Samsung увеличит затраты на расширение производства флэш-памяти NAND

Капиталовложения Samsung Electronics, направленные на расширение производства флэш-памяти NAND, а также дальнейшее развитие этой технологии, в текущем году составят 6,4 миллиарда долларов США. В 2019-м м году на эти цели будет выделено порядка 9 миллиардов долларов.
Южнокорейский техногигант сделает упор на расширении производства флэш-памяти 3D NAND в городе Пхёнтхэк (Южная Корея) и городе Сиань (Китай), что позволит Samsung сохранить позиции абсолютного лидера на рынке полупроводников.
На этой неделе Samsung объявил о начале массового выпуска флэш-памяти V-NAND 5-го поколения для смартфонов и суперкомпьютеров. При этом отраслевые эксперты не сомневаются, что Samsung опережает конкурентов в указанном сегменте сегменте, по меньшей мере, на 2 года.
Одновременно специалисты полагают, что на фоне существенного повышения затрат на расширение производства флэш-памяти 3D NAND высок риск того, что предложение на рынке в ближайшие пару лет значительно превысит спрос. Тем не менее в дальнейшем спрос будет повышаться за счёт взрывного развития IoT-технологий (интернета вещей), для чего понадобится большой объём такой продукции. 

Samsung capex for NAND flash to hike

Samsung Electronics will expand its capex for NAND flash memory to around US$9 billion in 2019, up from about US$6.4 billion in 2018, a recent Chosun Ilbo report quoted industry sources in South Korea as saying.
Samsung will focus mainly on scaling up its 3D NAND chip output in Pyeongtaek, South Korea and Xian, China, according to the report. The industry leader's planned huge spending is believed to be an effort to defend its dominance in the market.
Meanwhile, with its recent announcement of its fifth-generation 3D NAND memory chips, Samsung will be at least two years ahead of its competitors in technology, the report indicated.
In addition, IC Insights warned of overspending by major NAND suppliers in a recent analysis, which said it is no surprise that NAND flash prices have already softened in early 2018. It said the pace of the softening is expected to pick up in the second half of 2018 and continue into 2019.
Samsung, along with SK Hynix, Micron, Intel, Toshiba/Western Digital/SanDisk and XMC/Yangtze River Storage Technology, all plan to ramp up dramatically their 3D NAND flash capacities over the next couple of years. IC Insights believes that the risk for significantly overshooting 3D NAND flash market demand is very high and growing.

Samsung провёл церемонию закладки нового завода по производству чипов в Китае

Корпорация Samsung Electronics провела церемонию закладки первого камня в фундамент нового завода по выпуску полупроводников, который расположен в городе Сиань (Китай).
Свою первую производственную линию в Сиане южнокорейский электронный гигант запустил в эксплуатацию 4 года назад и она уже работает на полную мощность. Samsung намерен инвестировать в новое предприятие в общей сложности 7 миллиардов долларов США до 2020 года.
Новая линия позволит выпускать различные модули памяти (в частности флэш-память NAND с вертикальной архитектурой) и дифференцированные решения для клиентов Samsung, о чём заявлено в пресс-службе корпорации.
1-я линия в настоящее время способна выпускать 120.000 подложек в месяц, а 2-я линия после выхода на полную мощность сможет выпускать 100.000 единиц такой продукции ежемесячно.
Напомним, что ранее руководство Республики Корея высказывало опасения относительно утечки передовых технологий производства чипов в Китай, о чём было сообщено представителям Samsung на специальном совещании с участием ведущих конгломератов страны. Однако в Samsung заверили, что предприняли все меры по недопущению таких утечек. К тому же наиболее передовые заводы электронного гиганта по выпуску полупроводниковой продукции находятся исключительно на территории Южной Кореи. 

Samsung breaks ground for US$7b chip plant in China

Samsung Electronics held a groundbreaking ceremony for a new chip production line in Xi'an, China, with plans to invest a total of US$7 billion by 2020. 
The event which was attended by Chinese government officials and top company executives comes after the Korean tech giant’s agreement with the Shannxi province government in August 2017.
The first chip production line for memory chips built in 2014 has reached full capacity of operations.
“The second Xian line will be able to offer high-end memory chips and differentiated solutions for our customers,” said Kim Ki-nam, head of the firm’s chip business, adding the plant will also help cater to the needs of Chinese IT companies located in the city.
Samsung will utilize the new line to roll out vertical NAND flash memory chips in a bid to respond to the surging demand.
The second Xian line is capable of producing 100,000 wafers per month while the first line can churn out 120,000 wafer units per month.
Market research firm IHS Markit forecast that the global NAND flash memory sector will grow to a record US$59.2 billion in size. The memory chip market has been enjoying booming demand thanks to the increasing use of chips in a range of sectors, including data servers, Internet of Things and next-generation telecommunications technology.

Samsung расширит производство чипов памяти в Китае

Samsung Electronics сообщает, что рассматривает возможность наращивания производственных мощностей по выпуску чипов памяти в Китае ввиду огромного спроса, который будет способствовать рекордным продажам модулей и микросхем памяти.
Руководство Samsung обсуждает возможное расширение производственной базы в Сиане (провинция Шэньси), однако представитель южнокорейского техногиганта уточнил, что окончательного решения по поводу объёма инвестиций для реализации этого плана, пока нет.
Samsung является крупнейшим в мире производителем чипов памяти с глобальной долей более 60%. Корпорация уже инвестировала $7 миллиардов на постройку и оснащение в Сиане завода по производству чипов 3D NAND, которые используются для хранения данных в электронных устройствах, таких как смартфоны, персональные компьютеры и серверы.
Бизнес-портал The Investor сегодня сообщил, что представители конгломерата Samsung уже провели переговоры с китайскими властями о расширении производственных мощностей по выпуску чипов 3D NAND в Сиане, и строительство может начаться до конца года.
Ожидается, что ведущий южнокорейский чеболь и его более мелкие конкуренты типа SK Hynix и Micron, занимающиеся выпуском чипов памяти, получат рекордные доходы и прибыль в 2017 году на фоне растущего спроса на эффективные решения в области обработки данных в бытовой электронике в связи с бурным развитием экосистем ToT (интернет вещей).
Что касается производства чипов памяти в Сиане, то на новом заводе предполагается наладить выпуск продукции более низкого профиля, поскольку наиболее передовые технологии останутся под контролем Samsung в пределах Южной Кореи. Именно там в июле будет запущено самое крупное в мире производство чипов NAND последнего поколения. Завод, построенный к городе Пьёнгтак (провинция Гёнджи) способен выпускать 200.000 пластин ежемесячно для нужд самых передовых отраслей, где требуются создавать огромные массивы для хранения и обработки данных. Кроме того, подобные чипы вендор планирует использовать во флагманских моделях смартфонов Samsung, которые будут наделены самыми передовыми технологическими решениями. 
В то же время китайский завод в Сиане сосредоточится на выпуске продукции для местных китайских производителей мобильных устройств рангом пониже.    
Аналитики компании IHS ожидают, что доходы индустрии памяти в этом году вырастут на 32 %, достигнув рекордной отметки в $104 млрд. Эксперты также утверждают, что в 2017 году поставщикам чипов 3D NAND, скорее всего, будет сложно полностью удовлетворить быстро растущие аппетиты своих клиентов.

Samsung to beef up NAND production in China

Samsung Electronics has recently decided to add a new production line for 3-D NAND flash chips at its plant in Xian, China, with aims to start operations from 2019, industry sources said on May 29.
The Korean tech giant is reportedly in talks with the local government for the latest expansion and plans to invest up to 10 trillion won (US$8.93 billion). 
“Samsung and the local government are finalizing the talks. The construction is likely to start in September,” an industry source said.
The current Line 1 at the Xian plant, established in 2014, produces 120,000 NAND flash sheets per month. Following the planned expansion of Line 2, the production capacity will reach 200,000 units. 
Samsung, the world’s largest memory chipmaker, is the market leader in NAND production with more than 60 percent market share. The company aims to further strengthen its leadership as its smaller rivals such as SK Hynix and Micron are pouring considerable resources into the production of NAND chips whose demand is soaring recently for long-term storage for Internet of Things, cloud and big data services.
Samsung also plans to start operations at its brand new NAND plant in Pyeongtaek, Gyeonggi Province, which has a production capacity of a monthly 200,000 sheets, possibly from June. While the Chinese plant will produce lower-end chips mostly for Chinese handset makers, the Korean plant will focus on more advanced, high-end chips.