Samsung Electronics представляет микросхемы DRAM памяти самой высокой ёмкости

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявил о начале массового производства микросхем DRAM самой высокой ёмкости, предназначенных для мобильных устройств. Новая разработка - это первый в отрасли 12-Гб модуль с пониженным энергопотреблением, выполненный в корпусе LPDDR4X (low-power double data rate 4X), оптимизированном для будущих смартфонов премиум-класса. Обладая большей ёмкостью, чем память в большинстве ультратонких ноутбуков, новые микросхемы мобильной DRAM позволят в полной мере реализовать все возможности смартфонов следующего поколения.
«С началом массового производства микросхем LPDDR4X Samsung сформировал комплексную линейку современной памяти для новой эры смартфонов: начиная с мобильной DRAM памяти ёмкостью 12Гб и заканчивая 512Гб накопителями eUFS 3.0», – говорит Сэон Чэн (Sewon Chun), исполнительный вице-президент по маркетингу технологий памяти в Samsung Electronics. – «Более того, с выпуском LPDDR4X мы укрепляем наши позиции в качестве производителя мобильной памяти премиум-класса, которая обладает всеми возможностями для удовлетворения быстрорастущего спроса со стороны мировых производителей смартфонов».
Благодаря 12-Гб мобильной DRAM-памяти производители смартфонов смогут максимально расширить потенциал своих устройств, которые всё чаще оснащаются большим числом камер, увеличенным экраном, поддерживают работу с технологиями искусственного интеллекта и сетями 5G. Что касается пользователей смартфонов, то новый вид памяти позволит быстрее переключаться между многочисленными приложениями на сверхбольших экранах с высоким разрешением. Поскольку память выполнена в корпусе высотой всего 1,1 мм, новые смартфоны могут стать ещё тоньше и изящнее.
Модули ёмкостью 12Гб были получены благодаря объединению 6-ти 16-гигабитных чипов LPDDR4X 2-го поколения, выполненных по техпроцессу 10-нм класса (1y-nm), в едином корпусе, что увеличивает пространство для аккумулятора смартфона. Кроме того, фирменная технология 1y-nm обеспечивает скорость передачи данных на уровне 34,1ГБ/с, при этом сокращая рост энергопотребления, обусловленного увеличением ёмкости DRAM.
С момента выпуска мобильной DRAM-памяти ёмкостью 1Гб в 2011 году Samsung увеличивает ёмкость запоминающих устройств, предлагая модули ёмкостью 6Гб (в 2015 году) и 8Гб (в 2016 году). Теперь доступен и первый в отрасли модуль LPDDR4X ёмкостью 12Гб. Samsung намерен нарастить мощности своей ультрасовременной производственной линии в корейском Пхёнгтэке (Pyeongtaek) и планирует в течение 2-й половины 2019 года более чем втрое увеличить поставки модулей мобильной DRAM-памяти ёмкостью 8Гб и 12Гб, выполненной по техпроцессу 1y-nm.

Samsung Launches Highest-capacity Mobile DRAM to Accommodate Next-generation Smartphones

New 12GB LPDDR4X joins 512GB eUFS to enable a seamless user experience in smartphones with multi-cameras, 2X screen sizes, and AI and 5G features

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the highest-capacity mobile DRAM – the industry’s first 12-gigabyte (GB) low-power double data rate 4X (LPDDR4X) package – optimized for tomorrow’s premium smartphones. Featuring higher capacity than most ultra-thin notebooks, the new mobile DRAM will enable smartphone users to take full advantage of all the features in next-generation smartphones.
“With mass production of the new LPDDR4X, Samsung is now providing a comprehensive lineup of advanced memory to power the new era of smartphones, from 12GB mobile DRAM to 512GB eUFS 3.0 storage,” said Sewon Chun, executive vice president of Memory Marketing at Samsung Electronics. “Moreover, with the LPDDR4X, we’re strengthening our position as the premium mobile memory maker best positioned to accommodate rapidly growing demand from global smartphone manufacturers.”
Thanks to the 12GB mobile DRAM, smartphone makers can maximize the potential of devices that feature more than five cameras and ever-increasing display sizes as well as artificial intelligence and 5G capabilities. For smartphone users, the 12GB DRAM enables more fluid multitasking and faster searches as they navigate through a myriad of apps on ultra-large high-resolution screens. Also, the 1.1-millimeter thickness allows for even sleeker smartphone designs.
The 12GB capacity was achieved by combining six 16-gigabit (Gb) LPDDR4X chips based on the second-generation 10nm-class (1y-nm) process into a single package, providing more space for the smartphone battery. In addition, by using the company’s 1y-nm technology, the new 12GB mobile memory delivers a data transfer rate of 34.1GB per second while minimizing the increase in power consumption inevitably caused by a boost in DRAM capacity.
Since introducing 1GB mobile DRAM in 2011, Samsung continues to drive capacity breakthroughs in the mobile DRAM market, moving from 6GB (in 2015) and 8GB (2016) to today’s first 12GB LPDDR4X. From its cutting-edge memory line in Pyeongtaek, Korea, Samsung plans to more than triple the supply of its 1y-nm-based 8GB and 12GB mobile DRAM during the second half of 2019 to meet the anticipated high demand.

Samsung объявляет о запуске в массовое производство передовых модулей памяти LPDDR4X

В сегодняшнем официальном пресс-релизе Samsung Electronics объявил о запуске в массовое производство модулей оперативной памяти нового поколения, которые будут применяться во флагманских смартфонах и фаблетах.
Модули LPDDR4X (Low-Power Double Data Rate 4X) обладают ёмкостью в 12Гбт. Они объединяют 6 16-гигабитных чипов в одной упаковке. При производстве новых изделий применяется технология 10-нанометрового класса (1y-нм) 2-го поколения.
В анонсе отмечается, что толщина модулей составляет всего 1,1 миллиметра. Это позволит реализовать новую компоновку узлов будущих мобильных гаджетов, освободив больше места, например, для аккумуляторной батареи.
В Samsung отмечают, что наличие 12Гб ОЗУ в смартфонах откроет новые возможности. Такие аппараты смогут поддерживать работу более 5-ти камер, передовые решения в области искусственного интеллекта, большие экраны высокого разрешения, сервисы связи 5-го поколения (5G) и так далее.
Напомним, что совсем недавно южнокорейский техногигант представил флэш-накопители eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб для флагманских смартфонов. Эти изделия обеспечивают скорость последовательного чтения информации до 2.100 Мбайт/с. Во 2-й половине текущего года планируется начать серийное производство модулей eUFS 3.0 объёмом 1Тб.
В качестве иллюстрации стремительного прогресса Samsung в области создания полупроводниковой продукции, вендор приводит таблицу основных технических характеристик модулей DRAM для мобильных устройств, начиная с 2009 года.  

Samsung Launches Highest-capacity Mobile DRAM to Accommodate Next-generation Smartphones

New 12GB LPDDR4X joins 512GB eUFS to enable a seamless user experience in smartphones with multi-cameras, 2X screen sizes, and AI and 5G features

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the highest-capacity mobile DRAM – the industry’s first 12-gigabyte (GB) low-power double data rate 4X (LPDDR4X) package – optimized for tomorrow’s premium smartphones. Featuring higher capacity than most ultra-thin notebooks, the new mobile DRAM will enable smartphone users to take full advantage of all the features in next-generation smartphones.
“With mass production of the new LPDDR4X, Samsung is now providing a comprehensive lineup of advanced memory to power the new era of smartphones, from 12GB mobile DRAM to 512GB eUFS 3.0 storage,” said Sewon Chun, executive vice president of Memory Marketing at Samsung Electronics. “Moreover, with the LPDDR4X, we’re strengthening our position as the premium mobile memory maker best positioned to accommodate rapidly growing demand from global smartphone manufacturers.”
Thanks to the 12GB mobile DRAM, smartphone makers can maximize the potential of devices that feature more than five cameras and ever-increasing display sizes as well as artificial intelligence and 5G capabilities. For smartphone users, the 12GB DRAM enables more fluid multitasking and faster searches as they navigate through a myriad of apps on ultra-large high-resolution screens. Also, the 1.1-millimeter thickness allows for even sleeker smartphone designs.
The 12GB capacity was achieved by combining six 16-gigabit (Gb) LPDDR4X chips based on the second-generation 10nm-class (1y-nm) process into a single package, providing more space for the smartphone battery. In addition, by using the company’s 1y-nm technology, the new 12GB mobile memory delivers a data transfer rate of 34.1GB per second while minimizing the increase in power consumption inevitably caused by a boost in DRAM capacity.
Since introducing 1GB mobile DRAM in 2011, Samsung continues to drive capacity breakthroughs in the mobile DRAM market, moving from 6GB (in 2015) and 8GB (2016) to today’s first 12GB LPDDR4X. From its cutting-edge memory line in Pyeongtaek, Korea, Samsung plans to more than triple the supply of its 1y-nm-based 8GB and 12GB mobile DRAM during the second half of 2019 to meet the anticipated high demand.

Samsung запускает производство памяти LPDDR4X для смартфонов нового поколения

Сегодня корпорация Samsung Electronics объявила о запуске в массовое производство первых в отрасли чипов оперативной памяти LPDDR4X 2-го поколения, изготавливающихся по технологии 10-нанометрового класса.
LPDDR4X-4266, рассчитанные на мобильные устройства, потребляют приблизительно на 10 % меньше энергии по сравнению с аналогичными решениями 1-го поколения. Это позволит увеличить время автономной работы мобильных девайсов.
На базе 4-х чипов LPDDR4X ёмкостью по 16 Гбит каждый может быть сформирован модуль объёмом 8 Гб. Причём его толщина будет на 20 % меньше по сравнению с модулем на основе чипов первого поколения. Это обеспечит экономию пространства внутри корпуса мобильных устройств.
Новые модули LPDDR4X будут доступны в вариантах ёмкостью 4, 6 и 8 Гб.
Память найдёт применение во флагманских смартфонах и фаблетах следующего поколения. Выход таких устройств ожидается в конце текущего или начале 2019 года. Скорее всего эти модули первыми получат аппараты юбилейной серии Galaxy S10, которые южнокорейский электронный гинант представит не позднее марта следующего года. Впрочем, не исключено, что чуть ранее память LPDDR4X будет применена в экспериментальной модели смартфона со сгибающимся дисплеем, точное название которой пока держится в секрете. Однако такой аппарат будет выпущен лимитированной партией на ограниченном числе рынков для последующей оценки рентабельности девайсов нового типа.

Samsung Begins Mass Producing Industry’s First 2nd-Generation 10nm-Class, 16Gb LPDDR4X Mobile DRAM

- Samsung to expand its DRAM lineup by more than 70% based on 1y-nm process
- Ultra-thin 8GB package enables slimmer design for next-gen flagship mobile devices

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first 2nd-generation of 10-nanometer-class* (1y-nm), LPDDR4X (Low Power, Double Data Rate, 4X) DRAM to improve the efficiency and lower the battery drain of today’s premium smartphones and other mobile applications.
Compared to the mobile DRAM memory chips most used in current flagship mobile devices (1x-nm 16Gb LPDDR4X), the 2nd– generation LPDDR4X DRAM features up to a 10 percent power reduction while maintaining the same data rate of 4,266 megabits per second (Mb/s).
“The advent of 10nm-class mobile DRAM will enable significantly enhanced solutions for next-generation, flagship mobile devices that should first hit the market late this year or the first part of 2019.” said Sewon Chun, senior vice president of Memory Sales & Marketing at Samsung Electronics. “We will continue to grow our premium DRAM lineup to lead the ‘high-performance, high capacity, and low power’ memory segment to meet the market demand and strengthen our business competitiveness.”
Samsung will be expanding its premium DRAM lineup that is based on the 1y-nm process by more than 70 percent. This initiative began with mass producing the first 10nm-class 8Gb DDR4 server DRAM last November and continues with this 16Gb LPDDR4X mobile memory chip only eight months later.
Samsung said that it has created an 8GB LPDDR4X mobile DRAM package by combining four of the 10nm-class 16Gb LPDDR4X DRAM chips (16Gb=2GB). This four-channel package can realize a data rate of 34.1GB per second and its thickness has been reduced more than 20 percent from the 1st-gen package, enabling OEMs to design slimmer yet more effective mobile devices.
With its LPDDR4X advancements, Samsung will be rapidly expanding its share of mobile DRAM in the market by providing a variety of high-capacity products, including 4GB, 6GB and 8GB LPDDR4X packages.
In line with its roll-out of 10nm-class LPDDR4X, Samsung has started operating a new DRAM production line in Pyeongtaek, Korea, to assure a stable supply of all mobile DRAM chips, in response to the increasing demand.

*10nm-class denotes a process technology node somewhere between 10 and 19 nanometers.