Samsung и SK Hynix извлекут дополнительную выгоду благодаря высокому спросу на чипы памяти

Южнокорейские производители чипов Samsung Electronics и SK Hynix могут извлечь дополнительную выгоду от быстро растущего рынка чипов памяти, что  обусловлено ростом цен и ограниченным предложением, сообщили отраслевые наблюдатели 18 июня, ссылаясь на данные исследовательских компаний. 
Согласно информации от DRAMeXchange, средняя контрактная цена DRAM для серверов увеличится до 8% в 3-м квартале по сравнению с предыдущим. Средняя цена выросла на 40% в 1-м квартале и на 10% во 2-м относительно тех же периодов прошлого года. 
Продолжающийся рост цен частично обусловлен увеличением спроса на модули памяти высокой ёмкости благодаря рынку серверов, говорится в сообщении.
Отмечается, что к концу 2017 года доля модулей с 32-гигабайтной ёмкостью превысит отметку в 60% от общего объёма поставок DRAM для серверов.   
Другая исследовательская компания, IHS Markit, в минувшую пятницу заявила, что мировой рынок DRAM и NAND достиг рекордных доходов в 1-м квартале и будет продолжать держаться на хорошем уровне до конца года. 
Доход от продаж DRAM составил $14,7 миллиардов, а на чипы NAND flash пришлось $11,7 миллиардов только за 1-й квартал 2017-го, говорится в сообщении . 
Уолтер Кун, директор IHS Markit предсказывает, что рынок памяти установит ещё один рекорд во 2-м квартале из-за растущего спроса на DRAM и NAND-память. 
Samsung Electronics является крупнейшим производителем чипов памяти в мире с долей 43,5% на рынке DRAM и 36,7% в секторе NAND flash, согласно данным DRAMeXchange и IHS Markit.
SK Hynix является вторым по величине производителем DRAM-памяти с долей 27,9% и четвёртым по величине поставщиком в секторе NAND flash (11,4%).

Samsung, SK may benefit from booming chip market

South Korean chipmakers Samsung Electronics and SK hynix may benefit from the booming memory chip market driven by rising prices and tight supply, local reports said on June 18, quoting market research firms. 
According to a June 15 report by DRAMeXchange, the average contract price of DRAM for servers will increase up to 8 percent in the third quarter from the previous quarter. The average price rose 40 percent in the first quarter and 10 percent in the second quarter from the previous quarters. 
The continuing price growth is partly driven by rising demand for high-capacity memory in the server market, the report said.
“Going into the second half of 2017, the increase in the market penetration of (high-capacity) 32-gigabyte product lines are expected to be the main demand drivers,” said Mark Liu, an analyst from DRAMeXchange.
The proportion of the 32-gigabyte capacity option out of total server DRAM module shipments will surpass 60 percent by the end of 2017, the report said.   
Another market research firm IHS Markit said Friday the global memory market for both DRAM and NAND flash achieved record revenues in the first quarter and will continue to perform well later this year.
The global DRAM market posted $14.7 billion in sales and the NAND flash market recorded $11.7 billion in the first quarter, the firm said.
“The tight supply of NAND is continuing with the healthy demand from solid state drive - a nonvolatile storage device that stores persistent data - and mobile applications and the industry transition from planar to 3D NAND technology,” said Walter Coon, director at IHS Markit. 
The firm predicted the memory market is expected to achieve another record in the second quarter due to tight supply of DRAM and NAND flash. 
Samsung Electronics is the largest memory chipmaker in the world with a 43.5 percent share in DRAM and a 36.7 percent share in NAND flash, according to DRAMeXchange and IHS Markit. 
SK hynix is the second-largest DRAM maker with a 27.9 percent share and the fourth-largest NAND flash provider with an 11.4 percent share.

Samsung запустил массовое производство 64-слойной флэш-памяти V-Nand

В официальном пресс-рализе Samsung сообщает о начале серийного выпуска микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 256 Гбит, предназначенных для накопителей, применяемых в серверах, компьютерах и мобильных устройствах.

В настоящее время вендор также разрабатывает продукты других категорий, включая встраиваемые накопители UFS и карты памяти, которые должны быть представлены в течение этого года.

Увеличивая производство 64-слойных микросхем V-NAND, которые также называются V-NAND 4-го поколения, вендор рассчитывает, что до конца года они составят более 50% всего выпускаемого им объёма флэш-памяти.

Микросхемы V-NAND плотностью 256 Гбит, хранящие в каждой ячейке по 3 бита, поддерживают скорость передачи данных 1 Гбит/с, что является рекордным значением для флэш-памяти типа NAND. Кроме того, память V-NAND характеризуется минимальным временем страничной записи (tPROG) — 500 мкс. Это значение примерно в 4 раза меньше значения, типичного для планарной флэш-памяти, изготовленной по технологии 10-нанометрового класса.

По сравнению с микросхемами 48-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 256 Гбит, 64-слойная память V-NAND такой же плотности на 30% экономичнее, поскольку напряжение питания снижено с 3,3 В до 2,5 В. При этом надёжность изделий возросла на 20%.

Samsung Ramps up 64-Layer V-NAND Memory Production to Accommodate Expanding Line-up of High-Performance Flash Storage Solutions

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun volume production of 64-layer, 256Gb V-NAND flash memory for use with an expanding line-up of storage solutions for server, PC and mobile applications.

Since Samsung began producing the industry’s first SSD based on 64-layer 256Gb V-NAND chips in January for key IT customers, it has been working on a wide range of new V-NAND-based mobile and consumer storage solutions. These include embedded UFS memory, branded SSDs and external memory cards, which the company plans to introduce later this year.

To solidify its competitive edge in the memory market, Samsung intends for its volume production of the 64-layer V-NAND chip, which is widely referred to as 4th generation V-NAND, to cover more than 50 percent of its monthly NAND flash production by year end.

“Following a long commitment to innovative technology, we will continuously push the limits of generations of industry-first V-NAND production, in moving the industry closer to the advent of the terabit V-NAND era,” said Kye Hyun Kyung, Executive Vice President of the Flash Product and Technology team, Memory Business at Samsung Electronics. “We will keep developing next-generation V-NAND products in sync with the global IT industry so that we can contribute to the timeliest launches of new systems and services, in bringing a higher level of satisfaction to consumers.”

The Samsung 64-layer 3-bit 256Gb V-NAND features a data transfer speed of 1Gbps (gigabit per second), which is the fastest among currently available NAND flash memory. Also, the V-NAND has the industry’s shortest page program time (tPROG)* of 500 microseconds (㎲) among NAND flash memory, which is about four times faster than that of a typical 10-nanometer (nm) class, planar NAND flash memory and approximately 1.5 times faster than that of Samsung’s fastest 48-layer 3-bit 256Gb V-NAND flash. With today’s ample supply of leading-edge V-NAND products, Samsung expects that the industry will now focus more on the high performance and reliability of memory storage, rather than immerse itself in a chip scaling race.

The new 64-layer 256Gb V-NAND provides more than a 30 percent productivity gain, compared to the 48-layer 256Gb V-NAND that preceded it. In addition, the 64-layer V-NAND has a 2.5V input voltage for its circuits, which leads to approximately 30 percent greater energy efficiency than the 3.3 volts that 48-layer V-NAND used. Also, the reliability of the new V-NAND cell increased by about 20 percent compared to its predecessor.

Samsung enabled these improvements by tackling a diversity of challenges that appear in the advanced V-NAND manufacturing process. Chief among them were realizing multi-billion channel holes that penetrate several dozen layers of cell-arrays, and minimizing the loss of electrons from about 85.3 billion cells.

As the layers of cell arrays increase, the level of technological difficulty also increases, especially in making the channel holes homogeneous in their shape from the top to the bottom layer, and in properly dispersing the weight of all the layers to improve the stability of the channel holes.

Another challenge that Samsung overcame was to realize 64 layers of cell arrays based on 3D CTF (charge trap flash) structure and uniformly cover the inner side of each channel hole with an atomically thin, non-conductive substance. This led to the creation of smaller cells with improved performance and reliability.

Based on 15 years of research into its proprietary V-NAND 3D structure, Samsung has formed the basis for more than 500 patents related to essential technological findings, and filed applications for them in many countries including Korea, the U.S. and Japan. Based on its success with 64-layer V-NAND, Samsung has secured the fundamental technology that it needs in the future to produce V-NAND chips with one terabit capacity and more, by stacking over 90 layers of cell arrays.

Samsung расширит производство чипов памяти в Китае

Samsung Electronics сообщает, что рассматривает возможность наращивания производственных мощностей по выпуску чипов памяти в Китае ввиду огромного спроса, который будет способствовать рекордным продажам модулей и микросхем памяти.
Руководство Samsung обсуждает возможное расширение производственной базы в Сиане (провинция Шэньси), однако представитель южнокорейского техногиганта уточнил, что окончательного решения по поводу объёма инвестиций для реализации этого плана, пока нет.
Samsung является крупнейшим в мире производителем чипов памяти с глобальной долей более 60%. Корпорация уже инвестировала $7 миллиардов на постройку и оснащение в Сиане завода по производству чипов 3D NAND, которые используются для хранения данных в электронных устройствах, таких как смартфоны, персональные компьютеры и серверы.
Бизнес-портал The Investor сегодня сообщил, что представители конгломерата Samsung уже провели переговоры с китайскими властями о расширении производственных мощностей по выпуску чипов 3D NAND в Сиане, и строительство может начаться до конца года.
Ожидается, что ведущий южнокорейский чеболь и его более мелкие конкуренты типа SK Hynix и Micron, занимающиеся выпуском чипов памяти, получат рекордные доходы и прибыль в 2017 году на фоне растущего спроса на эффективные решения в области обработки данных в бытовой электронике в связи с бурным развитием экосистем ToT (интернет вещей).
Что касается производства чипов памяти в Сиане, то на новом заводе предполагается наладить выпуск продукции более низкого профиля, поскольку наиболее передовые технологии останутся под контролем Samsung в пределах Южной Кореи. Именно там в июле будет запущено самое крупное в мире производство чипов NAND последнего поколения. Завод, построенный к городе Пьёнгтак (провинция Гёнджи) способен выпускать 200.000 пластин ежемесячно для нужд самых передовых отраслей, где требуются создавать огромные массивы для хранения и обработки данных. Кроме того, подобные чипы вендор планирует использовать во флагманских моделях смартфонов Samsung, которые будут наделены самыми передовыми технологическими решениями. 
В то же время китайский завод в Сиане сосредоточится на выпуске продукции для местных китайских производителей мобильных устройств рангом пониже.    
Аналитики компании IHS ожидают, что доходы индустрии памяти в этом году вырастут на 32 %, достигнув рекордной отметки в $104 млрд. Эксперты также утверждают, что в 2017 году поставщикам чипов 3D NAND, скорее всего, будет сложно полностью удовлетворить быстро растущие аппетиты своих клиентов.

Samsung to beef up NAND production in China

Samsung Electronics has recently decided to add a new production line for 3-D NAND flash chips at its plant in Xian, China, with aims to start operations from 2019, industry sources said on May 29.
The Korean tech giant is reportedly in talks with the local government for the latest expansion and plans to invest up to 10 trillion won (US$8.93 billion). 
“Samsung and the local government are finalizing the talks. The construction is likely to start in September,” an industry source said.
The current Line 1 at the Xian plant, established in 2014, produces 120,000 NAND flash sheets per month. Following the planned expansion of Line 2, the production capacity will reach 200,000 units. 
Samsung, the world’s largest memory chipmaker, is the market leader in NAND production with more than 60 percent market share. The company aims to further strengthen its leadership as its smaller rivals such as SK Hynix and Micron are pouring considerable resources into the production of NAND chips whose demand is soaring recently for long-term storage for Internet of Things, cloud and big data services.
Samsung also plans to start operations at its brand new NAND plant in Pyeongtaek, Gyeonggi Province, which has a production capacity of a monthly 200,000 sheets, possibly from June. While the Chinese plant will produce lower-end chips mostly for Chinese handset makers, the Korean plant will focus on more advanced, high-end chips.

Samsung инвестирует рекордные суммы в развитие производства полупроводников

Подразделение Samsung Semiconductor, производящее чипы памяти, вложит рекордные средства в развитие своего бизнеса. Согласно данным исследовательской компании IC Insights, в текущем году южнокорейский техногигант потратит на эти цели 12,5 миллиардов долларов США, что на 11% больше, чем было выделено годом ранее.
Следом за Samsung расположилась американская Intel, которая готова потратить на те же цели около $12 миллиардов (прирост составит 25%). Тайваньская TSMC, похоже, не выдерживает темпа и снижает затраты в этом сегменте на 2%, которые в итоге составят $10 миллиардов. Далее следует ещё один известный южнокорейский производитель чипов - SK Hynix, который инвестирует в развитие $6,13 миллиарда, из которых 4 милларда пойдут на модернизацию заводов.
Таким образом, южнокорейские чипмейкеры лидируют по инвестициям в полупроводниковой отрасли.
В то же время, у многих других производителей ожидается сокращение капзатрат на сотни миллионов долларов в сравнении с 2016 годом. В этом списке, помимо упомянутой выше тайваньской TSMC, фигурируют американский производитель микросхем памяти Micron и китайский полупроводниковый гигант SMIC, говорится в публикации IC Insights.
Источник отмечает, что основная часть капзатрат Samsung Electronics и SK Hynix придется именно на 3D NAND. Вендоры также намерены постепенно наращивать продажи этой продукции и сделать её более приоритетной, чем DRAM-микросхемы.
В настоящее время соотношение продукции типа DRAM и NAND flash у Samsung оценивается как 6/4, а у SK Hynix - как 7/3. Однако оба производителя собираются изменить показатель в пользу более прибыльной многослойной флэш-памяти 3D NAND, что позволит повысить рентабельность и дифференцироваться от других чипмейкеров.
Учитывая запланированные Samsung и SK Hynix вложения в производство 3D NAND, глобальные инвестиции в производство NAND flash в 2017 году должны увеличиться на 14%, с 14 млрд до 16 млрд долларов. По оценкам экспертов SEMI, в нынешнем году южнокорейские чипмейкеры совместно будут контролировать более 70% рынка DRAM-памяти, а в сегменте NAND flash на их долю в сумме придётся свыше 45%.