Показаны сообщения с ярлыком Samsung Memory. Показать все сообщения
Показаны сообщения с ярлыком Samsung Memory. Показать все сообщения

среда, 28 апреля 2021 г.

Samsung’s Highest Performing SAS Enterprise SSD to Take Server Storage Performance to Next Level




Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced its launch of the industry’s highest performing 24G SAS (SAS-4) SSD ― the PM1653. Based on the latest SAS interface, the new drive can support twice the speed of the previous 12G SAS-3 generation. The PM1653 is also the industry’s first 24G SAS SSD made with sixth-generation (1xx-layer) V-NAND chips, enabling storage capacities from 800GB to 30.72TB for advanced enterprise server systems.
“As the leading provider of SAS storage for a decade, Samsung has been offering the most advanced and reliable enterprise solutions in full support of the critical workloads of global server OEMs, governments and financial institutions. Samsung enterprise solutions are also accredited by the U.S. National Institute of Standards and Technology for the most powerful data security,” said Kwangil Park, senior vice president of the Memory Product Planning Team at Samsung Electronics. “Like we have done with the PM1653, Samsung will continue to collaborate with our customers to accommodate the ever-growing demand of the enterprise server market for the most uncompromising offerings available.”
In order to build a robust 24G SAS ecosystem across the enterprise market, host bus adapter (HBA) system readiness is also essential. Samsung has been closely working with Broadcom, a leading HBA provider, to ensure a seamless and timely transition to this new SAS milestone.
“Broadcom values the innovation that 24G SAS products, such as the Samsung SSD PM1653, will bring to the enterprise server market,” said Jas Tremblay, vice president and general manager of the Data Center Solutions Group at Broadcom. “The combination of the PM1653 SSD and Broadcom’s next-generation SAS RAID products delivers up to 5X RAID 5 performance; which will be critical to meet the strong demands of the 24G ecosystem.”
The PM1653 has been optimized for high-performance enterprise servers, offering the industry’s highest random read speed – a key metric for server storage performance – of up to 800K IOPS. Its sequential read speed can reach 4,300MB/s, which is the maximum available speed for the 24G SAS interface and twice the speed of the previous-generation PM1643a drive.
Leveraging its dual-port system, the new SSD will give enterprise server OEMs the flexibility of using one or both ports depending on their system environment. Even if one port was to experience a failure during operation, data can be transferred and accessed through the other port with superior enterprise-grade reliability. The PM1653 is capable of supporting 24G and the legacy 12G SAS-3 platform as well.
Samsung has begun sampling the PM1653 SSD with select customers, and plans to begin mass production in the second half of this year.

Samsung представил свой самый производительный твердотельный накопитель SAS Enterprise для серверных хранилищ

Samsung Electronics объявляет о выпуске высокопроизводительного твердотельного накопителя PM1653 с интерфейсом SAS (SAS-4) 24G. Он изготовлен на базе чипов V-NAND 6-го поколения (1xx-layer). Благодаря этой технологии ёмкость хранилища может достигать от 800Гб до 30,72Тб. Кроме того, диск обеспечивает вдвое большую скорость по сравнению с предыдущим поколением 12G SAS-3.
Для создания надёжной экосистемы SAS 24G на корпоративном рынке необходима также готовность хост-адаптера шины (HBA). Для обеспечения плавного и быстрого перехода к этой технологии Samsung сотрудничает с ведущим поставщиком HBA-адаптеров Broadcom. Сочетание SSD PM1653 и SAS RAID-продуктов Broadcom нового поколения обеспечивает 5-кратное повышение производительности RAID 5.
Накопитель PM1653 оптимизирован для высокопроизводительных корпоративных серверов, поскольку обеспечивает самую высокую в отрасли скорость произвольного чтения — ключевой показатель производительности серверного хранилища — до 800K IOPS. Скорость последовательного чтения достигает 4300 МБ/с, что является максимумом для интерфейса 24G SAS и вдвое превышает показатель накопителя предыдущего поколения PM1643a.
Двухпортовая система нового SSD предоставляет OEM-производителям корпоративных серверов возможность использовать один или оба порта в зависимости от системной среды. Даже если один из них выйдет из строя во время работы, доступ к данным можно осуществить через другой. PM1653 поддерживает платформу 24G и более старую 12G SAS-3.
Samsung уже предоставил твердотельные накопители PM1653 ряду клиентов для тестирования и намерен запустить массовое производство во второй половине 2021 года.

среда, 24 февраля 2021 г.

Эксперты обеспокоены снижением компетенций Samsung в сфере разработки NAND-памяти (мнение отраслевого аналитика)


Samsung Electronics занимает прочное лидерство на рынке микросхем флэш-памяти NAND с долей более 30%. Но конкурирующие компании, похоже, бросают вызов технологической компетенции Samsung, поскольку они начинают демонстрировать лучшие результаты, пишет газета The Korea Times.
Флэш-память NAND - это тип энергонезависимой технологии хранения, которая не требует питания для хранения данных. С учётом того, что IT-устройства и серверы для центров обработки данных требуют всё большей ёмкости хранилища, наложение (стек) как можно большего количества тонких слоёв стало главным приоритетом для производителей микросхем флэш-памяти NAND.
Samsung ещё не анонсировал свою новейшую технологию стекирования NAND, которая выходит за рамки нынешних 128-слойных чипов, в то время как такие конкуренты, как SK hynix, Micron и Kioxia, стремятся продемонстрировать передовые разработки. Это заставило отраслевых аналитиков говорить о том, что лидер в производстве микросхем памяти, возможно, теряет своё технологическое преимущество.
В ноябре прошлого года американский производитель Micron объявил о разработке первого в отрасли 176-слойного флэш-чипа NAND. SK Hynix представила свой 176-слойный чип в декабре. Японская Kioxia также недавно объявила, что ей удалось разработать 162-слойную 3D NAND вместе с Western Digital. По их словам, новый продукт на 40% компактнее, чем предыдущая 112-слойная технология, и может обеспечить большую плотность и меньшую задержку при чтением данных.
Джим Хэнди, аналитик полупроводниковой отрасли из Objective Analysis, говорит, что лидерство Samsung в индустрии флэш-памяти NAND в ближайшее время сохранится, но согласился с тем, что электронный гигант теряет способность наращивания большего количества слоёв.
«Это не первый случай, когда Samsung отстаёт от своих конкурентов в области создания флэш-памяти NAND. Я помню, как в 2012 году у Samsung был наименее продвинутый процесс - 27-нанометровый, в то время как все остальные уже поставляли 24-нанометровые или 25-нанометровые чипы», - сказал аналитик в интервью корреспонденту The Korea Times. На вопрос, почему Samsung до сих пор не анонсировал свою новую флэш-память NAND с большим количеством стеков, Хэнди отметил, что производитель слишком сильно зависел от технологии "однодековой" памяти, в то время как его конкуренты разделили свои стеки на "две колоды".
«Насколько мне известно, более высокие стеки - это наиболее эффективный способ увеличения ёмкости хранилища. Samsung идёт по более сложному пути. Вендор увеличивает количество слоёв, используя вариант "одной колоды", в то время как другие перешли на двойную. Теоретически производство одной колоды должно быть дешевле, но для её разработки требуется больше времени, и, похоже, именно поэтому Samsung отстаёт», - сказал он.
В Samsung ожидают, что в этом году спрос на чипы NAND вырастет по мере того, как будет продаваться больше смартфонов. В то же время длительный период социального дистанцирования из-за пандемии также будет способствовать повышению продаж IT-устройств, таких как ноутбуки. В этом году для удовлетворения потребностей в серверах центры обработки данных будут всё чаще заказывать чипы NAND.
По словам финансового директора Samsung Чой Юн Хо, чтобы конкурировать более эффективно, техногигант также готовится к запуску 7-го поколения V-NAND с использованием двухуровневого подхода.
«Мы планируем впервые использовать технологию двойного стека при производстве NAND», - сказал Чой инвесторам в январе. «Это даст преимущество, так как у нас будет самая маленькая высота стека в отрасли. И вдобавок ко всему, используя ноу-хау, накопленные нами при работе с одним стеком, мы рассчитываем сохранить выдающуюся конкурентоспособность по ценам даже с несколькими стеками на V-NAND 7-го поколения".
Несмотря на прогнозы топ-менеджеров корпорации, аналитик Джим Хэнди говорит, что ещё неизвестно, сможет ли Samsung продемонстрировать заметно лучшие результаты с новым подходом.
«Многослойное "однодековое" устройство разработать гораздо сложнее, и это замедлило прогресс Samsung. Впрочем, там заявили, что будут использовать "двухдековый" подход в своей V-NAND 7-го поколения. Но Samsung ещё только предстоит научиться делать то, что его конкуренты уже очень хорошо освоили», - отметил Хэнди.
При этом он не изменил своего мнения, что Samsung продолжит лидировать на рынке NAND. «Samsung сохраняет лидерство по рыночной доле. Это основная задача производителя, поэтому я не думаю, что ситуация изменится. В области технологий Samsung иногда вырывается вперёд, а иногда догоняет. На сегодняшний день его NAND-технология отстаёт от некоторых конкурентов,"- сказал аналитик.

Остерегайтесь YMTC

Аналитик отмечает, что нет никаких сомнений в том, что Samsung сохранит своё лидерство в бизнесе флэш-памяти NAND, но в долгосрочной перспективе самой большой угрозой для корейского гиганта может стать Yangtze Memory Technologies (YMTC), крупнейший производитель чипов памяти в Китае.
YMTC поразил индустрию микросхем памяти в прошлом году, объявив о разработке 128-слойной 3D NAND. Компания официально не объявила о возможности массового производства продукта, но успешная разработка 128-слойной памяти NAND может увеличить её присутствие в отрасли.
По словам аналитика, на фоне стремления китайской правящей верхушки сделать страну одним из лидеров в индустрии микросхем, ожидается, что YMTC будет обеспечивать устойчивый рост, опираясь на огромные государственные субсидии.
«Самая большая долгосрочная угроза Samsung в области флэш-памяти NAND - это китайская YMTC. Она имеет невероятный источник финансирования для запуска новых производственных мощностей, и власти не требуют от неё прибыльности», - сказал эксперт. «Эта тактика активного наращивания производства больших объёмов флэш-памяти NAND означает быстрый рост, что позволит отбирать долю рынка у конкурентов. Я считаю, что когда это произойдёт, Samsung может уступить первенство».

[ANALYSIS] Is Samsung Electronics losing competence in NAND?

Samsung Electronics has held a solid lead in the NAND flash memory chip market with more than a 30 percent share. But rival companies appear to be challenging Samsung's technological competence as they are starting to show better workmanship.
NAND flash memory is a type of non-volatile storage technology that does not require power to retain data. With IT devices and servers for data centers requiring bigger storage capacity, stacking as many thin layers as possible has become a top priority for NAND flash chip makers.
Samsung has yet to announce its latest NAND stacking technology that goes beyond its current 128-layer chips, while competitors such as SK hynix, Micron and Kioxia are racing to reveal cutting-edge designs. This has prompted analysts to believe that the memory chip giant may be losing its technological edge.
Last November, U.S. chip maker Micron announced the development of the industry's first 176-layer NAND flash chip. SK Hynix followed by unveiling its own 176-layer chip in December.
Japan's Kioxia also announced recently that it succeeded in developing 162-layer 3D NAND together with Western Digital. They said the new product is 40 percent smaller than previous 112-layer technology and can provide more density and lower read latency.
Jim Handy, a semiconductor industry analyst at Objective Analysis, said Samsung's leadership in the NAND flash industry won't change anytime soon, but agreed that it is losing competence in terms of stacking up more layers.
"Yes, Samsung is behind its competitors. This is not the first time that Samsung has fallen behind its competition in NAND flash. I remember in 2012 when Samsung had the least advanced process at 27-nanometer while everyone else was shipping 24-nanometer or 25-nanometer parts," the analyst told The Korea Times.
Asked why Samsung has not announced its new NAND flash that has higher stacks than 162 or 176 layers, Handy pointed out the company has depended too much on a single-deck technology while its rivals split their stacks into two decks.
"As far as I know, having higher stacks is the most efficient way to increase storage capacity. Samsung has been pursuing a more difficult path. The company increases its layer count by using a single-deck approach while others have migrated to two decks. In theory, a single deck should be less expensive to produce, but it takes longer to develop, and this appears to be why Samsung has fallen behind," he said.
Samsung expects demand for NAND chips to rise this year as more smartphones will be sold, while prolonged social distancing measures will also boost sales of IT devices such as laptops. For server demand, data centers will increasingly order NAND chips this year as well.
To better compete with its rivals, Samsung is also preparing to launch a seventh-generation V-NAND using a double-deck approach, according to the firm's Chief Financial Officer Choi Yoon-ho.
"To give you an update on our NAND, our single stack sixth-generation V-NAND has already completed a ramp-up. And this year, we will be scaling up production. Also in the next generation, that's the seventh-generation V-NAND, we are planning to adopt a double stack for the first time," Choi told investors in January. "This will give us the advantage of having the smallest stack height in the industry. And on top of that, by using the know-how we've accumulated working with single stack, we expect to maintain outstanding cost competitiveness even with multi-stack on seventh-generation V-NAND."
Despite the company's vision, the analyst said it remains to be seen whether Samsung can see markedly better results with the new approach.
"It is more difficult to develop a single-deck device, and that has slowed Samsung's progress. Samsung has stated that it will use a two-deck approach for its seventh-generation V-NAND. Since Samsung is not already producing a two-deck NAND, it must learn how to do something that its competitors already understand very well," Handy noted.
But he has not changed his view that Samsung will continue to lead the NAND market. "Samsung is maintaining its market share leadership. This is the company's main focus, so I don't think that will change. In technology, Samsung sometimes leads and sometimes follows. Today the company's NAND technology is behind that of some of their competitors," the analyst said.

Watch out for YMTC

The analyst said there is no doubt that Samsung will maintain its leadership in the NAND flash business, but, in the long run, the biggest threat to the Korean company could be Yangtze Memory Technologies (YMTC), the largest memory chip maker in China.
YMTC wowed the memory chip industry last year by announcing the development of a 128-layer 3D NAND. The company did not officially announce it is capable of mass-producing the product, but the successful development of the 128-layer NAND could increase its presence in the industry.
On the back of the Chinese government's push to make the country one of the leaders in the chip industry, YMTC is expected to achieve steady growth, the analyst said.
"Samsung's biggest long-term threat in NAND flash is YMTC in China. YMTC has an incredible source of capital for financing new production facilities, and is not required to be profitable," he said. "Whenever the company learns how to produce NAND flash in high volumes, it will grow rapidly by taking market share away from other NAND flash makers. When this happens I believe that Samsung may lose its No.1 ranking."

вторник, 20 октября 2020 г.

На долю Samsung приходится около половины выручки на глобальном рынке памяти для смартфонов


 


Во 2-м квартале 2020 года выручка на мировом рынке микросхем памяти для смартфонов выросла на 3% в годовом исчислении и составила 9,7 миллиарда долларов США, сообщают эксперты из Strategy Analytics. Специалисты также подсчитали, что в сумме за 1-е полугодие объём рынка в деньгах достиг $19,2 миллиарда.
Samsung по-прежнему лидирует в продажах смартфонной памяти. Аналитики оценивают его рыночную долю в 49%, с учётом сегментов DRAM и NAND Flash. Также в ТОП-3 поставщиков входят корейская SK Hynix и американская Micron. Эти 3 вендора контролировали почти 84% выручки в указанном сегменте за период январь-июнь 2020 года.
Характеризуя ситуацию в секторе NAND Flash, специалисты отметили, что полугодовые продажи флэш-памяти для смартфонов увеличились на 5% за счёт высокоёмких чипов типа UFS NAND. Samsung здесь на 1-м месте по доле выручки с показателем 43%, а за ним следует Kioxia (экс-Toshiba Memory) и SK Hynix, вклад которых эксперты оценили в 22% и 17% соответственно.
В сегменте DRAM-памяти зарегистрировано небольшое снижение продаж по итогам полугодия, что специалисты связывают со смещением спроса в сторону продукции, не предназначенной для мобильных устройств. Samsung здесь также возглавляет рейтинг крупнейших поставщиков по объёму выручки с долей 54%. На 2-м и 3-м местах - SK Hynix (24%) и Micron (20%).
Говоря о перспективах рынка, вице-президент по направлению стратегических технологий в Strategy Analytics Стивен Энтуисл (Stephen Entwistle) заявил, что ожидает рост потребительского спроса на микросхемы памяти за счёт сезонного подъёма в смартфонной отрасли и востребованности чипов с улучшенной ёмкостью и производительностью. Вместе с тем, специалист предупредил, что недавнее ужесточение санкций правительства США в отношении китайской Huawei негативно скажется на поставщиках микросхем памяти.
Ранее газета The Korea Times сообщила, что Huawei - один из крупнейших клиентов корейских полупроводниковых гигантов. По имеющейся информации, в 2019-м году компания принесла Samsung 7,37 триллиона вон (около 6,4 миллиарда долларов) или 3,2% от совокупной выручки чипмейкера. Ещё более ощутимый вклад Huawei внесла в доходы SK Hynix - 3 триллиона вон (2,58 миллиарда долларов) или 11,4% от годового оборота.
Тем не менее, Samsung рассчитывает в течение ближайших 6-ти месяцев найти новых покупателей своей продукции, которые придут на смену Huawei. Как известно, свято место пусто не бывает, поэтому другие китайские производители смартфонов рассчитывают поглотить долю теряющей свои позиции соотечественницы.

Strategy Analytics: Samsung Widens its Lead in the Smartphone DRAM & NAND Market in H1 2020

The global smartphone memory market registered total revenue of $19.2 billion in H1 2020, according to the Strategy Analytics Handset Component Technologies service report, “Smartphone Memory Market Share Q2 2020: Revenue Up 3 Percent YoY as Samsung Leads.”
This Strategy Analytics research finds that Samsung Memory led the smartphone memory market (DRAM & NAND) with 49 percent revenue share followed by SK Hynix and Micron in H1 2020. Samsung Memory, SK Hynix and Micron captured almost 84 percent revenue share in the global smartphone memory market in H1 2020.

NAND Market

The overall NAND flash market revenue for smartphones witnessed a growth of 5 percent year-over-year in H1 2020 due to the shipment of high capacity UFS NAND flash chips. Samsung Memory led the market with a revenue share of 43 percent followed by Kioxia and SK Hynix each having 22 percent and 17 percent respectively in the smartphone NAND market in H1 2020.

DRAM Market

The smartphone DRAM chip revenue witnessed a marginal decline in H1 2020 over H1 2019 as demand shifted towards non-mobile applications. In terms of market share, again Samsung Memory led, registering a revenue share of 54 percent followed by SK Hynix with 24 percent and Micron with 20 percent in the smartphone DRAM market in H1 2020.
Jeffrey Mathews, Senior Analyst at Strategy Analytics says, “The smartphone memory market observed growth in revenue despite the headwinds in demand. The growth was fueled by the shipment of high-density memory chips and recovering chip prices. Samsung Memory gained share in H1 2020 owing to the shipment of memory chips featuring UFS 3.0, UFS 3.1 and LPDDR5 memory technologies for smartphones.”

According to Stephen Entwistle, Vice President of the Strategy Analytics Strategic Technologies Practice, “Smartphone memory is expected to witness an increase in customer demand for chips due to the seasonal factors in the smartphone market along with rising momentum for memory chips with higher storage content and faster memory speeds. However, the latest US Government sanction on Huawei is expected to impact the memory chip vendors negatively.”

среда, 14 октября 2020 г.

Samsung представляет SD-карты PRO Plus и EVO Plus для создателей видеоконтента и энтузиастов фотографии







Новые SD-карты обеспечивают исключительную скорость для поддержки видеоформатов 4K UHD и Full HD. Улучшенные защитные функции дают потребителям дополнительную уверенность в сохранности отснятого материала.

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий цифровых накопителей, сегодня представил PRO Plus и EVO Plus, две новые линейки SD-карт с исключительной скоростью и повышенной надёжностью. С PRO Plus и EVO Plus создатели профессионального контента и обычные потребители могут беспрепятственно работать с широким спектром устройств, включая зеркальные, беззеркальные и компактные камеры, а также видеокамеры и ПК.
«В течение многих лет потребители во всём мире воспринимают Samsung как ведущего поставщика высокопроизводительных карт памяти различной ёмкости, отвечающих уникальным запросам», - сказал д-р Майк Манг, вице-президент группы по развитию брэндов памяти в Samsung Electronics. «Samsung идёт дальше с выпуском новейших SD-карт PRO Plus и EVO Plus, которые обеспечивают дополнительные уровни защиты, выдерживая интенсивное использование в самых суровых условиях».
PRO Plus предлагает скорость последовательного чтения и записи до 100 МБ/с и 90 МБ/с соответственно. Для профессиональных фотографов, кинематографистов и видеоблогеров выдающаяся производительность последовательной записи на SD-карте PRO Plus обеспечивает безупречную запись видео 4K UHD и серийную фотосъёмку. EVO Plus также обеспечивает плавное воспроизведение при редактировании видео 4K и Full HD со скоростью передачи до 100 МБ/с.(1) Доступны 4 ёмкости для хранения - от 32Гб до 256Гб, что позволяет легко расширять память используемых устройств.
Samsung создал PRO Plus и EVO Plus, понимая, что личные и профессиональные фото/видео очень ценны, так как их часто делают во время туристических путешествий и походов. Разработанные с учётом максимальной прочности, PRO Plus и EVO Plus помогают надёжно запечатлеть неповторимые моменты в экстремальных условиях благодаря своей комплексной 7-ступенчатой ​​защите(2). Помимо защиты от воды, резких перепадов температуры, рентгеновских лучей и магнитов, новые SD-карты теперь устойчивы к множественным ударам и выдерживают падение с высоты до 5-ти метров. На обе линейки предоставляется 10-летняя ограниченная гарантия.
PRO Plus и EVO Plus поступят в продажу уже в текущем месяце. Для получения дополнительной информации о  Samsung SD-card посетите официальную вэб-страницу https://samsung.com/memorycard.

Samsung Introduces PRO Plus and EVO Plus SD Cards for Content Creators and Photo Enthusiasts

New SD cards deliver exceptional speeds to support 4K UHD and Full HD video formats.
Enhanced protective features give consumers added peace of mind.

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today unveiled the PRO Plus and EVO Plus, its two new lines of SD cards featuring exceptional speeds and improved durability. With the PRO Plus and EVO Plus, content creators and general consumers can seamlessly work across a wide range of devices including DSLR, mirrorless and compact cameras as well as camcorders and PCs.
“For years, consumers around the world have trusted Samsung to deliver high-performance memory cards in a variety of capacities that meet their unique needs,” said Dr. Mike Mang, vice president of the Memory Brand Product Biz Team at Samsung Electronics. “Samsung has gone beyond that with the PRO Plus and EVO Plus SD cards, providing additional layers of protective measures to withstand intensive usage and the most rugged conditions.”
The PRO Plus offers sequential read and write speeds of up to 100MB/s and 90MB/s, respectively. For professional photographers, cinematographers and YouTubers, the PRO Plus SD card’s outstanding sequential write performance enables flawless 4K UHD video recording and burst shots. The EVO Plus also ensures smooth playback when editing 4K as well as Full HD videos with transfer speeds of up to 100MB/s.1 Available in four storage capacities from 32GB to 256GB, consumers can easily add extra storage to enjoy more rich content on their devices.
Samsung made the PRO Plus and EVO Plus knowing that personal and professional photos and videos are valuable and often travel with us from one adventure to the next. Designed with maximum durability in mind, the PRO Plus and EVO Plus help capture more moments in extreme conditions with their comprehensive seven-proof protection.2 In addition to protection from water, temperature, x-rays, magnets and shocks, the new SD cards are now drop-proof and wearout-proof, withstanding up to five-meter drop as well as up to 10,000 swipes. Both lineups come with a 10-year limited warranty.3
The PRO Plus and EVO Plus will be available in October. For more information on Samsung’s SD card offerings, please visit https://samsung.com/memorycard.

1 The foregoing read & write speeds are based on internal tests conducted under controlled conditions. Actual speeds may vary depending upon card capacity.
2 Includes protection from: 1) Water: saltwater and depths of up to 1m for up to 72hrs; 2) Temperatures: operating temperatures ranging from -25℃ to 85℃, and non-operating temperatures ranging from -40℃ to 85℃; 3) X-rays: up to 100mGy (equivalent to most airport X-ray machines); 4) Magnets: up to 15,000 gauss; 5) Shocks: up to 1,500Gs (a G is a unit of gravitational acceleration); 6) Drops: capable of withstanding drops of up to 5 meters (16.4 feet); 7) Wearout: capable of withstanding up to 10,000 swipes.
3 Samsung is not liable for any i) damages and/or loss of data, or ii) expenses incurred from memory card data recovery.
4 1GB = 1 billion bytes. Actual usable capacity may vary.
5 The foregoing read & write speeds have been verified by internal tests conducted under controlled conditions. Actual speeds may vary depending on usage and other conditions. For products incompatible with the UHS-I interface, speeds may vary depending on interface conditions.

вторник, 7 июля 2020 г.

Samsung продолжает доминировать на рынке чипов памяти для смартфонов




В 1-м квартале 2020 года выручка на мировом рынке микросхем памяти для смартфонов достигла 9,4 миллиарда долларов. 3 ведущих производителя - Samsung, SK Hynix и Micron обеспечили почти 84% оборота на рассматриваемом рынке. Samsung уверенно удерживает доминирующие позиции с рыночной долей 50%, сообщает Strategy Analytics.
Продажи флэш-памяти для смартфонов в январе-марте 2020-го увеличились на 4% в годовом исчислении. Позитивной динамике способствовали стабилизация цен и спрос на чипы с повышенной ёмкостью. Крупнейшим поставщиком микросхем NAND flash для смартфонов был Samsung, на долю которого пришлось 44% выручки в этом сегменте. Также в тройку лидеров вошли Kioxia и SK Hynix с показателями присутствия 21% и 16%.
В сегменте мобильной DRAM-памяти аналитики зарегистрировали отрицательную динамику: квартальные продажи этой продукции по сравнению с прошлым годом сократились на 4%. Спад объясняется сезонным фактором и смещением спроса в другие продуктовые категории.
Лидерство Samsung в DRAM-сегменте было ещё более выраженным: по итогам квартала на долю электронного гиганта пришлось 55% выручки, в то время как вклад SK Hynix и Micron составил 25% и 19%.
Комментируя полученные данные, эксперт Strategy Analytics Джеффри Мэтьюз (Jeffrey Mathews) отметил, что в целом продажи микросхем памяти для смартфонов уменьшились незначительно по сравнению с прошлогодним уровнем. Оправиться от прежней негативной динамики рынку помогли коррекция складских запасов и подготовка производителей смартфонов к будущим перебоям с поставкой комплектующих из-за пандемии коронавируса.
Дополняя коллегу, исполнительный директор Strategy Analytics Стюарт Робинсон (Stuart Robinson) предупредил, что в ближайшее время ситуация на рынке памяти останется сложной из-за снижения спроса на компоненты и слабеющих продаж смартфонов на фоне последствий COVID-19. Однако специалист оговорился, что флэш-память высокой плотности типа UFS 3.0 и DRAM-чипы LPDDR5 останутся востребованными у производителей смартфонов.

Strategy Analytics: Samsung Remains Dominant in the Smartphone Memory Market with 50% Revenue Share in Q1 2020

The global smartphone memory market registered a total chip revenue of $9.4 billion in Q1 2020, according to the Strategy Analytics Handset Component Technologies service report, “Smartphone Memory Market Share Q1 2020: Revenue Sees Modest Decline as Samsung Memory Dominates.”
This Strategy Analytics research finds that Samsung Memory, SK Hynix and Micron captured almost 84 percent revenue share in the global smartphone memory market in Q1 2020. Samsung Memory maintained its lead in the smartphone memory market with 50 percent revenue share in Q1 2020, followed by SK Hynix and Micron.

NAND Market

The smartphone NAND flash chip revenue observed 4 percent year-over-year growth driven by price stabilization and higher capacity flash demand in Q1 2020. The market was led by Samsung Memory with a revenue share of 44 percent followed by Kioxia with 21 percent and SK Hynix with 16 percent.

DRAM Market

The total DRAM market revenue for smartphones registered a decline of 4 percent year-over-year due to the seasonality and demand shift to other categories. In terms of market share, Samsung Memory registered a revenue share of 55 percent followed by SK Hynix and Micron each having a share of 25 percent and 19 percent respectively in the smartphone DRAM market in Q1 2020.

Jeffrey Mathews, Analyst at Strategy Analytics commented, “The smartphone memory market experienced only a modest decline in revenue as the memory chip market rebounded from previous levels of decline owing to the correction of inventory and early chip orders from customers in order to manage future COVID-19 disruptions. Samsung Memory continued to witness traction for its UFS 3.0 Flash and LPDDR5 DRAM memory chips and managed design wins with leading smartphone OEMs in Q1 2020.”
Stuart Robinson, Executive Director of the Strategy Analytics Handset Component Technologies service at Strategy Analytics noted, “The smartphone memory market will continue to be challenged by the fall in smartphone memory demand on the back of COVID-19 pandemic disruptions on global smartphone production and also causing demand for smartphones to drop significantly. However, the demand for high density memory chips featuring UFS 3.0 and LPDDR5 remains upbeat among smartphone OEMs.”