Samsung раскрыл информацию о новых SSD на базе QLC V-NAND для ПК и серверов

Специалисты полупроводниковой отрасли знают, что техногигант Samsung намеренно не создавал микросхемы флэш-памяти с архитектурой QLC NAND (хранящих 4 разряда данных в одной ячейке) в рамках поколения 64-слойной памяти V-NAND. Но в случае с 96-слойной V-NAND вендор поменяет свой подход и станет предлагать SSD на основе микросхем с архитектурой QLC для серверов и ПК. На японском ресурсе SSD Forum южнокорейский чеболь раскрыл первые подробности о своих будущих QLC-накопителях.
Главным преимуществом флэш-памяти 3D QLC NAND по сравнению с 3D TLC NAND является увеличенная на 33% плотность хранения данных, и, следовательно, более низкая стоимость их хранения (при условии примерно одинакового уровня выхода годных микросхем). Как следствие, первыми накопителями на базе 3D QLC V-NAND производства Samsung станут модели большой ёмкости для клиентов, которым требуется хранить существенные объёмы данных и которые более заинтересованы в увеличении плотности хранения, чем в максимально возможной производительности.
Samsung уже более года работает над твердотельным накопителями повышенной ёмкости с интерфейсами SAS/U.2 на основе QLC V-NAND. Такие SSD предназначены для приложений типа WORM (write once, read many; однократная запись, многократное чтение), не оптимизированных для быстрой записи, но явно превосходящих по производительности массивы на жёстких дисках. В Samsung ожидают, что их первые накопители на базе QLC V-NAND с интерфейсом PCIe/NVMe обеспечат скорость последовательного чтения до 2500 Мбайт/с, тогда как их скорость случайного чтения составит 160 тысяч IOPS. Подобный уровень производительности многократно выше такового у жёстких дисков со скоростью вращения шпинделя 10 тысяч оборотов в минуту. Впрочем, очевидно, что SSD высокой ёмкости на основе флэш-памяти QLC NAND должны заменять множество жёстких дисков, работающих в RAID-массиве. Потому сравнение производительности одного твердотельного накопителя с HDD ёмкостью 2,4 Тбайт не слишком корректно, особенно если учитывать фактор потребления энергии.
Ещё одним семейством продуктов Samsung на базе флэш-памяти 3D QLC V-NAND будут твердотельные накопители ёмкостью более 1Тб для клиентских ПК. Эти SSD будут использовать интерфейс SATA и обеспечат последовательную скорость чтения и записи около 520 Мбайт/с (при использовании SLC-кеширования), что соответствует сегодняшним недорогим твердотельным накопителям. Samsung пока не раскрывает, когда подобные устройства станут доступны, но отметили, что клиентские SSD ёмкостью 1Тб и более перейдут в разряд широко распространённых примерно в 2020 году, в основном из-за появления флэш-памяти QLC 3D NAND.
В то же время Samsung не ожидает, что QLC NAND в ближайшее время заменит TLC NAND как основной тип флэш-памяти для SSD. QLC NAND требует более дорогих контроллеров со значительно более высокой производительностью, чтобы гарантировать надлежащую износоустойчивость. Таким образом, преимущество относительно недорогой (в пересчёте на Гбайт/$) памяти могут быть нивелированы в клиентских SSD стоимостью контроллеров.

Samsung Discloses First Details About QLC-Based Client & Server SSDs

It is not a secret that Samsung deliberately avoided QLC NAND with its 64-layer V-NAND flash, in the process citing various reasons. With its 96-layer V-NAND however, the company is changing its approach and is going to offer QLC-based SSDs for client and server computers. At the Samsung SSD Forum in Japan the company disclosed the first details about the upcoming drives.
The key advantage of 3D QLC NAND over 3D TLC is of course a 33% higher storage density and therefore a lower per-bit storage cost (assuming a similar yield). Therefore, the first drives to adopt Samsung’s 3D QLC V-NAND will be high-capacity SSDs for those customers who need to store a lot of data and may not be that interested in the maximum performance.
Samsung has been openly working on ultra-high-capacity SAS/U.2 SSDs based on QLC V-NAND memory for well over a year now. These drives will be used for WORM (write once, read many) applications not optimized for fast writes, but clearly outperforming HDD-based arrays. Samsung expects its first QLC-powered NVMe drives to offer up to 2500 MB/s sequential read speed as well as up to 160K random read IOPS, significantly outperforming high-end 10K RPM HDDs. Evidently, high-capacity QLC-based SSDs are supposed to substitute multiple 10K RPM hard drives working in a RAID array, so comparing performance of a single SSD to a 2.4 TB HDD may not be too representative, especially when power consumption is taken into account.
Another lineup of Samsung’s products to use 3D QLC V-NAND will be client SSDs featuring capacities higher than 1 TB. These drives will use a SATA interface and will offer sequential read and write performance of around 520 MB/s (when SLC write caching is enabled), according to details that Samsung disclosed at its SSD Forum. Samsung does not disclose when such drives are set to become available, but the company says that Terabyte-class client SSDs will become mainstream in 2020 because of QLC V-NAND.
In the meantime, Samsung does not expect QLC V-NAND to replace TLC V-NAND as the mainstream type of flash memory any time soon. QLC NAND requires more expensive controllers with considerably higher processing capabilities to guarantee a proper endurance. Therefore, the low-cost per-bit advantages of memory may not be that obvious on client SSDs.

Samsung объявил о получении экологического сертификата для накопителей 512Гб V-NAND и 860 EVO 4TB SSD

В официальном пресс-релизе Samsung объявил о получении первого в отрасли сертификата экологической надёжности в Южной Корее (EPD) на модули памяти 512Gb и 860 EVO 4Tb SSD с 64-разрядным 3-битным V-NAND. 
Декларация экологического продукта является национальной системой сертификации в Южной Корее, которая признаёт эффективность изделия в соответствии с 7-ю ключевыми экологическими метриками, включая углеродный след, ресурсный след, истощение озона, подкисление, эвтрофикацию, фотохимический смог и водный след.
«Сертификация EPD продемонстрирует нашим клиентам, что высокопроизводительные продукты Samsung предлагают не только передовые технологии, но и сертифицированную экологическую надёжность», - сказал Майк Манг, вице-президент по маркетингу брэндов, подразделение Memory Business в Samsung Electronics. «В будущем Samsung планирует начать массовое производство V-NAND на 1Тб, чтобы возглавить рост быстрорастущего рынка ультравысоких мощностей и укрепить своё экологическое лидерство в мире хайтэка».

Samsung Receives the Industry’s First Environmental Product Declaration Certificate for 512Gb V-NAND and 860 EVO 4TB SSD

Samsung’s efforts to reduce its environmental footprint continue with the launch of eco-friendly high-capacity SSD product line-ups

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it is being recognized for its environmental reliability by receiving the industry’s first Environmental Product Declaration* (EPD) certificate in Korea with its 512Gb 64-layer 3bit V-NAND and 860 EVO 4TB SSD.
The Environmental Product Declaration is a national certification system in Korea which recognizes a product’s performance according to seven key environmental metrics including carbon footprint, resource footprint, ozone depletion, acidification, eutrophication, photochemical smog, and water footprint.
In terms of per capacity (gigabit), the carbon emission of the 512Gb 3-bit V-NAND has been reduced to less than half of that of the 10-nanometer (nm)-class 64Gb V-NAND that was certified last year.
An 8TB SSD composed with the 512Gb V-NAND can reduce approximately 240kg CO2 of carbon emission per year compared to a 8TB SSD product composed with the 64Gb NAND, producing the same effect as planting twenty-five 30-year-old trees**.
“The EPD certification will serve as an assurance to our customers that Samsung’s high-capacity products offer not only cutting-edge technology, but also certified environmental reliability” said Mike Mang, Vice President of Brand Product Marketing, Memory Business at Samsung Electronics. “Samsung plans to begin mass production of 1Tb V-NAND in the future to lead the growth of the rapidly expanding ultrahigh-capacity storage market and strengthen its eco-friendly technology leadership.”
Samsung Electronics seeks to leverage its advancements in environmental reliability to lead the consumer market by exceeding customer expectations, just as it has continuously delivered in high performance and energy efficiency in the corporate SSD market.
Samsung earned its first low carbon footprint certification for the DDR3 DRAM server module in 2009 and had since expanded its environmental certification portfolio across its key products, including NAND flash, LPDDR, SSD, and application processors.

* The EPD certification is developed in accordance with the International Standards ISO 14000s (14025, 14044, 14046). The certification is managed by the Korean Ministry of Environment and operated by the Korea Environmental Industry & Technology Institute.
** The amount of carbon absorbed by an average 30-year-old tree in a year is 9.36 kg CO2.

Samsung объявляет о старте продаж SSD для серверов ёмкостью 8Tb

В сегодняшнем официальном пресс-релизе Samsung Electronics сообщает о старте продаж новых твердотельных накопителей объёмом 8Тб, которые предназначены для центров обработки данных.
Впервые о скорой готовности к массовому производству таких компонентов было объявлено в марте. 
Новые накопителях используют Next-generation Small Form Factor (NGSFF), который также называется NF1. Этот формат должен пройти стандартизацию JEDEC в октябре текущего года. Он позволит заменить накопители M.2, предлагая, как минимум, вдвое большую ёмкость.
Накопитель содержит 16 чипов памяти объёмом по 512Гб, которые размещены на плате с габаритами 11х3,05 см. Тип применяемой памяти — 3-bit V-NAND. При этом размеры твердотельных накопителей M.2 NVMe составляют 11х2,2 см. Как указано в пресс-релизе, в серверы 2U возможна установка до 72-х новых накопителей общей ёмкостью до 576Тб.
В SSD используется новый контроллер с поддержкой протокола NVMe 1.3 и интерфейса PCIe 4.0. Скорость чтения/записи достигает 3100 МБ/с и 2000 МБ/с соответственно. Производительность при операциях чтения и записи достигает 500.000 и 50.000 IOPS. Кроме того, новые SSD получили 12Гб оперативной памяти LPDDR4 для более скоростной и энергоэффективной обработки данных.
В сопроводительных документах говорится, что новые накопители выдержат перезапись всего объема 8Тб до 1,3 раза в день в течение 3-летнего гарантийного срока.
Как говорят специалисты, лет 30 назад такие параметры считались бы абсолютной фантастикой или инопланетными технологиями.

Samsung Introduces 8TB SSD for Data Centers in Next-generation ‘NF1’ Form Factor

72 NF1 SSDs can be combined to offer world’s highest storage density of 576TB in 2U servers

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has launched the industry’s highest capacity NVMe solid state drive (SSD) based on the incredibly small Next-generation Small Form Factor (NGSFF)* – an eight-terabyte (TB) NF1** SSD. The new 8TB NVMe NF1 SSD has been optimized for data-intensive analytics and virtualization applications in next-generation data centers and enterprise server systems.
“By introducing the first NF1 NVMe SSD, Samsung is taking the investment efficiency in data centers to new heights,” said Sewon Chun, senior vice president of Memory Marketing at Samsung Electronics. “We will continue to lead the trend toward enabling ultra-high density data centers and enterprise systems by delivering storage solutions with unparalleled performance and density levels.”
The new SSD is built with 16 of Samsung’s 512-gigabyte (GB) NAND packages, each stacked in 16 layers of 256 gigabit (Gb) 3-bit V-NAND chips, achieving an 8TB density in an ultra-small footprint of 11cm x 3.05cm. This is twice the capacity offered by the M.2 NVMe SSD (11cm x 2.2cm) commonly used in hyper-scale server designs and ultra-slim laptops. The NF1 SSD is expected to quickly and easily replace conventional 2.5-inch NVMe SSDs by enabling up to three times the system density in existing server infrastructure, allowing for an unprecedented 576TB of storage space in the latest 2U rack servers.
The NF1 SSD features a brand new, high-performance controller that supports the NVMe 1.3 protocol and PCIe 4.0 interface, delivering sequential read speeds of 3,100 megabytes per second (MB/s) and write speeds of 2,000MB/s. These speeds are more than five times and three times that of a typical SATA SSD, respectively. Random speeds come in at 500,000 IOPS for read operations and 50,000 IOPS for writes. Utilizing the new NF1 storage solution, an enterprise server system can perform over one million IOPS in a 2U rack space, significantly enhancing the return on investment for next-generation large-scale data centers. The SSD also includes a 12GB LPDDR4 DRAM to enable faster and more energy-efficient data processing.
To ensure long-term data reliability, the NF1 NVMe SSD has been designed with an endurance level of 1.3 drive write per day (DWPD), which guarantees writing an entire 8TB of data 1.3 times a day over its three-year warranty period.
Samsung plans to accompany its 256Gb 3-bit V-NAND-based SSD with a 512Gb version in the second half of this year to accommodate even faster processing for big data applications, while also accelerating the growth in next-generation enterprise and mid-market data centers.

* Next-generation Small Form Factor (NGSFF) is the latest SSD standard which is expected to be standardized by JEDEC in October. It succeeds the M.2 standard and can more than double the space utilization within server systems.
** NGSFF is also referred to as NF1.

Samsung представил твердотельные накопители PM883 объёмом до 8ТБ для вычислительных центров

Samsung Electronics объявляет о выпуске твердотельных накопителей PM883 объёмом до 8ТБ. Это самые ёмкие SSD для вычислительных центров, оснащённые интерфейсом SATA 6 Гбит/с. В них используются 64-слойная флэш-память Samsung V-NAND. Также это первые SSD типоразмера 2,5 дюйма, в которых используются модули памяти LPDDR4 DRAM (16 Гбит), и первые SSD, поддерживающие функцию управления питанием Power Disable (PWDIS), описанную в спецификациях SATA 3.3. Она позволяет отключать питание отдельных блоков для снижения энергопотребления. Меры энергосбережения позволили снизить потребляемую мощность до 2,8 Вт в режиме чтения и до 3,7 Вт — в режиме записи.
Скорость последовательного чтения достигает 550 МБ/с, последовательной записи — 520 МБ/с. Производительность на операциях с произвольным доступом достигает 98.000 IOPS и 28.000 IOPS в режимах чтения и записи соответственно.
Ресурс равен 5466 TBW для накопителя объёмом 3840 ГБ и 10.932 TBW — в случае накопителя объёмом 7680 ГБ.

Samsung Launches Energy-Efficient PM883 SSD with SATA 3.3, LPDDR4

Samsung has introduced its new lineup of datacenter-class SSDs that uses its latest V-NAND flash memory and a SATA interface. The new drives offer up to 7680 GB capacity, consume less power than predecessors including helium-filled hard drives.
The Samsung PM883 SSDs are based on the company’s proprietary controller as well as 64-layer TLC V-NAND memory. The new drives carry 4 TB and 8 TB of raw NAND flash memory to provide 3840 and 7680 GB capacities. Meanwhile, the key feature of the PM883 is not capacity, but very low power consumption when compared to other SSDs: they consume only 2.8 W during read operations and 3.7 W during write operations. To reduce power consumption, the PM883 use several methods: in addition to usage of high-density V-NAND flash memory, they use LPDDR4 DRAM produced using a 10-nm-class process technology. Furthermore, the drives support Power Disable (PWDIS) feature of the SATA 3.3 protocol that enables power management in individual SSDs within a data center. Obviously, to take advantage of the PWDIS, host systems have to support this feature too.
When it comes to performance, the Samsung PM883 can read data sequentially at 550 MB/s and write data at 520 MB/s. As for random performance, the new drives are capable of 98,000 read IOPS as well as 28,000 write IOPS. Meanwhile, the endurance of Samsung’s PM883 SSDs is rated at 5466 TB for the 3840 GB model and 10,932 TB for the 7680 GB SKU.
Samsung said that the PM883 SSDs will be covered by a three-year warranty and therefore rated for about 1.3 DWPD (drive writes per day).

Беспрецедентное достижение: Samsung запустил в массовое производство первый в мире SSD-накопитель ёмкостью более 30Тб!

В сегодняшнем официальном прессрлизе техногигант Samsung объявил о запуске в массовое производство твердотельного накопителя серии PM1643 с рекордным объёмом в 30.72 терабайта. Решение ориентировано на корпоративный сегмент.

SSD-чемпион

По сравнению с предыдущим поколением южнокорейскому гиганту удалось в 2 раза увеличить ёмкость накопителей. SSD в форм-факторе 2.5 дюйма под завязку нашпигованы 512-гигабитными чипами 64-слойной флэш-памяти V-NAND (по 16 штук в 32 модулях). Новинки используют интерфейс Serial Attached SCSI (SAS), производительность в операциях с произвольным доступом составляет 400.000 IOPS в режиме чтения и 50.000 IOPS при записи. Скорость последовательного чтения и записи достигает 2.100 и 1.700 мегабайт в секунду. Имеется защита от потери данных при отключении питания. 
SSD способен выдержать ежедневную перезапись данных в течение пятилетнего гарантийного срока. В линейке Samsung PM1643 также будут представлены модели на 15.36Тб, 7.68Тб, 3.84Тб, 1.92Тб, 960Гб и 800Гб.

Какова цена?

В Samsung сочли разумным пока не шокировать публику ценами на новые накопители. В 2016 году топовая модель на 15.36Тб стоила на старте от $10.000, но с тех пор цены на память заметно выросли. При этом надо учитывать, что для крупных дата-центров такие цены вовсе не являются "неподъёмными", поскольку прямые выгоды от эксплуатации новых SSD-модулей очевидны.
Абсолютный рекорд ёмкости чисто номинально принадлежит Seagate, но показанный ещё позапрошлым летом 60-терабайтный SSD до сих пор так и не поступил в продажу.
В Samsung пошли другим путём, действуя по формуле "меньше слов, а больше дела", выпустив надёжно работающее коммерческое устройство, первые партии которого будут отправлены заказчикам уже в ближайшее время.

Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry’s Largest Capacity SSD – 30.72TB – for Next-Generation Enterprise Systems

New 'PM1643' is built on latest 512Gb V-NAND to offer the most advanced storage, featuring industry-first 1TB NAND flash package, 40GB of DRAM, new controller and custom software
Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass producing the industry’s largest capacity Serial Attached SCSI (SAS) solid state drive (SSD) – the PM1643 – for use in next-generation enterprise storage systems. Leveraging Samsung’s latest V-NAND technology with 64-layer, 3-bit 512-gigabit (Gb) chips, the 30.72 terabyte (TB) drive delivers twice the capacity and performance of the previous 15.36TB high-capacity lineup introduced in March 2016.
This breakthrough was made possible by combining 32 of the new 1TB NAND flash packages, each comprised of 16 stacked layers of 512Gb V-NAND chips. These super-dense 1TB packages allow for approximately 5,700 5-gigabyte (GB), full HD movie files to be stored within a mere 2.5-inch storage device.
In addition to the doubled capacity, performance levels have risen significantly and are nearly twice that of Samsung’s previous generation high-capacity SAS SSD. Based on a 12Gb/s SAS interface, the new PM1643 drive features random read and write speeds of up to 400,000 IOPS and 50,000 IOPS, and sequential read and write speeds of up to 2,100MB/s and 1,700 MB/s, respectively. These represent approximately four times the random read performance and three times the sequential read performance of a typical 2.5-inch SATA SSD*.
“With our launch of the 30.72TB SSD, we are once again shattering the enterprise storage capacity barrier, and in the process, opening up new horizons for ultra-high capacity storage systems worldwide,” said Jaesoo Han, executive vice president, Memory Sales & Marketing Team at Samsung Electronics. “Samsung will continue to move aggressively in meeting the shifting demand toward SSDs over 10TB and at the same time, accelerating adoption of our trail-blazing storage solutions in a new age of enterprise systems.”
Samsung reached the new capacity and performance enhancements through several technology progressions in the design of its controller, DRAM packaging and associated software. Included in these advancements is a highly efficient controller architecture that integrates nine controllers from the previous high-capacity SSD lineup into a single package, enabling a greater amount of space within the SSD to be used for storage. The PM1643 drive also applies Through Silicon Via (TSV) technology to interconnect 8Gb DDR4 chips, creating 10 4GB TSV DRAM packages, totaling 40GB of DRAM. This marks the first time that TSV-applied DRAM has been used in an SSD.
Complementing the SSD’s hardware ingenuity is enhanced software that supports metadata protection as well as data retention and recovery from sudden power failures, and an error correction code (ECC) algorithm to ensure high reliability and minimal storage maintenance. Furthermore, the SSD provides a robust endurance level of one full drive write per day (DWPD), which translates into writing 30.72TB of data every day over the five-year warranty period without failure. The PM1643 also offers a mean time between failures (MTBF) of two million hours.
Samsung started manufacturing initial quantities of the 30.72TB SSDs in January and plans to expand the lineup later this year – with 15.36TB, 7.68TB, 3.84TB, 1.92TB, 960GB and 800GB versions – to further drive the growth of all-flash-arrays and accelerate the transition from hard disk drives (HDDs) to SSDs in the enterprise market. The wide range of models and much improved performance will be pivotal in meeting the growing storage needs in a host of market segments, including the government, financial services, healthcare, education, oil & gas, pharmaceutical, social media, business services, retail and communications sectors.

* Compared to 2.5-inch Samsung SSD 850 EVO

Samsung представил твердотельные накопители 860 PRO и 860 EVO с поддержкой V-NAND

Корпорация Samsung Electonics в официальном пресс-релизе представила самое современное дополнение к линейке твердотельных накопителей (SSD) с поддержкой интерфейса SATA – модели 860 PRO и 860 EVO.
Устройства предназначены для потребителей, которые нуждаются в высокой производительности для разных сценариев: от повседневного использования до высоких нагрузок при работе с графикой. Модели стали преемниками 850 PRO и 850 EVO – первых в индустрии твердотельных накопителей с поддержкой технологии V-NAND. 860 PRO и 860 EVO демонстрируют рекордную производительность в индустрии накопителей с интерфейсом SATA. Пользователи заметят значительный прирост скорости и надёжности работы, а также улучшенную совместимость и увеличенную ёмкость.
«Новые 860 PRO и 860 EVO совмещают 64-слойную флэш-память V-NAND на 512 и 256 Гб, мобильную LPDDR4 DRAM до 4 ГБ и новый контроллер MJX, который повышает удобство работы как для обычных, так и корпоративных пользователей, – говорит Ун-Су Ким (Un-Soo Kim), вице-президент отдела брэнд-маркетинга бизнеса устройств памяти в Samsung Electronics. – Samsung продолжит внедрять важные инновации в сферу твердотельных накопителей и способствовать развитию направления устройств памяти в целом».
Сегодня размеры файлов из-за фотографий в высоком разрешении и 4К-видео постоянно увеличиваются. На фоне этого высокая скорость отправки данных и стабильная производительность стали первоочередными требованиями пользователей. Для удовлетворения этой потребности Samsung 860 PRO и 860 EVO поддерживают скорость чтения и записи до 560 и 530 Мб/с соответственно. К тому же модели предлагают обновлённую пятилетнюю гарантию или до 4800 записанных терабайтов (TBW) для 860 PRO и до 2400 TWB для 860 EVO. Новый контроллер MJX обеспечивает более быструю связь с хостом. Его мощности хватит для работы с хранилищем рабочей станции при улучшенной совместимости с операционной системой Linux.
Твердотельный накопитель 860 PRO доступен в версиях на 256 Гб, 512 Гб, 1 Тб, 2 Тб и 4Тб. 4 Тб памяти хватит для хранения записи 4К Ultra HD видео длительностью 114 часов и 30 минут. 860 PRO доступен в широко совместимом 2,5-дюймовом форм-факторе, который идеально подходит для персональных компьютеров, ноутбуков, рабочих станций и сетевых хранилищ NAS.
Ёмкость 860 EVO может составлять 250 Гб, 500 Гб, 1 Тб, 2 Тб и 4 Тб. Модель будет доступна в версии на 2,5 дюйма для персональных компьютеров и ноутбуков, а также в форм-факторах mSATA и M.2. Твердотельный накопитель 860 EVO демонстрирует шестикратное улучшение производительности в сравнении с предшественником благодаря технологии Intelligent TurboWrite. Скорость чтения и записи достигает 550 Мб/с и 520 Мб/с соответственно.

Samsung Electronics Advances SATA Lineup with 860 PRO and 860 EVO Solid State Drives Powered by V-NAND

Both drives integrate the latest 64-layer V-NAND technology and MJX controller for ultimate performance and reliability

Samsung Electronics today introduced the 860 PRO and 860 EVO solid state drives (SSDs), the most up-to-date additions to the company’s SATA interface lineup. The products are aimed at consumers who require fast, reliable performance across various applications, from everyday computing to heavy workloads and graphic-intensive operations. Building on the successful launch of the 850 PRO and 850 EVO – the industry’s first consumer SSDs with V-NAND technology – the 860 PRO and 860 EVO achieve industry-leading performance for SATA SSDs, offering enhancements in speed, reliability, compatibility and capacity.
“The new 860 PRO and 860 EVO SSDs combine the latest 512Gb and 256Gb 64-layer V-NAND, up to 4GB LPDDR4 mobile DRAM and a new MJX controller to elevate the user experience for both consumers and businesses,” said Un-Soo Kim, senior vice president of Brand Product Marketing, Memory Business at Samsung Electronics. “Samsung will continue to fuel meaningful innovations in the consumer SSD space and drive growth of the overall memory industry for years to come.”
As file sizes continue to increase with high-resolution photos and 4K videos, the need for faster data transfers and sustainable high performance over a longer period of time has become paramount for users. To address this need, Samsung’s 860 PRO and 860 EVO support up to 560 MB/s read and 530 MB/s write1 speeds and offer unmatched reliability with an upgraded five-year limited warranty2, or up to 4,800 terabytes written (TBW)3 for the 860 PRO and up to 2,400 TBW4 for the 860 EVO. The new MJX controller also enables faster communication with the host system. The controller is powerful enough to handle workstation storage, while improving Linux operating system compatibility.
The 860 PRO are available in 256GB, 512GB, 1TB, 2TB and 4TB5 capacities, with the 4TB memory storage holding up to 114 hours and 30 minutes of 4K Ultra HD video. The 860 PRO is available in a widely compatible 2.5-inch form factor, which is ideal for PCs, laptops, workstations and NAS.
The 860 EVO come in 250GB, 500GB, 1TB, 2TB and 4TB6 capacities, in a 2.5-inch for PCs and laptops, as well as mSATA and M.2 form factors for ultra-slim computing applications. The 860 EVO has up to six times longer sustained performance than its predecessor due to enhanced Intelligent TurboWrite7 technology, with read and write speeds of up to 550 MB/s and 520 MB/s8, respectively.
The 860 PRO and 860 EVO SSDs are available from this month with manufacturer’s suggested retail prices starting at $139.99 and $94.99 USD, respectively. For more information, please visit www.samsung.com/SSD, www.samsungssd.com.

1 Performance may vary based on SSD’s firmware version, system hardware and configuration. Performance measurements based on CrystalDiskMark v.5.0.2 and IOmeter 1.1.0. *Test system configuration: Intel Core i5-3550 CPU @ 3.3 GHz, DDR3 1333 MHz 4GB, OS – Windows 7 Ultimate x64, Chipset: ASUS P8H77-V

2 Five years or TBW, whichever comes first. For more information on the warranty, please find the enclosed warranty document in the package.

3, 4 Warrantied TBW for 860 PRO: 300 TBW for 256GB model, 600 TBW for 512GB model, 1,200 TBW for 1TB model, 2,400 TBW for 2TB model and 4,800 TBW for 4TB model.
Warrantied TBW for 860 EVO: 150 TBW for 250GB model, 300 TBW for 500GB model, 600 TBW for 1TB model, 1,200 TBW for 2TB model and 2,400 TBW for 4TB model.

5, 6 1GB=1,000,000,000 bytes by IDEMA. A certain portion of capacity may be used for system file and maintenance use, so the actual capacity may differ from what is indicated on the product label.

7 The TurboWrite buffer size varies based on the capacity of the SSD; 12GB for 250GB model, 22GB for 500GB model, 42GB for 1TB model and 78GB for 2/4TB. For more information on the TurboWrite, please visit www.samsungssd.com.

8 Performance may vary based on SSD’s firmware version, system hardware & configuration. Sequential write performance measurements are based on Intelligent TurboWrite technology. Performance measurements based on CrystalDiskMark v.5.0.2 and IOmeter 1.1.0. The sequential write performances after Intelligent TurboWrite region are 300 MB/s for 250/500GB and 500 MB/s for 1TB.

9 Terabytes Written

Samsung начнёт производство флэш-памяти Z-NAND до конца 2017 года

Samsung впервые продемонстрировал твердотельный накопитель на основе памяти Z-NAND в начале текущего года. Модель объёмом 800Гб имеет производительностью чтения/записи 750.000/160.000 IOPS и скоростью записи 3,2Гб/с.
Как сообщает портал BusinessKorea, производство памяти Z-NAND и соответствующих контроллеров должно начаться ещё до конца нынешнего года. Samsung уже начал обсуждение вариантов поставок с клиентами и наладил тестовое производство.
Также стало известно, что память Z-NAND относится к типу SLC, то есть способна хранить только один бит данных в каждой ячейке. В теории это должно обеспечить высокую надёжность таких модулей памяти, а преимущества с точки зрения производительности и скорости были подтверждены на примере показанного в марте накопителя.
Источник, раскрывший информацию, говорит об относительно небольшой ёмкости микросхем Z-NAND, хотя, если судить по ранним данным, первыми на рынке должны появиться SSD объёмом от 1 до 4Тб.

Samsung Electronics Preparing to Manufacture Z-SSDs

According to industry sources, Samsung Electronics recently developed Z-NAND and a controller optimized for it. The manufacturing of these products is expected to start next year. At present, these products are in a test production phase and Samsung Electronics recently began to discuss supply with clients.
Z-NAND is small in capacity as it is based on a single level cell (SLC), in which one bit is allocated to each cell. However, Z-NAND has advantages in terms of response speed, power consumption and so on. A Z-SSD incorporating this type of NAND has a reading speed about seven times that of solid state drives in general.
Samsung Electronics’ preparation for large-scale Z-SSD production is to cope with the 3D XPoint SSD Intel and Micron Technology developed in April this year. 3D XPoint is a type of phase-change memory and its speed and durability overwhelm those of NAND on the market.
The global SSD market is growing rapidly these days as SSDs are replacing hard disk drives. Specifically, its size reached US$20 billion last year and is estimated to reach US$30 billion within four years. The average SSD selling price is estimated to fall from US$0.61 to US$0.09 per gigabyte between 2014 and 2021.

IFA 2017: Samsung показал новые SSD с USB Type-C объёмом от 250Гб до 2Тб

На завершившейся вчера берлинской выставке IFA 2017 южнокорейский техногигант Samsung показал компактные твердотельные накопители серии T5. Устройства поступят в продажу в октябре.
Внешние накопители выполнены с применением 64-слойных микрочипов флэш-памяти 3D V-NAND. Для подключения к компьютеру используется интерфейс USB 3.1 Type-C, что позволяет достигать скорости передачи данных до 540 Мб/с. Samsung T5 выпускаются в объёмах 250Гб - 2Тб. Производитель заявил о поддержке шифрования информации по 256-битному алгоритму AES. 
Габариты устройств составляют 74х57.3х10.5 мм, вес — 51 грамм. Накопители обладают противоударной защитой и способны выдержать падение с высоты до 2 метров. Комплект поставки включает кабели USB Type-C — USB Type-C и USB Type-C — USB-A.

Стоимость портативных SSD-накопителей Samsung T5: 
250 ГБ — $130 (7 500 рублей)
500 ГБ — $200 (11 500 рублей)
1 ТБ — $400 (23 000 рублей)
2 ТБ — $800 (46 000 рублей)

Различия между линейкой предыдущего поколения T3 с новой T5 (для пользователей компьютеров Apple Mac):

SSD T3
Поддержка ОС: Mac OS X 10.7 и выше
Коннект: USB 3.1 (Gen.1, 5Gbps)
Цвет: все версии серебристо-чёрные
Питание: DC 5V — 0.7A
LED индикатор: нет
Корпус: металл-пластик

SSD T5
Поддержка ОС: Mac OS X 10.9 (Mavericks) и выше
Коннект: USB 3.1 (Gen.2, 10Gbps)
Цвет: версии на 250GB и 500GB ярко-голубые, версии на 1TB и 2TB - чёрные
Питание: DC 5V — 0.8A
LED индикатор: есть
Корпус: цельнометаллический

Samsung лидирует на рынке твердотельных SSD-накопителей

Эксперты аналитической компании Trendfocus опубликовали данные по реализации твердотельных накопителей во 2-м квартале 2017. Согласно отчёту, за этот период было выпущено 42 миллиона штук, что на 5,8% больше, чем в 1-м квартале.
Специалисты отмечают, что поставки потребительских твердотельных накопителей, выполненных в типоразмере, унаследованном от HDD, сократились, а поставки потребительских твердотельных накопителей в виде модулей — выросли, поэтому результирующий показатель роста равен 3,1%. Поставки в потребительском сегменте оцениваются в 35,9 миллиона штук.
В корпоративном сегменте, оцениваемом в 6,1 миллиона, преобладают модели с интерфейсом SATA, которых было отгружено 4,5 миллиона штук. Поставки корпоративных SSD по сравнению с 1-м кварталом увеличились на 25,2%.
Лидером рынка с огромным отрывом остаётся Samsung, на который приходится 35,4% поставок в натуральном выражении и 39,4%, если считать общий объём отгруженных SSD. Распределение рынка в натуральном выражении показано на верхней диаграмме.
Суммарный объём SSD, отгруженных в течение квартала, увеличился по сравнению с 1-м кварталом, на 2,7%. Распределение рынка по объёму отгруженных SSD показано на нижней диаграмме.

Новые внешние SSD-накопители Samsung T5 используют память V-NAND

Каталог Samsung пополнился внешним твердотельным накопителем Portable SSD T5. Новинка базируется на чипах памяти V-NAND и доступна в модификациях объёмом от 250Гб до 2Тб.
Скорость чтения/записи достигает 540 МБ/с. Устройство оснащено интерфейсом USB-C 3.1, а его габариты составляют 74 х 57,3 х 10,5 мм при массе всего 51 г.
Поддерживается шифрование по алгоритму AES с использованием 256-разрядного ключа. Вендор сообщает, что устройство способно без последствий выдержать падение с высоты до 2 метров.
Версии объёмом 250 и 500Гб доступны только в синем цвете, а объёмом 1 и 2ТБ — в чёрном. Стартовая цена за младшую модель составляет 130 долларов.

Samsung Electronics Introduces New Portable SSD T5 – The Latest Evolution in Fast, Reliable Storage

Built with V-NAND technology, drive features industry-leading transfer speeds with encrypted data security in a compact and durable design

Samsung Electronics today announced the introduction of the Samsung Portable SSD T5 – the newest portable solid state drive (PSSD) that raises the bar for the performance of external memory products. The T5, built with Samsung’s latest 64-layer V-NAND technology, delivers industry-leading transfer speeds with encrypted data security in a compact and durable design, making it easier than ever for consumers to access their most valuable data anywhere, at any time.
“Samsung has been pushing the envelope of what is possible in portable storage and solid state drives for years, and the Portable SSD T5 continues our legacy of leadership and innovation,” said Un-Soo Kim, Senior Vice President of Brand Product Marketing, Memory Business at Samsung Electronics. “We are confident that the T5 will exceed consumers’ expectations for external storage by offering faster speeds and a solid design that is lightweight and conveniently pocket-sized. It is the ideal portable storage product for consumers and professionals who are in search of a fast, durable and secure device.”
Delivering stunning speeds of up to 540 MB/s1 – up to 4.9 times faster2 than external HDD products – the new T5 is designed especially for content creators, business and IT professionals as well as mainstream consumers to give instant, easy access to data. Also, the T5 is smaller than an average business card at 74 x 57.3 x 10.5 millimeters (3.0 x 2.3 x 0.4 inches) and incredibly lightweight at a mere 51 grams, comfortably fitting in the palm of your hand. The aluminum exterior comes in two distinct metal finishes – Deep Black (1TB and 2TB models) and Alluring Blue (250GB and 500GB models).
With no moving parts and a shock-resistant internal frame, the T5 offers users peace of mind as it can withstand accidental drops of up to 2 meters (6.6 feet)3. The Samsung Portable SSD Software4 for PCs and Macs based on the AES 256-bit hardware data encryption makes it easy to configure security settings and receive the latest firmware and software updates. A mobile app5 is also available for Android smartphones and tablets for even further convenience. In addition, the T5 includes two connection cables – USB-C to C and USB-C to A – for enhanced compatibility across numerous devices.6
The T5 comes with a three-year limited warranty and will be available globally Aug. 15 with a manufacturer’s suggested retail price (MSRP) starting at $129.99 for the 250GB model. For more information, please visit www.samsung.com/T5.

1* Performance may vary depending on host configuration. To reach maximum transfer speeds of 540 MB/s, the host device and connection cables must support USB 3.1 Gen 2 and UASP mode must be enabled.
2* Based on internal test results compared to an external HDD 500GB. Test system configuration: Asus® Strix Z270E Gaming motherboard, Intel® Core™ i5-7600 @3.5 GHz, DDR4 1066 MHz 4 GB, OS-Windows® 10 x64, Performance measurements based on CrystalDiskMark 5.2.1.
3* The internal free fall shock test was conducted under controlled conditions.
4* Software requires Windows 7, Mac OS X 10.9 (Mavericks), Android 4.4 (KitKat), or higher. Older versions of the Windows, Mac, and Android operating systems may not be supported. Firmware update requires PC or Mac connection.
5* Android app available on Google Play.
6* Compatibility with host devices may vary. Some operating systems may require T5 reformatting. Please find the compatible devices list on www.samsung.com/portable-ssd.
7* 1 GB=1,000,000,000 bytes, 1 TB=1,000,000,000,000 bytes. Lower capacity may be demonstrated by your computer due to its use of a different measurement standard.
8* Exact weight of product may vary by capacity.
9* Software requires Windows 7, Mac OS X 10.9 (Mavericks), Android 4.4 (KitKat), or higher. Older versions of Windows, Mac and Android operating systems may not be supported. Firmware update requires PC or Mac connection. Available on Google Play.
10* Samsung Electronics shall not be liable for any loss, including but not limited to loss of data or other information contained on Samsung Electronics product or loss of profit or revenue which may be incurred by user. For more information on the warranty, please visit www.samsung.com/portable-ssd.

Portable Solid-State Drive Spec Comparison: T3 vs. T5

Samsung Electronics’ new T5 portable solid-state drive (PSSD), built with Samsung’s latest 64-layer V-NAND technology, delivers encrypted data security, wide device compatibility, and industry-leading transfer speeds to offer users instant access to their most valuable data anytime, anywhere. Available in capacities ranging from 250GB to 2TB, the T5 features a lightweight, shock-resistant design that’s smaller than an average business card and slips effortlessly into your pocket.

   

Samsung представил новые решения в области развития чипов памяти, которые окажут влияние на технологии будущего

В рамках конференции Flash Memory Summit, которая в эти дни проходит в Санта-Клара (США), техногигант Samsung поделился планами развития памяти типа 3D NAND.
Южнокорейский вендор стал пионером массового производства многослойной флэш-памяти, что произошло в 2013 году — примерно на 2 года раньше, чем это смогли сделать конкуренты. Это опережение сохраняется до сих пор, что лишний раз было показано на нынешней конференции. Проще говоря, Samsung было чем удивить отраслевых экспертов.
На мероприятии представители корпорации сообщили, что в следующем году она начнёт массовый выпуск 1-Тбит кристаллов 3D NAND. Скорость передачи для каждого кристалла будет достигать 1,2 Гбит/с. В один стэк можно будет паковать до 32 кристаллов. Для их соединения в стэке будет введён один дополнительный (нижний) слой для проводной обвязки. По всей видимости, это будет память с записью четырёх бит в каждую ячейку. На выходе получатся 2-х и 4-Тбайт сборки, благодаря которым вендор сможет выпускать в 2,5-дюймовом формфакторе 128-Тбайт SSD.
Другой интересной новостью от Samsung стала информация о начале поставок клиентам опытных SSD на базе Z-NAND. Память Z-NAND была анонсировали в прошлом году на том же Flash Memory Summit. Пока о ней мало что известно. По словам представителей Samsung, память Z-NAND — это "убийца" памяти Intel 3D XPoint. Архитектура Z-NAND нацелена на максимальное снижение задержек при обращении. Рабочие образцы, которые уже есть в распоряжении компаний NetApp и Datera, на уровне отдельных кристаллов демонстрируют задержки менее 15 мкс на скорости передачи данных 800 Мбит/с. Накопители на памяти Z-NAND ориентированы на работу с аналитическими программами и используются для кэширования данных.
По некоторым признакам, память Z-NAND представляет собой память 3D NAND с однобитовой ячейкой, за счёт чего достигается высокая скорость, надёжность и малое время доступа. Косвенно это подтвердили менеджеры Samsung, сообщив, что в следующем году начнётся выпуск Z-NAND с записью двух бит данных в ячейку. Это позволит сделать инновационную память дешевле для клиентов, хотя задержки при обращении к Z-NAND MLC немного увеличатся.
Помимо традиционной NAND-флэш в Samsung не забывают и о перспективных типах энергонезависимой памяти. Представители вендора напомнили, что с 2002 года корпорация разрабатывает магниторезистивную память MRAM и память с изменяемым фазовым состоянием вещества (как Intel 3D XPoint). Память MRAM и PRAM обещает стать тем решением, которое сделает оперативную память энергонезависимой.
Наконец, Samsung показал прототип SSD в формфакторе M.3. Накопители M.3 шире SSD в формфакторе M.2. Предложенный Samsung вариант имеет размеры 30,5 x 110,0 x 4,38 мм. Продемонстрированные накопители M.3 будут иметь ёмкость до 16 Тбайт и поддерживать скорость в IOPS до 500 млн операций в секунду (когда в следующем году перейдут на 1-Тбит чипы). Современный прототип даёт возможность выпустить решение в формате U1 ёмкостью 576 Тбайт с производительностью 10 млн IOPS.
Новая флэш-память должна удовлетворить непрерывно увеличивающийся спрос на рынке бурно развивающегося "Интернета вещей" (IoT) и технологий искусственного интеллекта (AI). По заявлению топ-менеджеров Samsung, быстрая флэш-память играет критически важную роль для получения информации и анализа данных в реальном времени.
Таким образом, представленные на Flash Memory Summit продукты снова подтвердили неоспоримое лидерство Samsung в этом важнейшем для будущего всего человечества сегменте и в очередной раз убедили инвесторов в правильности выбранного курса.

Samsung Introduces Far-reaching V-NAND Memory Solutions to Tackle Data Processing and Storage Challenges

Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, has announced new V-NAND (Vertical NAND) memory solutions and technology that will address the pressing requirements of next-generation data processing and storage systems. With the rapid increase of data-intensive applications across many industries using artificial intelligence and Internet of Things (IoT) technologies, the role of flash memory has become extremely critical in accelerating the speed at which information can be extracted for real-time analysis.
At the inaugural Samsung Tech Day* and this year’s Flash Memory Summit**, Samsung is showcasing solutions to address next-generation data processing challenges centered around the company’s latest V-NAND technology and an array of solid state drives (SSDs). These solutions will be at the forefront of enabling today’s most data-intensive tasks such as high-performance computing, machine learning, real-time analytics and parallel computing.
“Our new, highly advanced V-NAND technologies will offer smarter solutions for greater value by providing high data processing speeds, increased system scalability and ultra-low latency for today’s most demanding cloud-based applications,” said Gyoyoung Jin, executive vice president and head of Memory Business at Samsung Electronics. “We will continue to pioneer flash innovation by leveraging our expertise in advanced 3D-NAND memory technology to significantly enhance the way in which information-rich data is processed.

Samsung Heralds Era of 1-Terabit (Tb) V-NAND Chip

Samsung announced a 1Tb V-NAND chip that it expects to be available next year. Initially mentioned in 2013, during unveiling of the industry’s first 3D NAND, Samsung has been working to enable its core memory technologies to realize one terabit of capacity on a single chip using a V-NAND structure.
The arrival of a 1Tb V-NAND chip next year will enable 2TB of memory in a single V-NAND package by stacking 16 1Tb dies and will represent one of the most important memory advances of the past decade.

NGSFF (Next Generation Small Form Factor) SSD to Improve Server Storage Capacity and IOPS

Samsung is sampling the industry’s first 16-terabyte (TB) NGSFF SSD, which will dramatically improve the memory storage capacity and IOPS (input/output operations per second) of today’s 1U rack servers. Measuring 30.5mm x 110mm x 4.38mm, the Samsung NGSFF SSD provides hyper-scale data center servers with substantially improved space utilization and scaling options.
Utilizing the new NGSFF drive instead of M.2 drives in a 1U server can increase the storage capacity of the system by four times. To highlight the advantages, Samsung demonstrated a reference server system that delivers 576TB in a 1U rack, using 36 16TB NGSFF SSDs. The 1U reference system can process about 10 million random read IOPS, which triples the IOPS performance of a 1U server equipped with 2.5-inch SSDs. A petabyte capacity can be achieved using only two of the 576TB systems.
Samsung plans to begin mass producing its first NGSFF SSDs in the fourth quarter of this year, while working to standardize the form factor with industry partners.

Z-SSD: Optimized for Systems Requiring Fast Memory Responsiveness

Following last year’s introduction of its Z-SSD technology, Samsung introduced its first Z-SSD product, the SZ985. Featuring ultra-low latency and high performance, the Z-SSD will be used in data centers and enterprise systems dealing with extremely large, data-intensive tasks such as real-time “big data” analytics and high-performance server caching. Samsung is collaborating with several of its customers on integrating the Z-SSD in upcoming applications.
The Samsung SZ985 requires only 15 microseconds of read latency time which is approximately a seventh of the read latency of an NVMe*** SSD. At the application level, the use of Samsung’s Z-SSDs can reduce system response time by up to 12 times, compared to using NVMe SSDs.
With its fast response time, the new Z-SSD will play a pivotal role in eliminating storage bottlenecks in the enterprise and in improving the total cost of ownership (TCO).

New Approach to Storage with Proprietary Key Value SSD Technology

Samsung also introduced a completely new technology called Key Value SSD. The name refers to a highly innovative method of processing complex data sets. With the sharply increasing use of social media services and IoT applications, which contribute to the creation of object data such as text, image, audio and video files, the complexity in processing this data increases substantially.
Today, SSDs convert object data of widely ranging sizes into data fragments of a specific size called “blocks.” The use of these blocks requires implementation processes consisting of LBA (logical block addressing) and PBA (physical block addressing) steps. However, Samsung’s new Key Value SSD technology allows SSDs to process data without converting it into blocks. Samsung’s Key Value instead assigns a ‘key’ or specific location to each ”value,” or piece of object data – regardless of its size. The key enables direct addressing of a data location, which in turn enables the storage to be scaled. Samsung’s Key Value technology enables SSDs to scale-up (vertically) and scale-out (horizontally) in performance and capacity. As a result, when data is read or written, a Key Value SSD can reduce redundant steps, which leads to faster data inputs and outputs, as well as increasing TCO and significantly extending the life of an SSD.

* Editor’s Note: Samsung Tech Day hosted at Samsung’s Silicon Valley headquarters on Monday August 7th, showcased “Samsung@the Heart of Storage” and provided insights into the company’s plans to deliver IT products that support the big data explosion, give greater access to massive real-time data sets, and provide real-time, fast data capabilities. The event also hosted an executive, customer and analyst panel, and displayed product demos across Samsung’s comprehensive product ecosystem.

** Editor’s Note: Flash Memory Summit (FMS), produced by Conference ConCepts, showcases the mainstream applications, key technologies and leading vendors that are driving the multi-billion dollar non-volatile memory and SSD markets. FMS is reportedly the world’s largest event featuring the trends, innovations, and influencers driving the adoption of flash memory in demanding enterprise storage applications, as well as in smartphones, tablets, and mobile and embedded systems. For more information, please visit at www.flashmemorysummit.com

*** Editors’ Note: Often shortened as NVMe, NVM Express (Non-Volatile Memory Express) is a high performance, scalable host controller interface with a streamlined ‘register and command’ set that has been optimized for enterprise and client systems using PCIe SSDs. For more information, please visit www.nvmexpress.org

Исторический момент: Samsung сверг с пьедестала компанию Intel на рынке полупроводников

Ещё в начале мая появились первые признаки тектонических изменений на мировом рынке полупровдников, когда эксперты стали говорить, что компания Intel может уступить лидерство на полупроводниковом рынке, которое она удерживала последние 24 года.
27 июля был опубликован отчёт корпорации Samsung, доход которой вырос на 9,5 миллиардов долларов США и составил $54,7 миллиарда. Операционная прибыль достигла $12,6 миллиардов, что почти вдвое выше чем у Intel.
Отраслевые аналитики говорят, что Samsung помогает высокий спрос на модули оперативной и флэш-памяти, а также твердотельные накопители. Предварительные прогнозы на текущий квартал указывают, что подразделение Samsung Semiconductor продолжит рост вследствие стабильного спроса на эти комплектующие со стороны производителей мобильных устройств и серверов.

Samsung dethrones Intel as semiconductor king

Samsung Electronics has sprinted ahead of rival Intel as the world’s largest chipmaker for the first time posting record profits in the second quarter.
The US chipmaker, which had reigned supreme for the past 24 years, posted US$14.8 billion revenue and US$3.8 billion operating profit during the April-June period, increasing by 9 percent and 190 percent, respectively, but that was still short of preventing Samsung from taking away the US firm’s crown as the top semiconductor firm.
Samsung’s operating profit, at 8.3 trillion won (US$7.40 billion), is nearly double that of Intel, while the Korean tech giant’s revenue came in at 17.58 trillion won.
The profit margin of Samsung’s chip business stood at a whopping 45.7 percent, compared to Intel’s 25.7 percent.
Market analysts said the soaring demand of DRAM and solid-state drives helped Samsung leap to the top. They anticipated that the Korean tech behemoth’s chip business will further grow thanks to the increasing demand for memory chips, which play a core role in servers and mobile devices.
“The prices of DRAM and NAND flash memory chips will likely continue to rise in the third quarter this year, and Samsung is expected to earn 9.5 trillion won operating profit in the third quarter,” said Kwon Seong-ryul, an analyst from Dongbu Securities.

Твердотельный накопитель Samsung EVO 850 получил экологический сертификат EPD

SSD Samsung EVO 850 потребители и СМИ оценили уже давно за высокий уровень производительности, выносливости и экологической надёжности. И вот совсем недавно 250-гигабайтный SSD EVO 850 получил награду EPD (Environmental Product Declaration) - сертификат организации по защите окружающей среды Южной Кореи.
Как показала экспертиза, это изделие отличается самым низким содержанием токсичных веществ по сравнению с аналогичной продукцией конкурентов, что благотворно сказывается на сохранении окружающей среды как при производстве, так и при утилизации каждого SSD-модуля.
В Samsung уже давно действует программа содействия развитию "зелёных технологий" и конгломерат уже не раз был отмечен престижными наградами от различных экологических организаций.
С целью сокращения выбросов парниковых газов в атмосферу дочерние подразделения Samsung Electronics и Samsung Engineering построили объект, где производится разложение парниковых газов на безвредные элементы при производстве полупроводников.
С 2007 года, когда объект был введён в эксплуатацию, инженеры корпорации постоянно совершенствовали его, доведя степень разложения парниковых газов до более чем 90% и сократив к 2016-му году выбросы на 1,25 млн тонн.
В официальном пресс-релизе, опубликованном на сайте южнокорейской корпорации, говорится, что Samsung продолжит активную работу в направлении развития "зелёной экономики" на своих предприятиях.

Samsung’s Achievements in Eco-Friendliness: 850 EVO SSD Recognized for Environmental Reliability

Samsung’s 850 EVO solid state drive (SSD) has long been praised by customers and media for its high level of performance and endurance, and now is also being recognized for its environmental reliability. The SSD 850 EVO 250GB was recently awarded the Environmental Product Declaration (EPD) label in Korea1, a certificate which recognizes a product’s performance according to six key environmental metrics such as carbon footprint, ozone depletion, eutrophication, photochemical smog, resource footprint and acidification.
The SSD 850 EVO 250GB received the certification with the lowest carbon footprint per product in the market at 9.327kg CO2, which is less than the amount of carbon absorbed by an average 30-year-old tree in a year (9.36kg CO2).
“Through the EPD certification, we are very pleased to be able to assure our customers that Samsung SSDs not only offer cutting-edge technology, but also are eco-friendly products,” said Un-Soo Kim, Senior Vice President of Brand Product Marketing, Memory Business at Samsung Electronics. “At Samsung, we are proactively working to reduce our environmental footprint, and we look forward to more of our leading-edge SSD products being recognized for their eco-friendliness.”

Samsung’s Ongoing Efforts to Reduce Its Environmental Footprint

Samsung has continuously placed significant priority on minimizing its overall environmental footprint by designing and operating highly energy-efficient production facilities, optimizing its entire manufacturing processes and engaging its customers and suppliers along every step. Samsung earned its first low carbon footprint certification for the DDR3 DRAM server module in 2009 and has since expanded its certification portfolio across its key products, including NAND flash and application processors.
In particular, Samsung’s Device Solutions division which manufactures the 850 EVO has set three goals as part of its eco-friendly manufacturing initiatives: 1) minimize the input of greenhouse gases during the semiconductor manufacturing process, 2) replace harmful substances whenever possible and 3) finely decompose greenhouse gases that were inevitably produced.
While these goals present inherent challenges, Samsung Electronics and Samsung Engineering jointly built a facility that decomposes greenhouse gases created during semiconductor processing in 2007. Through continuous enhancements made to the facility, Samsung has effectively been able to decompose more than 90% of greenhouse gases, reducing 1.25 total million tons of greenhouse gases and saving 2,527 TJ of energy in 2016.
Samsung will continue to strengthen its commitment to a sustainable future through a dedicated, comprehensive examination across its processes and businesses.

1 The Environmental Product Declaration (EPD) is a national certification system in Korea for open environmental information. The certification is developed in accordance with the International Standards ISO 14025, 14040s, 14046, 14064s and ISO/TS 14067. The certification is managed by the Ministry of Environment and operated by the Korea Environmental Industry & Technology Institute.