостью 12Гб и заканчивая 512Гб накопителями eUFS 3.0», – говорит Сэон Чэн (Sewon Chun), исполнительный вице-президент по маркетингу технологий памяти в Samsung Electronics. – «Более того, с выпуском LPDDR4X мы укрепляем наши позиции в качестве производителя мобильной памяти премиум-класса, которая обладает всеми возможностями для удовлетворения быстрорастущего спроса со стороны мировых производителей смартфонов».
Благодаря 12-Гб мобильной DRAM-памяти производители смартфонов смогут максимально расширить потенциал своих устройств, которые всё чаще оснащаются большим числом камер, увеличенным экраном, поддерживают работу с технологиями искусственного интеллекта и сетями 5G. Что касается пользователей смартфонов, то новый вид памяти позволит быстрее переключаться между многочисленными приложениями на сверхбольших экранах с высоким разрешением. Поскольку память выполнена в корпусе высотой всего 1,1 мм, новые смартфоны могут стать ещё тоньше и изящнее.
Модули ёмкостью 12Гб были получены благодаря объединению 6-ти 16-гигабитных чипов LPDDR4X 2-го поколения, выполненных по техпроцессу 10-нм класса (1y-nm), в едином корпусе, что увеличивает пространство для аккумулятора смартфона. Кроме того, фирменная технология 1y-nm обеспечивает скорость передачи данных на уровне 34,1ГБ/с, при этом сокращая рост энергопотребления, обусловленного увеличением ёмкости DRAM.
С момента выпуска мобильной DRAM-памяти ёмкостью 1Гб в 2011 году Samsung увеличивает ёмкость запоминающих устройств, предлагая модули ёмкостью 6Гб (в 2015 году) и 8Гб (в 2016 году). Теперь доступен и первый в отрасли модуль LPDDR4X ёмкостью 12Гб. Samsung намерен нарастить мощности своей ультрасовременной производственной линии в корейском Пхёнгтэке (Pyeongtaek) и планирует в течение 2-й половины 2019 года более чем втрое увеличить поставки модулей мобильной DRAM-памяти ёмкостью 8Гб и 12Гб, выполненной по техпроцессу 1y-nm.

Samsung Launches Highest-capacity Mobile DRAM to Accommodate Next-generation Smartphones

New 12GB LPDDR4X joins 512GB eUFS to enable a seamless user experience in smartphones with multi-cameras, 2X screen sizes, and AI and 5G features

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the highest-capacity mobile DRAM – the industry’s first 12-gigabyte (GB) low-power double data rate 4X (LPDDR4X) package – optimized for tomorrow’s premium smartphones. Featuring higher capacity than most ultra-thin notebooks, the new mobile DRAM will enable smartphone users to take full advantage of all the features in next-generation smartphones.
“With mass production of the new LPDDR4X, Samsung is now providing a comprehensive lineup of advanced memory to power the new era of smartphones, from 12GB mobile DRAM to 512GB eUFS 3.0 storage,” said Sewon Chun, executive vice president of Memory Marketing at Samsung Electronics. “Moreover, with the LPDDR4X, we’re strengthening our position as the premium mobile memory maker best positioned to accommodate rapidly growing demand from global smartphone manufacturers.”
Thanks to the 12GB mobile DRAM, smartphone makers can maximize the potential of devices that feature more than five cameras and ever-increasing display sizes as well as artificial intelligence and 5G capabilities. For smartphone users, the 12GB DRAM enables more fluid multitasking and faster searches as they navigate through a myriad of apps on ultra-large high-resolution screens. Also, the 1.1-millimeter thickness allows for even sleeker smartphone designs.
The 12GB capacity was achieved by combining six 16-gigabit (Gb) LPDDR4X chips based on the second-generation 10nm-class (1y-nm) process into a single package, providing more space for the smartphone battery. In addition, by using the company’s 1y-nm technology, the new 12GB mobile memory delivers a data transfer rate of 34.1GB per second while minimizing the increase in power consumption inevitably caused by a boost in DRAM capacity.
Since introducing 1GB mobile DRAM in 2011, Samsung continues to drive capacity breakthroughs in the mobile DRAM market, moving from 6GB (in 2015) and 8GB (2016) to today’s first 12GB LPDDR4X. From its cutting-edge memory line in Pyeongtaek, Korea, Samsung plans to more than triple the supply of its 1y-nm-based 8GB and 12GB mobile DRAM during the second half of 2019 to meet the anticipated high demand.