9 устройств Samsung для хранения данных получили признание за снижение негативного воздействия на окружающую среду

 

Авторитетный орган экологической сертификации Carbon Trust отметил усилия Samsung по снижению воздействия на окружающую среду и оценил вклад вендора в переход к низкоуглеродной экономике.

9 ключевых устройств для хранения информации от Samsung получили маркировку Product Carbon Footprint (PCF) от британского сертифицирующего органа Carbon Trust. Среди этих устройств 4 решения DRAM, 3 твердотельных накопителя (SSD) и 2 встраиваемых устройства хранения (eStorage)*.

Разрешение на использование маркировки PCF было выдано после тщательного изучения углеродного следа каждого из этих продуктов, от этапа добычи сырья до производства, дистрибюции, использования и утилизации. Маркировка PCF также предоставляет информацию о количестве электроэнергии, воды и газа, которые были израсходованы при производстве микросхем памяти.  

Вклад в устойчивое будущее

Чипы флэш-памяти Samsung eUFS 3.1 ёмкостью 512Гб для смартфонов получили не только маркировку PCF, но и стали первыми в отрасли обладателями маркировки ‘Reducing CO2’ («Снижение выбросов CO2»). Это означает, что при их производстве и эксплуатации выделяется ещё меньше углекислого газа, чем у чипов предыдущего поколения — eUFS 3.0 ёмкостью 512Гб, получивших сертификат от Carbon Trust.

Твердотельный накопитель Samsung T7 Touch SSD также получил сертификат ‘low carbon product’ от Министерства охраны окружающей среды Южной Кореи (MoE), что делает его первым в стране экологически чистым полупроводниковым продуктом, сертифицированным правительством. Сертификат о низком уровне выбросов углекислого газа выдаётся продуктам, которые позволяют сократить уровень выбросов углекислого газа как минимум на 3,3% по сравнению с продуктами предыдущего поколения, уже сертифицированными Министерством окружающей среды.

Благодаря уменьшению размеров коробки на 1/3, использованию экологически чистой целлюлозной массы вместо пластика для изготовления подложки и уменьшению выбросов углекислого газа в процессе производства, твердотельный накопитель T7 Touch SSD обеспечил снижение углеродного следа на 5,1% по сравнению с моделью предыдущего поколения. Это позволило в течение 12 месяцев сократить выброс углекислоты примерно на 84 тонны, что эквивалентно объёму углекислого газа, который 13.000 тридцатилетних сосен поглощают за тот же период.

Новые сертификаты были выданы после того, как кампус Samsung Hwaseong в Корее стал первым предприятием по производству полупроводников, получившим сертификат Standard for Water от CarbonTrust в знак признания устойчивого управления водными ресурсами.

* Память DRAM: SODIMM 8Гб; HBM2 8Гб; LPDDR5 12Гб; GDDR5 8Гб

Твердотельные накопители: PM1733 U.2 15,36Тб; 860 EVO 500Гб; T7 Touch 1Тб

Решения eStorage: карта памяти EVO Plus microSD 128Гб; eUFS 3.1 512Гб

Nine of Samsung’s Leading Memory Products Receive Environmental Impact Reduction Recognition from the Carbon Trust

Samsung Electronics has had its latest efforts toward reducing the environmental impact of its memory solutions acknowledged by one of the most widely recognized global environment certification leaders, the Carbon Trust.

Recently, nine key Samsung memory products – four DRAM solutions, three solid state drives (SSDs) and two embedded storage (eStorage) devices* – earned Product Carbon Footprint (PCF) labels from the UK-based Carbon Trust for their significant role in reducing climate impact and helping with the transition to a low-carbon economy. These PCF labels were awarded after a thorough review of each product’s carbon impact, from the raw material extraction stage through production, distribution, use and disposal. The PCF certification also provides a reliable measure of the electricity, water and gas used during memory chip manufacturing.

Contributing to a Sustainable Future

In addition to the PCF label, Samsung’s 512GB eUFS 3.1 – the company’s latest smartphone storage memory – was recognized with the industry’s first ‘Reducing CO2’ label for eliminating more carbon emissions than the previous generation, Carbon Trust-certified 512GB eUFS 3.0.

Samsung’s T7 Touch SSD also received a ‘low carbon product’ certificate from the Korean Ministry of Environment (MoE), making it the first Korean government-certified green semiconductor product in Korea. The low carbon certificate is given to products that achieve a minimum of 3.3 percent carbon reduction over the previously MoE-accredited product generation.

By using one-third less tray packaging, replacing the plastic trays with eco-friendly pulp material and minimizing greenhouse gas emissions throughout its production, the T7 Touch SSD saw a 5.1 percent reduction in its carbon footprint compared to the previous generation product. This translates to an annual savings of approximately 84 tons of carbon – about the same amount of CO2 absorbed by 13,000 30-year-old pine trees in one year.

The new certifications are in addition to Samsung’s Hwaseong Campus in Korea having recently become the industry’s first semiconductor site to earn the Carbon Trust Standard for Water, in recognition of its sustainable water management.

“Through the continuous reduction of our carbon footprint, we are committed to improving environmental sustainability across our semiconductor business operations,” said Chanhoon Park, executive vice president and general manager of Global Infra Technology at Samsung Electronics. “Moving forward, we will strive not only to achieve greater competitiveness with our semiconductor technologies, but also ongoing leadership in sustainable environmental efforts.”

* DRAM products: SODIMM 8GB; HBM2 8GB; LPDDR5 12GB; GDDR5 8GB

SSDs: PM1733 U.2 15.36TB; 860 EVO 500GB; SSD T7 Touch 1TB

eStorage solutions: EVO Plus microSD card 128GB; eUFS 3.1 512GB

Samsung представил технологию создания 24-Гб микросхем HBM2

Новый техпроцесс может улучшить характеристики графических ускорителей

Samsung Electronics анонсировал первую в отрасли разработку 12-слойной технологии 3D-TSV. Это новый метод упаковки микросхем памяти, что позволит разместить в одном стеке 12 микросхем DRAM.
Здесь используется трёхмерная компоновка с более чем 60.000 отверстий TVS для передачи данных между слоями без увеличения толщины упаковки. Она осталась такой же, как и в 8-слойных стеках памяти HBM2 — 720 мкм. Такое решение позволит увеличить объём памяти в различных продуктах без необходимости изменения конфигурации систем охлаждения, корпусов и т.д.
Кроме того, новая технология позволит Samsung создавать 12-слойные модули HBM2 объёмом 24Гб против нынешних 8-гигабайтных решений. Например, это пригодится производителям профессиональных графических ускорителей.
Дата запуска в массовое производство будет объявлена дополнительно.

Samsung Electronics Develops Industry’s First 12-Layer 3D-TSV Chip Packaging Technology

The new technology allows for the stacking of 12 DRAM chips using more than 
60,000 TSV holes, while maintaining the same thickness as current 8-layer chips

Samsung Electronics, a world leader in advanced semiconductor technology, today announced that it has developed the industry’s first 12-layer 3D-TSV (Through Silicon Via) technology.
Samsung’s new innovation is considered one of the most challenging packaging technologies for mass production of high-performance chips, as it requires pinpoint accuracy to vertically interconnect 12 DRAM chips through a three-dimensional configuration of more than 60,000 TSV holes, each of which is one-twentieth the thickness of a single strand of human hair.
The thickness of the package (720㎛) remains the same as current 8-layer High Bandwidth Memory-2 (HBM2) products, which is a substantial advancement in component design. This will help customers release next-generation, high-capacity products with higher performance capacity without having to change their system configuration designs.
In addition, the 3D packaging technology also features a shorter data transmission time between chips than the currently existing wire bonding technology, resulting in significantly faster speed and lower power consumption.
“Packaging technology that secures all of the intricacies of ultra-performance memory is becoming tremendously important, with the wide variety of new-age applications, such as artificial intelligence (AI) and High Power Computing (HPC),” said Hong-Joo Baek, executive vice president of TSP (Test & System Package) at Samsung Electronics.
“As Moore’s law scaling reaches its limit, the role of 3D-TSV technology is expected to become even more critical. We want to be at the forefront of this state-of-the-art chip packaging technology.”
Relying on its 12-layer 3D-TSV technology, Samsung will offer the highest DRAM performance for applications that are data-intensive and extremely high-speed.
Also, by increasing the number of stacked layers from eight to 12, Samsung will soon be able to mass produce 24-gigabyte (GB)* High Bandwidth Memory, which provides three times the capacity of 8GB high bandwidth memory on the market today.
Samsung will be able to meet the rapidly growing market demand for high-capacity HBM solutions with its cutting-edge 12-layer 3D TSV technology and it hopes to solidify its leadership in the premium semiconductor market.

*8GB mass-production product= 8Gb x 8 layers, 24GB developed product= 16Gb x 12 layers
*PKG cross section structure

Samsung готовится к переходу на новую технологию производства DRAM-памяти

В настоящее время Samsung Electronics использует 18-нанометровый технологический процесс для производства чипов оперативной памяти (DRAM). Переход на 16-нанометровые нормы ожидается в 2020 году, говорят аналитики Digitimes Research.
По их оценкам, на Samsung приходится больше половины глобальных поставок серверной DRAM-памяти в натуральном выражении.
Южнокорейский техногигант приступил к серийным поставкам 8-гигабайтных микросхем DRAM с использованием 18-нм техпроцесса в середине 2018 года. В следующем году Samsung должен начать выпуск 16-гигабитных решений на основе 16-нм технологии.
По мнению аналитиков Digitimes Research, сегменты оперативной памяти для серверов и оборудования центров обработки данных заменят ПК и мобильные устройства в качестве крупнейшего целевого рынка для производителей DRAM-памяти к 2023 году.

Samsung to scale up 16nm DRAM output in 2020

Samsung Electronics uses mainly 18nm process technology to manufacture server DRAM chips, and is gearing up for transition to a newer 16nm process node in 2020, according to Digitimes Research.
Samsung has held an over 50% share of the global server DRAM market in terms of unit shipments. The company has started volume producing 8Gb server DRAM chips using 18nm process technology since mid 2018, and will scale up substantially 16nm-made 16Gb chip output in 2020, said Digitimes Research.
Server and data center applications are set to replace PCs and mobile devices as the largest target market of DRAM chipmakers by 2023, Digitimes Research believes.

Более 60% чипов памяти для производителей мобильных устройств поставляет Samsung

Во 2-м квартале 2017 года выручка от продаж памяти для смартфонов (Mobile DRAM) выросла на 14,8 %. В 1-м квартале, согласно подсчётам экспертов DRAMeXchange, спрос на память оказался слабым по причине замедления темпов роста рынка смартфонов. Но ситуация улучшилась во 2-м квартале и объём выручки производителей мобильной DRAM пошёл вверх.
Особняком в тройке лидеров рынка мобильной памяти стоит Samsung, которого можно назвать настоящим королём отрасли. Рыночная доля южнокорейского техногиганта выросла с 58,4 % в 1-м квартале до 61,5 % во 2-м. За этот период корпорация увеличила выручку на 20,7 % (до $3,8 млрд).
На 2-м месте с более чем двукратным отставанием от Samsung по выручке идёт ещё один южнокорейский вендор - SK Hynix. Его доля на рынке мобильной DRAM за квартал сократилась с 23,9 % до 21,7 %, хотя это не помешало производителю увеличить выручку за квартал на 4,3 % (до $1,35 млрд).
Сокращение доли SK Hynix, скорее всего, временное явление, поскольку часть мощностей компании простаивает из-за установки оборудования для производства чипов новых поколений.
Замыкает тройку лидеров американская Micron, которая увеличила выручку от поставок мобильной DRAM на 11,6 % (до $925 млн). При этом доля компании на данном рынке за квартал немного сократилась с 15,3 % в первом квартале до 14,9 % во втором. Специалисты прогнозируют, что в 3-м квартале показатели Micron снизятся из-за аварии на одном из тайваньских предприятий компании.
В июле там произошёл выброс азота, что привело к загрязнению и порче примерно 50 тысяч полупроводниковых пластин с кристаллами памяти, большинство из которых были предназначены как раз для мобильной отрасли.
Наверняка этим воспользуются конкуренты, в том числе и мелкие тайваньские фирмы типа Nanya и Winbond, которые по итогам 2-го квартала не отличались высокими результатами, снизив выручку от продажи мобильных чипов.
Зато Samsung в 3-м квартале снова может похвастаться хорошими результатами, хотя, возможно, и не столь впечатляющими, как в рекордном 2-м квартале.