Samsung продолжает доминировать на рынке чипов памяти для смартфонов

В 1-м квартале 2020 года выручка на мировом рынке микросхем памяти для смартфонов достигла 9,4 миллиарда долларов. 3 ведущих производителя - Samsung, SK Hynix и Micron обеспечили почти 84% оборота на рассматриваемом рынке. Samsung уверенно удерживает доминирующие позиции с рыночной долей 50%, сообщает Strategy Analytics.
Продажи флэш-памяти для смартфонов в январе-марте 2020-го увеличились на 4% в годовом исчислении. Позитивной динамике способствовали стабилизация цен и спрос на чипы с повышенной ёмкостью. Крупнейшим поставщиком микросхем NAND flash для смартфонов был Samsung, на долю которого пришлось 44% выручки в этом сегменте. Также в тройку лидеров вошли Kioxia и SK Hynix с показателями присутствия 21% и 16%.
В сегменте мобильной DRAM-памяти аналитики зарегистрировали отрицательную динамику: квартальные продажи этой продукции по сравнению с прошлым годом сократились на 4%. Спад объясняется сезонным фактором и смещением спроса в другие продуктовые категории.
Лидерство Samsung в DRAM-сегменте было ещё более выраженным: по итогам квартала на долю электронного гиганта пришлось 55% выручки, в то время как вклад SK Hynix и Micron составил 25% и 19%.
Комментируя полученные данные, эксперт Strategy Analytics Джеффри Мэтьюз (Jeffrey Mathews) отметил, что в целом продажи микросхем памяти для смартфонов уменьшились незначительно по сравнению с прошлогодним уровнем. Оправиться от прежней негативной динамики рынку помогли коррекция складских запасов и подготовка производителей смартфонов к будущим перебоям с поставкой комплектующих из-за пандемии коронавируса.
Дополняя коллегу, исполнительный директор Strategy Analytics Стюарт Робинсон (Stuart Robinson) предупредил, что в ближайшее время ситуация на рынке памяти останется сложной из-за снижения спроса на компоненты и слабеющих продаж смартфонов на фоне последствий COVID-19. Однако специалист оговорился, что флэш-память высокой плотности типа UFS 3.0 и DRAM-чипы LPDDR5 останутся востребованными у производителей смартфонов.

Strategy Analytics: Samsung Remains Dominant in the Smartphone Memory Market with 50% Revenue Share in Q1 2020

The global smartphone memory market registered a total chip revenue of $9.4 billion in Q1 2020, according to the Strategy Analytics Handset Component Technologies service report, “Smartphone Memory Market Share Q1 2020: Revenue Sees Modest Decline as Samsung Memory Dominates.”
This Strategy Analytics research finds that Samsung Memory, SK Hynix and Micron captured almost 84 percent revenue share in the global smartphone memory market in Q1 2020. Samsung Memory maintained its lead in the smartphone memory market with 50 percent revenue share in Q1 2020, followed by SK Hynix and Micron.

NAND Market

The smartphone NAND flash chip revenue observed 4 percent year-over-year growth driven by price stabilization and higher capacity flash demand in Q1 2020. The market was led by Samsung Memory with a revenue share of 44 percent followed by Kioxia with 21 percent and SK Hynix with 16 percent.

DRAM Market

The total DRAM market revenue for smartphones registered a decline of 4 percent year-over-year due to the seasonality and demand shift to other categories. In terms of market share, Samsung Memory registered a revenue share of 55 percent followed by SK Hynix and Micron each having a share of 25 percent and 19 percent respectively in the smartphone DRAM market in Q1 2020.

Jeffrey Mathews, Analyst at Strategy Analytics commented, “The smartphone memory market experienced only a modest decline in revenue as the memory chip market rebounded from previous levels of decline owing to the correction of inventory and early chip orders from customers in order to manage future COVID-19 disruptions. Samsung Memory continued to witness traction for its UFS 3.0 Flash and LPDDR5 DRAM memory chips and managed design wins with leading smartphone OEMs in Q1 2020.”
Stuart Robinson, Executive Director of the Strategy Analytics Handset Component Technologies service at Strategy Analytics noted, “The smartphone memory market will continue to be challenged by the fall in smartphone memory demand on the back of COVID-19 pandemic disruptions on global smartphone production and also causing demand for smartphones to drop significantly. However, the demand for high density memory chips featuring UFS 3.0 and LPDDR5 remains upbeat among smartphone OEMs.”

Samsung запускает в массовое производство первые в отрасли 12-гигабитные модули памяти LPDDR5 DRAM для флагманских смартфонов

Новая 12-гигабитная память Samsung LPDDR5 на базе последнего мобильного стандарта DRAM максимально расширяет потенциал применения технологий AI и 5G во флагманских смартфонах следующего поколения

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявил о начале массового производства первой в отрасли 12-гигабитной мобильной DRAM-памяти LPDDR5, которая была оптимизирована для эффективной работы функций с применением AI (искусственного интеллекта) и 5G (ультраскоростная беспроводная связь нового поколения) на будущих смартфонах. Выпуск новых модулей начался всего через 5 месяцев после старта производства 12 Гбит LPDDR4X – модулей предыдущего поколения, что доказывает лидерство Samsung на рынке памяти класса премиум.
Учитывая растущий спрос на компоненты с более высокой эффективностью для смартфонов со стороны производителей премиальных мобильных устройств, в конце июля Samsung начал массовое производство 12-гигабитных планок памяти LPDDR5, каждая из которых объединяет 8 чипов.
«Запуская массовое производство модулей 12 Гбит LPDDR5 2-го поколения, выполненных по 10-нм техпроцессу, мы рады способствовать скорейшему появлению флагманских смартфонов с поддержкой 5G для наших клиентов во всём мире. Samsung по-прежнему стремится быстро внедрять технологии мобильной памяти нового поколения с более высокой ёмкостью и производительностью, продолжая активно стимулировать рост рынка памяти премиум-класса», – прокомментировал исполнительный директор и вице-президент Samsung Electronics по продуктам и технологиям DRAM Джун-Бай Ли (Jung-bae Lee).
Благодаря лучшим в отрасли скорости и энергоэффективности, новая мобильная DRAM от Samsung позволит флагманским аппаратам следующего поколения использовать весь потенциал функций AI и 5G, таких как запись видео сверхвысокого разрешения и машинное обучение, при этом значительно увеличив время автономной работы.
Обеспечивая скорость передачи данных 5500 Мбит/c, 12-гигабитная LPDDR5 работает примерно в 1,3 раза быстрее, чем мобильная память предыдущего поколения (LPDDR4X, 4266 Мбит/с), используемая в современных флагманских смартфонах. В 12-гигабитной планке модуль LPDDR5 способен всего за секунду передать 44Гб данных, что по объёму равно примерно 12-ти фильмам в формате Full HD размером 3,7Гб каждый. Новый чип также потребляет на 30% меньше энергии, чем его предшественник, благодаря интеграции новой конструкции схемы с улучшенными функциями тактирования, обучения и малым энергопотреблением, что обеспечивает стабильную производительность даже при работе смартфона на высокой скорости.
Для оптимизации производственных мощностей Samsung намерен перенести производство своих 12 Гбит LPDDR5 чипов на завод в Пхёнтхэке (Южная Корея), начиная со следующего года, в зависимости от спроса со стороны клиентов. Кроме того, в следующем году корпорация планирует укрепить лидерские позиции на мировом рынке, начав разработку 16-гигабитной LPDDR5 памяти.

Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones

Based on the latest mobile DRAM standard, the new Samsung 12Gb LPDDR5 
maximizes the potential of 5G and AI features in future flagships

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s first 12-gigabit (Gb) LPDDR5 mobile DRAM, which has been optimized for enabling 5G and AI features in future smartphones. The new mobile memory comes just five months after announcing mass production of the 12GB LPDDR4X, further reinforcing the company’s premium memory lineup. Samsung also plans to start mass producing 12-gigabyte (GB) LPDDR5 packages later this month, each combining eight of the 12Gb chips, in line with growing demand for higher smartphone performance and capacity from premium smartphone manufacturers.
“With mass production of the 12Gb LPDDR5 built on Samsung’s latest second-generation 10-nanometer (nm) class process, we are thrilled to be supporting the timely launch of 5G flagship smartphones for our customers worldwide,” said Jung-bae Lee, executive vice president of DRAM Product & Technology, Samsung Electronics. “Samsung remains committed to rapidly introducing next-generation mobile memory technologies that deliver greater performance and higher capacity, as we continue to aggressively drive growth of the premium memory market.”
Thanks to its industry-leading speed and power efficiency, Samsung’s new mobile DRAM can enable next-generation flagship smartphones to fully leverage 5G and AI capabilities like ultra-high-definition video recording and machine learning, while greatly extending the battery life.
At a data rate of 5,500 megabits per second (Mb/s), the 12Gb LPDDR5 is approximately 1.3 times faster than previous mobile memory (LPDDR4X, 4266Mb/s) that is found in today’s high-end smartphones. When made into a 12GB package, the LPDDR5 is able to transfer 44GB of data, or about 12 full-HD (3.7GB-sized) movies, in only a second. The new chip also uses up to 30 percent less power than its predecessor by integrating a new circuit design with enhanced clocking, training and low-power feature that ensures stable performance even when operating at a blazingly fast speed.
In order to manage production capacity with more flexibility, Samsung is considering transferring its 12Gb LPDDR5 production to its Pyeongtaek (Korea) campus starting next year, depending on demand from global customers. Following its introduction of the 12Gb LPDDR5 mobile DRAM, Samsung expects to also develop a 16Gb LPDDR5 next year, to solidify its competitive edge in the global memory market.

Samsung показал будущее автономного вождения

Как говорил персонаж Берни Мака в фильме «Трансформеры»: «Между машиной и водителем существует мистическая связь». Благодаря развитию современных технологий и их проникновению в автомобильную отрасль с каждым годом эта связь становится всё теснее.
Наличием режима «автопилота» в машине сегодня никого не удивишь, их бортовые системы становятся всё более «умными», увеличиваются объёмы данных, анализируемых и обрабатываемых внутренними устройствами и т. д. Всё это позволяет повысить безопасность вождения и сделать этот процесс комфортным для человека.
Samsung Electronics вносит свой вклад в формирование будущего безопасных систем автономного вождения, предлагая решения для высокоскоростной связи между машиной и водителем, обработки, хранения и доступа к информации.
Например, благодаря высокой скорости работы eUFS, автомобильные системы могут включаться всего за 2 секунды, обеспечивая мгновенный доступ к данным. Накопитель AutoSSD хранит картографические данные для автономного вождения. Модули памяти LPDDR5 DRAM используют высокоразвитую и оптимизированную по скорости схемную архитектуру с низким энергопотреблением для мгновенной передачи информации с автомобильных датчиков, а память GDDR6 DRAM со сверхвысокой пропускной способностью использует для хранения и обработки данных алгоритмы глубокого обучения и искусственного интеллекта.
На видео продемонстрированы новейшие разработки Samsung для автономного вождения, которые являются одним из стратегических направлений корпорации: искусственный интеллект, 5G, биофармацевтика и автомобильные компоненты для будущих беспилотных автомобилей.

The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions

The relationship between a car and its driver has always been a unique, interdependent one; a “mystical bond between man and machine”, in the words of the late Bernie Mac from the 2007 hit film, Transformers. But thanks to all the latest technological advances that are leading today’s automobile industry, this relationship is evolving, as the amount of data processed by a smart vehicle and delivered to the driver increases. With this comes the need for vehicle-driver feedback that is instantaneous to uphold that most paramount of concerns, safety.  
Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, is dedicated to developing the future of safe autonomous driving with components and solutions that prioritize safety above all else. In order to enable effective, high-speed driver feedback, Samsung’s automotive memory solutions for processing, storing and accessing information are paving the way for seamless and safe autonomous driving experiences.
The video below introduces some of the automotive memory solutions Samsung has integrated to ensure the most effective automobile-driver feedback loop possible. The eUFS harnesses its exceptional speed capability to power on in-car systems in 2 seconds with instant data access. The AutoSSD stores map data for autonomous driving at the highest bandwidth. The LPDDR5 DRAM component makes use of a highly advanced, speed-optimized and energy-efficient circuit architecture to transfer data from automobile sensors instantaneously, and the GDDR6 DRAM allows for AI deep learning thanks to its ultra-high bandwidth.
Take a look at the video below for more information on how these powerful components are enabling the future of autonomous driving, putting safety above all else. This latest development forms part of Samsung’s commitment to investing in four key growth areas: AI, 5G technology, bio-pharmaceuticals and auto-technology components for future smart cars.

Find out more: https://www.samsung.com/semiconductor/

Samsung анонсирует 8-гигабитные модули памяти LPDDR5 DRAM для мобильных устройств

Samsung Electronics анонсировал новый тип оперативной памяти для мобильных устройств, оптимизированной для сетей 5G и систем искусственного интеллекта.
В официальном пресс-релизе вендор сообщает, что разработка новых 8-гигабитных модулей ОЗУ LPDDR5 DRAM завершилась в апреле 2018 года, а производится эта память с использованием 10-нанометрового техпроцесса.
Навая память позволяет достигать скорости 6400 Мбит/с, что в 1,5 раза больше той, что обеспечивают нынешние модули оперативной памяти LPDDR4X DRAM. Производитель отмечает, что такая скорость позволяет передать 14 фильмов в HD-разрешении (более 50 ГБ) всего за секунду.
Указанный тип памяти также будет доступен в версии со скоростью передачи данных до 5500 Мбит/с, что делает её универсальным решением для смартфонов нового поколения и современных подключённых автомобилей.
Новые модули оперативной памяти потребляют на 30% меньше электроэнергии, что позволит смартфонам работать на одной подразядке заметно дольше.

Samsung Electronics Announces Industry’s First 8Gb LPDDR5 DRAM for 5G and AI-powered Mobile Applications

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has successfully developed the industry’s first 10-nanometer (nm) class* 8-gigabit (Gb) LPDDR5 DRAM. Since bringing the first 8Gb LPDDR4 to mass production in 2014, Samsung has been setting the stage to transition to the LPDDR5 standard for use in upcoming 5G and Artificial Intelligence (AI)-powered mobile applications.
The newly-developed 8Gb LPDDR5 is the latest addition to Samsung’s premium DRAM lineup, which includes 10nm-class 16Gb GDDR6 DRAM (in volume production since December 2017) and 16Gb DDR5 DRAM (developed in February).
“This development of 8Gb LPDDR5 represents a major step forward for low-power mobile memory solutions,” said Jinman Han, senior vice president of Memory Product Planning & Application Engineering at Samsung Electronics. “We will continue to expand our next-generation 10nm-class DRAM lineup as we accelerate the move toward greater use of premium memory across the global landscape.”
The 8Gb LPDDR5 boasts a data rate of up to 6,400 megabits per second (Mb/s), which is 1.5 times as fast as the mobile DRAM chips used in current flagship mobile devices (LPDDR4X, 4266Mb/s). With the increased transfer rate, the new LPDDR5 can send 51.2 gigabytes (GB) of data, or approximately 14 full-HD video files (3.7GB each), in a second.
The 10nm-class LPDDR5 DRAM will be available in two bandwidths – 6,400Mb/s at a 1.1 operating voltage (V) and 5,500Mb/s at 1.05V – making it the most versatile mobile memory solution for next-generation smartphones and automotive systems. This performance advancement has been made possible through several architectural enhancements. By doubling the number of memory “banks” – subdivisions within a DRAM cell – from eight to 16, the new memory can attain a much higher speed while reducing power consumption. The 8Gb LPDDR5 also makes use of a highly advanced, speed-optimized circuit architecture that verifies and ensures the chip’s ultra-high-speed performance.
To maximize power savings, the 10nm-class LPDDR5 has been engineered to lower its voltage in accordance with the operating speed of the corresponding application processor, when in active mode. It also has been configured to avoid overwriting cells with ‘0’ values. In addition, the new LPDDR5 chip will offer a ‘deep sleep mode’, which cuts the power usage to approximately half the ‘idle mode’ of the current LPDDR4X DRAM. Thanks to these low-power features, the 8Gb LPDDR5 DRAM will deliver power consumption reductions of up to 30 percent, maximizing mobile device performance and extending the battery life of smartphones.
Based on its industry-leading bandwidth and power efficiency, the LPDDR5 will be able to power AI and machine learning applications, and will be UHD-compatible for mobile devices worldwide.
Samsung, together with leading global chip vendors, has completed functional testing and validation of a prototype 8GB LPDDR5 DRAM package, which is comprised of eight 8Gb LPDDR5 chips. Leveraging the cutting-edge manufacturing infrastructure at its latest line in Pyeongtaek, Korea, Samsung plans to begin mass production of its next-generation DRAM lineups (LPDDR5, DDR5 and GDDR6) in line with the demands of global customers.

*Editor’s Note: 10nm-class is a process node between 10 and 20 nanometers