Показаны сообщения с ярлыком HPC. Показать все сообщения
Показаны сообщения с ярлыком HPC. Показать все сообщения

пятница, 22 мая 2020 г.

Samsung Electronics запускает новую линию по выпуску полупроводников в южнокорейском Пхёнтхэке




Новая линия станет основной производственной базой 5-нм EUV-решений для 5G, высокопроизводительных вычислений и AI / Samsung запустит производство на линии во втором полугодии 2021г.

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, объявил о планах по увеличению производственных мощностей на новой линии завода в Пхёнтхэке (Южная Корея), в целях удовлетворения растущего во всём мире спроса на решения c применением технологии EUV (литографии в глубоком ультрафиолете / extreme ultraviolet).
Основное внимание новой линии, строительство которой уже началось, будет уделено EUV-решениям, выполненных по 5-нанометровому и ещё более тонким техпроцессам. Линия будет играть ключевую роль в расширении использования корпорацией самых современных технологических процессов для множества решений текущего и следующего поколений, включая 5G, высокопроизводительные вычисления (HPC) и искусственный интеллект (AI). Запуск в эксплуатацию запланирован на вторую половину 2021 года.
«Новое предприятие расширит производственные мощности Samsung для 5-нм и более тонких техпроцессов и предоставит возможность оперативно удовлетворять растущий спрос на решения для высокопроизводительных вычислений, – отметил д-р Юнг (ES Jung), президент и глава полупроводникового бизнеса Samsung Electronics. – Мы по-прежнему привержены удовлетворению потребностей наших клиентов посредством активных инвестиций и привлечения новых кадров. Это позволит нам продолжать развиваться, при этом обеспечивая устойчивый рост полупроводникового производства Samsung».
Запустив массовый выпуск EUV-решений по 7-нм техпроцессу в начале 2019 года, Samsung недавно приступил к серийному изготовлению чипов для EUV на новой линии в Хвасоне (Южная Корея). Ожидается, что с началом полной эксплуатации нового завода в Пхёнтэке в 2021 году, мощность производства EUV-решений Samsung значительно возрастёт.
Samsung намерен запустить массовое производство EUV-решений по 5-нм техпроцессу на заводе в Хвасоне во второй половине этого года. С учётом объекта в Пхёнтхэке у Samsung будет, в общей сложности, 7 линий по производству полупроводников в Южной Корее и США, в том числе 6 с использованием 12-дюймовых подложек и одна с использованием 8-дюймовых подложек.

Samsung Electronics Expands its Foundry Capacity with A New Production Line in Pyeongtaek, Korea

New line will become core manufacturing base for 5G·HPC·AI solutions with 5nm EUV / Samsung began construction this month for volume production in 2H 2021

Samsung Electronics, a world leader in advanced semiconductor technology, announced plans to boost its foundry capacity at the company’s new production line in Pyeongtaek, Korea, to meet growing global demand for cutting-edge extreme ultraviolet (EUV) solutions.
The new foundry line, which will focus on EUV-based 5 nanometer (nm) and below process technology, has just commenced construction this month and is expected to be in full operation in the second half of 2021. It will play a pivotal role as Samsung aims to expand the use of state-of-the-art process technologies across a myriad of current and next generation applications, including 5G, high-performance computing (HPC) and artificial intelligence (AI).
“This new production facility will expand Samsung’s manufacturing capabilities for sub-5nm process and enable us to rapidly respond to the increasing demand for EUV-based solutions,” said Dr. ES Jung, President and Head of Foundry Business at Samsung Electronics. “We remain committed to addressing the needs of our customers through active investments and recruitment of talents. This will enable us to continue to break new ground while driving robust growth for Samsung’s foundry business.”
Following the initial mass production of the EUV-based 7nm process in early 2019, Samsung recently added a new EUV-dedicated V1 line in Hwaseong, Korea, to its global foundry network. With the new Pyeongtaek facility starting full operation in 2021, Samsung’s foundry capacity based on EUV is expected to increase significantly.
Samsung is scheduled to start mass production of 5nm EUV process in the Hwaseong fab in the second half of this year.
With the addition of the Pyeongtaek fab, Samsung will have a total of seven foundry production lines located in South Korea and the United States, comprised of six 12-inch lines and one 8-inch line.

воскресенье, 22 декабря 2019 г.

Контрактный производитель чипов Samsung Foundry объявил о совместной разработке с китайской Baidu в области искусственного интеллекта






Построенный на базе 14-нм техпроцесса и технологии упаковки I-CubeTM от Samsung, процессор Baidu KUNLUN призван расширить экосистему искусственного интеллекта и трансформировать пользовательский опыт

Компания Baidu, Inc., крупнейшая китайская поисковая система, и Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, объявляют о создании первого ускорителя искусственного интеллекта – процессора Baidu KUNLUN, который предназначен для работы в самых различных платформах, от облака до периферии. Партнёры готовы запустить его в массовое производство уже в начале следующего года.
В основе чипа Baidu KUNLUN лежит передовая разработка Baidu XPU – собственная архитектура нейронных процессоров для облачных и граничных вычислений, в нём используется 14-нм техпроцесс и технология пакетирования I-Cube™ от Samsung.
Новый процессор обеспечивает пропускную способность памяти на уровне 512 гигабайт в секунду (Гб/с) и позволяет осуществлять до 260 тераопераций в секунду (TOPS) при энергопотреблении 150Вт. Кроме того, в чипе поддерживается Ernie, предварительно обученная нейронная модель для обработки данных на естественном языке, которая осуществляет построение логических выводов втрое быстрее, чем традиционная модель ускорения GPU / FPGA.
Благодаря большой вычислительной мощности и низкому энергопотреблению новый процессор позволит Baidu с высокой эффективностью выполнять самые различные задачи, в том числе запускать масштабные рабочие нагрузки с использованием искусственного интеллекта, например, ранжировать поисковые результаты, распознавать речь, изображения и естественные языки, а также разрабатывать системы автономного вождения и реализовывать платформы глубокого обучения, такие как PaddlePaddle.
В рамках пилотного сотрудничества Baidu предоставит свои передовые платформы искусственного интеллекта для обеспечения максимальной производительности, а Samsung запустит производство на своих полупроводниковых фабриках процессоров для высокопроизводительных вычислений (HPC), предназначенных для работы в облаке и на периферии.
«Мы рады оказаться в числе лидеров индустрии высокопроизводительных вычислений вместе с Samsung Foundry, – говорит Оуянг Цзянь (OuYang Jian), ведущий специалист по архитекторе полупроводников в Baidu. – Baidu KUNLUN – это чрезвычайно сложный проект. Он не только обеспечивает высокий уровень надёжности и производительности, но и задействует самые передовые технологии в полупроводниковой отрасли. Благодаря инновационным технологическим процессам Samsung и высоким компетенциям специалистов, работающих на полупроводниковых фабриках корпорации, мы смогли достичь нашей цели и даже превзойти её, предложив более качественный пользовательский опыт при работе с искусственным интеллектом».
«Проект Baidu KUNLUN представляет собой важную веху для Samsung Foundry, поскольку теперь мы расширяем сферу нашей деятельности и производим не только микросхемы для мобильных устройств, но и процессоры для центров обработки данных, разрабатывая и запуская в массовое производство чипы для ускорения задач искусственного интеллекта. Samsung предоставит комплексные решения для всего цикла полупроводникового производства, начиная с оказания помощи в проектировании чипов и заканчивая передовыми техпроцессами, такими как 5LPE, 4LPE, а также технологией 2,5D упаковки», – говорит Райан Ли (Ryan Lee), вице-президент по маркетингу полупроводниковых решений Samsung Electronics.
Поскольку в различных приложениях, таких как рабочие нагрузки искусственного интеллекта или HPC-вычисления, постоянно требуется более высокая производительность, особую актуальность сегодня приобретают технологии пакетирования (chip integration technology). Представленная Samsung технология интеграции I-Cube™, соединяющая логический чип и память с высокой пропускной способностью (HBM2) с подложкой (interposer), позволяет добиться ещё более высокой плотности и пропускной способности при минимальном размере за счёт использования дифференцированных решений Samsung.
По сравнению с предыдущими разработками новые решения позволяют значительно увеличить производительность процессора и обеспечивают прирост вычислительной мощности / целостности сигнала более чем на 50%. Считается, что внедрение I-CubeTM ознаменует начало новой эпохи на рынке гетерогенных вычислений. Кроме того, Samsung разрабатывает более совершенные технологии пакетирования, такие как технологию RDL-подложки (redistribution layers), а также интегрированные корпуса с 4x и 8x HBM памяти.

Baidu and Samsung Electronics Ready for Production of Leading-Edge AI Chip for Early Next Year

Designed based on Samsung’s 14nm process and I-Cube TM package technology, 
Baidu KUNLUN chip to expand AI ecosystem and transform the user experience

Baidu, a leading Chinese-language Internet search provider, and Samsung Electronics, a world leader in advanced semiconductor technology, today announced that Baidu’s first cloud-to-edge AI accelerator, Baidu KUNLUN, has completed its development and will be mass-produced early next year.
Baidu KUNLUN chip is built on the company’s advanced XPU, a home-grown neural processor architecture for cloud, edge, and AI, as well as Samsung’s 14-nanometer (nm) process technology with its I-Cube™ (Interposer-Cube) package solution.
The chip offers 512 gigabytes per second (GBps) memory bandwidth and supplies up to 260 Tera operations per second (TOPS) at 150 watts. In addition, the new chip allows Ernie, a pre-training model for natural language processing, to infer three times faster than the conventional GPU/FPGA-accelerating model.
Leveraging the chip’s limit-pushing computing power and power efficiency, Baidu can effectively support a wide variety of functions including large-scale AI workloads, such as search ranking, speech recognition, image processing, natural language processing, autonomous driving, and deep learning platforms like PaddlePaddle.
Through the first foundry cooperation between the two companies, Baidu will provide advanced AI platforms for maximizing AI performance, and Samsung will expand its foundry business into high performance computing (HPC) chips that are designed for cloud and edge computing.
“We are excited to lead the HPC industry together with Samsung Foundry,” said OuYang Jian, Distinguished Architect of Baidu. “Baidu KUNLUN is a very challenging project since it requires not only a high level of reliability and performance at the same time, but is also a compilation of the most advanced technologies in the semiconductor industry. Thanks to Samsung’s state of the art process technologies and competent foundry services, we were able to meet and surpass our goal to offer superior AI user experience. ”
“We are excited to start a new foundry service for Baidu using our 14nm process technology,” said Ryan Lee, vice president of Foundry Marketing at Samsung Electronics. “Baidu KUNLUN is an important milestone for Samsung Foundry as we’re expanding our business area beyond mobile to datacenter applications by developing and mass-producing AI chips. Samsung will provide comprehensive foundry solutions from design support to cutting-edge manufacturing technologies, such as 5LPE, 4LPE, as well as 2.5D packaging.”
As higher performance is required in diverse applications such as AI and HPC, chip integration technology is becoming more and more important. Samsung’s I-Cube™ technology, which connects a logic chip and high bandwidth memory (HBM) 2 with an interposer, provides higher density/ bandwidth on minimum size by utilizing Samsung’s differentiated solutions.
Compared to previous technology, these solutions maximize product performance with more than 50% improved power/signal integrity. It is anticipated that I-Cube™ technology will mark a new epoch in the heterogeneous computing market. Samsung is also developing more advanced packaging technologies, such as redistribution layers (RDL) interposer and 4x, 8x HBM integrated package.

вторник, 4 июня 2019 г.

Samsung и AMD объявили о стратегическом партнёрстве при создании графических решений для мобильных устройств


В официальном пресс релизе сообщается, что Samsung Electronics и AMD объявили о заключении длительного стратегического соглашения о партнёрстве в области графики. Речь идёт об использовании технологий Radeon в мобильных однокристальных системах Exynos, которые станут более энергоэффективными и производительными.
В рамках партнёрства Samsung будет лицензировать интеллектуальную собственность графического подразделения AMD, сосредоточившись на передовых графических технологиях и решениях, которые имеют решающее значение для новаций в различных мобильных системах — прежде всего в смартфонах.
«Мы готовимся к прорывным изменениям в технологиях и поэтому постоянно изучаем новые возможности. Наше новое партнёрство с AMD позволит выводить на рынок новаторские графические продукты и решения для мобильных приложений и направлений будущего, — сказал относительно достигнутого соглашения президент подразделения System LSI в Samsung Electronics Иньюп Канг (Inyup Kang). — Мы рассчитываем на сотрудничество с AMD для ускорения новаций в области технологий мобильной графики, которые помогут вывести будущие мобильные вычислительные решения на новый уровень».
Подробностей о соглашении пока не сообщается, но упомянуты ключевые условия, в рамках которых AMD предоставит южнокорейскому гиганту лицензию на особую версию графики, основанной на передовой архитектуре RDNA (именно она будет лежать в основе будущих 7-нм видеокарт Navi). В свою очередь, Samsung будет делать отчисления за использование технологий AMD. В пресс-релизе также упоминается, что RDNA была создана для максимальной масштабируемости и энергоэффективнсти.
«Распространение наших графических технологий Radeon на рынках ПК, игровых консолей, облачных систем и высокопроизводительных вычислений значительно возросло, и теперь мы очень рады стать партнёром с таким лидером отрасли, как Samsung для ускорения графических новаций на рынке мобильных устройств, — сказала исполнительный директор AMD Лиза Су (Lisa Su). — Это стратегическое партнёрство распространит охват нашей высокопроизводительной графики Radeon на рынок мобильных устройств, значительно увеличив пользовательскую базу и экосистему разработки Radeon».
Появление AMD на рынке мобильной графики нельзя не приветствовать, хотя это направление не является чем-то новым для этой компании. Технологии Radeon играют весьма важную роль (пусть и самостоятельно, уже вне ATI или AMD). Например, ещё в январе 2009 года Qualcomm приобрела Imageon IP (мобильную графику ATI) и продолжает её активно развивать в своих ГП Adreno (это наименование — анаграмма Radeon).

О компании AMD

В течение 50 лет американская компания AMD (Advanced Micro Devices, Inc.) внедряла инновации в области высокопроизводительных вычислений, графических и визуализационных технологий для игр, иммерсивных платформ и центров обработки данных. Сотни миллионов потребителей, ведущих компаний из списка Fortune 500 и передовых научно-исследовательских учреждений по всему миру ежедневно используют технологии AMD для жизни, работы и игр. Специалисты AMD по всему миру сосредоточены на создании великолепных продуктов, которые расширяют границы возможного.

AMD and Samsung Announce Strategic Partnership in Ultra Low Power, High Performance Graphics Technologies

Samsung to integrate custom AMD Radeon graphics IP into future SoCs for mobile applications

AMD and Samsung Electronics announced a multi-year strategic partnership in ultra low power, high performance mobile graphics IP based on AMD Radeon graphics technologies. As part of the partnership, Samsung will license AMD graphics IP and will focus on advanced graphics technologies and solutions that are critical for enhancing innovation across mobile applications, including smartphones.
“As we prepare for disruptive changes in technology and discover new opportunities, our partnership with AMD will allow us to bring groundbreaking graphics products and solutions to market for tomorrow’s mobile applications,” said Inyup Kang, president of Samsung Electronics’ S.LSI Business. “We look forward to working with AMD to accelerate innovations in mobile graphics technologies that will help take future mobile computing to the next level.”
“Adoption of our Radeon graphics technologies across the PC, game console, cloud and HPC markets has grown significantly and we are thrilled to now partner with industry leader Samsung to accelerate graphics innovation in the mobile market,” said Dr. Lisa Su, AMD president and CEO. “This strategic partnership will extend the reach of our high-performance Radeon graphics into the mobile market, significantly expanding the Radeon user base and development ecosystem.”

Key terms of the partnership include:

* AMD will license custom graphics IP based on the recently announced, highly-scalable RDNA graphics architecture to Samsung for use in mobile devices, including smartphones, and other products that complement AMD product offerings.
* Samsung will pay AMD technology license fees and royalties.

среда, 23 мая 2018 г.

Samsung рассказал о планах начать выпуск 3-нм чипов в 2021-м году



В мае 2016 года корпорация Samsung Electronics выделила из своего подразделения по выпуску полупроводников группу для контрактного производства чипов, что потребовало новых подходов для привлечения клиентов, как, например, это делает тайваньская TSMC, которая регулярно и в красках расписывает, как она начнёт выпускать 5-нм и даже 3-нм чипы.
В Samsung не остались в долгу, и также заяили, что "не лыком шиты", представив новинки своих технологий в Санта-Кларе, на домашней конференции Samsung Foundry Forum (SFF) 2018 USA. Представители южнокорейского техногиганта рассказали о будущих техпроцессах с нормами 7 нм, 5 нм, 4 нм и 3 нм. Людям необходимы всё более компактные и мощные мобильные решения с постоянным подключением к Сети. Поэтому в Samsung прекрасно осознают важность непрерывного внедрения новейших техпроцессов.
Так, например, 7LPP (7nm Low Power Plus) будет готов к выпуску решений во 2-м полугодии 2018 года. Правда, полный комплект IP-блоков в виде готовых для применения разработчикамитаких решений будет подготовлен в 1-й половине 2019-го. Это отсрочит появление массовых 7-нм чипов, но не отпугнёт тех, кто готов самостоятельно разрабатывать схемотехнику для скорейшего выпуска 7-нм продукции. Например, компания Qualcomm готова выпускать 5G-чипы с использованием техпроцесса Samsung 7LPP. Это будет первый в индустрии техпроцесс, который станет частично использовать сканеры диапазона EUV.
Следующим техпроцессом, который Samsung намерен внедрить в производство, станет техпроцесс 5LPE (5nm Low Power Early). Отметим, для техпроцесса с нормами 7 нм нет «раннего» варианта типа 7LPE (Early). В корпорации сразу решили переходить к частичному использованию сканеров EUV. Поэтому техпроцесс 5LPE станет чем-то вроде развитой версии техпроцесса 7LPP, что позволит уменьшить площадь кристаллов и увеличить энергоэффективность решений. Всё это ожидается уже в следующем году, когда TSMC будет только начинать использовать сканеры EUV для второго поколения своего 7-нм техпроцесса. Так что у Samsung имеется очень агрессивный план по внедрению новых техпроцессов.
В 2020 году, уже на основе внедрённого в производство техпроцесса 5LPE и с учётом всех выявленных проблем, Samsung планирует внедрить в производство техпроцессы 4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus). При этом решения с нормами 4 нм сохранят структуру вертикальных транзисторов FinFET, хотя ранее корпорация на этом этапе планировала перейти на кольцевые затворы. Очевидно, было принято решение не экспериментировать, а внедрять то, что пока ещё может работать. Техпроцесс 5LPP отсутствует в планах, а заменить его, по-видимому, решено 4-нм техпроцессом.
Техпроцесс с нормами 3 нм и кольцевыми затворами Gate-All-Around в виде версий 3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus) вендор собирается запустить в 2021 году. Кольцевые затворы будут окружать транзисторные каналы со всех сторон, что позволит удержать рабочие токи на заданном уровне, несмотря на сильно измельчавшие каналы и площади затворов.
Samsung выбрал в качестве затворов наностраницы, а не нанопровода. Проще говоря, кольцевые затворы в разрезе будут выглядеть как прямоугольники со скруглёнными краями. Подробные и ожидаемые характеристики транзисторов для всех указанных техпроцессов Samsung обещает обнародовать позже.

Samsung Set to Power the Future of High-Performance Computing and Connected Devices with Silicon Innovation

Details were disclosed at the company’s 3rd Annual US Samsung Foundry Forum

Samsung Electronics, a world leader in advanced semiconductor technology solutions, today unveiled a series of new silicon innovations at the heart of future high-performance computing and connected devices.
With comprehensive process technology roadmap updates down to 3-nanometer (nm) at the annual ‘Samsung Foundry Forum (SFF) 2018 USA’, Samsung Foundry is focused on providing customers with the tools necessary to design and manufacture powerful, yet energy-efficient system-on-chips (SoC) for a wide range of applications.
“The trend toward a smarter, connected world has the industry demanding more from silicon providers,” said Charlie Bae, executive vice president and head of the Foundry Sales & Marketing Team at Samsung Electronics. “To meet that demand, Samsung Foundry is powering innovation at the silicon level that will ultimately give people access to data, analysis, and insight in new and previously unthought-of ways to make human lives better. It is imperative for us to accomplish the first-time silicon success for our customers’ next-generation chip designs.”

Process Technology Roadmap Updates

* 7LPP (7nm Low Power Plus): 7LPP, the first semiconductor process technology to use an EUV lithography solution, is scheduled to be ready for production in the second half of this year. Key IPs are under development, aiming to be completed by the first half of 2019.

* 5LPE (5nm Low Power Early): Through further smart innovation from the 7LPP process, 5LPE will allow greater area scaling and ultra-low power benefits.

* 4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus): The use of highly mature and verified FinFET technology will be extended to the 4nm process. As the last generation of FinFET, 4nm provides a smaller cell size, improved performance, and faster ramp-up to the stable level of yield by adopting proven 5LPE, supporting easy migration.

* 3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus): 3nm process nodes adopt GAA, the next-generation device architecture. To overcome the physical scaling and performance limitations of the FinFET architecture, Samsung is developing its unique GAA technology, MBCFETTM (Multi-Bridge-Channel FET) that uses a nano-sheet device. By enhancing the gate control, the performance of 3nm nodes will be significantly improved.

HPC (High-Performance Computing) Solutions

Samsung Foundry delivers the technology solutions to drive the latest hyper-scale datacenters and accelerate the growth of Artificial Intelligence (AI) and Machine Learning capability. From the latest 7LPP technology and beyond with its EUV capability, to the differentiated high-speed IPs such as 100Gbps+ SerDes on top of the innovative 2.5D/3D heterogeneous packaging, Samsung delivers the total platform solutions to greatly increase computing power and accelerate AI revolution.

Connected Device Solutions

From low-power microcontroller units (MCU) and next-generation connected devices to the most sophisticated autonomous vehicles based on 5G and Vehicle to Everything (V2X) communication, Samsung Foundry offers full-featured turnkey platforms to enable compelling products. A broad technology portfolio from 28/18 FD-SOI with eMRAM and RF capability to advanced 10/8nm FinFET processes will enable a great end-user experience for connected devices.
Mr. Bae continued, “Over the past year, we have focused on strengthening our EUV process portfolio to provide each of our customers with the finest technologies. Applying GAA structure to our next generation process node will enable us to take the lead in opening a new smart, connected world, while also to reinforcing our technology leadership.”
Details regarding Samsung Foundry can be found at http://samsungfoundry.com and http://linkedin.com/company/samsungfoundry