Samsung’s Highest Performing SAS Enterprise SSD to Take Server Storage Performance to Next Level

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced its launch of the industry’s highest performing 24G SAS (SAS-4) SSD ― the PM1653. Based on the latest SAS interface, the new drive can support twice the speed of the previous 12G SAS-3 generation. The PM1653 is also the industry’s first 24G SAS SSD made with sixth-generation (1xx-layer) V-NAND chips, enabling storage capacities from 800GB to 30.72TB for advanced enterprise server systems.

“As the leading provider of SAS storage for a decade, Samsung has been offering the most advanced and reliable enterprise solutions in full support of the critical workloads of global server OEMs, governments and financial institutions. Samsung enterprise solutions are also accredited by the U.S. National Institute of Standards and Technology for the most powerful data security,” said Kwangil Park, senior vice president of the Memory Product Planning Team at Samsung Electronics. “Like we have done with the PM1653, Samsung will continue to collaborate with our customers to accommodate the ever-growing demand of the enterprise server market for the most uncompromising offerings available.”

In order to build a robust 24G SAS ecosystem across the enterprise market, host bus adapter (HBA) system readiness is also essential. Samsung has been closely working with Broadcom, a leading HBA provider, to ensure a seamless and timely transition to this new SAS milestone.

“Broadcom values the innovation that 24G SAS products, such as the Samsung SSD PM1653, will bring to the enterprise server market,” said Jas Tremblay, vice president and general manager of the Data Center Solutions Group at Broadcom. “The combination of the PM1653 SSD and Broadcom’s next-generation SAS RAID products delivers up to 5X RAID 5 performance; which will be critical to meet the strong demands of the 24G ecosystem.”

The PM1653 has been optimized for high-performance enterprise servers, offering the industry’s highest random read speed – a key metric for server storage performance – of up to 800K IOPS. Its sequential read speed can reach 4,300MB/s, which is the maximum available speed for the 24G SAS interface and twice the speed of the previous-generation PM1643a drive.

Leveraging its dual-port system, the new SSD will give enterprise server OEMs the flexibility of using one or both ports depending on their system environment. Even if one port was to experience a failure during operation, data can be transferred and accessed through the other port with superior enterprise-grade reliability. The PM1653 is capable of supporting 24G and the legacy 12G SAS-3 platform as well.

Samsung has begun sampling the PM1653 SSD with select customers, and plans to begin mass production in the second half of this year.

Samsung представил свой самый производительный твердотельный накопитель SAS Enterprise для серверных хранилищ

Samsung Electronics объявляет о выпуске высокопроизводительного твердотельного накопителя PM1653 с интерфейсом SAS (SAS-4) 24G. Он изготовлен на базе чипов V-NAND 6-го поколения (1xx-layer). Благодаря этой технологии ёмкость хранилища может достигать от 800Гб до 30,72Тб. Кроме того, диск обеспечивает вдвое большую скорость по сравнению с предыдущим поколением 12G SAS-3.

Для создания надёжной экосистемы SAS 24G на корпоративном рынке необходима также готовность хост-адаптера шины (HBA). Для обеспечения плавного и быстрого перехода к этой технологии Samsung сотрудничает с ведущим поставщиком HBA-адаптеров Broadcom. Сочетание SSD PM1653 и SAS RAID-продуктов Broadcom нового поколения обеспечивает 5-кратное повышение производительности RAID 5.

Накопитель PM1653 оптимизирован для высокопроизводительных корпоративных серверов, поскольку обеспечивает самую высокую в отрасли скорость произвольного чтения — ключевой показатель производительности серверного хранилища — до 800K IOPS. Скорость последовательного чтения достигает 4300 МБ/с, что является максимумом для интерфейса 24G SAS и вдвое превышает показатель накопителя предыдущего поколения PM1643a.

Двухпортовая система нового SSD предоставляет OEM-производителям корпоративных серверов возможность использовать один или оба порта в зависимости от системной среды. Даже если один из них выйдет из строя во время работы, доступ к данным можно осуществить через другой. PM1653 поддерживает платформу 24G и более старую 12G SAS-3.

Samsung уже предоставил твердотельные накопители PM1653 ряду клиентов для тестирования и намерен запустить массовое производство во второй половине 2021 года.

9 устройств Samsung для хранения данных получили признание за снижение негативного воздействия на окружающую среду

 

Авторитетный орган экологической сертификации Carbon Trust отметил усилия Samsung по снижению воздействия на окружающую среду и оценил вклад вендора в переход к низкоуглеродной экономике.

9 ключевых устройств для хранения информации от Samsung получили маркировку Product Carbon Footprint (PCF) от британского сертифицирующего органа Carbon Trust. Среди этих устройств 4 решения DRAM, 3 твердотельных накопителя (SSD) и 2 встраиваемых устройства хранения (eStorage)*.

Разрешение на использование маркировки PCF было выдано после тщательного изучения углеродного следа каждого из этих продуктов, от этапа добычи сырья до производства, дистрибюции, использования и утилизации. Маркировка PCF также предоставляет информацию о количестве электроэнергии, воды и газа, которые были израсходованы при производстве микросхем памяти.  

Вклад в устойчивое будущее

Чипы флэш-памяти Samsung eUFS 3.1 ёмкостью 512Гб для смартфонов получили не только маркировку PCF, но и стали первыми в отрасли обладателями маркировки ‘Reducing CO2’ («Снижение выбросов CO2»). Это означает, что при их производстве и эксплуатации выделяется ещё меньше углекислого газа, чем у чипов предыдущего поколения — eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб, получивших сертификат от Carbon Trust.

Твердотельный накопитель Samsung T7 Touch SSD также получил сертификат ‘low carbon product’ от Министерства охраны окружающей среды Южной Кореи (MoE), что делает его первым в стране экологически чистым полупроводниковым продуктом, сертифицированным правительством. Сертификат о низком уровне выбросов углекислого газа выдаётся продуктам, которые позволяют сократить уровень выбросов углекислого газа как минимум на 3,3% по сравнению с продуктами предыдущего поколения, уже сертифицированными Министерством окружающей среды.

Благодаря уменьшению размеров коробки на 1/3, использованию экологически чистой целлюлозной массы вместо пластика для изготовления подложки и уменьшению выбросов углекислого газа в процессе производства, твердотельный накопитель T7 Touch SSD обеспечил снижение углеродного следа на 5,1% по сравнению с моделью предыдущего поколения. Это позволило в течение 12 месяцев сократить выброс углекислоты примерно на 84 тонны, что эквивалентно объёму углекислого газа, который 13.000 тридцатилетних сосен поглощают за тот же период.

Новые сертификаты были выданы после того, как кампус Samsung Hwaseong в Корее стал первым предприятием по производству полупроводников, получившим сертификат Standard for Water от CarbonTrust в знак признания устойчивого управления водными ресурсами.

* Память DRAM: SODIMM 8Гб; HBM2 8Гб; LPDDR5 12Гб; GDDR5 8Гб

Твердотельные накопители: PM1733 U.2 15,36Тб; 860 EVO 500Гб; T7 Touch 1Тб

Решения eStorage: карта памяти EVO Plus microSD 128Гб; eUFS 3.1 512Гб

Nine of Samsung’s Leading Memory Products Receive Environmental Impact Reduction Recognition from the Carbon Trust

Samsung Electronics has had its latest efforts toward reducing the environmental impact of its memory solutions acknowledged by one of the most widely recognized global environment certification leaders, the Carbon Trust.

Recently, nine key Samsung memory products – four DRAM solutions, three solid state drives (SSDs) and two embedded storage (eStorage) devices* – earned Product Carbon Footprint (PCF) labels from the UK-based Carbon Trust for their significant role in reducing climate impact and helping with the transition to a low-carbon economy. These PCF labels were awarded after a thorough review of each product’s carbon impact, from the raw material extraction stage through production, distribution, use and disposal. The PCF certification also provides a reliable measure of the electricity, water and gas used during memory chip manufacturing.

Contributing to a Sustainable Future

In addition to the PCF label, Samsung’s 512GB eUFS 3.1 – the company’s latest smartphone storage memory – was recognized with the industry’s first ‘Reducing CO2’ label for eliminating more carbon emissions than the previous generation, Carbon Trust-certified 512GB eUFS 3.0.

Samsung’s T7 Touch SSD also received a ‘low carbon product’ certificate from the Korean Ministry of Environment (MoE), making it the first Korean government-certified green semiconductor product in Korea. The low carbon certificate is given to products that achieve a minimum of 3.3 percent carbon reduction over the previously MoE-accredited product generation.

By using one-third less tray packaging, replacing the plastic trays with eco-friendly pulp material and minimizing greenhouse gas emissions throughout its production, the T7 Touch SSD saw a 5.1 percent reduction in its carbon footprint compared to the previous generation product. This translates to an annual savings of approximately 84 tons of carbon – about the same amount of CO2 absorbed by 13,000 30-year-old pine trees in one year.

The new certifications are in addition to Samsung’s Hwaseong Campus in Korea having recently become the industry’s first semiconductor site to earn the Carbon Trust Standard for Water, in recognition of its sustainable water management.

“Through the continuous reduction of our carbon footprint, we are committed to improving environmental sustainability across our semiconductor business operations,” said Chanhoon Park, executive vice president and general manager of Global Infra Technology at Samsung Electronics. “Moving forward, we will strive not only to achieve greater competitiveness with our semiconductor technologies, but also ongoing leadership in sustainable environmental efforts.”

* DRAM products: SODIMM 8GB; HBM2 8GB; LPDDR5 12GB; GDDR5 8GB

SSDs: PM1733 U.2 15.36TB; 860 EVO 500GB; SSD T7 Touch 1TB

eStorage solutions: EVO Plus microSD card 128GB; eUFS 3.1 512GB

Samsung представил инновационное ПО для максимальной производительности твердотельных накопителей PCIe Gen4

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, представил новую серию твердотельных накопителей (SSD) PCIe Gen4, в которых реализованы программные инновации для максимальной производительности.
Программные инновации Samsung включают в себя технологию «fail-in-place» (FIP), которая обеспечивает «бесконечную» работу SSD; «виртуализацию SSD» для предоставления независимых виртуальных рабочих пространств нескольким пользователям; технологию машинного обучения V-NAND, которая использует Big Data для проверки достоверности данных при работе на сверхвысоких скоростях.

Технология Samsung FIP гарантирует, что накопитель будет продолжать нормальную работу даже при появлении ошибок на уровне чипа. В прошлом повреждение только одного из нескольких сотен чипов NAND означало необходимость замены всего SSD, что приводило к простою системы и дополнительным расходам. SSD, интегрированные с программным обеспечением Samsung FIP, выявляют неисправный чип, сканируют повреждения данных, а затем перемещают данные в рабочие чипы. Например, если в каком-либо из 512 NAND-чипов внутри твердотельного накопителя ёмкостью 30,72 Тб обнаружена неисправность, программное обеспечение FIP автоматически активирует алгоритмы обработки ошибок на уровне чипа, сохраняя при этом высокую и стабильную производительность самого накопителя.

Технология виртуализации SSD позволяет разделить один накопитель вплоть до 64 дисков меньших размеров, предоставляя независимые виртуальные рабочие пространства для нескольких пользователей. С помощью этого ПО поставщики облачных хранилищ оптимизируют конкурентоспособность продукта и могут предоставлять услуги для большего числа пользователей при том же объёме ресурсов. Технология виртуализации также позволяет твердотельным накопителям выполнять ряд задач, которые обычно возложены на процессоры сервера — например, виртуализацию ввода-вывода с единым корнем. При этом требуется меньше серверных процессоров и твердотельных накопителей, что уменьшает занимаемую площадь сервера при более высокой эффективности.

Технология машинного обучения V-NAND помогает точно предсказывать и проверять характеристики ячейки, а также выявлять любые неполадки в микросхемах с помощью анализа больших данных. Это обеспечивает надёжное хранение информации, поскольку рост скорости накопителя создаёт проблемы при считывании и проверке данных с помощью ультрабыстрых импульсов напряжения. Твердотельный накопитель на базе более чем 100-слойной четырёхбитной NAND-памяти требует значительно более точного управления ячейкой, чем SSD на базе трёхбитного NAND, и обладает более высокой производительностью, ёмкостью и надёжностью, которые необходимы для использования в системах хранения серверов и центров обработки данных с применением машинного обучения.

«Мы расширяем рынок премиальных твердотельных накопителей за счёт сочетания высокой скорости и мощности с революционными программными решениями, — отметил Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), исполнительный вице-президент подразделения Memory Solution Product & Development в Samsung Electronics. — Мы планируем внедрить дополнительные инновации, основанные на нашем шестом поколении V-NAND, что поможет стимулировать дальнейший рост SSD на глобальном рынке».

Samsung Brings Revolutionary Software Innovation to PCIe Gen4 SSDs for Maximized Storage Performance

Industry's highest-performing SSDs integrate three key software technologies: 'fail-in-place', 'SSD virtualization' and 'V-NAND machine learning'

PM1733 and PM1735 series, offered in 19 models, deliver twice the speed of Gen3 SSDs at up to 8,000MB/s

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has brought the latest software innovations to the company’s most cutting-edge PCIe Gen4 solid state drive (SSD) series, opening up a new paradigm in SSD performance.
“We are combining breakthrough speeds and capacities with revolutionary software solutions as we accelerate expansion in the premium SSD market,” said Kye Hyun Kyung, executive vice president of Memory Solution Product & Development at Samsung Electronics. “We plan to introduce additional innovation led by our most advanced (sixth-generation) V-NAND in helping to trigger a lot more growth in the global IT market.”

3 Software Innovations Create New Paradigm for Ultra-High-Capacity Datacenter SSDs

The three software innovations include: 1) ‘fail-in-place (FIP) technology’ that ensures a ‘never-die’ SSD, 2) ‘virtualization technology’ that provides independent virtual workspaces for multiple users, and 3) ‘V-NAND machine learning technology’ that utilizes big data to accurately verify data validity even when operating at ultra-high speeds.

Samsung’s FIP technology marks a new milestone in the 60-year history of storage by ensuring that SSDs maintain normal operation even when errors occur at the chip level, enabling a never-dying SSD for the first time in the industry. In the past, failure in just one out of several hundred NAND chips meant having to replace an entire SSD, causing system downtime and additional drive replacement cost. SSDs integrated with Samsung’s FIP software can detect a faulty chip, scan for any damage in data, then relocate the data into working chips. For instance, if a fault is identified in any of the 512 NAND chips inside a 30.72TB SSD, the FIP software would automatically activate error-handling algorithms at the chip level while maintaining the drive’s high, stable performance.

Samsung’s SSD virtualization technology allows a single SSD to be subdivided into a maximum of 64 smaller SSDs, providing independent, virtual workspaces for multiple users. Leveraging this software, cloud storage providers can extend their services to a greater number of users with the same amount of resources for optimized product competitiveness. The virtualization technology also enables SSDs to take on some of the virtualized tasks typically carried out by the server CPUs, such as Single-Root I/O Virtualization (SR-IOV), requiring fewer server CPUs and SSDs, thereby reducing the server footprint for enhanced overall IT efficiency.

The company’s V-NAND machine learning technology helps to accurately predict and verify cell characteristics, as well as detect any variation among circuit patterns through big data analytics. This ensures superior data reliability as increasing SSD speeds pose a challenge in reading and verifying data through the extremely rapid voltage pulses. An SSD built with over 100-layer four-bit NAND, which requires considerably more precise cell control than three-bit NAND, is able to generate the higher levels of performance, capacity and reliability needed in server and datacenter storage systems with the machine learning software.

Today’s Highest-Performing NVMe SSDs – Samsung PM1733 & PM1735

Samsung began mass production of its next-generation PCIe Gen4-based PM1733 and PM1735 SSDs last month with twice the speed of the Gen3 SSDs, leveraging on the company’s three core software technologies. The 12.8TB PCIe Gen4 NVMe SSD (PM1735), for example, offers nearly 14 times the sequential performance of a SATA-based SSD, with 8GB/s for read operations and 3.8GB/s for writes. Random speeds measure at 1,450,000 IOPS for reads and 260,000 IOPS for writes. Furthermore, the PM1733 offers single and dual-port options to support server and storage applications, as well as multi-stream writes and SR-IOV.
The two NVMe SSD series are offered in 19 models and come in two form factors – 2.5-inch (U.2) and HHHL (card-type) – with capacities ranging from 0.8TB to 30.72TB to suit the diverse needs of OEMs worldwide. The drives also ensure endurance of one or three drive writes per day (DWPD) over a five-year period.
Samsung plans to soon expand the application of its innovative software technologies into a much wider array of server and datacenter SSDs to actively address global customers’ needs and further strengthen its edge in the premium memory market.

Samsung выпустил серию видеороликов It’s not your fault («В этом нет вашей вины»)

Если вы вдруг столкнулись со снижением производительности вашего компьютера, у Samsung Electronics есть для вас 4 простых слова: It’s not your fault («В этом нет вашей вины»). Старые дисковые накопители нередко замедляют работу, причём в самые неподходящие моменты. Наверняка каждый из нас сталкивался с подобными ситуациями. К счастью, у Samsung имеется решение для подобных случаев, и оно представлено в серии видеороликов ниже.
В каждом из этих видео показан сеанс групповой терапии, не похожий ни на один другой, но на котором запросто мог бы оказаться любой из нас. После того, как участники терапии делятся своими историями о том, как медленный компьютер приводит к системному сбою в самом разгаре игры (с потерей всех игровых достижений) или не позволяет отцу купить дочери подарок на день рождения, о чём она никогда не забудет, участники терапии выясняют: оказывается, в том, что компьютер их подводит, нет их вины. Процесс исцеления можно начать с перехода с дискового накопителя (HDD) на твердотельный накопитель Samsung (SSD).
Если внимательно разобраться, большинство проблем со снижением производительности ПК обусловлены медленной работой устройств хранения, которые ограничивают скорость работы самых быстрых процессоров. В отличие от дисковых накопителей, в которых для чтения и записи данных применяются физически вращающиеся детали, в твердотельных накопителях нет подвижных деталей, что делает их намного более надёжными, чем традиционные дисковые накопители, при этом данные хранятся на полупроводниковых чипах, что обеспечивает намного более высокую скорость обработки.

Samsung’s ‘It’s Not Your Fault’ Video Series Offers Comfort and a Solution for Frustrating PC Problems

To anyone out there who’s struggling to come to terms with their computer’s slow performance, Samsung Electronics has four simple words for you: it’s not your fault. Ageing hard disk drives (HDDs) have slowed so many of us down at the most inconvenient of times. We all have our stories. Fortunately, as the videos below show, Samsung has a solution.
Each tongue-in-cheek clip in Samsung’s “It’s not your fault” series opens on a group therapy session that’s unlike any other, but that so many of us can relate to. After sharing stories of how their sluggish PCs caused increasingly long boot times, crashed in the middle of a game (and erased all of their progress), and prevented a father from buying his daughter a birthday gift she’d never forget, the participants learn that it’s not their fault that their computer let them down, and that they can start the healing process by upgrading from an HDD to a Samsung solid-state drive (SSD).
When it comes down to it, most computer processing issues are caused by slow storage devices, which can limit the speeds of the fastest CPUs. Unlike HDDs, which feature internal parts that physically rotate in order to read and write data, SSDs feature no rotating parts – which makes them much more durable than HDDs – and store data on semiconductor chips that support much faster processing.
To offer HDD users insight into their computer’s health, Samsung has created a fun and simple questionnaire that allows you to find out whether your computer is stuck in the Jurassic or Middle Ages, or firmly in the SSD era. Head over to Samsung’s official PC Age Calculator to see how your computer stacks up.
Don’t forget to check out each of the hilarious (and all-too-relatable) clips above, and stay tuned to Samsung Newsroom for more fun “It’s not your fault” videos.

Samsung представил новую серию NVMe SSD-накопителей 970 EVO Plus

Samsung Electronics представиляет Samsung 970 EVO Plus, новейшее дополнение в линейке Non-Volatile Memory Express (NVMe) SSD. Благодаря высокой производительности и доходящей до 2Тб ёмкости, модель Samsung 970 EVO Plus задаёт новый стандарт хранения данных и легко выдерживает даже высокие нагрузки на ПК и рабочих станциях IT-специалистов, любителей технологий и геймеров.
«После того, как первые потребительские NVMe SSD появились на рынке в 2015 году, Samsung продолжила совершенствовать твердотельные накопители, – отметил Майк Манг (Mike Mang), вице-президент по маркетингу направления элементов памяти в Samsung Electronics. – Новые диски 970 EVO Plus, основанные на технологии Samsung V-NAND пятого поколения, обладают непревзойдённой производительностью и способны с лёгкостью справляться с такими сложными задачами как редактирование контента в разрешении 4K, 3D-моделирование и ресурсоёмкие игры».
Благодаря интеграции передовых V-NAND чипов Samsung с оптимизированной прошивкой, 970 EVO Plus обеспечивает до 53% более высокую скорость записи(1) и отличается улучшенной энергоэффективностью по сравнению с предыдущей моделью, 970 EVO. Скорость последовательного чтения и записи на новом накопителе достигает 3500 МБ/с и 3300 МБ/с соответственно, в то время как скорость произвольного чтения составляет до 620 000 IOPS, произвольной записи – до 560 000 IOPS(2).
Пользователи могут с лёгкостью обновить свой компьютер, так как 970 EVO Plus поставляется в компактном форм-факторе M.2 с интерфейсом PCIe Gen3 x4, который используется в большинстве современных ПК. 970 EVO Plus также обладает ограниченной гарантией на 5 лет(3) или 1200 терабайт перезаписи(4).
970 EVO Plus поставляется в нескольких версиях с различной ёмкостью; версии 250Гб, 500Гб и 1Тб будут доступны для покупки в России в феврале, а модель с ёмкостью 2Тб станет доступной в апреле. Рекомендованная розничная цена устройств линейки составляет от 6390 рублей. Для получения дополнительной информации, в том числе о гарантии на устройства, посетите сайт http://samsung.com/SSD или http://samsungssd.com.

(1) Рост производительности до 53% при последовательной записи для версии 250 ГБ.
(2) Производительность может различаться в зависимости от версии прошивки SSD, аппаратного обеспечения и конфигурации системы. Данные о показателях основаны на IOmeter 1.1.0. Показатели записи измерялись при активной технологии Intelligent TurboWrite. Показатели последовательной записи при Intelligent TurboWrite составляют 400 МБ/с (250ГБ), 900 МБ/с (500ГБ), 1700 МБ/с (1ТБ) и 1750 МБ/с (2ТБ). Показатели случайной записи при Intelligent TurboWrite составляют 100000 IOPS (250ГБ), 200000 IOPS (500ГБ), 400000 IOPS (1ТБ) и 420000 IOPS (2ТБ).
* Конфигурация системы тестирования: Intel Core i7-7700K CPU @4.2ГГц, DDR4 2400МГц 32ГБ, ОС – Windows 10 Built 10240, Chipset–ASUS PRIME Z270-A.
(3) 5 лет или в зависимости от объёма данных перезаписи, в зависимости от того, что наступит раньше. Дополнительная информация о гарантии содержится в гарантийном документе в упаковке устройства.
(4) Гарантийный объём данных перезаписи для 970 EVO Plus: 150ТБ для модели 250ГБ, 300ТБ для модели 500ГБ, 600ТБ для модели 1ТБ, 1200ТБ для модели 2ТБ.
(5) 1ГБ=1 000 000 000 байт по стандарту. Определенная часть ёмкости может использоваться для системных файлов и технического обслуживания, таким образом, фактическая емкость может отличаться от указанной.
(6) Samsung Electronics не несёт ответственности за любые убытки, включая, в частности, потерю данных или другой информации, содержащейся в продукте Samsung Electronics, или потерю прибыли, которую может понести пользователь. Для получения дополнительной информации о гарантии посетите http://samsung.com/ssd.

Samsung Electronics Sets New Performance Levels for Consumer NVMe SSDs with 970 EVO Plus

Samsung Electronics today introduced the Samsung 970 EVO Plus, the newest enhancement in its Non-Volatile Memory Express (NVMe) SSD portfolio. With industry-leading performance and up to two terabytes in capacity, Samsung’s 970 EVO Plus sets a new bar for high-performance storage, enabling IT professionals, tech enthusiasts and gamers to handle intensive workloads on PCs and workstations with more ease.
“Since introducing the first NVMe SSDs to the consumer market in 2015, Samsung has continued to challenge technical barriers in SSD design and performance,” said Dr. Mike Mang, vice president of Brand Product Marketing, Memory Business at Samsung Electronics. “The new 970 EVO Plus powered by Samsung’s latest fifth-generation V-NAND technology will now offer unrivaled performance in its class when taking on demanding tasks like 4K content editing, 3D modeling and simulation as well as heavy gaming.”
By integrating the company’s most advanced V-NAND chips with optimized firmware, the 970 EVO Plus achieves significant performance improvements – up to 57 percent in write speed1 – as well as increased power efficiency over its predecessor, the 970 EVO. The new drive delivers sequential read and write speeds of up to 3,500 megabytes per second (MB/s) and up to 3,300 MB/s, respectively, while random speeds come in at up to 620,000 IOPS for read and up to 560,000 IOPS for write operations2.
Users can easily upgrade their devices as the 970 EVO Plus comes in a compact M.2 form factor using the PCIe Gen3 x4 interface found in most modern computers. The 970 EVO Plus also offers a five-year limited warranty3 or up to 1,200 terabytes written4.
The 970 EVO Plus comes in a variety of capacity options; the 250GB, 500GB and 1TB capacity versions are now available for purchase worldwide, and the 2TB capacity will become available in April. Manufacturer’s suggested retail prices start at $89.99. For more information, including warranty details, please visit http://samsung.com/SSD or http://samsungssd.com.

1 Up to a 57-percent performance increase in random write speed for 250GB version.
2 Performances may vary depending on SSD’s firmware version and system hardware & configuration. Performance measurements based on IOmeter 1.1.0. The write performances were measured with Intelligent TurboWrite technology being activated. The sequential write performances after Intelligent TurboWrite region are: 400 MB/s (250GB), 900 MB/s (500GB), 1,700 MB/s (1TB) and 1,750 MB/s (2TB). The random write performances after Intelligent TurboWrite region are: 100,000 IOPS (250GB), 200,000 IOPS (500GB), 400,000 IOPS (1TB) and 420,000 IOPS (2TB).
* Test system configuration: Intel Core i7-7700K CPU @4.2GHz, DDR4 2400MHz 32GB, OS-Windows 10 Built 10240, Chipset–ASUS PRIME Z270-A.
3 Five years or TBW, whichever comes first. For more information on the warranty, please find the enclosed warranty document in the package.
4 Warrantied TBW (Total bytes written) for 970 EVO Plus: 150TB for 250GB model, 300TB for 500GB model, 600TB for 1TB model, 1,200TB for 2TB.
5 1GB=1,000,000,000 bytes by IDEMA. A certain portion of capacity may be used for system file and maintenance use, so the actual capacity may differ from what is indicated on the product label.
6 Samsung Electronics shall not be liable for any loss, including but not limited to loss of data or other information contained on Samsung Electronics product or loss of profit or revenue which may be incurred by user. For more information on the warranty, please visit http://samsung.com/ssd.

Samsung раскрыл информацию о новых SSD на базе QLC V-NAND для ПК и серверов

Специалисты полупроводниковой отрасли знают, что техногигант Samsung намеренно не создавал микросхемы флэш-памяти с архитектурой QLC NAND (хранящих 4 разряда данных в одной ячейке) в рамках поколения 64-слойной памяти V-NAND. Но в случае с 96-слойной V-NAND вендор поменяет свой подход и станет предлагать SSD на основе микросхем с архитектурой QLC для серверов и ПК. На японском ресурсе SSD Forum южнокорейский чеболь раскрыл первые подробности о своих будущих QLC-накопителях.
Главным преимуществом флэш-памяти 3D QLC NAND по сравнению с 3D TLC NAND является увеличенная на 33% плотность хранения данных, и, следовательно, более низкая стоимость их хранения (при условии примерно одинакового уровня выхода годных микросхем). Как следствие, первыми накопителями на базе 3D QLC V-NAND производства Samsung станут модели большой ёмкости для клиентов, которым требуется хранить существенные объёмы данных и которые более заинтересованы в увеличении плотности хранения, чем в максимально возможной производительности.
Samsung уже более года работает над твердотельным накопителями повышенной ёмкости с интерфейсами SAS/U.2 на основе QLC V-NAND. Такие SSD предназначены для приложений типа WORM (write once, read many; однократная запись, многократное чтение), не оптимизированных для быстрой записи, но явно превосходящих по производительности массивы на жёстких дисках. В Samsung ожидают, что их первые накопители на базе QLC V-NAND с интерфейсом PCIe/NVMe обеспечат скорость последовательного чтения до 2500 Мбайт/с, тогда как их скорость случайного чтения составит 160 тысяч IOPS. Подобный уровень производительности многократно выше такового у жёстких дисков со скоростью вращения шпинделя 10 тысяч оборотов в минуту. Впрочем, очевидно, что SSD высокой ёмкости на основе флэш-памяти QLC NAND должны заменять множество жёстких дисков, работающих в RAID-массиве. Потому сравнение производительности одного твердотельного накопителя с HDD ёмкостью 2,4 Тбайт не слишком корректно, особенно если учитывать фактор потребления энергии.
Ещё одним семейством продуктов Samsung на базе флэш-памяти 3D QLC V-NAND будут твердотельные накопители ёмкостью более 1Тб для клиентских ПК. Эти SSD будут использовать интерфейс SATA и обеспечат последовательную скорость чтения и записи около 520 Мбайт/с (при использовании SLC-кеширования), что соответствует сегодняшним недорогим твердотельным накопителям. Samsung пока не раскрывает, когда подобные устройства станут доступны, но отметили, что клиентские SSD ёмкостью 1Тб и более перейдут в разряд широко распространённых примерно в 2020 году, в основном из-за появления флэш-памяти QLC 3D NAND.
В то же время Samsung не ожидает, что QLC NAND в ближайшее время заменит TLC NAND как основной тип флэш-памяти для SSD. QLC NAND требует более дорогих контроллеров со значительно более высокой производительностью, чтобы гарантировать надлежащую износоустойчивость. Таким образом, преимущество относительно недорогой (в пересчёте на Гбайт/$) памяти могут быть нивелированы в клиентских SSD стоимостью контроллеров.

Samsung Discloses First Details About QLC-Based Client & Server SSDs

It is not a secret that Samsung deliberately avoided QLC NAND with its 64-layer V-NAND flash, in the process citing various reasons. With its 96-layer V-NAND however, the company is changing its approach and is going to offer QLC-based SSDs for client and server computers. At the Samsung SSD Forum in Japan the company disclosed the first details about the upcoming drives.
The key advantage of 3D QLC NAND over 3D TLC is of course a 33% higher storage density and therefore a lower per-bit storage cost (assuming a similar yield). Therefore, the first drives to adopt Samsung’s 3D QLC V-NAND will be high-capacity SSDs for those customers who need to store a lot of data and may not be that interested in the maximum performance.
Samsung has been openly working on ultra-high-capacity SAS/U.2 SSDs based on QLC V-NAND memory for well over a year now. These drives will be used for WORM (write once, read many) applications not optimized for fast writes, but clearly outperforming HDD-based arrays. Samsung expects its first QLC-powered NVMe drives to offer up to 2500 MB/s sequential read speed as well as up to 160K random read IOPS, significantly outperforming high-end 10K RPM HDDs. Evidently, high-capacity QLC-based SSDs are supposed to substitute multiple 10K RPM hard drives working in a RAID array, so comparing performance of a single SSD to a 2.4 TB HDD may not be too representative, especially when power consumption is taken into account.
Another lineup of Samsung’s products to use 3D QLC V-NAND will be client SSDs featuring capacities higher than 1 TB. These drives will use a SATA interface and will offer sequential read and write performance of around 520 MB/s (when SLC write caching is enabled), according to details that Samsung disclosed at its SSD Forum. Samsung does not disclose when such drives are set to become available, but the company says that Terabyte-class client SSDs will become mainstream in 2020 because of QLC V-NAND.
In the meantime, Samsung does not expect QLC V-NAND to replace TLC V-NAND as the mainstream type of flash memory any time soon. QLC NAND requires more expensive controllers with considerably higher processing capabilities to guarantee a proper endurance. Therefore, the low-cost per-bit advantages of memory may not be that obvious on client SSDs.